液处理方法和液处理装置与流程

1.本发明涉及液处理方法和液处理装置。


背景技术：

2.专利文献1的基片处理装置，在旋转保持部的下方配置有圆板状的杯状基体，在杯状基体安装有环状的中杯状体。杯状基体的中央部形成贯通孔，电动机的旋转轴贯通贯通孔地配置，在其前端安装有旋转保持部。在杯状基体沿着贯通孔地形成有多个通气孔。通气孔配置在与比旋转保持部的外周部靠内侧处对应的位置。当被旋转保持部保持的基片以高速旋转时，通过通气孔向基片的背面侧供给空气，防止基片侧的背面侧的空间成为负压，由此能够防止雾向基片的背面侧漫延。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：日本特开平11-283899号公报


技术实现要素：

6.发明要解决的技术问题
7.本发明的技术能够抑制由从基片甩落的涂敷液引起的棉絮状块的产生。
8.用于解决技术问题的技术方案
9.本发明的一个方式包括：将涂敷液供给到基片的正面的步骤；和使上述涂敷液在上述基片的正面上扩散，在该正面上形成涂敷膜的步骤，在上述形成涂敷膜的步骤中，从上述涂敷液到达上述基片的正面的周缘部前起，开始从溶剂供给部向上述周缘部连续供给上述涂敷液的溶剂，并至少持续至上述形成涂敷膜的步骤结束。
10.发明效果
11.依照本发明，能够抑制由从基片甩落的涂敷液引起的棉絮状块的产生。
附图说明
12.图1是示意性地表示从基片甩落的涂敷液形成的丝状部的图。
13.图2是表示作为本实施方式的液处理装置的抗蚀剂涂敷装置的概要结构的纵截面图。
14.图3是表示作为本实施方式的液处理装置的抗蚀剂涂敷装置的概要结构的横截面图。
15.图4是用于说明抗蚀剂涂敷装置中的晶片处理流程的一例的流程图。
16.图5是概略地表示晶片处理中包含的各步骤时的晶片w的情形的图。
17.图6是表示连续供给有机溶剂时的溶剂供给喷嘴的位置的例子的图。
18.图7是表示确认试验1的结果的图。
19.图8是表示确认试验3的结果的图。
20.附图标记说明
[0021]1ꢀꢀꢀ
抗蚀剂涂敷装置
[0022]
20
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旋转保持部
[0023]
43
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抗蚀剂液供给喷嘴
[0024]
46
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溶剂供给喷嘴
[0025]
100 控制部
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边缘倾斜部
[0027]wꢀꢀꢀ
晶片
[0028]
we
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周缘部
[0029]
ws
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正面。
具体实施方式
[0030]
在半导体器件等的制造工艺中，进行在半导体晶片(以下称为“晶片”。)等基片上涂敷抗蚀剂液等涂敷液来形成涂敷膜的涂敷处理。
[0031]
在上述的涂敷处理中，对旋转中的晶片的表面(正面)供给涂敷液，利用离心力使涂敷液在晶片的表面上扩散，将涂敷液涂敷在晶片的整个正表面的、所谓的旋涂法被广泛使用。在利用旋涂法进行涂敷的液处理装置中，为了防止从旋转的晶片的表面飞散的涂敷液飞散到周围，设置有被称为杯状体的容器。另外，以在涂敷膜的表面形成所希望的气流等为目的，从杯状体的底部进行排气。
