静电式晶圆吸附座及其制造方法与流程

静电式晶圆吸附座及其制造方法
1.本技术是申请日为2017年3月10日、申请号为201710141535.4、发明名称为“静电式晶圆吸附座及其制造方法”的专利申请的分案申请。
技术领域
2.本揭露是有关于一种静电式晶圆吸附座及其制造方法，且特别是有关于一种包含具有特定材料组成以及厚度比值的突起结构的静电式晶圆吸附座及其制造方法。上述静电式晶圆吸附座具有低磨耗量以及使用寿命长等优点。


背景技术：

3.在半导体制程中，相较于机械式的夹持系统，利用静电吸附晶圆的静电式晶圆吸附座具有不易损坏晶圆的优点。因此，静电式晶圆吸附座(electrostatic chuck)常设于制程腔体中，以夹持晶圆从而便于进行如化学气相沉积、物理气相沉积或干式蚀刻等制程。
4.一般而言，静电式晶圆吸附座的表面上设有多个突起结构，突起结构之间的空间可提供气体的流通，从而利于静电式晶圆吸附座的加热元件的热均匀传导至每一个突起结构上。然而，由于晶圆在未被静电式晶圆吸附座吸附前，呈中心微凸的曲面，导致用于吸附晶圆周边的静电式晶圆吸附座的突起结构容易被磨耗，甚至是崩坏。磨耗或崩坏的突起结构的厚度减少及/或与晶圆的接触面积改变，致使被静电式晶圆吸附座吸附的晶圆受热不均匀，从而产生挤压缺陷(extrusion defect)，使得晶圆表面生成非预定的突出物。因为上述所遭遇的问题，目前于半导体制程中常使用的静电式晶圆吸附座的使用寿命较短。
5.鉴于上述种种问题，目前亟需提出一种静电式晶圆吸附座及其制造方法，其可有效改善静电式晶圆吸附座的突起结构磨耗和崩坏的缺点，以延长静电式晶圆吸附座的使用寿命。


技术实现要素：

6.因此，本揭露的一态样是在提供一种静电式晶圆吸附座，其可透过特定的突起结构，降低静电式晶圆吸附座使用过程中的磨耗。
7.本揭露的另一态样是在提供一种静电式晶圆吸附座的制造方法，其可制得上述的静电式晶圆吸附座。
8.根据本揭露的上述态样，提出一种静电式晶圆吸附座。在一实施例中，上述静电式晶圆吸附座可包含承载座以及多个突起结构。所述承载座具有第一表面，其中承载座是用于承载晶圆于第一表面上。所述多个突起结构是分布在前述第一表面上，且每一个突起结构包含氧化铝层、粘着层以及抗磨耗层，其中氧化铝层是埋设于第一表面中，粘着层是设置于氧化铝层上，而抗磨耗层是设置于粘着层上，用以接触所述晶圆。氧化铝层与该粘着层的一界面低于前述第一表面，其中抗磨耗层具有平行所述第一表面的一截面，粘着层具有平行前述第一表面的一截面，该抗磨耗层的所述截面与该粘着层的所述截面具有相同的形状，且该抗磨耗层的所述截面与该粘着层的所述截面从上方看是重合的，所述承载座具有
相对该第一表面的一第二表面。所述静电式晶圆吸附座还包含至少一对电极、一加热元件以及一冷却层。所述至少一对电极埋设于该承载座中，所述加热元件埋设于该承载座中并位于所述至少一对电极和所述第二表面之间，且所述冷却层设于该第二表面上。
9.根据本揭露的上述态样，提出一种静电式晶圆吸附座的制造方法。在一实施例中，上述方法是首先提供承载座，其具有第一表面，用以承载晶圆于第一表面上，其中承载座的第一表面分别埋设有多个氧化铝层，且所述多个氧化铝层是自第一表面暴露出来。接着，利用罩幕于每一个氧化铝层上沉积粘着层。然后，利用上述罩幕于每一个氧化铝层上的粘着层上沉积抗磨耗层，其中所述抗磨耗层是突出于第一表面。上述方法接着提供一冷却层、至少一对电极以及一加热元件，该冷却层接合于该承载座相对该第一表面的一第二表面所述，至少一对电极埋设于该承载座中，所述一加热元件埋设于该承载座中并位于该至少一对电极和该第二表面之间。
