掩模、设置掩模的方法以及使用其设置显示面板的方法与流程

掩模、设置掩模的方法以及使用其设置显示面板的方法
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年11月24日提交的第10-2020-0158486号韩国专利申请的优先权以及由其产生的所有权益，该韩国申请的全部内容通过引用由此并入本文。
技术领域
3.本公开在本文中涉及具有改善的可靠性的沉积掩模、设置沉积掩模的方法以及使用沉积掩模设置显示面板的方法。


背景技术：

4.显示面板可以包括多个像素。多个像素中的每一个可以包括设置在面对的电极之间的发光图案。可以通过各种方法设置发光图案，并且方法中的一个可以是使用沉积掩模的沉积方法。发光图案可以通过使用其中限定了贯穿部分的沉积掩模来设置。发光图案可以被设置到通过贯穿部分暴露的区域。可以根据沉积掩模的贯穿部分的形状来控制发光图案的形状。


技术实现要素：

5.本公开提供相对于沉积工艺具有改善的可靠性的沉积掩模、设置该沉积掩模的方法以及通过使用该沉积掩模设置显示面板的方法。
6.实施方式提供了设置沉积掩模的方法，该方法包括：设置第一掩模层，在第一掩模层上设置第二掩模层，在第二掩模层中设置第一开口，在第二掩模层上设置辅助层以覆盖第一开口，在辅助层中设置第二开口，通过使用辅助层的第二开口在第一掩模层中设置第三开口，以及设置与第一掩模层和第二掩模层分离的辅助层。
7.在实施方式中，当在平面图中观察时，设置在第一掩模层中的第三开口的尺寸可以小于设置在第二掩模层中的第一开口的尺寸。
8.在实施方式中，辅助层的厚度可以大于第二掩模层的厚度。
9.在实施方式中，第一掩模层的一个表面的一部分可以通过第二掩模层的第一开口暴露。
10.在实施方式中，在第二掩模层中设置第一开口可以包括：在第二掩模层上设置第一光刻胶层，在第一光刻胶层上方设置第一曝光掩模，由通过第一曝光掩模图案化第一光刻胶层来设置第一光刻胶图案层，以及通过使用第一光刻胶图案层在第二掩模层中设置第一开口。
11.在实施方式中，在辅助层中设置第二开口可以包括：在辅助层上设置第二光刻胶层，在第二光刻胶层上方设置第一曝光掩模，由通过第一曝光掩模图案化第二光刻胶层来设置第二光刻胶图案层，以及通过使用第二光刻胶图案层在辅助层中设置第二开口。
12.在实施方式中，在辅助层中设置第二开口可以包括：在辅助层上设置第二光刻胶层，在第二光刻胶层上方设置第二曝光掩模，由通过第二曝光掩模图案化第二光刻胶层来
设置第二光刻胶图案层，以及通过使用第二光刻胶图案层在辅助层中设置第二开口，其中在第一曝光掩模中限定的透光区域的表面面积大于在第二曝光掩模中限定的透光区域的表面面积。
13.在实施方式中，辅助层的第二开口的最大宽度可以小于第二掩模层的第一开口的最大宽度。
14.在实施方式中，第二掩模层的限定第一开口的侧壁可以围绕第一掩模层的限定第三开口的侧壁。
15.在实施方式中，构成第二掩模层的材料可以不同于构成辅助层的材料。
16.在实施方式中，用于设置第二掩模层的第一开口的曝光掩模可以与用于设置辅助层的第二开口的曝光掩模相同。
17.在实施方式中，辅助层的一部分可以与第一掩模层的第三开口重叠。
18.在实施方式中，当在平面图中观察时，第一掩模层的第三开口的面积可以等于或小于第二掩模层的第一开口的面积，并且当在平面图中观察时，第一掩模层的第三开口的面积可以大于辅助层的第二开口的面积。
19.在实施方式中，第二掩模层的限定第一开口的侧壁可以被辅助层完全覆盖。
20.在实施方式中，制造显示面板的方法包括：设置其中限定了贯穿部分的掩模；准备目标衬底；在目标衬底上设置掩模；在目标衬底的与贯穿部分相对应的发光区域上设置发光图案；以及去除掩模，其中设置掩模包括：设置第一掩模层；在第一掩模层上设置第二掩模层；在第二掩模层中设置第一开口，在第二掩模层上设置辅助层以覆盖第一开口，在辅助层中设置第二开口，通过使用辅助层的第二开口在第一掩模层中设置第三开口，并且去除辅助层，其中当在平面图中观察时，第一掩模层的第三开口的面积等于或小于第二掩模层的第一开口的面积；并且当在平面图中观察时，第一掩模层的第三开口的面积大于辅助层的第二开口的面积。
21.在实施方式中，辅助层的厚度可以大于第二掩模层的厚度。
22.在实施方式中，用于设置第二掩模层的第一开口的曝光掩模可以与用于设置辅助层的第二开口的曝光掩模相同。
23.在实施方式中，在目标衬底上设置掩模可以包括设置掩模使得第一掩模层设置在目标衬底和第二掩模层之间。