[0032]
但是，近年来，存在要求在晶片的表面上形成膜厚较大的涂敷膜的情况。在形成膜厚较大的涂敷膜时，例如使用高粘度的涂敷液。关于高粘度的涂敷液，在使用旋涂法时，供给到晶片的表面的涂敷液的一部分从晶片的表面周缘被甩落，这时，如图1所示，形成从晶片w的表面周缘向径向外侧丝状地延伸的丝状部h。上述丝状部h进一步在晶片w的旋转的动作用延伸得更长，并干燥而固化。固化了的上述丝状部h彼此交缠而成为棉絮状块。棉絮状块例如在处理的过程中从晶片w断裂，成为堵塞液处理装置的杯状体内的排气路径而阻碍排气等不良状况的主要原因。当从液处理装置的杯状体内的排气被阻碍而排气压上升时，例如，不能在晶片上的涂敷膜的表面形成所希望的气流，不能得到膜厚在面内均匀的膜厚分布。
[0033]
因此，本发明的技术抑制由从晶片甩落的涂敷液导致的棉絮状块的产生。
[0034]
以下，参照附图，对本实施方式的液处理方法和液处理装置进行说明。此外，在本说明书和附图中，对实质上具有相同功能结构的要素标注相同的附图标记，从而省略重复说明。
[0035]
(液处理装置)
[0036]
图2和图3是表示作为本实施方式的液处理装置的抗蚀剂涂敷装置1的概要结构的纵截面图和横截面图。
[0037]
抗蚀剂涂敷装置1如图2所示，具有能够将内部密闭的处理容器10。在处理容器10的侧面形成有作为基片的晶片w的送入送出口(未图示)。
[0038]
在处理容器10内设置有保持晶片w并使其旋转的旋转保持部20。旋转保持部20具体而言，保持晶片w并使该晶片w绕垂直于该晶片w的正面的旋转轴旋转。此外，旋转保持部
20具有：以保持晶片w的状态可旋转地构成的旋转卡盘21；和具有电动机等致动器并使旋转卡盘21旋转的卡盘驱动部22。旋转卡盘21构成为能够利用卡盘驱动部22以各种速度(转速)旋转。此外，在卡盘驱动部22设置有例如具有汽缸等致动器的升降驱动机构，旋转卡盘21构成为能够利用升降驱动机构升降。
[0039]
另外，在处理容器10内设置有杯状体30。杯状体30包括：外杯状体31，其以能够包围被保持在旋转卡盘21的晶片w的方式配置在旋转卡盘21的外侧；和位于外杯状体31的内周侧的内杯状体32。外杯状体31承接并回收从晶片w飞散或者落下的液体。
[0040]
如图3所示，在外杯状体31的x方向负方向(图3的下方向)侧形成有沿着y方向(图3的左右方向)延伸的轨道40。轨道40例如从外杯状体31的y方向负方向(图3的左方向)侧的外侧形成至y方向正方向(图3的右方向)侧的外侧。在轨道40设置有2个臂41、42。
[0041]
在第一臂41支承有作为涂敷液供给部的抗蚀剂液供给喷嘴43。抗蚀剂液供给喷嘴43向被保持在旋转卡盘21的晶片w的正面供给作为涂敷液的抗蚀剂液。抗蚀剂液供给喷嘴43释放并供给的抗蚀剂液具有100cp以上的高粘度。第一臂41利用对抗蚀剂液供给喷嘴43的移动机构即具有电动机等致动器的喷嘴驱动部44，能够在轨道40上移动。由此，抗蚀剂液供给喷嘴43能够从设置在外杯状体31的y方向负方向侧的外侧的待机部45移动至外杯状体31内的晶片w的中心部上方。此外，利用喷嘴驱动部44，第一臂41能够升降，能够调节抗蚀剂液供给喷嘴43的高度。
[0042]
另外，在抗蚀剂液供给喷嘴43连接有抗蚀剂液的供给源(未图示)。此外，在连接抗蚀剂液供给喷嘴43和上述抗蚀剂液的供给源的供给管(未图示)，设置有用于控制从抗蚀剂液的供给源向抗蚀剂液供给喷嘴43的抗蚀剂液的供给的供给设备组(未图示)。上述供给设备组例如具有切换抗蚀剂液的供给和停止供给的供给阀、调节抗蚀剂液的流量的流量调节阀等。
[0043]