10.根据本揭露的上述态样，提出一种静电式晶圆吸附座。在一实施例中，上述静电式晶圆吸附座可包含承载座以及多个突起结构。所述承载座具有第一表面，其中所述承载座是用于承载晶圆于该第一表面上。所述多个突起结构是分布在前述第一表面上，且每一个突起结构包含氧化铝层、粘着层以及抗磨耗层，其中氧化铝层是埋设于第一表面中，粘着层是设置于氧化铝层上，而抗磨耗层是设置于粘着层上，用以接触所述晶圆。所述承载座具有相对该第一表面的一第二表面。所述静电式晶圆吸附座还包含至少一对电极、一加热元件以及一冷却层。所述至少一对电极埋设于该承载座中，所述加热元件埋设于该承载座中并位于所述至少一对电极和所述第二表面之间，且所述冷却层设于该第二表面上。
附图说明
11.通过以下详细说明并配合附图阅读，可更容易理解本揭露。在此强调的是，按照产业界的标准做法，各种特征并未按比例绘制，仅为说明之用。事实上，为了清楚的讨论，各种特征的尺寸可任意放大或缩小。
12.图1a是绘示根据本揭露的实施例所述的静电式晶圆吸附座的剖面示意图；
13.图1b和图1c是绘示本揭露的一些实施例所述的静电式晶圆吸附座的上视图；
14.图1d至图1f是绘示本揭露的一些实施例所述的静电式晶圆吸附座的承载座和突起结构的局部放大剖面示意图；
15.图2a至图2c是绘示根据本揭露的一些实施例所述的静电式晶圆吸附座的制造方法的各个中间阶段的剖面示意图；
16.图3是绘示根据本揭露的一些实施例所述的静电式晶圆吸附座的制造方法的示意流程图。
具体实施方式
17.以下的揭露提供了许多不同实施例或例子，以实施本揭露的不同特征。以下所描述的构件与安排的特定例子是用以简化本揭露。当然这些仅为例子，并非用以做为限制。举例而言，于描述中，第一特征形成于第二特征上方或上，可能包含第一特征与第二特征以直接接触的方式形成的实施例，亦可包含额外特征可能形成在第一特征与第二特征之间的实施例，如此第一特征与第二特征可能不会直接接触。此外，本揭露可能会在各例子中重复元
件符号和/或字母。这样的重复是基于简化与清楚的目的，以其本身而言并非用以指定所讨论的各实施例及/或配置之间的关系。
18.再者，空间性地相对用语，如“正下方”、“下方”、“较下”、“上方”、“较上”和类似用语，在此是用以简易描述附图中的元件或特征对另一元件或特征的关系。这些空间性地相对用语意图包含使用或操作中装置的不同方位，除附图中所示的方位。例如：如附图中的装置被翻转，则其所描述为其他元件或特征下方或正下方的元件会被导向在其他元件或特征的上方或正上方。因此，例示性的术语“下方”可包含上方或下方。装置可另外改变其方位(旋转90
°
或在其他方位)，而可据以同样地说明在此所使用的空间性地相对描述。
19.本揭露的一态样在于提供一种静电式晶圆吸附座，其于承载座中的第一表面上分布有多个突起结构，且每一个突起结构是由氧化铝层、粘着层以及抗磨耗层堆迭而成。通过氧化铝层与承载座间的接着力，以及粘着层与氧化铝层间的接着力，强化突起结构与承载座间的接合，并通过高硬度但与晶圆表面的摩擦系数低的抗磨耗层，可减少突起结构的磨损。因此，本揭露的静电式晶圆吸附座具有低磨耗量、使用寿命长、减少晶圆于制程中的损坏率等优点。
20.本揭露此处所称的晶圆可例如为大块硅晶圆(bulk silicon)、掺杂或未掺杂的绝缘层上覆硅(silicon on insulator；soi)、或其他类似材料覆于砷镓、蓝宝石、玻璃等绝缘层上。
21.请参考图1a，其是绘示根据本揭露的实施例所述的静电式晶圆吸附座的剖面示意图。如图1a所示，静电式晶圆吸附座100包含承载座110以及多个突起结构120。承载座110具有第一表面111，用以承载晶圆(未绘示)于第一表面111上。多个突起结构120是分布在第一表面111，其中每一个突起结构120包含氧化铝层粘着层以及抗磨耗层(如图1d至图1f所示的氧化铝层126、粘着层124和抗磨耗层122)。在一些实施例中，多个突起结构120是均匀分布于第一表面111上。请参考图1b和图1c，其是分别绘示根据本揭露的一些实施例所述的静电式晶圆吸附座的上视图。在一例子中，多个突起结构120可例如以螺旋式(如图1b所示)、同心圆式(如图1c所示)或其他类似的排列方式，均匀地分布于承载座110的第一表面111上。