24.在实施方式中，掩模包括其中限定了第一掩模开口的第一掩模层和其中限定了比第一掩模开口大的第二掩模开口的第二掩模层，其中第一掩模层包括聚酰亚胺，并且第二掩模层包括钛(ti)、氮化钛(tin
x
)或钼(mo)。
25.在实施方式中，第一掩模层和第二掩模层中的每一个可以是氟蚀刻层。
附图说明
26.包括附图以提供对本发明的进一步理解，并且将附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了本发明的实施方式并且与说明书一起用于说明本发明的原理。在附图中：
27.图1是掩模组件的实施方式的分解立体图；
28.图2是掩模的实施方式的剖视图；
29.图3是示出设置掩模的方法的实施方式的流程图；
30.图4a至图4j是示出设置掩模的方法的实施方式中的操作的剖视图；
31.图5是示出设置掩模的方法的实施方式的剖视图；
32.图6是示出设置掩模的方法的实施方式的剖视图；
33.图7是示出掩模的实施方式的后视图；
34.图8是显示面板的实施方式的剖视图；
35.图9是沉积设备的实施方式的剖视图；
36.图10是示出相对于掩模的目标衬底的部分的实施方式的放大剖视图；以及
37.图11a和图11b是示出设置显示面板的方法的实施方式中的操作的剖视图。
具体实施方式
38.现在在下文中将参考附图更全面地描述本发明，在附图中示出了各种实施方式。然而，本发明可以以许多不同的形式来实现，并且不应被解释为限于本文中所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开将是彻底和完整的，并且将本发明的范围完全传达给本领域的技术人员。相同的附图标记始终表示相同的元件。
39.在本说明书中，应当理解，当元件(或区域、层、部分等)被称为与另一个元件相关，诸如在另一个元件“上”、“连接至”或“联接至”另一个元件时，它可以直接在上述另一个元件上，直接连接至或联接至上述另一个元件，或者介于中间的元件可以在它们之间。相反，当元件(或区域、层、部分等)被称为与另一个元件相关，诸如“直接”在另一个元件上、“直接连接至”或“直接联接至”另一个元件时，在它们之间不存在介于中间的元件。
40.相同的数字始终表示相同的元件。此外，在附图中，为了有效描述技术内容，夸大了元件的厚度、比率和大小。
41.尽管术语第一、第二等可以用于描述各种元件，但这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。例如，在不脱离本发明的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件也可以被称为第一元件。除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式也旨在包括复数形式。
42.此外，诸如“下方”、“下部”、“上方”和“上部”的术语可以用于描述附图中所示的部件的关系。这些术语具有相对概念，并且基于附图中所示的方向来描述。
43.如本文中所使用的，“约”或“近似”包括所述值以及如由本领域普通技术人员在考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)时所确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可表示在一个或多个标准偏差内，或在所述值的
±
30％、
±
20％、
±
10％、
±
5％内。
44.除非另有定义，否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。此外，还应理解，术语，诸如在常用词典中定义的那些术语，应被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的基于词典的含义一致的含义，并且除非在本文中明确地如此定义，否则将不以理想化或过分正式的含义来解释。
45.本文所用的术语仅用于描述特定实施方式的目的，而不是旨在进行限制。如本文所用，除非上下文另外清楚地指示，否则“一个”、“一”、“该”和“至少一个”不表示数量的限
制，并且旨在包括单数和复数两者。例如，除非上下文另外清楚地指示，否则“一元件”具有与“至少一个元素”相同的含义。“至少一个”不应被解释为限制“一个”或“一”。“或”意指“和/或”。如本文中所用，术语“和/或”包括相关列出项目中的一个或多个的任何和所有组合。应当理解，当在本说明书中使用时，术语“包括(includes)”或“包括(comprises)”指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、部件或其组合的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件或其组合的存在或添加。
