发光元件和用于发光元件的多环化合物的制作方法

发光元件和用于发光元件的多环化合物
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2021年1月19日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2021-0007281号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
3.本公开的实施方式的一个或多个方面涉及发光元件和在发光元件中利用的多环化合物，并且例如，涉及在空穴传输区中利用的多环化合物，以及包括多环化合物的发光元件。


背景技术：

4.有机电致发光显示装置正被积极地开发为图像显示装置。示例有机电致发光显示装置包括所谓的自发光的发光元件，其中分别从第一电极和第二电极注入的空穴和电子在发射层中复合，并且发射层的发光材料发光以实施显示。
5.在将发光元件应用于显示装置时，期望具有长的使用寿命(例如，期限)的发光元件，并且期望开发能够稳定地获得用于发光元件的这种特点的材料。


技术实现要素：

6.本公开的实施方式的一个或多个方面涉及展示出长的使用寿命特点的发光元件。
7.本公开的实施方式的一个或多个方面涉及作为用于具有长的使用寿命特点的发光元件的材料的多环化合物。
8.本公开的一个或多个实施方式提供了发光元件，包括：第一电极；设置在第一电极上的第二电极；以及在第一电极和第二电极之间并且包括由式1表示的多环化合物的至少一个功能层：
9.式1
[0010][0011]
在式1中，x1、x2和x3可各自独立地为r
x
或由取代基s1表示，其中x1、x2和x3中的至少一个由取代基s1表示，r
x
和r1可各自独立地为氢原子、氘原子、卤原子、氰基、取代的或未取代的甲硅烷基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的具有1至30个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有6至50个成环碳原子的芳基，或者取代的或未取代的具有2至50个成环碳原子的杂芳基，和/或可与邻近基团键合以形成环，a可为选自0至5的整数，并且ar1和ar2可各自独立地为取代的或未取代的具有6至50个成环碳原子的芳基，
[0012]
取代基s1
[0013][0014]
在取代基s1中，y1、y2和y3可各自独立地为ry或l2z，其中y1、y2或y3中的任何一个由l2z表示，r2和ry可各自独立地为氢原子、氘原子、卤原子、氰基、取代的或未取代的甲硅烷基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的具有1至30个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有6至50个成环碳原子的芳基，或者取代的或未取代的具有2至50个成环碳原子的杂芳基，和/或可与邻近基团键合以形成环，其中ry不包括(例如，不为)取代的或未取代的咔唑基、b可为选自0至5的整数，l1可为直接连接或者取代的或未取代的具有6至50个成环碳原子的亚芳基，l2可为直接连接、取代的或未取代的具有6至50个成环碳原子的亚芳基，或者取代的或未取代的具有2至50个成环碳原子的亚杂芳基，其中当x1由取代基s1表示并且y1由l2z表示时，l2为直接连接，并且当x1由取代基s1表示并且y2由l2z表示时，z为取代的咔唑基，并且在取代基s1中，
“‑
*”为连接至式1中的苯环的位置，并且z由取代基s2表示，并且
[0015]
取代基s2
[0016][0017]
在取代基s2中，r3可为氢原子、氘原子、卤原子、氰基、取代的或未取代的甲硅烷基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的具有1至30个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有6至50个成环碳原子的芳基，或者取代的或未取代的具有2至50个成环碳原子的杂芳基，和/或可与邻近基团键合以形成环，c可为选自0至8的整数，并且在取代基s2中，为连接至取代基s1中的l2的位置。
[0018]
在实施方式中，至少一个功能层可包括发射层、设置在第一电极和发射层之间的空穴传输区以及设置在发射层和第二电极之间的电子传输区，其中空穴传输区可包括由式1表示的多环化合物。
[0019]
在实施方式中，空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、缓冲层、发射辅助层和电子阻挡层中的至少一个，并且空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的至少一个可包括由式1表示的多环化合物。
[0020]
在实施方式中，ar1和ar2可各自独立地为取代的或未取代的苯基。
[0021]
在实施方式中，x1、x2或x3中的任何一个可由取代基s1表示。
[0022]
在实施方式中，r
x
、ry和r1可各自独立地为氢原子或氘原子。
[0023]
在实施方式中，r2可为氢原子、氘原子、甲基、氰基、甲氧基，或者取代的或未取代的咔唑基。
[0024]
在实施方式中，r3可为氢原子、氘原子、取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的联苯基、取代的或未取代的萘基、取代的或未取代的二苯并呋喃基，或者取代的或未取代的二苯并噻吩基。
[0025]
在实施方式中，由式1表示的多环化合物可由式1-1表示：
[0026]
式1-1
[0027][0028]
在式1-1中，x1、x2、x3、r1和a可各自独立地与式1中限定的相同。
[0029]
在实施方式中，l1可为直接连接、取代的或未取代的亚苯基、取代的或未取代的二价联苯基，或者取代的或未取代的二价萘基。
[0030]
在实施方式中，l2可为直接连接、取代的或未取代的亚苯基、取代的或未取代的二价联苯基、取代的或未取代的二价萘基、取代的或未取代的二价二苯并呋喃基，或者取代的或未取代的二价二苯并噻吩基。
[0031]
在实施方式中，由取代基s2表示的取代基可为取代的或未取代的咔唑基。
[0032]
在本公开的实施方式中，多环化合物由式1表示。
附图说明
[0033]
包括所附附图以提供对本公开的进一步理解，并且将所附附图并入本说明书并且构成本说明书的一部分。附图阐释了本公开的实施方式，并且与描述一起用于解释本公开的原理。在附图中：
[0034]
图1为阐释根据本公开的实施方式的显示装置的平面图；
[0035]
图2为根据本公开的实施方式的显示装置的横截面图；
[0036]
图3为示意性阐释根据本公开的实施方式的发光元件的横截面图；
[0037]
图4为示意性阐释根据本公开的实施方式的发光元件的横截面图；
[0038]
图5为示意性阐释根据本公开的实施方式的发光元件的横截面图；
[0039]
图6为示意性阐释根据本公开的实施方式的发光元件的横截面图；
[0040]
图7为根据本公开的实施方式的显示装置的横截面图；并且
[0041]
图8为根据本公开的实施方式的显示装置的横截面图。
具体实施方式
[0042]
可以多种替代形式修改本公开，并且因此将在附图中显示并且更详细地描述选择
的实施方式。然而，应理解，本公开不限于公开的特定形式，而是旨在覆盖落入本公开的精神和范围内的所有修改、等效方案和替代方案。
[0043]
附图中相同的附图标记通篇表示相同的元件，并且可不提供其重复的描述。为了本公开的清楚起见，可放大附图中的尺寸和维度。应理解，尽管术语“第一”、“第二”等可在本文用于描述各种适当的元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件和另一元件。例如，在不背离本公开的范围的情况下，第一元件可称为第二元件，并且类似地，第二元件可称为第一元件。单数形式(比如，“一个(a)”、“一个(an)”和“所述”)也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。
[0044]
在本技术中，将理解，术语“包括(include)”、“包含(comprise)”、“具有”等表示存在说明书中公开的特征、固定数量、步骤、操作、元件、组件或其组合，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征、固定数量、步骤、操作、元件、组件或其组合的可能性。
[0045]
在本技术中，当部分比如层、膜、区域或板被称为“在”另一部分“上”或“上面”时，其可直接在另一部分上，或也可存在居间部分。相反，当部分比如层、膜、区域或板被称为“在”另一部分“下方”或“下面”时，其可直接在另一部分下方，或也可存在居间部分。将理解，当部分被称为“在”另一部分“上”时，其可设置在另一部分上，或也可设置在另一部分下方。
[0046]
如本文使用的，术语“使用(use)”、“使用(using)”和“使用(used)”可视为分别与术语“利用(utilize)”、“利用(utilizing)”和“利用(utilized)”同义。如本文使用的，表述比如
“……
中的至少一个”、
“……
中的一个”和“选自
……”
当在元件的列表之前/之后时，修饰元件的整个列表，并且不修饰列表的单个元件。如本文使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任何和所有组合。进一步，当描述本公开的实施方式时“可”的使用指“本公开的一个或多个实施方式”。
[0047]
在说明书中，术语“取代的或未取代的”可指未取代的，或被至少一个选自由下述组成的组中的取代基取代：氘原子、卤原子、氰基、硝基、氨基、甲硅烷基、氧基、硫基、亚磺酰基、磺酰基、羰基、硼基、氧化膦基、硫化膦基、烷基、烯基、炔基、烷氧基、烃环基、芳基和杂环基。在一些实施方式中，上面取代基中的每一个可为进一步取代的或未取代的。例如，联苯基可解释为芳基，或被苯基取代的苯基。
[0048]
在说明书中，短语“与邻近基团键合以形成环”可指与邻近基团键合以形成取代的或未取代的烃环，或者取代的或未取代的杂环。烃环包括脂族烃环和芳族烃环。杂环包括脂族杂环和芳族杂环。烃环和杂环可为单环或多环。在一些实施方式中，通过彼此键合形成的环可连接至另一环以形成螺结构。
[0049]
在说明书中，术语“邻近基团”可指相同原子或点上的取代基、直接连接至基础原子或点的原子上的取代基，或空间上定位(例如，在分子内键合距离内)以对应取代基的取代基。例如，1,2-二甲基苯中的两个甲基可解释为彼此的“邻近基团”，并且1,1-二乙基环戊烷中的两个乙基可解释为彼此的“邻近基团”。进一步，4,5-二甲基菲中的两个甲基可解释为彼此的“邻近基团”。
[0050]
在说明书中，卤原子的示例可包括氟原子、氯原子、溴原子和/或碘原子。
[0051]
在说明书中，术语“烷基”可指直链烷基、支链烷基或环烷基。烷基中碳的数量可为1至50、1至30、1至20、1至10或1至6。烷基的示例可包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、
仲丁基、叔丁基、异丁基、2-乙基丁基、3,3-二甲基丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、环戊基、1-甲基戊基、3-甲基戊基、2-乙基戊基、4-甲基-2-戊基、正己基、1-甲基己基、2-乙基己基、2-丁基己基、环己基、4-甲基环己基、4-叔丁基环己基、正庚基、1-甲基庚基、2,2-二甲基庚基、2-乙基庚基、2-丁基庚基、正辛基、叔辛基、2-乙基辛基、2-丁基辛基、2-己基辛基、3,7-二甲基辛基、环辛基、正壬基、正癸基、金刚烷基、2-乙基癸基、2-丁基癸基、2-己基癸基、2-辛基癸基、正十一烷基、正十二烷基、2-乙基十二烷基、2-丁基十二烷基、2-己基十二烷基、2-辛基十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、2-乙基十六烷基、2-丁基十六烷基、2-己基十六烷基、2-辛基十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、正十九烷基、正二十烷基、2-乙基二十烷基、2-丁基二十烷基、2-己基二十烷基、2-辛基二十烷基、正二十一烷基、正二十二烷基、正二十三烷基、正二十四烷基、正二十五烷基、正二十六烷基、正二十七烷基、正二十八烷基、正二十九烷基、正三十烷基等，但不限于此。