22.在一些实施例中，承载座110具有相对第一表面111的第二表面113，且静电式晶圆吸附座100可还包含至少一对电极112、加热元件114、冷却层130以及气体通道140。所述至少一对电极112是埋设于承载座110中并邻近于第一表面111，加热元件114是埋设于承载座110中并位于至少一对电极112和第二表面113之间，冷却层130是设于第二表面113上，且气体通道140贯穿冷却层130和承载座110。
23.在一些实施例中，静电式晶圆吸附座具有一对电极(如图1a的电极112)，其中电极112的一者可与电源供应器(未绘示)电性连接，而至电极112的另一者可接地。在一些实施例中，电极112可为环形、条形、楔形、半月形或其他形状。在一些实施例中，电极112的金属材料可例如为钼、钨、上述的组合、钼基合金或钨基合金，其中所述钼基合金或钨基合金可例如包含镍或钴。特别说明的是，本揭露此处虽仅绘示一对电极，然根据使用需求、静电式晶圆吸附座的设计等，可使用二或更多对的电极，本揭露的附图并非用以限制本揭露的范围。
24.在一些实施例中，加热元件114是与加热装置(未绘示)耦合，以利用加热装置调整
静电式晶圆吸附器100的温度。在一些实施例中，加热元件114的材料可例如为加热分解成的石磨(pyrolytic graphite)、金属材料或其他导热性佳的材料。
25.在一些实施例中，冷却层130可例如以螺固的方式与承载座110接合。在一些实施例中，冷却层130包含冷却管线132，以提供冷却水的流通。
26.在一些实施例中，气体通道140可与气体供应装置150连通，提供气体以均匀传导加热元件114的产热至每个突起结构120上。在一些例子中，所述气体可例如但不限于氩气、氦气、氮气、其他惰性气体或上述的任意组合。
27.接着请参考图1d，其是绘示本揭露的一些实施例所述的静电式晶圆吸附座的承载座110和突起结构120的局部放大剖面示意图。如图1d所示，突起结构120是分布于第一表面111上，且突起结构120包含氧化铝层126、粘着层124和抗磨耗层122，其中氧化铝层126是埋设于第一表面111中，且氧化铝层126的表面126a与第一表面111对齐。粘着层124是设置于氧化铝层126上，而抗磨耗层122设置于氧化铝层126上的粘着层124上，抗磨耗层122是用以接触晶圆(未绘示)。换言之，粘着层124和抗磨耗层122突出承载座110的第一表面111。
28.请参考图1e，其是绘示本揭露的另一些实施例所述的静电式晶圆吸附座的承载座110和突起结构120的局部放大剖面示意图。如图1e所示，突起结构120是分布于第一表面111上，且突起结构120包含氧化铝层126、粘着层124和抗磨耗层122，其中氧化铝层126是埋设于第一表面111中，且氧化铝层126的表面126a是位于承载座110的第一表面111中。粘着层124是设置于氧化铝层126上，部分的粘着层124突出第一表面111，而抗磨耗层122设置于氧化铝层126上的粘着层124上，抗磨耗层122是用以接触晶圆(未绘示)。换言之，部分的粘着层124以及抗磨耗层122是突出承载座110的第一表面111。
29.请参考图1f，其是绘示本揭露的又一些实施例所述的静电式晶圆吸附座的承载座110和突起结构120的局部放大剖面示意图。如图1f所示，突起结构120是分布于第一表面111上，且突起结构120包含氧化铝层126、粘着层124和抗磨耗层122，其中氧化铝层126是埋设于第一表面111中，且氧化铝层126的表面126a是突出于承载座110的第一表面111。粘着层124是设置于氧化铝层126上，而抗磨耗层122设置于氧化铝层126上的粘着层124上，抗磨耗层122是用以接触晶圆(未绘示)。换言之，部分的氧化铝层126、粘着层124以及抗磨耗层122是突出承载座110的第一表面111。