在第二臂42支承有作为溶剂供给部的溶剂供给喷嘴46。溶剂供给喷嘴46向被保持在旋转卡盘21的晶片w的正面供给涂敷液的溶剂。溶剂供给喷嘴46供给的溶剂例如为稀释剂等的有机溶剂。第二臂42利用对溶剂供给喷嘴46的移动机构即具有电动机等致动器的喷嘴驱动部47能够在轨道40上移动。由此，溶剂供给喷嘴46能够从设置于外杯状体31的y方向正方向侧的外侧的待机部48移动至外杯状体31内的晶片w的周缘部上方。此外，利用喷嘴驱动部47，第二臂42能够升降，能够调节溶剂供给喷嘴46的高度。
[0044]
另外，在溶剂供给喷嘴46连接有有机溶剂的供给源(未图示)。另外，在连接溶剂供给喷嘴46和上述有机溶剂的供给源的供给管(未图示)，设置有用于控制从有机溶剂的供给源向溶剂供给喷嘴46的有机溶剂的供给的供给设备组(未图示)。上述供给设备组例如具有切换有机溶剂的供给和停止供给的供给阀、调节有机溶剂的流量的流量调节阀。
[0045]
另外，溶剂供给喷嘴46以该溶剂供给喷嘴46释放的有机溶剂朝向利用旋转保持部20进行旋转的晶片w的旋转方向的下游侧的方式倾斜地设置。换言之，以来自溶剂供给喷嘴46的有机溶剂的释放方向d(参照图3的粗线箭头)成为朝向俯视时利用旋转保持部20进行旋转的晶片w的旋转方向的下游侧的方向的方式，倾斜地设置溶剂供给喷嘴46。
[0046]
如图2所示，在内杯状体32与旋转卡盘21之间的部分，设置有清洗液供给喷嘴50。清洗液供给喷嘴50向被旋转卡盘21保持的晶片w的背面供给清洗液。清洗液供给喷嘴50供给的清洗液例如为稀释剂等有机溶剂，可以与溶剂供给喷嘴46供给的溶剂相同。
[0047]
另外，在清洗液供给喷嘴50连接有清洗液的供给源(未图示)。另外，在连接清洗液供给喷嘴50和上述清洗液的供给源的供给管(未图示)，设置有用于控制从清洗液的供给源向清洗液供给喷嘴50的清洗液的供给的供给设备组(未图示)。上述供给设备组例如具有切换清洗液的供给和停止供给的供给阀、调节清洗液的流量的流量调节阀。
[0048]
在外杯状体31的下部设置有圆筒状的壁体31a，在内杯状体32的下部设置有圆筒状的壁体32a。在这些壁体31a、32a之间形成有构成排气路径d的间隙。此外，在内杯状体32的下方，由俯视时呈圆环状的水平部件33a、圆筒状的外周垂直部件33b和内周垂直部件33c、位于底部的俯视时呈圆环状的底面部件33d形成弯曲通路。由该弯曲通路构成气液分离部。
[0049]
而且，在底面部件33d中的壁体31a与外周垂直部件33b之间的部分形成有将所回收的液体排出的排液口34，在该排液口34连接有排液管35。
[0050]
另一方面，在底面部件33d中的外周垂直部件33b与内周垂直部件33c之间的部分，形成有将晶片w周边的气氛排出的排气口36，在该排气口36连接有排气管37。
[0051]
另外，在杯状体30内，以封闭在上述外杯状体31的壁体31a与内杯状体32的壁体32a之间设置的排气路径d的上方的方式，设置有收集部件60。收集部件60是收集抗蚀剂液丝状地延伸并固化而成的物质的部件，为sus等金属制的。此外，收集部件60如上所述封闭排气路径d，但具有在上下方向连通的开口部61，因此能够经由该开口部61进行排气。此外，收集部件60例如是俯视时呈圆环状的部件，开口部61以等间隔地沿着周向排列的方式设置。此外，收集部件60例如以其上表面成为大致水平的方式设置在杯状体30内。
[0052]