[0052]
术语“烃环基”可指衍生自脂族烃环的任何官能团或取代基。烃环基可为具有5至20个成环碳原子的饱和烃环基。
[0053]
术语“芳基”可指衍生自芳族烃环的任何官能团或取代基。芳基可为单环芳基或多环芳基。芳基中的成环碳原子的数量可为6至50、6至30、6至20或6至15。芳基的示例可包括苯基、萘基、芴基、蒽基、菲基、联苯基、三联苯基、四联苯基、五联苯基、六联苯基、三亚苯基、芘基、苯并荧蒽基、1,2-苯并菲基等，但是本公开的实施方式不限于此。
[0054]
在说明书中，芴基可为取代的(例如，在9-位)，并且两个取代基可彼此键合以形成螺结构。其中芴基为取代的情况的示例如下。然而，本公开的实施方式不限于此。
[0055][0056]
术语“杂环基”可指衍生自包括硼(b)、氧(o)、氮(n)、磷(p)、硅(si)、硫(s)和硒(se)中的至少一个作为杂原子的环的任何官能团或取代基。杂环基可为脂族杂环基或芳族杂环基。芳族杂环基可为杂芳基。脂族杂环和芳族杂环可为单环或多环。
[0057]
在说明书中，杂环基可包括b、o、n、p、si、s和se中的至少一个作为杂原子。当杂环基包括两个或更多个杂原子时，两个或更多个杂原子可彼此相同或不同。杂环基可为单环杂环基或多环杂环基，并且在一些实施方式中，可为杂芳基。杂环基中的成环碳原子的数量可为2至50、2至30、2至20或2至10。
[0058]
在说明书中，脂族杂环基可包括b、o、n、p、si、s和se中的一个或多个作为杂原子。脂族杂环基中的成环碳原子的数量可为2至30、2至20或2至10。脂族杂环基的示例可包括环氧乙烷基、硫杂丙环基、吡咯烷基、哌啶基、四氢呋喃基、四氢噻吩基、噻烷基、四氢吡喃基、1,4-二噁烷基等，但是本公开的实施方式不限于此。
[0059]
本文中的杂芳基可包括b、o、n、p、si、s和se中的至少一个作为杂原子。当杂芳基含有两个或更多个杂原子时，两个或更多个杂原子可彼此相同或不同。杂芳基可为单环杂芳基或多环杂芳基。杂芳基中的成环碳原子的数量可为2至30、2至20或2至10。杂芳基的示例可包括噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、三唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、吩噁嗪基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并
吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、n-芳基咔唑基、n-杂芳基咔唑基、n-烷基咔唑基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、噻吩并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基、噻唑基、异噁唑基、噁唑基、噁二唑基、噻二唑基、吩噻嗪基、二苯并噻咯基、二苯并呋喃基等，但是本公开的实施方式不限于此。
[0060]
在说明书中，除了亚芳基为二价基团之外，上面关于芳基的描述可应用于亚芳基。除了亚杂芳基为二价基团之外，有关前述杂芳基的解释可应用于亚杂芳基。
[0061]
在说明书中，甲硅烷基包括烷基甲硅烷基和芳基甲硅烷基。甲硅烷基的示例可包括三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、二苯基甲硅烷基、苯基甲硅烷基等。然而，本公开的实施方式不限于此。
[0062]
在说明书中，不特别限制氨基中的碳原子的数量，但是可为1至30。氨基可包括烷基氨基、芳基氨基或杂芳基氨基。氨基的示例可包括甲基氨基、二甲氨基、苯基氨基、二苯基氨基、萘基氨基、9-甲基-蒽基氨基等，但不限于此。
[0063]
在说明书中，不特别限制羰基中的碳原子的数量，但是可为1至40、1至30或1至20。例如，羰基可具有下述结构，但是本公开的实施方式不限于此：
[0064][0065]
在说明书中，不特别限制亚磺酰基和磺酰基中的碳原子的数量，但是可为1至30。术语“亚磺酰基”可包括烷基亚磺酰基和芳基亚磺酰基。术语“磺酰基”可包括烷基磺酰基和芳基磺酰基。
[0066]
本文中的术语“硫基”可包括烷硫基和芳硫基。硫基可指硫原子与如上面限定的烷基或芳基键合。硫基的示例可包括甲基硫基、乙基硫基、丙基硫基、戊基硫基、己基硫基、辛基硫基、十二烷基硫基、环戊基硫基、环己基硫基、苯硫基、萘基硫基、但是本公开的实施方式不限于此。
[0067]
本文中的术语“氧基”可指氧原子与如上面限定的烷基或芳基键合。氧基可为烷氧基或芳氧基。烷氧基可为直链的、支链的或环状的。不特别限制烷氧基中的碳原子的数量，但是可为，例如，1至20或1至10。氧基的示例可包括甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、辛氧基、壬氧基、癸氧基、苄氧基等，但是本公开的实施方式不限于此。
[0068]
本文中的术语“硼基”可指硼原子与如上面限定的烷基或芳基键合。硼基可为烷基硼基或芳基硼基。硼基的示例可包括二甲基硼基、二乙基硼基、叔丁基甲基硼基、二苯基硼基、苯基硼基等，但是本公开的实施方式不限于此。
[0069]
在说明书中，烯基可为直链的或支链的。不特别限制烯基中的碳原子的数量，但是可为2至30、2至20或2至10。烯基的示例可包括乙烯基、1-丁烯基、1-戊烯基、1,3-丁二烯基、苯乙烯基、苯乙烯基乙烯基等，而没有限制。
[0070]
在说明书中，不特别限制胺基中的碳原子的数量，但是可为1至30。胺基可为烷基
g和eml-b设置在像素限定膜pdl中限定的开孔oh中，并且空穴传输区htr、电子传输区etr和第二电极el2作为公共层提供在整个发光元件ed-1、ed-2和ed-3中。然而，本公开的实施方式不限于此，并且例如，可通过在像素限定膜pdl中限定的每个开孔oh内侧独立地图案化来提供实施方式中的空穴传输区htr和电子传输区etr。例如，可通过在喷墨印刷法中图案化而各自独立地提供实施方式中的发光元件ed-1、ed-2和ed-3的空穴传输区htr，发射层eml-r、eml-g和eml-b以及电子传输区etr。
[0085]
封装层tfe可覆盖发光元件ed-1、ed-2和ed-3。封装层tfe可密封显示元件层dp-ed的元件，比如发光元件ed-1、ed-2和ed-3。封装层tfe可为薄膜封装层。可通过层压一个层或多个层而形成封装层tfe。封装层tfe可包括至少一个绝缘层。根据实施方式的封装层tfe可包括至少一个无机膜(下文，封装无机膜)。根据实施方式的封装层tfe也可包括至少一个有机膜(下文，封装有机膜)和至少一个封装无机膜。
[0086]
封装无机膜保护显示元件层dp-ed免受水分/氧气的影响，并且封装有机膜保护显示元件层dp-ed免受外来物质(比如，灰尘颗粒)的影响。封装无机膜可包括硅氮化物、氮氧化硅、硅氧化物、钛氧化物和/或铝氧化物等，但是本公开的实施方式不特别限于此。封装有机膜可包括丙烯酸类化合物、环氧类化合物等。封装有机膜可包括光聚合有机材料，但是本公开的实施方式不特别限于此。
[0087]
封装层tfe可设置在第二电极el2上并且可设置为填充开孔oh。
[0088]
参考图1和图2，显示装置dd可包括非发光区npxa以及发光区pxa-r、pxa-g和pxa-b。发光区pxa-r、pxa-g和pxa-b可分别为发射从发光元件ed-1、ed-2和ed-3生成的光的区域。在平面中，发光区pxa-r、pxa-g和pxa-b可彼此间隔开。
[0089]
发光区pxa-r、pxa-g和pxa-b中的每一个可被像素限定膜pdl分隔(例如，限定)。非发光区npxa可在发光区pxa-r、pxa-g和pxa-b之间，并且可对应于像素限定膜pdl的部分。在一些实施方式中，发光区pxa-r、pxa-g和pxa-b中的每一个可对应于像素。像素限定膜pdl可将发光元件ed-1、ed-2和ed-3分开。发光元件ed-1、ed-2和ed-3的发射层eml-r、eml-g和eml-b可设置在由像素限定膜pdl限定的开孔oh中，并且彼此分开。
[0090]
发光区pxa-r、pxa-g和pxa-b可根据从发光元件ed-1、ed-2和ed-3生成的光的颜色而分成多个组。在图1和图2中显示的实施方式的显示装置dd中，阐释了分别发射红光、绿光和蓝光的三个发光区pxa-r、pxa-g和pxa-b。例如，实施方式的显示装置dd可包括彼此分开的红色发光区pxa-r、绿色发光区pxa-g和蓝色发光区pxa-b。
[0091]
在根据实施方式的显示装置dd中，多个发光元件ed-1、ed-2和ed-3可发射具有彼此不同的波长的光束。例如，在实施方式中，显示装置dd可包括发射红光的第一发光元件ed-1、发射绿光的第二发光元件ed-2和发射蓝光的第三发光元件ed-3。例如，显示装置dd的红色发光区pxa-r、绿色发光区pxa-g和蓝色发光区pxa-b可分别对应于第一发光元件ed-1、第二发光元件ed-2和第三发光元件ed-3。
[0092]
然而，本公开的实施方式不限于此，并且第一至第三发光元件ed-1、ed-2和ed-3可发射基本上相同波长范围内的光束，或至少一个发光元件可发射与其他发光元件不同的波长范围内的光束。例如，第一至第三发光元件ed-1、ed-2和ed-3可都发射蓝光。
[0093]
根据实施方式的显示装置dd中的发光区pxa-r、pxa-g和pxa-b可布置为条纹形式或图案。参考图1，多个红色发光区pxa-r可沿着第二方向轴dr2彼此布置，多个绿色发光区
pxa-g可沿着第二方向轴dr2彼此布置，并且多个蓝色发光区pxa-b可沿着第二方向轴dr2彼此布置。红色发光区pxa-r、绿色发光区pxa-g和蓝色发光区pxa-b可沿着第一方向轴dr1以此顺序彼此交替布置。
[0094]
图1和图2阐释了其中所有的发光区pxa-r、pxa-g和pxa-b具有系统的面积的实施方式，但是本公开的实施方式不限于此，并且发光区pxa-r、pxa-g和pxa-b可根据发射的光的波长范围而具有彼此不同的面积。在该情况下，发光区pxa-r、pxa-g和pxa-b的面积可为在由第一方向轴dr1和第二方向轴dr2限定的平面中(例如，与该平面正交或垂直于该平面)观察到的面积。
[0095]
发光区pxa-r、pxa-g和pxa-b的布置形式或图案不限于图1中阐释的特征，并且可根据期望的显示装置dd的质量的特点而不同地组合和提供其中布置红色发光区pxa-r、绿色发光区pxa-g和蓝色发光区pxa-b的顺序。例如，发光区pxa-r、pxa-g和pxa-b的布置形式可为布置形式(图案)或菱形布置形式(图案)。
[0096]
在一些实施方式中，发光区pxa-r、pxa-g和pxa-b的面积可彼此不同。例如，在实施方式中，绿色发光区pxa-g的面积可小于蓝色发光区pxa-b的面积，但是本公开的实施方式不限于此。
[0097]
下文，图3至图6为示意性阐释根据本公开的实施方式的发光元件的横截面图。根据实施方式的发光元件ed可各自包括第一电极el1、面向第一电极el1的第二电极el2以及设置在第一电极el1和第二电极el2之间的至少一个功能层。至少一个功能层可包括依次堆叠的空穴传输区htr、发射层eml和电子传输区etr。例如，实施方式的发光元件ed中的每一个可包括依次堆叠的第一电极el1、空穴传输区htr、发射层eml、电子传输区etr和第二电极el2。