46.本文中参考作为理想化实施方式的示意性图的剖视图来描述实施方式。同样地，应预期例如由于制造技术和/或公差而导致的、图中的形状的变型。因此，本文中描述的实施方式不应被解释为限于如本文中所示的特定的区域形状，而应包括例如由制造导致的形状的偏差。例如，示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙和/或非线性特征。此外，所示的锐尖角可以圆化。因此，图中所示的区域在本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在说明区域的精确形状，并且不旨在限制本权利要求的范围。
47.在下文中，将参考附图描述实施方式。
48.图1是掩模组件ma的实施方式的分解立体图。
49.参照图1，掩模组件ma可以用在用于将沉积材料dm(参见图10)沉积在目标上的工艺中。在实施方式中，掩模组件ma可以包括框架fr和掩模mk(例如，沉积掩模)。
50.每个部件的顶表面平行于由彼此交叉的第一方向dr1和第二方向dr2限定的平面。每个部件的厚度方向由与第一方向dr1和第二方向dr2中的每一个交叉的第三方向dr3表示。每个部件的上侧(或上部分)和下侧(或下部分)沿着第三方向dr3彼此区分开。然而，标明为第一方向dr1、第二方向dr2和第三方向dr3的方向具有相对概念，并且因此可以改变为其它方向。
51.当在平面图中观察时，框架fr可以具有环形形状。也就是说，开口部分op可以设置成包括框架fr的中心的区域。开口部分op可以是从框架fr的顶表面穿过至框架fr的底表面并且在框架fr的顶表面和框架fr的底表面处都敞开的孔。在平面图中观察可以指沿着第三方向dr3的视图。图1示意性地示出了矩形环形状作为框架fr的平面形状的示例，但是框架fr的平面形状不限于此。在实施方式中，例如，框架fr可以具有各种平面形状，诸如圆形环和多边形环。
52.框架fr在图1中被示意性地示出为设置在掩模mk之下，以便支撑掩模mk，但是本发明不限于此。框架fr可以设置在掩模mk的边缘上方和下方两者，并且支撑掩模mk，并且在第一方向dr1和第二方向dr2上延伸掩模mk。
53.掩模mk可以包括设置成多个的单元区域ca，设置成多个的单元区域ca包括沿着第一方向dr1和沿着第二方向dr2布置的多个单元区域ca。在实施方式中，单元区域ca被示出为使得三个单元区域沿着第一方向dr1和第二方向dr2中的每一个彼此隔开，但是这被示出为示例。在实施方式中，例如，掩模mk可以包括比图1所示的那些单元区域ca更多的单元区域ca。此外，单元区域ca可以仅沿着第一方向dr1或第二方向dr2中的一个布置。此外，可以仅设置对应于掩模mk的一个单元区域ca，但是本发明不限于任何一个实施方式。
54.掩模mk可以具有沿着第一方向dr1和第二方向dr2两者延伸的板状形状。掩模mk可以具有集成的板状形状，使得单元区域ca彼此连接。在实施方式中，单元区域ca中的一个(例如，第一单元区域)的一部分可以延伸以限定单元区域ca中的另一个(例如，与第一单元
区域相邻的第二单元区域)。
55.掩模mk可以包括第一掩模层mk1(参见图2)，该第一掩模层mk1包括聚合物材料或由聚合物材料制成。因此，掩模mk可以不具有在第一方向dr1和第二方向dr2中的任何一个上延伸的棒状形状，而是可以具有在第一方向dr1和第二方向dr2两者上延伸以对应于框架fr的平面区域的板状形状。然而，本发明不限于此，并且掩模mk可以具有在第一方向dr1和第二方向dr2中的任何一个上延伸的棒状形状。在这种情况下，掩模组件ma可以包括设置成多个的掩模mk，设置成多个的掩模mk包括多个掩模，并且多个掩模可以沿着第一方向dr1和第二方向dr2中的另一个彼此间隔开和/或断开。
56.可以在单元区域ca中的每一个中限定包括多个贯穿部分opp的设置成多个的贯穿部分opp。贯穿部分opp可以限定沉积开口或沉积贯穿部分。贯穿部分opp可以沿着第一方向dr1和沿着第二方向dr2彼此间隔开。贯穿部分opp中的每一个可以被限定为沿着掩模mk的厚度方向(例如，第三方向dr3)延伸通过掩模mk。在单元区域ca内，掩模mk的实心部分(例如，第一实心部分)可以与贯穿部分opp交替。在掩模mk内，单元区域ca可以与实心部分(例如，第二实心部分)交替。
57.图2是掩模mk的实施方式的剖视图。图2示出了沿着图1的线i-i'截取的剖视图。