30.在一实施例中，承载座110是由氮化铝(aln)所组成，粘着层124为金属钛(ti)层以及抗磨耗层122为氮化钛(tin)层。特别说明的是，本揭露此处所称的抗磨耗层122(或称氮化钛层)具有相对高的硬度，且与晶圆表面的摩擦系数低(例如约为0.354)，故可有效降低应用于半导体制程中，静电式晶圆吸附座的突起结构磨耗量。另一方面，本揭露此处所称的粘着层124(或称金属钛层)，针对氧化铝和氮化钛都有良好的粘着性，因此粘着层124可有效加强突起结构120与承载座110的接合性。因此，倘若任意改变上述任一种材料，则有造成突起结构硬度不足、与晶圆接触面摩擦力增加、静电式晶圆吸附座磨耗量变高，或是突起结构与承载座接合性不佳等缺点。
31.在一些实施例中，抗磨耗层122具有厚度t1，粘着层124具有厚度t2，且抗磨耗层122与粘着层124的厚度比值(即厚度t1/厚度t2)为6至34。倘若上述厚度比值小于6，高硬度的抗磨耗层122的厚度不足，致使静电式晶圆吸附座100使用寿命短。倘若上述厚度比值大于34或未使用粘着层124，突起结构120容易从承载座110上崩落。再者，粘着层124的厚度越
薄，抗磨耗层122越容易受到氧化铝层126的表面粗糙度影响，因此也会增加抗磨耗层122的磨耗量。
32.在一些实施例中，突出结构120的顶表面120a与第一表面111之间可具有3.25μm至4.25μm的距离d(如图1d至图1f所示)。在其他实施例中，突出结构120可具有2.2μm至2.4μm的宽度w。倘若突出结构120的顶表面120a与第一表面111之间的距离d少于3.25μm，由气体供应装置150所产生的气体，容易溢散而无法于每一突起结构120之间流动，从而无法均匀传导加热元件114的热至每一突起结构120上。另一方面，倘若上述距离d大于4.25μm，易有突起结构120的受热不均的缺点。此外，倘若突起结构120的宽度w小于2.2μm，与晶圆的接触面积过小，造成静电吸附力不足。然而，倘若突起结构120的宽度w大于2.4μm，每一突起结构120之间的距离太过密集，而使传导热的气体无法顺利流通。
33.在一些实施例中，抗磨耗层122与粘着层124具有完全相同的截面形状(如图1b和图1c的上视图的突起结构120所示)，所述截面形状是指与第一表面111平行的截面的平面。本揭露此处所称的完全相同是指抗磨耗层122的任一截面与粘着层124的任一截面都可完全重合。在一些实施例中，所述截面形状可包括但不限于圆形、正方形、长方形或其他几何形状。倘若抗磨耗层122与粘着层124的截面形状不同(例如随突起结构120远离第一表面111方向，截面面积渐减)，则在制造晶圆的过程中，晶圆(未绘示)与突起结构120的接触面积不断改变，不利于控制制造晶圆的制程条件。
34.接下来请参考图2a至图3，其中图2a至图2c是绘示根据本揭露的一些实施例所述的静电式晶圆吸附座的制造方法的各个中间阶段的剖面示意图，而图3是绘示根据本揭露的一些实施例所述的静电式晶圆吸附座的制造方法300的示意流程图。特别说明的是，为简化附图，本揭露的图2b与图2c仅绘示图2a中所圈示处于制程中的各个中间阶段。首先，如图2a以及图3所示，在操作310中，提供具有第一表面211的承载座210，用以承载晶圆(未绘示)于第一表面211上，其中承载座210的第一表面211分别埋设有多个氧化铝层226，且每个氧化铝层226是自第一表面211暴露出来。
35.在一些实施例中，所述承载座210具有相对第一表面211的第二表面213，至少一对电极212是埋设于承载座210中并邻近第一表面211，加热元件214是埋设于承载座210并位于至少一对电极212和第二表面213之间，承载座210的第二表面213上更设有冷却层230，且气体通道240是贯穿冷却层230和承载座210。在一实施例中，冷却层230是螺固地形成于第二表面213上。在一些实施例中，承载座210的材料可为氮化铝。
36.上述至少一对电极212、加热元件214、冷却层230以及气体通道240是与前述至少一对电极112、加热元件114、冷却层130和气体通道140的种类、设置方式、功能等相同或相似，故此处不另赘述。
37.接着，如图2b以及图3的操作320所示，利用罩幕250沉积粘着层224于氧化铝层226上。