[0098]
与图3比较，图4阐释了其中空穴传输区htr包括空穴注入层hil和空穴传输层htl，并且电子传输区etr包括电子注入层eil和电子传输层etl的实施方式的发光元件ed的横截面图。与图3比较，图5阐释了其中空穴传输区htr包括空穴注入层hil、空穴传输层htl和电子阻挡层ebl，并且电子传输区etr包括电子注入层eil、电子传输层etl和空穴阻挡层hbl的实施方式的发光元件ed的横截面图。与图4比较，图6阐释了包括设置在第二电极el2上的封盖层cpl的实施方式的发光元件ed的横截面图。
[0099]
实施方式的发光元件ed可在空穴传输区htr、发射层eml和电子传输区etr等中的至少一个功能层中包括下面将描述的实施方式的多环化合物。
[0100]
在根据实施方式的发光元件ed中，第一电极el1具有导电性。第一电极el1可由金属材料、金属合金和/或导电化合物形成。第一电极el1可为阳极或阴极。然而，本公开的实施方式不限于此。在一些实施方式中，第一电极el1可为像素电极。第一电极el1可为透射电极、透反射电极或反射电极。当第一电极el1为透射电极时，第一电极el1可利用透明的金属氧化物(比如，氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)和/或氧化铟锡锌(itzo))形成。当第一电极el1为透反射电极或反射电极时，第一电极el1可包括银(ag)、镁(mg)、铜(cu)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)、其化合物、lif，或其混合物(例如，ag和mg的混合物、lif和ca的混合物、lif和al的混合物等)。在一些实施方式中，第一电极el1可具有多层结构，该多层结构包括由上述的材料形成的反射膜或透反射膜以及由ito、izo、zno、itzo等形成的透明导电膜。
例如，第一电极el1可具有ito/ag/ito的三层结构，但是本公开的实施方式不限于此。在一些实施方式中，本公开的实施方式不限于此，并且第一电极el1可包括上述的金属材料、上述的金属材料中的至少两种的组合和/或上述的金属材料的氧化物等。第一电极el1的厚度可为约至约例如，第一电极el1的厚度可为约至约
[0101]
空穴传输区htr提供在第一电极el1上。空穴传输区htr可包括空穴注入层hil、空穴传输层htl、缓冲层、发射辅助层和电子阻挡层ebl中的至少一个。空穴传输区htr的厚度可为，例如，约至约
[0102]
空穴传输区htr可具有由单一材料形成的单层、由多种不同材料形成的单层，或包括由多种不同材料形成的多个层的多层结构。
[0103]
例如，空穴传输区htr可具有空穴注入层hil或空穴传输层htl的单层结构，或可具有由空穴注入材料和空穴传输材料形成的单层结构。在一些实施方式中，空穴传输区htr可具有由多种不同材料形成的单层结构，或其中空穴注入层hil/空穴传输层htl、空穴注入层hil/空穴传输层htl/缓冲层、空穴注入层hil/缓冲层、空穴传输层htl/缓冲层或空穴注入层hil/空穴传输层htl/电子阻挡层ebl从第一电极el1依次堆叠的结构，但是本公开的实施方式不限于此。
[0104]
可利用一个或多个适当的方法(比如，真空沉积法、旋涂法、浇铸法、朗缪尔-布罗基特(lb)法、喷墨印刷法、激光印刷方法和/或激光诱导热成像(liti)法)形成空穴传输区htr。
[0105]
实施方式的发光元件ed中的空穴传输区htr可包括由式1表示的多环化合物。在一些实施方式中，实施方式的发光元件ed中的空穴传输区htr可包括空穴注入层hil、空穴传输层htl和电子阻挡层ebl中的至少一个，并且空穴注入层hil、空穴传输层htl和电子阻挡层ebl中的至少一个可包括根据实施方式的由式1表示的多环化合物。例如，实施方式的发光元件ed中的空穴传输层htl可包括由式1表示的多环化合物：
[0106]
式1
[0107][0108]
在式1中，x1、x2和x3可各自独立地为r
x
或由取代基s1表示，并且x1、x2和x3中的至少一个可由取代基s1表示。在实施方式中，x1、x2或x3中的任何一个可由取代基s1表示，并且其他两个可由r
x
表示。然而，本公开的实施方式不限于此。
[0109]rx
可为氢原子、氘原子、卤原子、氰基、取代的或未取代的甲硅烷基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的具有1至30个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有6至50个成环碳原子的芳基，或者取代的或未取代的具有2至50个成环碳原子的杂芳基，和/或可与邻近基团键合以形成环。例如，r
x
可为氢原子或氘原子。
[0110]
ar1和ar2可各自独立地为取代的或未取代的具有6至50个成环碳原子的芳基。例如，ar1和ar2可各自独立地为取代的或未取代的苯基，并且在一些实施方式中，ar1和ar2中
的每一个可为未取代的苯基。例如，由式1表示的多环化合物可具有9,9-二苯基芴骨架(结构)。然而，本公开的实施方式不限于此。例如，ar1和ar2可各自为被氘原子取代的苯基。
[0111]
r1可各自独立地为氢原子、氘原子、卤原子、氰基、取代的或未取代的甲硅烷基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的具有1至30个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有6至50个成环碳原子的芳基，或者取代的或未取代的具有2至50个成环碳原子的杂芳基，和/或可与邻近基团键合以形成环。例如，r1可为氢原子或氘原子。
[0112]
a可为选自0至5的整数。例如，a可为0或1。其中a为0的情况可提供与其中a为1并且r1为氢原子的情况相同的结构。
[0113]
取代基s1可由如下表示：
[0114]
取代基s1
[0115][0116]
在取代基s1中，
“‑
*”为连接至式1中的苯环的位置。例如，在取代基s1中，
“‑
*”为连接至式1中的被x1、x2或x3取代的碳原子中的任何一个的位置。
[0117]
在取代基s1中，y1、y2和y3可各自独立地为ry或l2z，并且y1、y2或y3中的任何一个可由l2z表示。例如，y1、y2或y3中的任何一个可为l2z，并且其他两个可为ry。在l2z中，l2可为连接体并且z可为取代基。例如，l2可为将取代基z连接至被y1、y2或y3取代的碳原子中的任何一个的连接体。
[0118]ry
可为氢原子、氘原子、卤原子、氰基、取代的或未取代的甲硅烷基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的具有1至30个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有6至50个成环碳原子的芳基，或者取代的或未取代的具有2至50个成环碳原子的杂芳基，和/或可与邻近基团键合以形成环，其中ry不包括取代的或未取代的咔唑基。例如，ry可为氢原子或氘原子。
[0119]
r2可为氢原子、氘原子、卤原子、氰基、取代的或未取代的甲硅烷基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的具有1至30个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有6至50个成环碳原子的芳基，或者取代的或未取代的具有2至50个成环碳原子的杂芳基，和/或可与邻近基团键合以形成环。例如，r2可为氢原子、氘原子、甲基、氰基、甲氧基，或者取代的或未取代的咔唑基。然而，本公开的实施方式不限于此。
[0120]
b可为选自0至5的整数。例如，b可为0或1。其中b为0的情况可提供与其中b为1并且r2为氢原子的情况相同的结构。
[0121]
l1可为直接连接，或者取代的或未取代的具有6至50个成环碳原子的亚芳基。例如，l1可为直接连接、取代的或未取代的亚苯基、取代的或未取代的二价联苯基，或者取代的或未取代的二价萘基。例如，l1可包括取代基组l-1中公开的取代基。然而，本公开的实施方式不限于此。
[0122]
取代基组l-1
[0123][0124]
在取代基组l-1中，
“‑
*”为连接至式1中的苯环或取代基s1中的氮原子的位置。例如，在取代基组l-1中，
“‑
*”连接至式1中的被x1、x2或x3取代的碳原子中的任何一个，或连接至取代基s1中的咔唑基的9-位的氮原子。
[0125]
l2可为直接连接、取代的或未取代的具有6至50个成环碳原子的亚芳基，或者取代的或未取代的具有2至50个成环碳原子的亚杂芳基。然而，当x1由取代基s1表示，并且y1由l2z表示时，l2可为直接连接。然而，当x1由取代基s1表示，并且y2由l2z表示时，l2可为取代的咔唑基。
[0126]
在实施方式中，l2可为直接连接、取代的或未取代的亚苯基、取代的或未取代的二价联苯基、取代的或未取代的二价萘基、取代的或未取代的二价二苯并呋喃基，或者取代的或未取代的二价二苯并噻吩基。
[0127]
例如，l2可包括取代基组l-2中公开的取代基。然而，本公开的实施方式不限于此。
[0128]
取代基组l-2
[0129][0130]
在取代基组l-2中，为连接至取代基s1中的苯环或取代基s2中的氮原子的位置。例如，在取代基组l-2中，连接至取代基s1中的被y1、y2或y3取代的碳原子中的任何一个，或连接至取代基s2中的咔唑基的9-位的氮原子。例如，一个可连接
至取代基s1并且另一个可连接至取代基s2。
[0131]
z可由取代基s2表示。
[0132]
取代基s2
[0133][0134]
在取代基s2中，为连接至取代基s1中的l2的位置。
[0135]
r3可为氢原子、氘原子、卤原子、氰基、取代的或未取代的甲硅烷基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的具有1至30个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有6至50个成环碳原子的芳基，或者取代的或未取代的具有2至50个成环碳原子的杂芳基，和/或可与邻近基团键合以形成环。
[0136]
例如，r3可为氢原子、氘原子、取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的联苯基、取代的或未取代的萘基、取代的或未取代的二苯并呋喃基，或者取代的或未取代的二苯并噻吩基。例如，r3可为氢原子、氘原子、未取代的苯基、被三苯基甲硅烷基取代的苯基、被氘取代的苯基、未取代的联苯基、未取代的萘基、未取代的二苯并呋喃基、被未取代的苯基取代的二苯并呋喃基、未取代的二苯并噻吩基或被未取代的苯基取代的二苯并苯基。然而，本公开的实施方式不限于此。
[0137]
c可为选自0至8的整数。例如，c可为0、1或2。当c为2或更大的整数时，多个r3可都相同或至少一个可与其余的不同。例如，多个r3可都为未取代的苯基。在一些实施方式中，多个r3中的任何一个可为未取代的苯基，并且任何一个可为取代的二苯并呋喃基。
[0138]
在实施方式中，取代基s2可为取代的或未取代的咔唑基。
[0139]
在实施方式中，由式1表示的多环化合物可由式1-1表示：
[0140]
式1-1
[0141][0142]
式1-1表示其中式1中的ar1和ar2中的每一个为未取代的苯基的情况。
[0143]
x1、x2、x3、r1和a可各自独立地与式1中限定的相同。
[0144]
实施方式的由式1表示的多环化合物可由化合物组1的化合物中的一个表示。实施方式的发光元件ed的空穴传输区htr可包括化合物组1中公开的多环化合物中的至少一个：
[0145]
化合物组1
[0146][0147]