58.参照图1和图2，掩模mk可以包括第一掩模层mk1和第二掩模层mk2。第二掩模层mk2可以设置在第一掩模层mk1的一个表面上。第一掩模层mk1可以被称为聚合物材料层或主掩模层，并且第二掩模层mk2可以被称为电极层。
59.贯穿部分opp中的至少一个可以在掩模mk中限定。在实施方式中，例如，可以在掩模mk中限定多个贯穿部分opp。多个贯穿部分opp可以沿着第一方向dr1和/或沿着第二方向dr2彼此间隔开一定距离，并且可以形成一定的图案。多个贯穿部分opp中的每一个可以被限定为沿着第三方向dr3延伸通过掩模mk。多个贯穿部分opp可以在掩模mk的顶表面和掩模mk的底表面两者处是敞开的。第一掩模层mk1可以限定离框架fr最远的顶表面，并且第二掩模层mk2可以限定离框架fr最近的底表面。
60.可以在第一掩模层mk1中限定第一掩模开口mko1，并且可以在第二掩模层mk2中限定第二掩模开口mko2。贯穿部分opp可以由第一掩模开口mko1与第二掩模开口mko2一起限定。第二掩模开口mko2的尺寸(例如，大小、面积、宽度、平面面积、表面面积等)可以大于第一掩模开口mko1的尺寸。在实施方式中，第一掩模开口mko1和第二掩模开口mko2中的每一个具有沿着第一方向dr1的第一维度、沿着第二方向dr2的第二维度以及由第一维度和第二维度的乘积限定的平面面积。当沿掩模mk的厚度方向或在平面图中观察时，或者当在平行于第三方向dr3的方向上观察时，第一掩模开口mko1的平面面积可以等于或小于第二掩模开口mko2的平面面积。第二掩模层mk2的实心部分可以与第一掩模开口mko1间隔开。也就是说，第一掩模开口mko1可以不被第二掩模层mk2阻挡。因此，在使用掩模mk的沉积工艺期间，由于第二掩模层mk2而在目标区域上未沉积沉积材料dm的故障可以被去除。
61.第一掩模层mk1可以包括聚合物材料。在实施方式中，例如，第一掩模层mk1可以包括聚合物材料，诸如聚酰亚胺(“pi”)、聚碳酸酯(“pc”)、聚萘二甲酸乙二酯(“pen”)或聚对苯二甲酸乙二醇酯(“pet”)，但是本发明不特别限于此。
62.第二掩模层mk2可以包括可固定至静电卡盘的材料。固定至静电卡盘可以表明在静电卡盘和第二掩模层mk2之间(诸如在第二掩模层mk2的实心部分处)产生吸引力。第二掩
模层mk2可以包括金属、金属合金、导电金属氮化物或透明导电氧化物。在实施方式中，例如，第二掩模层mk2可以包括诸如镍(ni)、金(au)、钛(ti)和钼(mo)的导电金属、诸如氮化钛(tin
x
)的导电金属氮化物或者诸如铟锡氧化物(“ito”)和铟锌氧化物(“izo”)的导电金属氧化物中的至少一种。
63.第一掩模层mk1的厚度可以通过考虑掩模mk的耐久性和沉积精度来确定。在实施方式中，例如，第一掩模层mk1的厚度可以为约5微米(μm)至约15微米(μm)，但本发明不特别限于此。第二掩模层mk2的厚度可以小于第一掩模层mk1的厚度。在实施方式中，例如，第二掩模层mk2的厚度可以是约500埃至约1500埃但是本发明不特别限于此。
64.根据实施方式，掩模mk可以包括第一掩模层mk1连同第二掩模层mk2，第一掩模层mk1包括聚合物树脂，第二掩模层mk2包括与聚合物树脂不同的材料。在这种情况下，当与完全由合金诸如因瓦合金设置的常规掩模相比时，掩模mk的形式更薄，并且设置贯穿部分opp等的过程中的成本和时间可以降低。此外，掩模mk包括第二掩模层mk2，该第二掩模层mk2包括导电材料，并且因此，掩模mk和目标衬底sub(参见图9)可以在沉积工艺期间彼此紧密接触。因此，减少了在沉积工艺中出现的阴影，并且因此，可以执行更精确的沉积工艺。
65.在下文中，将描述设置或制造掩模mk的方法的实施方式。当描述根据实施方式的设置掩模mk的方法时，对与上述部件相同的部件给出相同的参考符号，并且将省略它们的详细描述。
66.图3是示出设置掩模mk的方法的实施方式的流程图。图4a至图4j是示出了设置掩模mk的方法的实施方式的剖视图。
67.参照图3、图4a和图4b，可以通过用聚合物树脂mt1涂布载体衬底cs来设置或形成初始的第一掩模层mk1l(s100)。
68.参照图3、图4b和图4c，通过将导电材料mt2设置在初始的第一掩模层mk1l的一个表面上来设置或形成初始的第二掩模层mk2l(s200)。初始的第二掩模层mk2l可以与初始的第一掩模层mk1l形成界面。按顺序形成初始的第一掩模层mk1l和初始的第二掩模层mk2l。导电材料mt2可以物理地沉积、化学地沉积或涂布在初始的第一掩模层mk1l的一个表面上。在实施方式中，例如，物理沉积可以是溅射工艺，并且化学沉积可以是化学蒸汽沉积(“cvd”)方法或等离子体增强化学蒸汽沉积(“pecvd”)方法。