以上的抗蚀剂涂敷装置1中，如图2所示设置有控制部100。控制部100例如是具有cpu和存储器等的计算机，具有程序保存部(未图示)。在程序保存部中保存有实现抗蚀剂涂敷装置1中的各种处理的程序。例如，在程序保存部中保存有对针对卡盘驱动部22、喷嘴驱动部44、47、抗蚀剂液供给喷嘴43、溶剂供给喷嘴46和清洗液供给喷嘴50分别设置上的述供给设备组输出控制信号以实现后述的晶片处理的程序。此外，上述程序也可以为记录在计算机可读取的非暂时性的存储介质中的程序，从该存储介质被安装到控制部100。程序的一部分或者全部也可以由专用硬件(电路板)来实现。
[0053]
(晶片处理的例子)
[0054]
接着，使用图4～图6，对在抗蚀剂涂敷装置1中的晶片处理的一例进行说明。图4是用于说明在抗蚀剂涂敷装置1中的晶片处理流程的一例的流程图。图5是概略地表示上述晶片处理的各步骤时的晶片w的情形的图。图6是表示在后述的连续供给有机溶剂时的溶剂供给喷嘴46的位置的例子的图。此外，以下的晶片处理在控制部100的控制下进行。
[0055]
首先，如图4所示，晶片w被送入处理容器10内，载置并吸附保持在旋转保持部20的旋转卡盘21上(步骤s1)。
[0056]
接着，从抗蚀剂液供给喷嘴43向晶片w的正面供给抗蚀剂液(步骤s2)。
[0057]
具体而言，使被旋转卡盘21保持的晶片w以转速ω1(例如50～150rpm)旋转，并且如图5的(a)所示从抗蚀剂液供给喷嘴43向晶片w的正面ws的中心供给抗蚀剂液。由此，在晶片w的正面ws的中央区域形成抗蚀剂液的积液(一滩液体)。
[0058]
接着，使晶片w旋转，抗蚀剂液因旋转产生的离心力在晶片w的正面上扩散，在该正面形成抗蚀剂膜，并且从溶剂供给喷嘴46向晶片w的正面的周缘部连续供给有机溶剂(步骤
s3)。
[0059]
具体而言，在步骤s2中，在形成抗蚀剂液的液池并停止从抗蚀剂液供给喷嘴43供给抗蚀剂液后，使晶片w以比转速ω1高的转速ω2(例如400～1000rpm)旋转。由于这时的离心力，如图5的(b)所示晶片w的正面ws上的涂敷液向周缘扩散。
[0060]
从该扩散的抗蚀剂液到达晶片w的正面ws的周缘部we前，开始从溶剂供给喷嘴46向上述周缘部we连续供给有机溶剂。具体而言，例如在刚刚停止从抗蚀剂液供给喷嘴43供给抗蚀剂液后，开始从溶剂供给喷嘴46向上述周缘部we连续供给有机溶剂。由此，在扩散的抗蚀剂液到达上述周缘部we的时刻及其以后的时刻，能够使有机溶剂存在于上述周缘部we，换言之，能够用有机溶剂预先润湿上述周缘部we。因此，到达晶片w的正面ws的周缘部we的抗蚀剂液与有机溶剂混合而其粘度降低。如果晶片w的正面ws的周缘部we上的抗蚀剂液如上所述粘度降低，在从正面周缘被甩落时，难以形成上述的丝状部h(参照图1)。因此，在该步骤s3的扩散步骤及其以后的步骤中，能够抑制由从晶片w甩落的抗蚀剂液导致的棉絮状块的产生。
[0061]
另外，所谓“周缘部”是指，处于晶片w的正面的比半导体器件的形成区域靠外侧的非器件形成区域的部分，例如晶片w的正面的距周缘的距离为1mm以内的部分。
[0062]
另外，对晶片w的正面ws的周缘部we连续供给有机溶剂时的、溶剂供给喷嘴46的位置，例如如图6所示是从该溶剂供给喷嘴46释放的有机溶剂形成的液柱p与晶片w的正面的周缘部的边缘倾斜部b接触的位置。
[0063]
在形成抗蚀剂膜后，晶片w进一步旋转，上述抗蚀剂膜被干燥，并且继续从溶剂供给喷嘴46向晶片w的正面的周缘部连续供给有机溶剂(步骤s4)。
[0064]
具体而言，通过步骤s2，使抗蚀剂液在晶片w的整个正面(除去周缘部)扩散后，即形成覆盖晶片w的整个正面(除了周缘部)的抗蚀剂膜后，晶片w以比转速ω2高的转速ω3(例如1000～1500rpm)旋转。通过使晶片w以该转速ω3旋转规定时间，能够使晶片w的正面上的抗蚀剂膜干燥。
[0065]