38.然后，如图2c以及图3的操作330所示，再次利用罩幕250于氧化铝层226上的粘着层224上，沉积抗磨耗层222，以形成突起结构220。
39.特别说明的是，本揭露的方法300所制得的静电式晶圆吸附座中的氧化铝层226的表面与第一表面211对齐(类似于图1d所示的结构)，惟本技术领域具有通常知识者可了解上述实施例仅用以说明本揭露的实施方式，并非用以限制本揭露的范围。如本揭露图1e、图
1f或其他上述结构的润饰的实施例，可透过类似于方法300的制造方法而制得。
40.在一些实施例中，粘着层224为金属钛层以及抗磨耗层222为氮化钛层。特别说明的是，本揭露此处所称的抗磨耗层222(或称氮化钛层)具有相对高硬度，且与晶圆表面的摩擦系数低(例如约为0.354)，故可有效降低应用于半导体制程中的突起结构220的磨耗量。另一方面，本揭露此处所称的粘着层224(或称金属钛层)，针对氧化铝和氮化钛都有良好的粘着性，因此粘着层224可有效加强突起结构220与承载座210的接合性。因此，倘若任意改变上述任一种材料，则有造成突起结构硬度不足、与晶圆接触面摩擦力增加、静电式晶圆吸附座磨耗量变高，或是突起结构与承载座接合性不佳等缺点。
41.在一些实施例中，上述操作320和操作330可利用物理气相沉积(physical vapor deposition；pvd)进行。在粘着层224为金属钛层以及抗磨耗层222为氮化钛层的例子中，操作320是首先通入气化金属钛至形成预定厚度的钛层(或称粘着层224)后。接着于操作330中，持续通入气化金属钛并额外通入氮气，以形成预定厚度的氮化钛层(或称抗磨耗层222)。上述操作320和操作330可例如于200℃下进行。
42.在一些实施例中，抗磨耗层222具有厚度t3，粘着层224具有厚度t4，且抗磨耗层222与粘着层224的厚度比值(即厚度t3/厚度t4)为6至34。倘若上述厚度比值小于6，高硬度的抗磨耗层222不足，致使静电式晶圆吸附座的使用寿命短。倘若上述厚度比值大于34或未形成粘着层224，突起结构220容易从承载座210上崩落。再者，粘着层224的厚度越薄，抗磨耗层222越容易受到氧化铝层226的表面粗糙度影响，因此也会增加抗磨耗层222的磨耗量。
43.在一些实施例中，突起结构220的顶表面220a与第一表面211之间可具有3.25μm至4.25μm的距离d’。在其他实施例中，突起结构220可具有2.2μm至2.4μm的宽度w2。倘若突起结构220的距离d’不足3.25μm或大于4.25μm，突起结构220无法均匀受热。此外，倘若突起结构220的宽度w2小于2.2μm，与晶圆的接触面积过小，造成静电吸附力不足。然而，倘若突起结构220的宽度w2大于2.4μm，每一突起结构220之间的距离太过密集，而使传导热的气体无法顺利流通。
44.在一些实施例中，抗磨耗层222与粘着层224具有完全相同的截面形状(如图1b和图1c的上视图的突起结构120所示)，所述截面形状是指与第一表面211平行的截面的平面。本揭露此处所称的完全相同是指抗磨耗层222的任一截面与粘着层224的任一截面完全重合。在一些实施例中，所述截面形状可包括但不限于圆形、正方形、长方形或其他几何形状。倘若抗磨耗层222与粘着层224的截面形状不同(例如随突起结构220远离第一表面211方向，截面面积渐减)，则在制造晶圆的过程中，晶圆(未绘示)与突起结构220的接触面积不断改变，不利于控制制造晶圆的制程条件。
45.在一些实施例中，本揭露的静电式晶圆吸附座(例如静电式晶圆吸附座100)可应用于操作温度为300℃至500℃的制程中。在一些实施例中，本揭露的静电式晶圆吸附座可应用于高产出铝铜(high throughput alcu；htp alcu)制程、热沉积铝铜(hot-deposited alcu)制程或其他类似的半导体制程中。