69.随后，可以在初始的第二掩模层mk2l上设置或形成第一光刻胶层pr1。在第一光刻胶层pr1上方设置第一曝光掩模pmk，以图案化第一光刻胶层pr1。可以在第一曝光掩模pmk设置在第一光刻胶层pr1上方的状态下执行曝光工艺。曝光工艺可以包括通过光曝光。
70.可以在第一曝光掩模pmk中限定透光区域pma和光阻挡区域pmb。透光区域pma可以具有第一透射率，并且光阻挡区域pmb可以具有第二透射率。第二透射率可以低于第一透射率。在实施方式中，例如，第一透射率可以是约100％，并且第二透射率可以是约0％。
71.参照图3、图4c和图4d，通过显影工艺去除化学性质由于曝光工艺的光而改变的第一光刻胶层pr1，并且因此，从第一光刻胶层pr1设置第一光刻胶图案层pr1t(s300)。
72.可以在第一光刻胶图案层pr1t中限定第一光开口prop1。可以通过去除第一光刻胶层pr1的与透光区域pma重叠或对应的一部分来设置或形成第一光开口prop1。第一光开口prop1可以被限定为从第一光刻胶图案层pr1t的顶表面延伸穿过第一光刻胶图案层pr1t至第一光刻胶图案层pr1t的底表面。
73.参照图3、图4d和图4e，通过使用第一光刻胶图案层pr1t作为掩模在初始的第二掩模层mk2l中设置或形成与第二掩模开口mko2对应的第一开口，以设置具有第二掩模开口mko2的第二掩模层mk2(s400)。初始的第二掩模层mk2l的未被第一光刻胶图案层pr1t覆盖的一部分可以诸如通过蚀刻工艺被去除。在实施方式中，例如，可以通过湿法蚀刻工艺去除初始的第二掩模层mk2l的一部分，但是本发明不特别限于此。初始的第一掩模层mk1l在第二掩模开口mko2处暴露于第二掩模层mk2的外部。
74.可以在具有第二掩模开口mko2的第二掩模层mk2上设置或形成辅助层amk(s500)。辅助层amk可以完全覆盖第二掩模层mk2的第二掩模开口mko2。辅助层amk可以从第二掩模开口mko2沿着第二掩模层mk2的侧壁m2s(参见图4i)并且沿着第二掩模层mk2的顶表面延伸。辅助层amk可以被称为帮助层、硬掩模层或中间掩模层。
75.辅助层amk的材料可以不同于第二掩模层mk2的材料。辅助层amk可以包括铝(al)、铜(cu)、铟锡氧化物(“ito”)或铟锌氧化物(“izo”)。在实施方式中，例如，当辅助层amk包括铟锡氧化物或由铟锡氧化物制成时，第二掩模层mk2不包括铟锡氧化物或不由铟锡氧化物制成。
76.由于辅助层amk必须充分覆盖设置在第二掩模层mk2中的第二掩模开口mko2，因此辅助层amk的厚度amk-t可以等于或大于第二掩模层mk2的厚度mk2-t。在实施方式中，例如，辅助层amk的厚度amk-t可以是第二掩模层mk2的厚度mk2-t的两倍，但是本发明不特别限于此。此外，辅助层amk可以在图案化初始的第一掩模层mk1l的过程中用作硬掩模。因此，辅助层amk的厚度amk-t可以足够大以用作硬掩模。在实施方式中，例如，辅助层amk的厚度amk-t可以是约2000埃但是本发明不特别限于此。
77.参照图3、图4f和图4g，在辅助层amk上设置或形成第二光刻胶层pr2。在第二光刻胶层pr2上方设置第一曝光掩模pmk，以图案化第二光刻胶层pr2。曝光工艺可以在第一曝光掩模pmk设置在第二光刻胶层pr2上方的状态下执行。
78.通过显影工艺去除化学性质由于曝光工艺的光而改变的第二光刻胶层pr2，并且因此，设置第二光刻胶图案层pr2t(s600)。可以在第二光刻胶图案层pr2t中限定第二光开口prop2。第二光开口prop2的最大宽度wt2可以小于第一光开口prop1的最大宽度wt1(参见图4d)。
79.当第二光刻胶层pr2被图案化时使用的第一曝光掩模pmk可以与当第一光刻胶层pr1(参见图4c)图案化时使用的第一曝光掩模pmk相同。可以控制曝光量、曝光时间或曝光强度，使得第二光开口prop2变得小于第一光开口prop1(参见图4d)。可替代地，第二光刻胶层pr2的材料可以包括与第一光刻胶层pr1(参见图4c)的材料不同的材料。
80.参照图3、图4g和图4h，通过使用第二光刻胶图案层pr2t作为掩模可以在辅助层amk中设置或形成第二开口amop(或辅助开口)(s700)。辅助层amk的未被第二光刻胶图案层pr2t覆盖的一部分可以通过蚀刻工艺去除。在实施方式中，例如，辅助层amk的一部分可以通过湿法蚀刻工艺去除，但是本发明不特别限于此。