[0148]
[0149]
[0150]
[0151]
[0152]
[0153]
[0154]
[0155]
[0156]
[0157]
[0158]
[0159]
[0160]
[0161]
[0162]
[0163]
[0164]
[0165]
[0166]
[0167]
[0168]
[0169]
[0170]
[0171]
[0172]
[0173]
[0174]
[0175]
[0176]
[0177]
[0178]
[0179]
[0180]
[0181]
[0182]
[0183]
[0184]
[0185]
[0186]
[0187]
[0188]
[0189]
[0190]
[0191]
[0192]
[0193]
[0194]
[0195]
[0196]
[0197]
[0198]
[0199]
[0200]
[0201]
[0202]
[0203]
[0204]
[0205]
[0206]
[0207]
[0208]
[0209]
[0210]
[0211]
[0212][0213]
根据实施方式的由式1表示的多环化合物包括其中至少一个双咔唑部分连接至芴基的结构。在说明书中，双咔唑部分可衍生自其中取代基s2连接(键合)至取代基s1的结构。另外，芴基具有其中两个芳基连接至9-位的碳原子(例如，在9-位的碳原子处被取代)的结构。
[0214]
相应地，实施方式的多环化合物可具有卓越的或适当的空穴传输能力和/或良好的或适当的材料稳定性。包括实施方式的多环化合物的根据实施方式的发光元件可展示出卓越的或适当的使用寿命特点。
[0215]
在一些实施方式中，实施方式的多环化合物包括具有高耐热性和/或耐电荷性的双咔唑部分，并且因此可用作空穴传输材料，其具有更卓越的或适当的使用寿命特点，同时保持多环化合物的空穴传输特性。
[0216]
在一些实施方式中，除了如上述的实施方式的多环化合物之外，实施方式的发光元件ed可进一步包括用于下面将描述的空穴传输区htr的材料。
[0217]
空穴传输区htr可包括由式h-1表示的化合物：
[0218]
式h-1
[0219][0220]
在上式h-1中，l1和l2可各自独立地为直接连接、取代的或未取代的具有6至30个成
环碳原子的亚芳基，或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的亚杂芳基。a和b可各自独立地为选自0至10的整数。在一些实施方式中，当a或b为2或更大的整数时，多个l1和l2可各自独立地为取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的亚芳基，或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的亚杂芳基。
[0221]
在式h-1中，ar1和ar2可各自独立地为取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基，或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基。在一些实施方式中，在式h-1中，ar3可为取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基，或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基。
[0222]
由上式h-1表示的化合物可为单胺化合物。在一些实施方式中，由上式h-1表示的化合物可为其中ar1至ar3中的至少一个包括胺基作为取代基的二胺化合物。在一些实施方式中，由上式h-1表示的化合物可为在ar1和ar2中的至少一个中包括取代的或未取代的咔唑基的咔唑类化合物，或在ar1和ar2中的至少一个中包括取代的或未取代的芴基的芴类化合物。
[0223]
由式h-1表示的化合物可由化合物组h的化合物中的任何一个表示。然而，化合物组h中列举的化合物为示例，并且由式h-1表示的化合物不限于由化合物组h表示的那些：
[0224]
化合物组h
[0225][0226]
空穴传输区htr可包括酞菁化合物(比如酞菁铜)、n1,n1’-([1,1
’‑
联苯]-4,4
’‑
二基)双(n
1-苯基-n4,n
4-二-间甲苯基苯-1,4-二胺)(dntpd)、4,4’,4
”‑
[三(3-甲基苯基)苯基氨基]三苯胺(m-mtdata)、4,4’,4
”‑
三(n,n-二苯基氨基)三苯胺(tdata)、4,4’,4
”‑
三[n-(2-萘基)-n-苯基氨基]-三苯胺(2-tnata)、聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pedot/pss)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pani/pss)、n,n
’‑
二(1-萘基)-n,n
’‑
二苯基-联苯胺(npb)、含
三苯胺聚醚酮(tpapek)、4-异丙基-4
’‑
甲基二苯基碘鎓[四(五氟苯基)硼酸盐]、二哌嗪并[2,3-f:2’,3
’‑
h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈(hat-cn)等。
[0227]
在一些实施方式中，空穴传输区htr可包括9-(4-叔丁基苯基)-3,6-双(三苯基甲硅烷基)-9h-咔唑(czsi)、9-苯基-9h-3,9
’‑
联咔唑(ccp)、1,3-双(1,8-二甲基-9h-咔唑-9-基)苯(mdcp)等。
[0228]
空穴传输区htr可在空穴注入层hil、空穴传输层htl和电子阻挡层ebl中的至少一个中包括空穴传输区htr的上述化合物。
[0229]
空穴传输区htr的厚度可为约至约例如，约至约当空穴传输区htr包括空穴注入层hil时，空穴注入层hil可具有，例如，约至约的厚度。当空穴传输区htr包括空穴传输层htl时，空穴传输层htl可具有约至约的厚度。例如，当空穴传输区htr包括电子阻挡层ebl时，电子阻挡层ebl可具有约至约的厚度。当空穴传输区htr、空穴注入层hil、空穴传输层htl和电子阻挡层ebl的厚度满足上述范围时，可在不明显增加驱动电压的情况下实现满意的空穴传输特性。
[0230]
除了上述材料之外，空穴传输区htr可进一步包括电荷生成材料，以增加导电性。电荷生成材料可基本上均匀地或非均匀地分散在空穴传输区htr中。电荷生成材料可为，例如，p-掺杂剂。p-掺杂剂可包括金属卤化物、醌衍生物、金属氧化物和含氰基化合物中的至少一种，但是本公开的实施方式不限于此。例如，p-掺杂剂可包括金属卤化物(比如cui和/或rbi)、醌衍生物(比如四氰基醌二甲烷(tcnq)和/或2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8
’‑
四氰基醌二甲烷(f4-tcnq))、金属氧化物(比如钨氧化物和/或钼氧化物)、含氰基化合物(比如二哌嗪并[2,3-f:2’,3
’‑
h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈(hat-cn)和/或4-[[2,3-双[氰基-(4-氰基-2,3,5,6-四氟苯基)亚甲基]亚环丙基]-氰甲基]-2,3,5,6-四氟苯甲腈(ndp9))等，但是本公开的实施方式不限于此。
[0231]
如上述，除了空穴注入层hil和空穴传输层htl之外，空穴传输区htr可进一步包括缓冲层和电子阻挡层ebl中的至少一个。缓冲层可补偿由发射层eml发射的光的波长的共振距离，并且因此可增加装置的发光效率。可包括在空穴传输区htr中的材料也可包括在缓冲层中。电子阻挡层ebl可防止或减少从电子传输区etr至空穴传输区htr的电子注入。
[0232]
发射层eml提供在空穴传输区htr上。发射层eml可具有例如约至约或约至约的厚度。发射层eml可具有由单一材料形成的单层、由多种不同材料形成的单层或具有由多种不同材料形成的多个层的多层结构。
[0233]
在实施方式的发光元件ed中，发射层eml可包括蒽衍生物、芘衍生物、荧蒽衍生物、1,2-苯并菲衍生物、二氢苯并蒽衍生物和/或三亚苯基衍生物。例如，发射层eml可包括蒽衍生物和/或芘衍生物。
[0234]
在图3至图6中阐释的实施方式的每个发光元件ed中，发射层eml可包括主体和掺杂剂，并且发射层eml可包括由式e-1表示的化合物。由式e-1表示的化合物可用作荧光主体材料：
[0235]
式e-1
[0236][0237]
在式e-1中，r
31
至r
40
可各自独立地为氢原子、氘原子、卤原子、取代的或未取代的甲硅烷基、取代的或未取代的硫基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的具有1至10个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有2至20个碳原子的烯基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基，或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基，和/或可与邻近基团键合以形成环。在一些实施方式中，r
31
至r
40
可与邻近基团键合以形成饱和烃环、不饱和烃环、饱和杂环或不饱和杂环。
[0238]
在式e-1中，c和d可各自独立地为选自0至5的整数。
[0239]
式e-1可由化合物e1至化合物e19中的任一个表示：
[0240]
[0241][0242]
在实施方式中，发射层eml可包括由式e-2a或式e-2b表示的化合物。由式e-2a或式e-2b表示的化合物可用作磷光主体材料：
[0243]
式e-2a
[0244]
[0245]
在式e-2a中，a可为选自0至10的整数，la可为直接连接、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的亚芳基，或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的亚杂芳基。在一些实施方式中，当a为2或更大的整数时，多个la可各自独立地为取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的亚芳基，或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的亚杂芳基。
[0246]
在一些实施方式中，在式e-2a中，a1至a5可各自独立地为n或cri。ra至ri可各自独立地为氢原子、氘原子、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的硫基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有2至20个碳原子的烯基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基，或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基，和/或可与邻近基团键合以形成环。ra至ri可与邻近基团键合以形成烃环或含有n、o、s等作为成环原子的杂环。
[0247]
在一些实施方式中，在式e-2a中，选自a1至a5中的两个或三个可为n，并且其余的可为cri。
[0248]
式e-2b
[0249][0250]
在式e-2b中，cbz1和cbz2可各自独立地为未取代的咔唑基或被具有6至30个成环碳原子的芳基取代的咔唑基。lb可为直接连接、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的亚芳基，或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的亚杂芳基。在一些实施方式中，b可为选自0至10的整数，并且当b为2或更大的整数，多个lb可各自独立地为取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的亚芳基，或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的亚杂芳基。