在该干燥时，形成了抗蚀剂膜的抗蚀剂液到达晶片w的正面的周缘部，从晶片w的正面周缘被甩落，有可能形成上述的丝状部h(参照图1)。对此，在本例中，在该干燥步骤中，如图5的(c)所示，从溶剂供给喷嘴46向晶片w的正面ws的周缘部we连续供给有机溶剂。具体而言，继续进行上述有机溶剂的连续供给直至上述的干燥步骤结束。因此，形成抗蚀剂膜的抗蚀剂液在到达晶片w的正面的周缘部时，与有机溶剂混合而其粘度降低。如果晶片w的正面的周缘部上的、形成抗蚀剂膜的抗蚀剂液如上所述粘度降低，则该抗蚀剂液在从正面周缘被甩落时，难以形成上述的丝状部(参照图1)。因此，在该干燥步骤中，能够抑制由从晶片w甩落的抗蚀剂液导致的棉絮状块的产生。
[0066]
在干燥步骤后，利用来自溶剂供给喷嘴46的有机溶剂，除去晶片w的正面中的、周缘侧的预先决定的区域内的涂敷液(步骤s5)。
[0067]
具体而言，在步骤s4的干燥步骤中从溶剂供给喷嘴46连续供给有机溶剂之后，接着继续进行晶片w的正面中的、周缘侧的预先决定的区域内的涂敷液的除去(以下也称为“晶片正面的周缘除去”。)，即在转向该晶片正面的周缘除去时，不中断地继续从溶剂供给喷嘴46供给溶剂。此外，在晶片正面的周缘除去时，使晶片w以与转速ω2大致相同的转速ω4旋转。
[0068]
另外，在步骤s3中开始的向晶片w的正面周缘部的连续供给有机溶剂时的液柱p在晶片w的着液位置，设定在该晶片正面的周缘除去的区域内。在该周缘除去的区域包含与直至步骤s4的溶剂供给位置不同的区域的情况下，可以以在该区域内液柱p的着液位置不改变的方式，溶剂供给喷嘴一边在晶片w的水平方向上移动一边供给有机溶剂。
[0069]
另外，步骤s3和步骤s4的连续供给例如可以不改变步骤s5的晶片正面的周缘除去时的有机溶剂的流量地进行。
[0070]
而且，在步骤s5中，漫延到晶片w的背面的涂敷液也被除去。
[0071]
具体而言，从清洗液供给喷嘴50向如上所述以转速ω4旋转的晶片w的背面释放清洗液。由此，对晶片w的背面中的、比从清洗液供给喷嘴50释放的清洗液所释放的部分靠外周侧的部分，供给清洗液，从晶片w的正面的周缘漫延到背面的涂敷液也被除去。此外，供给到晶片w的背面的清洗液从晶片w的背面的周缘部被甩落，而供给到收集部件60。因此，在棉絮状块等被收集部件60收集了的情况下，能够将该棉絮状块等溶解而除去。
[0072]
另外，从清洗液供给喷嘴50对晶片w的背面释放清洗液的释放位置，是比从溶剂供给喷嘴46对晶片w的正面释放有机溶剂的释放位置靠内侧，例如从晶片w的周缘向径向内侧隔开80mm～120mm的位置。
[0073]
之后，将晶片w从旋转卡盘21拆下，并从处理容器10送出(步骤s6)。
[0074]
由此，抗蚀剂涂敷装置1中的一连串晶片处理结束。
[0075]
如以上所述，本实施方式的晶片处理包括：将抗蚀剂液供给到晶片w的正面的步骤；使晶片w旋转而使所供给的抗蚀剂液在晶片w的正面上扩散，在该正面上形成抗蚀剂膜的步骤(以下也称为“扩散形成步骤”。)。而且，在上述晶片处理中，在扩散形成步骤中从抗蚀剂液到达晶片w的正面的周缘部前，开始从溶剂供给喷嘴46向上述周缘部连续供给有机溶剂，并至少持续至扩散形成步骤结束。因此，在扩散形成步骤及其以后的步骤中，晶片w的正面ws的周缘部we上的抗蚀剂液与从溶剂供给喷嘴46供给的有机溶剂混合，粘度降低，因此该抗蚀剂液在从正面周缘被甩落时，难以形成上述的丝状部h(参照图1)。因此，依照本实施方式的晶片处理，在扩散形成步骤及其以后的步骤中，能够抑制由从晶片w甩落的抗蚀剂液导致的棉絮状块的产生。其结果是，也能够抑制由于棉絮状块引起的不良状况的发生。
[0076]