81.参照图3、图4h和图4i，初始的第一掩模层mk1l的一部分可以通过第二开口amop暴露于辅助层amk的外部。通过使用辅助层amk作为掩模，可以对初始的第一掩模层mk1l的暴露部分执行蚀刻工艺。在实施方式中，例如，可以通过干法蚀刻工艺去除初始的第一掩模层mk1l的一部分，但是本发明不特别限于此。蚀刻初始的第一掩模层mk1l的部分，并且因此，
可以设置对应于第一掩模开口mko1的第三开口(s800)。
82.根据一个或多个实施方式，当在初始的第一掩模层mk1l中设置第一掩模开口mko1时，第二掩模层mk2可以被辅助层amk完全覆盖。第二掩模层mk2的限定第二掩模开口mko2的侧壁m2s可以被辅助层amk完全覆盖。因此，可以选择第二掩模层mk2的材料，而不考虑相对于图案化辅助层amk的工艺的蚀刻选择性。也就是说，选择用于第二掩模层mk2的材料的自由度可以增加。
83.在实施方式中，例如，在初始的第一掩模层mk1l包括聚酰亚胺的情况下，当蚀刻初始的第一掩模层mk1l时，可以使用氟基材料。由于第二掩模层mk2被辅助层amk完全覆盖，因此可以选择各种材料，而不限于耐氟的材料。在实施方式中，例如，被氟基材料蚀刻的钛(ti)、氮化钛(tin
x
)或钼(mo)可以用于第二掩模层mk2。
84.可以为辅助层amk选择耐氟的材料。由于辅助层amk是不包括在掩模mk中的层(参见图4j)，可以为辅助层amk选择具有相对低柔性的材料。也就是说，各种材料可以被选中用于辅助层amk的材料，只要该材料对蚀刻初始的第一掩模层mk1l的材料是耐蚀的。在实施方式中，例如，辅助层amk可以包括铟锌氧化物或铝(al)。
85.图4i示出了第二掩模开口mko2的最大宽度m2-w、第二开口amop的最大宽度am-w以及第一掩模开口mko1的最大宽度m1-w。第二掩模开口mko2的最大宽度m2-w可以大于第二开口amop的最大宽度am-w。第二掩模开口mko2的最大宽度m2-w可以等于或大于第一掩模开口mko1的最大宽度m1-w。第一掩模开口mko1的最大宽度m1-w可以大于第二开口amop的最大宽度am-w。因此，辅助层amk的一部分(例如，突出尖端部分)可以比第一掩模层mk1的侧壁m1s更远地延伸，以与第一掩模层mk1的第一掩模开口mko1重叠或延伸至第一掩模层mk1的第一掩模开口mko1中。
86.当在平面图中观察时，第二掩模层mk2的限定第二掩模开口mko2的侧壁m2s可以与辅助层amk和第一掩模层mk1两者重叠。当在平面图中观察时，辅助层amk的限定第二开口amop的侧壁ams可以既不与第一掩模层mk1重叠也不与第二掩模层mk2重叠。在实施方式中，例如，辅助层amk的侧壁ams可以与第二掩模开口mko2和第一掩模开口mko1重叠。当在平面图中观察时，第一掩模层mk1的限定第一掩模开口mko1的侧壁m1s可以与辅助层amk重叠，但是可以不与第二掩模层mk2重叠。当在平面图中观察时，第二掩模层mk2的侧壁m2s可以围绕第一掩模层mk1的限定第一掩模开口mko1的侧壁m1s。
87.参照图3、图4i和图4j，辅助层amk可以诸如通过蚀刻工艺被去除(s900)。在实施方式中，例如，辅助层amk可以通过湿法蚀刻工艺来去除，但是本发明不特别限于此。随后，将掩模mk与载体衬底cs分离以设置掩模mk。掩模mk可以联接至框架fr(参见图1)。
88.根据本发明的一个或多个实施方式，可以完全去除包括与第一掩模开口mko1重叠的突出尖端部分的辅助层amk。因此，在使用掩模mk的沉积工艺中，可以提高沉积精度和沉积可靠性。
89.图5是示出设置掩模mk的方法的实施方式的剖视图。例如，图5可以是示出与图4f的操作对应的操作的剖视图。在描述图5时，将描述与图4f的部件的区别。
90.参照图5，在辅助层amk上设置或形成第二光刻胶层pr2。第二曝光掩模pmk-1可以设置在第二光刻胶层pr2之上。第二曝光掩模pmk-1可以是与上面图4c中所示的第一曝光掩模pmk不同的曝光掩模。
91.可以在第二曝光掩模pmk-1中限定透光区域pma-1和光阻挡区域pmb-1。在第二曝光掩模pmk-1中限定的透光区域pma-1的平面面积可以小于在第一曝光掩模pmk中限定的透光区域pma的平面面积(参见图4c)。第二曝光量掩模pmk-1的实心部分比第二掩模层mk2的侧壁m2s更远地延伸并进入第二掩模开口mko2中。
92.图6是示出设置掩模mk的方法的实施方式的剖视图。在实施方式中，例如，图6可以是示出与图4f的操作相对应的操作的剖视图。在描述图6时，将描述与图4f的部件的不同。
93.参照图6，在辅助层amk上设置或形成第二光刻胶层pr2-1。在第二光刻胶层pr2-1上方设置第一曝光掩模pmk。第一曝光掩模pmk可以与图4c中所示的第一曝光掩模pmk相同。