[0251]
由式e-2a或式e-2b表示的化合物可由化合物组e-2的化合物中的任何一个表示。然而，化合物组e-2中列举的化合物为示例，并且由式e-2a或式e-2b表示的化合物不限于由化合物组e-2表示的那些：
[0252]
化合物组e-2
[0253]
[0254][0255]
发射层eml可进一步包括本领域中的任何适当的材料作为主体材料。例如，发射层eml可包括作为主体材料的双[2-(二苯基膦基)苯基]醚氧化物(dpepo)、4,4
’‑
双(n-咔唑基)-1,1
’‑
联苯(cbp)、1,3-双(9-咔唑基)苯(mcp)、2,8-双(二苯基磷酰基)二苯并[b,d]呋喃(ppf)、4,4’,4
”‑
三(9-咔唑基)-三苯胺(tcta)和1,3,5-三(1-苯基-1h-苯并[d]咪唑-2-基)苯(tpbi)中的至少一种。然而，本公开的实施方式不限于此，例如，三(8-羟基喹啉)铝(alq3)、9,10-二(2-萘基)蒽(adn)、2-叔丁基-9,10-二(2-萘基)蒽(tbadn)、二苯乙烯基芳烃(dsa)、4,4
’‑
双(9-咔唑基)-2,2
’‑
二甲基-联苯(cdbp)、2-甲基-9,10-双(2-萘基)蒽(madn)、六苯基环三磷腈(cp1)、1,4-双(三苯基甲硅烷基)苯(ugh2)、六苯基环三硅氧烷(dpsio3)、八苯基环四硅氧烷(dpsio4)等可用作主体材料。
[0256]
发射层eml可包括由式m-a或式m-b表示的化合物。由式m-a或式m-b表示的化合物可用作磷光掺杂剂材料：
[0257]
式m-a
[0258][0259]
在上式m-a中，y1至y4和z1至z4可各自独立地为cr1或n，r1至r4可各自独立地为氢原子、氘原子、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的硫基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有2至20个碳原子的烯基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基，或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基，和/或可与邻近基团键合以形成环。在式m-a中，m可为0或1，并且n可为2或3。在式m-a中，当m为0，n可为3，并且当m为1时，n可为2。
[0260]
由式m-a表示的化合物可用作磷光掺杂剂。
[0261]
由式m-a表示的化合物可由化合物m-a1至化合物m-a25中的任何一个表示。然而，化合物m-a1至m-a25为示例，并且由式m-a表示的化合物不限于由化合物m-a1至m-a25表示的那些：
[0262]
[0263]
[0264][0265]
化合物m-a1和化合物m-a2可各自用作红色掺杂剂材料，并且化合物m-a3至化合物m-a7可各自用作绿色掺杂剂材料。
[0266]
式m-b
[0267][0268]
在式m-b中，q1至q4可各自独立地为c或n，并且c1至c4可各自独立地为取代的或未取代的具有5至30个成环碳原子的烃环，或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂环。l
21
至l
24
可各自独立地为直接连接、*-o-*、*-s-*、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的二价烷基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的亚芳基，或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的亚杂芳基，并且e1至e4可各自独立地为0或1。r
31
至r
39
可各自独立地为氢原子、氘原子、卤原子、氰基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基，或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基，和/或可与邻近基团键合以形成环，并且d1至d4可各自独立地为选自0至4的整数。
[0269]
由式m-b表示的化合物可用作蓝色磷光掺杂剂或绿色磷光掺杂剂。
[0270]
由式m-b表示的化合物可由下面化合物中的任何一个表示。然而，这些化合物为示例，并且由式m-b表示的化合物不限于下面的那些：
nar1ar2取代的其他基团可各自独立地为氢原子、氘原子、卤原子、氰基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基，或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基。在*-nar1ar2中，ar1和ar2可各自独立地为取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基，或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基。例如，ar1和ar2中的至少一个可为含有o或s作为成环原子的杂芳基。
[0277]
发射层可包括化合物fd1至化合物fd22中的至少一个作为荧光掺杂剂：
[0278]
[0279]
[0280][0281]
在式f-b中，ra和rb可各自独立地为氢原子、氘原子、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有2至20个碳原子的烯基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基，或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基，和/或可与邻近基团键合以形成环。ar1至ar4可各自独立地为取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基，或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基。
[0282]
在式f-b中，u和v可各自独立地为取代的或未取代的具有5至30个成环碳原子的烃环，或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂环。
[0283]
在式f-b中，由u和v表示的环的数量可各自独立地为0或1。例如，在式f-b中，当u或
v的数量为1时，一个环在描述为u或v的各自部分处形成稠环，并且当u或v的数量为0时，不存在描述为u或v的环。例如，当u的数量为0并且v的数量为1时，或当u的数量为1并且v的数量为0时，式f-b的具有芴核的稠环可为四环环状化合物。当u和v的数量各自为0时，式f-b的具有芴核的稠环可为三环环状化合物。当u和v的数量各自为1时，式f-b的具有芴核的稠环可为五环环状化合物。
[0284]
式f-c
[0285][0286]
在式f-c中，a1和a2可各自独立地为o、s、se或nrm，并且rm可为氢原子、氘原子、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基，或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基。r1至r
11
可各自独立地为氢原子、氘原子、卤原子、氰基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的甲硼烷基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的硫基、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基，或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基，和/或可与邻近基团键合以形成环。
[0287]
在式f-c中，a1和a2可各自独立地与邻近环的取代基键合以形成稠环。例如，当a1和a2各自独立地为nrm时，a1可与r4或r5键合以形成环。在一些实施方式中，a2可与r7或r8键合以形成环。
[0288]
在实施方式中，发射层eml可包括苯乙烯基衍生物(例如，1,4-双[2-(3-n-乙基咔唑基)乙烯基]苯(bczvb)、4-(二-对甲苯基氨基)-4
’‑
[(二-对甲苯基氨基)苯乙烯基]芪(dpavb)、n-(4-((e)-2-(6-((e)-4-(二苯基氨基)苯乙烯基)-2-萘基)乙烯基)苯基)-n-苯基苯胺(n-bdavbi)、4,4
’‑
双[2-(4-(n,n-二苯基氨基)苯基)乙烯基]联苯(dpavbi))、苝和/或其衍生物(例如，2,5,8,11-四叔丁基苝(tbp))、芘和/或其衍生物(例如，1,1
’‑
二芘、1,4-二芘基苯、1,4-双(n,n-二苯基氨基)芘)等作为适当的掺杂剂材料。
[0289]
发射层eml可包括适当的磷光掺杂剂材料。例如，包括铱(ir)、铂(pt)、锇(os)、金(au)、钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、铕(eu)、铽(tb)或铥(tm)的金属复合物可用作磷光掺杂剂。例如，双(4,6-二氟苯基吡啶基-n,c2’)吡啶甲酰合铱(iii)(firpic)、双(2,4-二氟苯基吡啶基)-四(1-吡唑基)硼酸铱(iii)(fir6)或八乙基卟啉铂(ptoep)可用作磷光掺杂剂。然而，本公开的实施方式不限于此。
[0290]
发射层eml可包括量子点材料。量子点的核可选自第ii-vi族化合物、第iii-vi族化合物、第i-iii-vi族化合物、第iii-v族化合物、第iii-ii-v族化合物、第iv-vi族化合物、第iv族元素、第iv族化合物和其组合。
[0291]
第ii-vi族化合物可选自由下述组成的组中：选自由下述组成的组中的二元化合
物：cdse、cdte、cds、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse、mgs和其混合物；选自由下述组成的组中的三元化合物：cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse、mgzns和其混合物；和选自由下述组成的组中的四元化合物：hgzntes、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete、hgznste和其混合物。
[0292]
第iii-vi族化合物可包括二元化合物(比如in2s3和in2se3)、三元化合物(比如ingas3和ingase3)或其任何组合。
[0293]
第i-iii-vi族化合物可选自由下述组成的组中：选自由下述组成的组中的三元化合物：agins、agins2、cuins、cuins2、aggas2、cugas2、cugao2、aggao2、agalo2和其混合物；和四元化合物(比如agingas2和cuingas2)。
[0294]