46.当晶圆为大块硅晶圆时，在一例子中，突起结构220的顶表面220a与第一表面211的距离d’为3.5μm以及宽度为2.3μm，其中抗磨耗层222的厚度为3μm以及粘着层224的厚度为0.5μm，故抗磨耗层222与粘着层224的厚度比值为6。使上述静电式晶圆吸附座在350℃下进行磨耗实验后，静电式晶圆吸附座的磨耗量为0.193μm。本揭露此处所称的磨耗实验是将
静电式晶圆吸附座的突起结构与晶圆来回摩擦数次而进行。
47.在另一例子中，突起结构220的顶表面220a与第一表面211的距离d’为3.5μm以及宽度为2.3μm，其中抗磨耗层222的厚度为3.4μm以及粘着层224的厚度为0.1μm，故抗磨耗层222与粘着层224的厚度比值为34。使上述静电式晶圆吸附座在350℃下进行磨耗实验后，静电式晶圆吸附座的磨耗量为0.798μm。
48.在又一例子中，突起结构220的顶表面220a与第一表面211的距离d’为3.5μm以及宽度为2.3μm，其中抗磨耗层222的厚度为3.2μm以及粘着层224的厚度为0.3μm，故抗磨耗层222与粘着层224的厚度比值为11。使上述静电式晶圆吸附座在350℃下进行磨耗实验后，静电式晶圆吸附座的磨耗量为0.372μm。
49.在又一例子中，本揭露的静电式晶圆吸附座的使用寿命为0.5年至1.5年。
50.然而，若使用碳化钛(tic)层为抗磨耗层且未包含粘着层的情况下进行磨耗实验，由于碳化钛与晶圆表面的摩擦系数约为0.564，所产生的磨耗量高达1.161μm。长期而言，上述具有碳化钛抗磨耗层的静电式晶圆吸附座的使用寿命小于半年。
51.应用本揭露的静电式晶圆吸附座以及其制造方法，可通过沉积粘着层于承载座的氧化铝层上，再沉积抗磨耗层于粘着层上，以形成突起结构。在半导体制程中，上述突起结构因吸附晶圆所造成的磨耗量低，具有使用寿命长、降低晶圆损坏率的优点。
52.根据一实施例，本揭露提供一种静电式晶圆吸附座，其可包含承载座以及多个突起结构。所述承载座具有第一表面，其中承载座是用于承载晶圆于第一表面上。所述多个突起结构是分布在前述第一表面上，且每一个突起结构包含氧化铝层、粘着层以及抗磨耗层，其中氧化铝层是埋设于第一表面中，粘着层是设置氧化铝层上，而抗磨耗层是设置于粘着层上，用以接触所述晶圆。
53.依据本揭露的一实施例，抗磨耗层与粘着层的厚度比值为6至34。
54.依据本揭露的一实施例，氧化铝层是突出第一表面。
55.依据本揭露的一实施例，承载座是由氮化铝所组成，粘着层为金属钛层，且抗磨耗层为氮化钛层。
56.依据本揭露的一实施例，承载座具有相对该第一表面的一第二表面，且该静电式晶圆吸附座还包含至少一对电极、加热元件、冷却层以及气体通道。至少一对电极埋设于承载座中并邻近于第一表面。加热元件埋设于承载座中并位于至少一对电极和第二表面之间。冷却层设于第二表面上。气体通道贯穿冷却层以及承载座。
57.根据又一实施例，本揭露提供一种静电式晶圆吸附座的制造方法。上述方法是首先提供承载座，其具有第一表面，用以承载晶圆于第一表面上，其中承载座的第一表面分别埋设有多个氧化铝层，且所述多个氧化铝层是自第一表面暴露出来。接着，利用罩幕于每一个氧化铝层上沉积粘着层。然后，利用上述罩幕于每一个氧化铝层上的粘着层上沉积抗磨耗层，其中所述抗磨耗层是突出于第一表面。
58.依据本揭露的一实施例，所述抗磨耗层与粘着层的厚度比为6至34。
59.依据本揭露的一实施例，所述氧化铝层是突出所述第一表面。
60.依据本揭露的一实施例，所述承载座是由氮化铝所组成，所述抗磨耗层为氮化钛层，且所述粘着层为金属钛层。
61.依据本揭露的一实施例，上述沉积粘着层以及沉积抗磨耗层的步骤是利用物理气
相沉积进行。
62.以上叙述已概述数个实施例的特征，因此熟悉此技艺者可更了解本揭露的态样。熟悉此技艺者应了解到，其可轻易地使用本揭露为基础，来设计或润饰其他制程与结构，以实现与在此所介绍的实施例相同的目的及/或达到相同的优点。熟悉此技艺者也应了解到，这类对等架构并未脱离本揭露的精神和范围，且熟悉此技艺者可在不脱离本揭露的精神和范围下，进行各种的更动、取代与润饰。