另外，在本实施方式的晶片处理中，在抗蚀剂膜的形成所必须的步骤(例如扩散形成步骤)中，由于仅并行地进行从溶剂供给喷嘴46向晶片w的正面的周缘部的、有机溶剂的连续供给，因此，处理整体所需要的时间没有变长，生产能力没有降低。
[0077]
另外，也考虑对于扩散形成步骤时等的有机溶剂的连续供给，不是从溶剂供给喷嘴46进行供给，而从向晶片w的背面供给作为清洗液的有机溶剂的清洗液供给喷嘴50进行供给。但是，在该情况下，即使能够使来自清洗液供给喷嘴50的有机溶剂漫延到晶片w的正面的周缘部，与晶片w的有机溶剂接触而被冷却的部分的面积过大，对膜厚分布有较大的影响。因此，在本实施方式中，使扩散形成步骤时等的有机溶剂的连续供给从位于晶片w的上方、即从位于晶片w的正面侧的溶剂供给喷嘴46进行。
[0078]
另外，在本实施方式的晶片处理中，在扩散形成步骤之后接着进行的抗蚀剂膜的干燥步骤中，也继续从溶剂供给喷嘴46向晶片w的正面的周缘部连续供给有机溶剂。因此，能够进一步在干燥步骤中抑制由从晶片w甩落的抗蚀剂液导致的棉絮状块的产生。此外，通过将上述有机溶剂的连续供给持续至抗蚀剂膜的干燥步骤的结束，能够进一步抑制棉絮状
块的产生。
[0079]
另外，在本实施方式中，对晶片w的正面的周缘部连续供给有机溶剂时的、溶剂供给喷嘴46的位置，例如为从该溶剂供给喷嘴46释放的有机溶剂形成的液柱p与晶片w的表面的周缘部的边缘倾斜部b接触的位置。由此，供给到晶片w的正面的周缘部的有机溶剂中的边缘倾斜部b侧的部分即外周侧的部分，沿着边缘倾斜部向外周移动。另一方面，供给到晶片w的正面的周缘部的有机溶剂中的内周侧的部分，由于有机溶剂自身的表面张力而被牵引向边缘倾斜部b侧的部分，由晶片w的旋转产生的离心力也发挥作用而同样向外周部移动。因此，能够抑制来自溶剂供给喷嘴46的有机溶剂从晶片w的正面中的供给位置去往内周侧。另外，上述液柱p如图6所示，也可以处于比晶片w的周缘端靠内侧的位置。换言之，在液柱p中处于比晶片w的着液部靠上方的部分的宽度方向区域，也可以处于比晶片w的周缘端靠内侧的位置。由此，能够防止从溶剂供给喷嘴46释放的有机溶剂由于释放方向的流动趋势而从晶片w的周缘端向下方的晶片w的背面漫延。
[0080]
另外，本实施方式的晶片处理中，溶剂供给喷嘴46以该溶剂供给喷嘴46释放的有机溶剂朝向利用旋转保持部20进行旋转的晶片w的旋转方向的下游侧的方式倾斜地设置。因此，能够抑制从溶剂供给喷嘴46释放的有机溶剂与旋转的晶片w碰撞而产生有机溶剂的飞沫的发生。
[0081]
另外，在本实施方式中，在进行至抗蚀剂膜的干燥步骤的结束为止的、从溶剂供给喷嘴46向晶片w的正面的周缘部连续供给有机溶剂的抗蚀剂膜的干燥步骤之后，接着进行使用相同的溶剂供给喷嘴46的晶片表面的周缘除去。并且，在转向该晶片正面的周缘除去时，不中断地继续从溶剂供给喷嘴46释放溶剂。因此，在包括向周缘除去的转移在内的直至周缘除去完成为止的期间，也能够不断地抑制由抗蚀剂导致的棉絮状体的产生。
[0082]
另外，本实施方式的晶片处理，能够使用具有晶片正面的周缘除去用的溶剂供给喷嘴的现有结构的装置进行。
[0083]
另外，用于本实施方式的晶片处理的抗蚀剂涂敷装置1，由于装置结构简单，因此维护较为容易。
[0084]
《确认试验1》
[0085]
本发明人进行了确认利用本发明的晶片处理抑制棉絮状块的产生的效果的试验。
[0086]
在该确认试验1中，使用图2和图3所示的结构的抗蚀剂涂敷装置1，测量了来自杯状体30的排气管37的排气压(以下称为“杯状体排气压”。)。
[0087]
在实施例中，进行了使用图4和图5说明的晶片处理。
[0088]