第iii-v族化合物可选自由下述组成的组中：选自由下述组成的组中的二元化合物：gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb和其混合物；选自由下述组成的组中的三元化合物：ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、inalp、innp、innas、innsb、inpas、inpsb和其混合物；和选自由下述组成的组中的四元化合物：gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、inalpsb和其混合物。在一些实施方式中，第iii-v族化合物可进一步包括第ii族金属。例如，inznp等可被选择为第iii-ii-v族化合物。
[0295]
第iv-vi族化合物可选自由下述组成的组中：选自由下述组成的组中的二元化合物：sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte和其混合物；选自由下述组成的组中的三元化合物：snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte和其混合物；和选自由下述组成的组中的四元化合物：snpbsse、snpbsete、snpbste和其混合物。第iv族元素可选自由下述组成的组中：si、ge和其混合物。第iv族化合物可为选自由下述组成的组中的二元化合物：sic、sige和其混合物。
[0296]
在该情况下，二元化合物、三元化合物和/或四元化合物可以基本上均匀的浓度分布存在于颗粒中，或可以部分不同的(例如，非均匀的)浓度分布存在于同一颗粒中。在一些实施方式中，量子点可具有核/壳结构(其中一个量子点围绕另一量子点)。核和壳之间的界面可具有其中壳中存在的元素的浓度朝向中心降低的浓度梯度。
[0297]
在一些实施方式中，量子点可具有上述核/壳结构，包括含有纳米晶体的核和围绕(例如，包围)核的壳。量子点的壳可用作保护层，以防止或减少核的化学变性，从而保持半导体特性，和/或用作充电层，以赋予量子点电泳特性。壳可为单层或多层。核和壳之间的界面可具有其中壳中存在的元素的浓度朝向中心降低(例如，下降)的浓度梯度。量子点的壳的示例可包括金属或非金属氧化物、半导体化合物或其组合。
[0298]
例如，金属或非金属氧化物可为二元化合物(比如sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4和/或nio)，或三元化合物(比如mgal2o4、cofe2o4、nife2o4和/或comn2o4)，但是本公开不限于此。
[0299]
在一些实施方式中，半导体化合物可为，例如，cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb等，但是本公开的实施方式不限于此。
[0300]
量子点可具有约45nm或更小、约40nm或更小，并且更优选约30nm或更小的发光波长光谱的半峰全宽(fwhm)，并且在上面的范围内可提高颜色纯度和/或颜色再现性。由这种量子点发射的光可在所有方向上发射，并且因此可提高宽视角。
[0301]
不特别限制每个量子点的形式，只要其为本领域中常用的形式即可，并且例如，可利用球形、锥体、多臂或立方体纳米颗粒，纳米管，纳米丝，纳米纤维，纳米板等的形式的量子点。
[0302]
量子点可发射对应于其颗粒尺寸的光，并且相应地，量子点可发射一种或多种适当的发射颜色(比如蓝色、红色和绿色)的光。
[0303]
在图3至图6中阐释的实施方式的每个发光元件ed中，电子传输区etr提供在发射层eml上。电子传输区etr可包括空穴阻挡层hbl、电子传输层etl和电子注入层eil中的至少一个，但是本公开的实施方式不限于此。
[0304]
电子传输区etr可具有由单一材料形成的单层、由多种不同材料形成的单层，或包括由多种不同材料形成的多个层的多层结构。
[0305]
例如，电子传输区etr可具有电子注入层eil或电子传输层etl的单层结构，或可具有由电子注入材料和电子传输材料形成的单层结构。在一些实施方式中，电子传输区etr可具有由多种不同材料形成的单层结构，或可具有其中电子传输层etl/电子注入层eil、空穴阻挡层hbl/电子传输层etl/电子注入层eil从发射层eml依次堆叠的结构，但是本公开的实施方式不限于此。电子传输区etr可具有，例如，约至约的厚度。
[0306]
可通过利用一个或多个适当的方法(比如真空沉积法、旋涂法、浇铸法、朗缪尔-布罗基特(lb)法、喷墨印刷法、激光印刷方法、激光诱导热成像(liti)法等)来形成电子传输区etr。
[0307]
电子传输区etr可包括由式et-1表示的化合物：
[0308]
式et-1
[0309][0310]
在式et-1中，x1至x3中的至少一个可为n，并且其余的可为cra。ra可为氢原子、氘原子、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基，或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基。ar1至ar3可各自独立地为氢原子、氘原子、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基，或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基。
[0311]
在式et-1中，a至c可各自独立地为选自0至10的整数。在式et-1中，l1至l3可各自独立地为直接连接、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的亚芳基，或者取代的或未取
代的具有2至30个成环碳原子的亚杂芳基。在一些实施方式中，当a至c中的任何一个为2或更大的整数时，l1至l3可各自独立地为取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的亚芳基，或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的亚杂芳基。
[0312]
电子传输区etr可包括蒽类化合物。然而，本公开的实施方式不限于此，并且电子传输区etr可包括，例如，三(8-羟基喹啉)铝(alq3)、1,3,5-三[(3-吡啶基)-3-苯基]苯、2,4,6-三(3
’‑
(3-吡啶基)-3-联苯基)-1,3,5-三嗪、2-(4-(n-苯基苯并咪唑-1-基)苯基)-9,10-二萘基蒽、1,3,5-三(1-苯基-1h-苯并[d]-2-咪唑基)苯(tpbi)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(taz)、4-(1-萘基)-3,5-二苯基-4h-1,2,4-三唑(ntaz)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(
t
bu-pbd)、双(2-甲基-8-喹啉基-n1,o8)-(1,1
’‑
联苯-4-基)铝(balq)、双(苯并喹啉-10-羟基)铍(bebq2)、9,10-二(2-萘基)蒽(adn)、1,3-双[3,5-二(3-吡啶基)苯基]苯(bmpyphb)或其混合物。
[0313]
电子传输区etr可包括化合物et1至化合物et36中的至少一个：
[0314]
[0315]
[0316]
[0317][0318]
在一些实施方式中，电子传输区etr可包括金属卤化物(比如lif、nacl、csf、rbcl、rbi、cui和/或ki)、镧系金属(比如yb)或金属卤化物和镧系金属的共沉积材料。例如，电子传输区etr可包括ki:yb、rbi:yb等作为共沉积材料。在一些实施方式中，可利用金属氧化物(比如li2o和/或bao)或8-羟基喹啉锂(liq)等形成电子传输区etr，但是本公开的实施方式不限于此。也可由电子传输材料和绝缘有机金属盐的混合物材料形成电子传输区etr。绝缘有机金属盐可为能带隙为约4ev或更高的材料。例如，绝缘有机金属盐可包括，例如，金属乙酸盐、金属苯甲酸盐、金属乙酰乙酸盐、金属乙酰丙酮酸盐和/或金属硬脂酸盐。
[0319]
除了上述材料之外，电子传输区etr可进一步包括2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)和4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)中的至少一种，但是本公开的实施方式不限于此。
[0320]
电子传输区etr可在电子注入层eil、电子传输层etl和空穴阻挡层hbl中的至少一个中包括电子传输区etr的上述化合物。
[0321]
当电子传输区etr包括电子传输层etl时，电子传输层etl可具有约至约例如，约至约的厚度。当电子传输层etl的厚度满足前述范围时，可
在不明显增加驱动电压的情况下获得满意的电子传输特点。当电子传输区etr包括电子注入层eil时，电子注入层eil可具有约至约例如，约至约的厚度。当电子注入层eil的厚度满足上述范围时，可在不明显增加驱动电压的情况下获得满意的电子注入特点。
[0322]
第二电极el2提供在电子传输区etr上。第二电极el2可为公共电极。第二电极el2可为阴极或阳极，但是本公开的实施方式不限于此。例如，当第一电极el1为阳极时，第二电极el2可为阴极，并且当第一电极el1为阴极时，第二电极el2可为阳极。
[0323]
第二电极el2可为透射电极、透反射电极或反射电极。当第二电极el2为透射电极时，第二电极el2可由透明的金属氧化物，例如，氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟锡锌(itzo)等形成。
[0324]
当第二电极el2为透反射电极或反射电极时，第二电极el2可包括ag、mg、cu、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、mo、ti、w、其化合物、lif，或其混合物(例如，ag和mg的混合物、lif和ca的混合物、lif和al的混合物等)。在一些实施方式中，第二电极el2可具有多层结构，该多层结构包括由上述材料形成的反射膜或透反射膜，以及由ito、izo、zno、itzo等形成的透明导电膜。例如，第二电极el2可包括上述金属材料、上述金属材料中的至少两种金属材料的组合和/或上述金属材料的氧化物等。
[0325]
第二电极el2可与辅助电极连接。当第二电极el2与辅助电极连接时，第二电极el2的电阻可减小。
[0326]
在一些实施方式中，封盖层cpl可进一步设置在实施方式的发光元件ed的第二电极el2上。封盖层cpl可包括多层或单层。
[0327]
在实施方式中，封盖层cpl可为或包括有机层和/或无机层。例如，当封盖层cpl包括无机材料(例如，包括无机层)时，无机材料可包括碱金属化合物比如lif，碱土金属化合物比如mgf2，sion，sin
x
，sioy等。
[0328]
例如，当封盖层cpl包括有机材料(例如，包括有机层)时，有机材料可包括2,2
’‑
二甲基-n,n
’‑
二-[(1-萘基)-n,n
’‑
二苯基]-1,1
’‑
联苯-4,4
’‑
二胺(α-npd)、npb、n,n
’‑
双(3-甲基苯基)-n,n
’‑
二苯基-[1,1
’‑
联苯]-4,4
’‑
二胺(tpd)、m-mtdata、alq3、酞菁铜(cupc)、n4,n4,n4’,n4
’‑
四(4-联苯基)联苯-4,4
’‑
二胺(tpd15)、4,4’,4
”‑
三(9-咔唑基)三苯胺(tcta)、环氧树脂和/或丙烯酸酯(比如甲基丙烯酸酯)等。然而，本公开的实施方式不限于此，并且封盖层cpl可包括化合物p1至p5中的至少一个：
[0329][0330]
在一些实施方式中，封盖层cpl的折射率可为约1.6或更大。例如，封盖层cpl对于波长范围为约550nm至约660nm的光的折射率可为约1.6或更大。
[0331]
图7和图8各自为根据实施方式的显示装置的横截面图。下文，在描述参考图7和图8的实施方式的显示装置中，不再描述已经在图1至图6中描述的重复特征，但是将主要描述它们的差异。
[0332]