94.在第二光刻胶层pr2-1中设置的第二光开口prop2的尺寸(参见图4g)小于在第一光刻胶层pr1(参见图4c)中设置的第一光开口prop1(参见图4d)的尺寸(参见图1)。
95.由于第二光刻胶层pr2-1中的第二光开口prop2的尺寸小于使用相同掩模(例如，第一曝光掩模pmk)的第一光开口prop1的尺寸，因此第二光刻胶层pr2-1的厚度prt-t1可以大于图4d中所示的第一光刻胶图案层pr1t的厚度prt-t。
96.图7是示出了掩模mk的实施方式的后视图。
97.参照图7，当在平面图中观察时，掩模mk可以包括第一掩模层mk1和第二掩模层mk2。贯穿部分opp可以包括限定在第一掩模层mk1中的第一掩模开口mko1和限定在第二掩模层mk2中的第二掩模开口mko2。第一掩模开口mko1和第二掩模开口mko2可以彼此对准以限定贯穿部分opp。当在平面图中观察时，第一掩模开口mko1的平面尺寸可以小于第二掩模开口mko2的平面尺寸。因此，第一掩模层mk1的一部分可以不被第二掩模层mk2覆盖。第一掩模层mk1的一部分可以暴露在第二掩模层mk2的外部。在实施方式中，例如，第一掩模层mk1的后表面的一部分mk1s可以通过第二掩模开口mko2暴露于第二掩模层mk2的外部。
98.图8是显示面板dp的实施方式的剖视图。
99.参照图8，显示面板dp可以是发光显示面板。图8示出了对应于多个像素中的一个像素的横截面，并且示出了对应于像素的两个晶体管t1和t2以及发光元件oled的横截面。发光元件oled可以是有机发光元件。
100.如图8中所示，显示面板dp可以包括基础层bl、设置在基础层bl上的电路元件层ml、设置在电路元件层ml上的显示元件层el以及设置在显示元件层el上的封装层ecp。
101.基础层bl可以包括玻璃衬底或合成树脂层。基础层bl可以由在用于制造显示面板dp的支撑衬底上的合成树脂层设置或形成，在合成树脂层上设置或形成导电层、绝缘层等，并且然后去除支撑衬底。
102.电路元件层ml可以包括至少一个绝缘层和电路元件。电路元件包括信号线、像素的驱动电路等。电路元件层ml可以通过使用涂布、沉积等形成绝缘层、半导体层和导电层的工艺以及使用光刻工艺图案化绝缘层、半导体层和导电层的工艺来设置或形成。
103.在实施方式中，电路元件层ml可以包括缓冲层bfl、阻挡层brl和第一绝缘层10至第七绝缘层70。缓冲层bfl、阻挡层brl和第一绝缘层10至第七绝缘层70中的每一个可以包括无机层和有机层中的一个。缓冲层bfl和阻挡层brl中的每一个可以包括无机层。第五绝缘层50、第六绝缘层60和第七绝缘层70中的至少一个可以包括有机层。
104.图8说明性地示出了第一晶体管t1和第二晶体管t2的第一有源部分a1、第二有源部分a2、第一栅极g1、第二栅极g2、第一源极s1、第二源极s2、第一漏极d1和第二漏极d2的布
置关系。在实施方式中，第一有源部分a1和第二有源部分a2可以包括不同的材料。在实施方式中，例如，第一有源部分a1可以包括多晶硅半导体，并且第二有源部分a2可以包括金属氧化物半导体。第一源极s1和第一漏极d1中的每一个对应于具有比第一有源部分a1更高的掺杂浓度的区域，并且用作电极。第二源极s2和第二漏极d2中的每一个对应于金属氧化物半导体被还原的区域，并且用作电极。
105.在实施方式中，第一有源部分a1和第二有源部分a2可以包括相同的半导体材料。在此情况下，第二晶体管t2可以具有与第一晶体管t1相同的堆叠结构，并且可以进一步简化电路元件层ml的堆叠结构。
106.显示元件层el包括像素限定层pdl和发光元件oled。发光元件oled可以是有机发光二极管或量子点发光二极管。阳极ae设置在第七绝缘层70上。阳极ae的至少一部分通过像素限定层pdl的像素开口pdl-op暴露。像素限定层pdl的像素开口pdl-op可以限定发光区域pxa。非发光区域npxa可以与发光区域pxa相邻，以便围绕发光区域pxa而不限于此。
107.空穴控制层hcl和电子控制层ecl通常可以设置在发光区域pxa和非发光区域npxa之上。可以以离散形状(例如，图案)的形式设置发光图案eml，以对应于像素开口pdl-op。发光图案eml可以以与沉积具有膜形式的空穴控制层hcl和电子控制层ecl的方法不同的方法沉积。空穴控制层hcl和电子控制层ecl可以通过使用开口掩模共同设置或形成在多个像素之上。通过使用掩模mk的一个或多个实施方式，发光图案eml可以设置或形成成图案的形式以对应于像素开口pdl-op。发光图案eml可以是通过使用掩模mk设置的沉积图案。也就是说，掩模mk的贯穿部分opp可以对应于成平面形状、尺寸等的沉积图案。然而，本发明不限于此。与发光图案eml类似，通过使用掩模mk的一个或多个实施方式，空穴控制层hcl和电子控制层ecl也可以设置或形成为图案的形式以与像素开口pdl-op对应。