另外，在比较例1中，进行了与使用图4和图5说明的晶片处理在以下方面不同的晶片处理。即，所进行的晶片处理的不同点在于，在步骤s2和步骤s3中，没有从溶剂供给喷嘴46向晶片w的正面的周缘部连续供给有机溶剂。
[0089]
在比较例2中，进行与比较例1同样的晶片处理，并且在事先一边使晶片w旋转一边对晶片w的背面从清洗液供给喷嘴50供给作为清洗液的有机溶剂，用有机溶剂润湿收集部件60。
[0090]
图7是表示确认试验1的结果的图。在图7中，横轴表示从开始上述的步骤s2的抗蚀剂液供给步骤起的经过时间，纵轴表示杯状体排气压。
[0091]
如图7所示，在比较例1中，在步骤s4的干燥步骤中，杯状体排气压最大约为120pa。
与此相对，在实施例中，在步骤s4的干燥步骤中的、比较例1中杯状体排气压成为最大的时刻，杯状体排气压大约为75pa。即，在实施例中，与比较例1相比，能够将杯状体排气压的上升抑制大约40％。
[0092]
另外，在比较例2中，在步骤s4的干燥步骤中，杯状体排气压成为最大约100pa。与此相对，在实施例中，在步骤s4的干燥步骤中的、比较例2中杯状体排气压成为最大的时刻，杯状体排气压为大约75pa。即，在实施例中，与比较例2相比，能够将杯状体排气压的上升抑制大约25％。
[0093]
《确认试验2》
[0094]
另外，本发明人得到了上述实施例中的晶片处理后的膜厚分布和上述比较例1中的晶片处理后的膜厚分布。
[0095]
根据该确认试验2，实施例中的晶片处理后的膜厚分布与上述比较例1中的晶片处理后的膜厚分布相比没有改变。即，没有确认到在步骤s2和步骤s3中，由进行从溶剂供给喷嘴46向晶片w的表面的周缘部连续供给有机溶剂导致的、对抗蚀剂膜的膜厚分布的影响。
[0096]
另外，如比较例2所示，在事先对晶片w的背面供给了有机溶剂的情况下，不仅晶片处理整体所需要的时间变长，晶片w的背面的与有机溶剂接触的部分也被冷却。于是，可知由于晶片w的背面的与有机溶剂接触的部分较大，会对晶片w的膜厚分布造成影响。在实施例的晶片处理后的膜厚分布中没有发现这样的趋势。
[0097]
《确认试验3》
[0098]
在该确认试验3中，使用如图2和图3所示的结构的抗蚀剂涂敷装置1，对5个晶片w连续地进行使用图4和图5说明的晶片处理，测量了这时的杯状体排气压。
[0099]
图8是表示确认试验3的结果的图。在图8中，横轴表示从开始上述的步骤s2的抗蚀剂液供给步骤起的经过时间，纵轴表示杯状体排气压。此外，在图8中未进行比较将上述的比较例1的结果也一并表示。
[0100]
如图8所示，在对5个晶片w进行了连续处理的情况下，在处理期间杯状体排气压的历史记录几乎没有改变。即，依照本实施方式的晶片处理，对多个晶片w进行连续处理的情况下，也能够稳定地抑制杯状体排气压的上升。
[0101]
《本实施方式的变形例》
[0102]
在以上的例子中，在停止抗蚀剂液的供给后，开始从溶剂供给喷嘴46向晶片w的正面的周缘部连续供给有机溶剂，但在停止抗蚀剂液的供给前也可以开始上述连续供给。此外，从开始供给抗蚀剂液前也可以开始上述连续供给。但是，通过在停止抗蚀剂液的供给后开始上述连续供给，能够抑制有机溶剂的消耗量。
[0103]
另外，在以上的例子中，在抗蚀剂膜的干燥步骤中，也进行上述有机溶剂的连续供给，但在抗蚀剂膜的干燥步骤中也可以省略上述有机溶剂的连续供给。通过在抗蚀剂膜的干燥步骤中也进行上述有机溶剂的连续供给，能够进一步抑制棉絮状块的产生。另一方面，在抗蚀剂膜的干燥步骤中，通过省略上述有机溶剂的连续供给，能够抑制有机溶剂的消耗量。
[0104]
本次公开的实施方式其全部方面均为例示，而不应该认为是限定性的内容。上述实施方式只要没有脱离权利要求及其主旨，就能够以各种方式进行省略、置换、变更。