参考图7，根据实施方式的显示装置dd可包括：包括显示元件层dp-ed的显示面板dp、设置在显示面板dp上的光控制层ccl和滤色器层cfl。
[0333]
在图7中阐释的实施方式中，显示面板dp可包括基础层bs、提供在基础层bs上的电路层dp-cl，和显示元件层dp-ed，并且显示元件层dp-ed可包括发光元件ed。
[0334]
发光元件ed可包括第一电极el1、设置在第一电极el1上的空穴传输区htr、设置在空穴传输区htr上的发射层eml、设置在发射层eml上的电子传输区etr和设置在电子传输区
etr上的第二电极el2。在一些实施方式中，如上述图3至图6的发光元件ed的结构可应用于图7中显示的发光元件ed的结构。
[0335]
参考图7，发射层eml可设置在像素限定膜pdl中限定的开孔oh中。例如，由像素限定膜pdl分隔并且对应于发光区pxa-r、pxa-g和pxa-b提供的发射层eml可发射在基本上相同波长范围内的光。在实施方式的显示装置dd中，发射层eml可发射蓝光。在一些实施方式中，发射层eml可作为公共层提供给所有的发光区pxa-r、pxa-g和pxa-b。
[0336]
光控制层ccl可设置在显示面板dp上。光控制层ccl可包括光转换体。光转换体可为量子点和/或磷光体等。光转换体可通过转换向其提供的光的波长而发射光。例如，光控制层ccl可为含有量子点的层或含有磷光体的层。
[0337]
光控制层ccl可包括多个光控制部分ccp1、ccp2和ccp3。光控制部分ccp1、ccp2和ccp3可彼此间隔开。
[0338]
参考图7，分隔图案bmp可限定或设置在彼此间隔开的光控制部分ccp1、ccp2和ccp3之间，但是本公开的实施方式不限于此。图7阐释了分隔图案bmp不与光控制部分ccp1、ccp2和ccp3重叠，但是光控制部分ccp1、ccp2和ccp3的边缘中的至少一部分可与分隔图案bmp重叠。
[0339]
光控制层ccl可包括含有第一量子点qd1的第一光控制部分ccp1，以将由发光元件ed提供的第一颜色光转换成第二颜色光；含有第二量子点qd2的第二光控制部分ccp2，以将第一颜色光转换成第三颜色光；和透射第一颜色光的第三光控制部分ccp3。
[0340]
在实施方式中，第一光控制部分ccp1可提供作为第二颜色光的红光，并且第二光控制部分ccp2可提供作为第三颜色光的绿光。第三光控制部分ccp3可通过透射作为在发光元件ed中提供的第一颜色光(例如，与第一颜色光相同)的蓝光来提供蓝光。例如，第一量子点qd1可为红色量子点，并且第二量子点qd2可为绿色量子点。量子点qd1和qd2可与上述的相同。
[0341]
在一些实施方式中，光控制层ccl可进一步包括散射体sp。第一光控制部分ccp1可包括第一量子点qd1和散射体sp，第二光控制部分ccp2可包括第二量子点qd2和散射体sp，并且第三光控制部分ccp3可不包括任何量子点但是包括散射体sp。
[0342]
散射体sp可为或包括无机颗粒。例如，散射体sp可包括tio2、zno、al2o3、sio2和中空硅石中的至少一种。散射体sp可包括tio2、zno、al2o3、sio2或中空硅石中的任一种，或可为选自tio2、zno、al2o3、sio2和中空硅石中的至少两种材料的混合物。
[0343]
第一光控制部分ccp1、第二光控制部分ccp2和第三光控制部分ccp3各自可包括其中分散量子点qd1和qd2和/或散射体sp的基础树脂br1、br2和br3。在实施方式中，第一光控制部分ccp1可包括分散在第一基础树脂br1中的第一量子点qd1和散射体sp，第二光控制部分ccp2可包括分散在第二基础树脂br2中的第二量子点qd2和散射体sp，并且第三光控制部分ccp3可包括分散在第三基础树脂br3中的散射体sp。基础树脂br1、br2和br3为其中分散量子点qd1和qd2和散射体sp的介质，并且可由一种或多种适当的树脂组合物(其通常可称为粘合剂)形成。例如，基础树脂br1、br2和br3可为丙烯酸类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、硅酮类树脂、环氧类树脂等。基础树脂br1、br2和br3可为透明树脂。在实施方式中，第一基础树脂br1、第二基础树脂br2和第三基础树脂br3可彼此相同或不同。
[0344]
光控制层ccl可包括隔离层bfl1。隔离层bfl1可用于防止或减少水分和/或氧气
(下文，称为“水分/氧气”)的渗透。隔离层bfl1可设置在光控制部分ccp1、ccp2和ccp3上，以阻挡或减少光控制部分ccp1、ccp2和ccp3暴露于水分/氧气。在一些实施方式中，隔离层bfl1可覆盖光控制部分ccp1、ccp2和ccp3。在一些实施方式中，隔离层bfl2可提供在光控制部分ccp1、ccp2和ccp3与滤色器层cfl之间。
[0345]
隔离层bfl1和bfl2可各自独立地包括至少一个无机层。例如，隔离层bfl1和bfl2可各自包括无机材料。例如，隔离层bfl1和bfl2可各自独立地包括硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物、锡氧化物、铈氧化物、氮氧化硅、确保透光度的金属薄膜等。在一些实施方式中，隔离层bfl1和bfl2可进一步包括有机膜。隔离层bfl1和bfl2可由单层或多个层形成。
[0346]
在实施方式的显示装置dd中，滤色器层cfl可设置在光控制层ccl上。例如，滤色器层cfl可直接设置在光控制层ccl上。在该情况下，可不提供隔离层bfl2。
[0347]
滤色器层cfl可包括遮光单元bm以及滤光器cf1、cf2和cf3。滤色器层cfl可包括配置为透射第二颜色光的第一滤光器cf1、配置为透射第三颜色光的第二滤光器cf2和配置为透射第一颜色光的第三滤光器cf3。例如，第一滤光器cf1可为红色滤光器，第二滤光器cf2可为绿色滤光器，并且第三滤光器cf3可为蓝色滤光器。滤光器cf1、cf2和cf3可各自独立地包括聚合光敏树脂和/或颜料和/或染料。第一滤光器cf1可包括红色颜料和/或染料，第二滤光器cf2可包括绿色颜料和/或染料，并且第三滤光器cf3可包括蓝色颜料和/或染料。在一些实施方式中，第三滤光器cf3可不包括颜料或染料。例如，第三滤光器cf3可包括聚合光敏树脂并且可不包括颜料或染料。第三滤光器cf3可为透明的。第三滤光器cf3可由透明的光敏树脂形成。
[0348]
此外，在实施方式中，第一滤光器cf1和第二滤光器cf2可各自为黄色滤光器。第一滤光器cf1和第二滤光器cf2可不分开而是提供为一个滤光器。
[0349]
遮光单元bm可为黑色基底。遮光单元bm可包括含有黑色颜料和/或染料的有机遮光材料和/或无机遮光材料。遮光单元bm可防止或减少光渗漏，并且可将邻近滤光器cf1、cf2和cf3之间的边界分开。在一些实施方式中，遮光单元bm可由蓝色滤光器形成。
[0350]
第一滤光器至第三滤光器cf1、cf2和cf3可设置为分别对应于红色发光区pxa-r、绿色发光区pxa-g和蓝色发光区pxa-b。
[0351]
基础基板bl可设置在滤色器层cfl上。基础基板bl可为提供基础表面的构件，滤色器层cfl和/或光控制层ccl等设置在该基础表面上。基础基板bl可为玻璃基板、金属基板、塑料基板等。然而，本公开的实施方式不限于此，并且基础基板bl可为无机层、有机层或复合材料层。在一些实施方式中，可不提供基础基板bl。
[0352]
图8为阐释根据实施方式的显示装置的一部分的横截面图。图8阐释了对应于图7的显示面板dp的一部分的横截面图。在实施方式的显示装置dd-td中，发光元件ed-bt可包括多个发光结构ol-b1、ol-b2和ol-b3。发光元件ed-bt可包括彼此面对的第一电极el1和第二电极el2，并且多个发光结构ol-b1、ol-b2和ol-b3在厚度方向上依次堆叠在第一电极el1和第二电极el2之间。发光结构ol-b1、ol-b2和ol-b3各自可包括发射层eml(图7)以及空穴传输区htr和电子传输区etr，其中发射层eml设置在空穴传输区htr和电子传输区etr之间(图7)。
[0353]
例如，包括在实施方式的显示装置dd-td中的发光元件ed-bt可为具有串联结构并
且包括多个发射层eml的发光元件。
[0354]
在图8中阐释的实施方式中，分别从发光结构ol-b1、ol-b2和ol-b3发射的所有光束可为蓝光。然而，本公开的实施方式不限于此，并且分别从发光结构ol-b1、ol-b2和ol-b3发射的光束可具有彼此不同的波长范围。例如，包括多个发光结构ol-b1、ol-b2和ol-b3以发射具有彼此不同的波长范围的光束的发光元件ed-bt可共同发射白光。
[0355]
电荷生成层cgl1、cgl2可设置在邻近发光结构ol-b1、ol-b2和ol-b3之间。电荷生成层cgl1、cgl2可包括p-型电荷生成层和/或n-型电荷生成层。
[0356]
包括在实施方式的显示装置dd-td中的发光结构ol-b1、ol-b2和ol-b3中的至少一个可含有上述实施方式的多环化合物。
[0357]
根据本公开的实施方式的发光元件ed可在设置在第一电极el1和第二电极el2之间的至少一个功能层中包括上述实施方式的多环化合物，从而展示出提高的使用寿命特点。根据实施方式的发光元件ed可在设置在第一电极el1和第二电极el2之间的空穴传输区htr、发射层eml、电子传输区etr和封盖层cpl中的至少一个中包括上述实施方式的多环化合物。
[0358]
例如，根据实施方式的多环化合物可包括在实施方式的发光元件ed的空穴传输区htr中，并且实施方式的发光元件可展示出长的使用寿命特点。
[0359]
上述根据实施方式的多环化合物包括连接至芴基的双咔唑部分，并且具有其中芳基(例如，两个芳基)连接至芴基的9-位的分子结构，并且因此可展示出卓越的或适当的耐电子性和热稳定性特点。在一些实施方式中，由于实施方式的多环化合物的这种分子结构特点，实施方式的多环化合物具有卓越的或适当的空穴传输能力和提高的材料稳定性，并且当实施方式的多环化合物用作发光元件的材料时，其可有助于提高发光元件的使用寿命。
[0360]
下文，参考实施例和比较例，将更详细地描述根据本公开的实施方式的多环化合物和本公开的实施方式的发光元件。显示的实施例仅为阐释性的，用于本公开的理解，并且本公开的范围不限于此。
[0361]
实施例
[0362]
1、多环化合物的合成
[0363]
首先，将通过阐释化合物组1的化合物b2、化合物b13、化合物d26、化合物e1、化合物h2、化合物h27、化合物i1、化合物k2、化合物p1和化合物p31的合成方法，更详细地描述根据本实施方式的多环化合物的合成方法。提供下述多环化合物的合成方法作为实施例，但是根据本公开的实施方式的合成方法不限于这些实施例。
[0364]
化合物b2的合成
[0365]
可通过例如反应方案1中显示的动作(例如，任务或步骤)来合成多环化合物b2：
[0366]
反应方案1
[0367][0368]
将二甲苯(200ml)添加至化合物v1(10mmol)、化合物v2(10mmol)、叔丁醇钠(nao
t
bu)(0.96g，10mmol)和2-二-叔-丁基膦基-2’,4’,6
’‑
三异丙基联苯(
t
buxphos)(1mmol)并且脱气。在氩气氛中，向其添加双(二苄亚基丙酮)钯(pd(dba)2)(0.5mmol)并且在约130℃下加热和搅拌约12小时。将反应溶液静置，以冷却至室温，用甲苯提取，用h2o和盐水冲洗，并且经na2so4干燥。将获得的溶液通过柱色谱浓缩并且纯化，以获得化合物b2(ms 800.32)。
[0369]
化合物b13的合成
[0370]
可通过例如反应方案2中显示的动作(例如，任务或步骤)来合成多环化合物b13：
[0371]
反应方案2
[0372][0373]
通过与反应方案1中基本上相同的方法来合成和获得化合物b13(ms 814.30)，只是利用化合物v3(10mmol)代替反应方案1中的化合物v1(10mmol)。
[0374]
化合物d26的合成
[0375]
多环化合物d26可通过例如反应方案3中显示的动作(例如，任务或步骤)来合成：
[0376]
反应方案3
[0377][0378]
通过与反应方案1中基本上相同的方法来合成和获得化合物d26(ms 648.26)，只
是利用化合物v4(10mmol)和化合物v5(10mmol)代替反应方案1中的化合物v1(10mmol)和化合物v2(10mmol)。
[0379]
化合物e1的合成
[0380]
可通过例如反应方案4中显示的动作(例如，任务或步骤)来合成多环化合物e1：
[0381]
反应方案4
[0382][0383]
通过与反应方案1中基本上相同的方法来合成和获得化合物e1(ms 800.32)，只是利用化合物v5(10mmol)代替反应方案1中的化合物v2(10mmol)。
[0384]
化合物h2的合成
[0385]
可通过例如反应方案5中显示的动作(例如，任务或步骤)来合成多环化合物h2：
[0386]
反应方案5
[0387][0388]
通过与反应方案1中基本上相同的方法来合成和获得化合物h2(ms 800.32)，只是利用化合物v6(10mmol)代替反应方案1中的化合物v2(10mmol)。
[0389]
化合物h27的合成
[0390]
可通过例如反应方案6中显示的动作(例如，任务或步骤)来合成多环化合物h27：
[0391]
反应方案6
[0392][0393]
通过与反应方案1中基本上相同的方法来合成和获得化合物h27(ms 965.38)，只是分别利用化合物v6(10mmol)和化合物v7(10mmol)代替反应方案1中的化合物v1(10mmol)和化合物v2(10mmol)。
[0394]
化合物i1的合成
[0395]
可通过例如反应方案7中显示的动作(例如，任务或步骤)来合成多环化合物i1：
[0396]
反应方案7
[0397][0398]
通过与反应方案1中基本上相同的方法来合成和获得化合物i1(ms 648.26)，只是在利用化合物v6(10mmol)和化合物v8(10mmol)代替反应方案1中的化合物v1(10mmol)和化合物v2(10mmol)。
[0399]
化合物k2的合成
[0400]
可通过例如反应方案8中显示的动作(例如，任务或步骤)来合成多环化合物k2：
[0401]
反应方案8
[0402][0403]
通过与反应方案1中基本上相同的方法来合成和获得化合物k2(ms 876.35)，只是利用化合物v9(10mmol)代替反应方案1中的化合物v1(10mmol)。
[0404]
化合物p1的合成
[0405]
可通过例如反应方案9中显示的动作(例如，任务或步骤)来合成多环化合物p1：
[0406]
反应方案9
[0407][0408]
通过与反应方案1中基本上相同的方法来合成和获得化合物p1(ms 876.35)，只是利用化合物v6(10mmol)和化合物v9(10mmol)代替反应方案1中的化合物v1(10mmol)和化合物v2(10mmol)。
[0409]
化合物p31的合成
[0410]
可通过例如反应方案10中显示的动作(例如，任务或步骤)来合成多环化合物p31：
[0411]
反应方案10
[0412][0413]
通过与反应方案1中基本上相同的方法来合成和获得化合物p31(ms 952.38)，只是利用化合物v10(10mmol)代替反应方案1中的化合物v2(10mmol)。
[0414]
2、发光元件的制造和评估
[0415]
发光元件的制造
[0416]
如下制造在空穴传输层中包括实施方式的多环化合物的实施方式的发光元件。如上述的化合物b2、化合物b13、化合物d26、化合物e1、化合物h2、化合物h27、化合物i1、化合物k2、化合物p1和化合物p31的多环化合物各自用作空穴传输层材料来分别制造实施例1至10的发光元件。下面的比较例化合物r1至r8各自用作空穴传输层材料，以分别制造比较例1至8的发光元件。
[0417]
如下显示在实施例1至10和比较例1至8中在空穴传输层中利用的化合物。
[0418]
用于制造发光元件的实施例化合物
[0419][0420]
用于制造发光元件的比较例化合物
[0421]
作为第一电极，将厚的ito层在玻璃基板上图案化，用超纯水冲洗，并且uv臭氧处理约10分钟。其后，沉积2-tnata，以形成厚的空穴注入层。然后，沉积实施例化合物或比较例化合物，以形成厚的空穴传输层。
[0422]
其后，将tbp以3％掺杂至adn中以形成厚的发射层。然后，沉积alq3，以形成厚的电子传输层，并且沉积lif以形成厚的电子注入层。
[0423]
然后，沉积al，以形成厚的第二电极。
[0424]
在实施例中，各自通过利用真空沉积设备形成空穴注入层、空穴传输层、发射层、电子传输层、电子注入层和第二电极。
[0425]
发光元件特点的评估
[0426]
实施例1至10和比较例1至8的发光元件的评价结果列在表1中。制造的发光元件的元件使用寿命列在表1中用于比较。假设比较例7的元件使用寿命为100％，表1中列出的实施例和比较例的元件使用寿命陈述为相对使用寿命值(％)。
[0427]
表1
[0428]
[0429][0430]
参考表1的结果，可见，与比较例相比，利用根据本公开的实施方式的多环化合物作为空穴传输层材料的发光元件的实施例展示出卓越或合适的元件使用寿命特点。根据实施例的多环化合物具有其中双咔唑基连接(例如，键合)至芴基的结构，并且包括实施例的多环化合物的实施例展示出长的使用寿命特点。认为实施例的多环化合物通过(例如，由于)引入具有卓越的或合适的(例如，相对高的)耐热性或耐电荷性的咔唑骨架而展示出卓越的或合适的空穴传输能力和长的使用寿命特点。
[0431]
另外，实施例的多环化合物中包括的芴基可在9-位包括两个芳基，并且从而可展示出空间效应。相应地，认为分子的稳定性和电阻增加，并且从而提高了整个分子的空穴传输能力。
[0432]
所以，在空穴传输区中包括实施例的多环化合物的实施例的发光元件展示出提高的使用寿命特点。
[0433]
将实施例化合物与比较例化合物r1进行比较，可观察到比较例化合物r1具有其中三联苯基连接至双咔唑基的结构，并且因此与实施例化合物相比，缩短了元件使用寿命。相反，实施例化合物具有其中芴基连接至双咔唑基的结构，并且认为通过双咔唑基和芴基之间的相互作用提高了元件使用寿命。
[0434]
比较实施例化合物d26和比较例化合物r2，可观察到，当螺芴连接至咔唑基的氮原子时，与其中9,9-二苯基芴连接至咔唑基的氮原子的结构相比，缩短了元件使用寿命。可认为这是因为螺芴和9,9-二苯基芴之间存在空间差异。
[0435]
将实施例化合物d26和e1与比较例化合物r3和r4进行比较，可观察到，当9,9-二甲基芴连接至咔唑基的氮原子时，与其中9,9-二苯基芴连接至咔唑基的氮原子的结构相比，缩短了元件使用寿命。可认为这是因为在芴基的9-位取代的烷基(比如甲基)和芳基(比如苯基)之间的稳定性不同。
[0436]
将实施例化合物与比较例化合物r5进行比较，可观察到，当双咔唑部分连接至在芴基的9-位取代的芳基之一时，与当双咔唑部分在芴基的1-位至8-位中的任何一个连接的情况相比，使用寿命缩短了。可认为，当双咔唑部分连接至芴基的环骨架时，芴基通过共轭而稳定，并且从而提高了使用寿命。
[0437]
将实施例化合物与比较例化合物r6进行比较，可观察到，当三亚苯基在咔唑基的
9-位连接时，与当芴基(例如，9,9-二苯基芴基)与咔唑基的9-位连接的情况相比，元件使用寿命缩短了。因此，可认为，当具有芳基作为取代基的芴基在咔唑基的9-位连接时，提高了使用寿命。
[0438]
实施例化合物p1和比较例化合物r7各自具有其中双咔唑部分在芴基的2-位连接的结构。例如，实施例化合物p1和比较例化合物r7具有其中第一咔唑基(见取代基s1)在芴基(见式1中的x1)的2-位连接，并且连接体(见取代基s1中的l2)和第二咔唑基(见取代基s2)在第一咔唑基(见取代基s1中的y2)的3-位连接的结构。然而，在实施例化合物p1中，取代基s2是取代的咔唑基，并且在比较例化合物r7中，取代基s2是未取代的咔唑基。由于这种差异，认为实施例化合物p1与比较例化合物r7相比在双咔唑部分中具有更提高的共轭性，使得合适地或适当地调节双咔唑部分和芴基之间的相互作用，并且因此更提高了元件的使用寿命。
[0439]
实施例化合物i1和比较例化合物r8各自具有其中双咔唑部分在芴基的2-位连接的结构。例如，实施例化合物i1和比较例化合物r8各自具有其中第一咔唑基(见取代基s1)在芴基(见式1中的x1)的2-位连接，并且连接体(见取代基s1中的l2)和第二咔唑基(见取代基s2)在第一咔唑基(见取代基s1中的y1)的2-位连接的结构。然而，在实施例化合物i1中，连接体(l2)为直接连接，并且在比较例化合物r8中，连接体(l2)为亚苯基。由于这种差异，认为实施例化合物i1与比较例化合物r8相比，在双咔唑部分中具有更提高的共轭性，合适地或适当地调整双咔唑部分和芴基之间的相互作用，并且因此更提高了元件使用寿命。
[0440]
在一些实施方式中，与实施例化合物b2、b13、d26、e1、h2、h27、i1和p31一样，当两个咔唑基在双咔唑部分中直接键合时，展示出提高的使用寿命效果。
[0441]
从表1中列出的实施例和比较例的比较评估结果中可确认，在根据本公开的实施方式的多环化合物用作空穴传输层材料的情况下，与利用比较例化合物的情况相比，发光元件展示出长的使用寿命特点。
[0442]
当双咔唑部分连接至9,9-二苯基芴时，根据本公开的实施方式的多环化合物展示出空间效应，从而增加了9,9-二苯基芴和咔唑基之间的相互作用。因此，根据本公开的实施方式的多环化合物可展示出提高整个分子的空穴传输特性和/或提高材料的耐电子性、热稳定性和/或膜特点的效果。而且，根据本公开的实施方式的发光元件包括多环化合物，以从而实现长的使用寿命。
[0443]
本公开的实施方式的发光元件可在空穴传输区中包括实施方式的多环化合物，从而展示出长的使用寿命特点。
[0444]
实施方式的多环化合物可提高发光元件的使用寿命。
[0445]
如本文使用的，术语“基本上”、“约”和类似的术语用作近似的术语而不用作程度的术语，并且旨在考虑本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。考虑所讨论的测量和与特定数量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)，如本文使用的，“约”或“近似”包括叙述的值并且意思是在由本领域普通技术人员确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“约”可意思是在叙述的值的一个或多个标准偏差之内，或在叙述的值的
±
30％、
±
20％、
±
10％或
±
5％之内。
[0446]
本文阐述的任何数值范围旨在包括落入阐述的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括阐述的1.0的最小值和阐述的10.0的最大值之间
(并且包括1.0和10.0)，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值的所有子范围，比如，例如，2.4至7.6。本文阐述的任何最大数值界限旨在包括落入其中的所有较低数值界限，并且本说明书中阐述的任何最小数值界限旨在包括落入其中的所有较高数值界限。相应地，申请人保留修改本说明书，包括权利要求的权利，以明确地阐述落入本文中明确地阐述的范围内的任何子范围。
[0447]
尽管已经参考本公开的实施方式描述了本公开，但是将理解，本公开不限于这些实施方式，并且在不背离本公开的精神和范围的情况下，本领域技术人员可进行各种改变和修改。
[0448]
相应地，本公开的技术范围不旨在限于说明书的详细描述中阐述的内容，而是旨在由所附权利要求及其等效方案来限定。