108.阴极ce可以设置在电子控制层ecl上。封装层ecp可以设置在阴极ce上。封装层ecp可以是用于封装显示元件层el的薄膜封装(“tfe”)层。封装层ecp可以包括多个薄膜。多个薄膜可以包括无机层和有机层。封装层ecp可以包括用于封装显示元件层el的绝缘层和用于提高发光效率的多个绝缘层。
109.图9是沉积设备dpd的实施方式的剖视图。
110.参照图9，沉积设备dpd可以包括室chb(例如，沉积室)、沉积源s、台stg、移动板pp和掩模组件ma。
111.室chb提供了在其中进行沉积的密封空间(例如，沉积空间)。沉积源s、台stg、移动板pp和掩模组件ma可以设置在室chb内。室chb可以包括至少一个门gt。室chb可以通过门gt打开和关闭。目标衬底sub可以通过设置在室chb中的门gt进入和离开室chb。
112.沉积源s包括沉积材料dm。此处，沉积材料dm可以是升华或蒸发的材料，并且可以包括无机物质、金属和有机物质中的一种或多种。沉积源s被说明性地描述为包括用于设置发光元件oled(参见图8)的有机物质的箱。
113.台stg设置在沉积源s上方。掩模组件ma可以方置在台stg上。掩模组件ma可以面对沉积源s，且台stg在它们之间。台stg可以与掩模组件ma的框架fr重叠，并且因此可以支撑掩模组件ma。台stg不与框架fr的开口部分op重叠。也就是说，台stg可以设置在从沉积源s供应至目标衬底sub的沉积材料dm的移动路径的外部。
114.目标衬底sub设置在掩模组件ma上。目标衬底sub面对沉积源s，且掩模组件ma在它
们之间。沉积材料dm穿过掩模mk的多个贯穿部分opp并且沉积在目标衬底sub上。
115.移动板pp可以允许目标衬底sub在掩模组件ma上对准。移动板pp可以在上下或左右方向上移动。磁体mn设置在移动板pp上并且可以连同移动板pp一起移动。因此，目标衬底sub可以通过磁力移动。此外，磁体mn可以产生磁力以使掩模mk与目标衬底sub的下部分接触，并且因此可以进一步提高沉积工艺的精度。
116.图10是示出目标衬底sub相对于掩模mk的部分的放大剖视图。
117.参照图8、图9和图10，发光图案eml可以通过掩模mk以图案的形式(例如，离散形状)设置，以对应于像素开口pdl-op。更具体地，在使用掩模mk的一个或多个实施方式设置沉积图案的方法中，由通过掩模mk图案化从沉积源s向上沉积的沉积材料dm，发光图案eml可以在沉积设备dpd内设置成多个包括多个发光图案eml，以对应于像素开口pdl-op的内部。也就是说，第一掩模层mk1的第一掩模开口mko1是上述的第三开口，沉积材料dm通过该第三开口离开沉积掩模。在发光图案eml的图案化中，可以通过包括在沉积设备dpd中的磁体mn使掩模mk与目标衬底sub接触。
118.图11a和图11b是示出设置显示面板dp的方法中的操作的实施方式的剖视图。
119.参照图1、图9、图11a和图11b，在沉积材料dm通过沉积设备dpd以预备形式或母衬底形式沉积在目标衬底sub上之后，掩模组件ma可以从目标衬底sub去除。掩模组件ma已从其中移除的初始衬底dp-i1处于其中在目标衬底sub上设置发光图案层epp(例如，沉积图案)的状态下。发光图案层epp可以分别对应于掩模mk的单元区域ca设置或形成。发光图案层epp中的每一个可以包括多个发光图案eml(参见图8)，这在此未示出。
120.随后，初始衬底dp-i1可以沿着切割线cl切割，切割线cl设置成多个包括多个切割线cl并且分成多个显示面板dp-p。显示面板dp对应于显示面板dp-p中的每一个或由显示面板dp-p中的每一个形成。显示面板dp可以包括有效区域aa。有效区域aa可以包括多个像素。有源区域aa可以对应于其中设置有发光图案层epp的区域。
121.根据一个或多个实施方式，可以通过图案化初始衬底dp-i1中的一个来设置或形成多个显示面板dp-p。此外，由于使用其设置显示面板dp的掩模mk包括包含诸如聚酰亚胺(“pi”)的聚合物材料的层，因此可以执行适于设置多个显示面板dp-p的大掩模工艺。因此，可以减少工艺时间，并且可以节省工艺成本。然而，本发明不限于此。在实施方式中，显示面板dp中的一个可以根据显示面板dp的尺寸从初始衬底dp-i1设置。
122.如上所述，在远离目标衬底sub的第二掩模层mk2中限定的第二掩模开口mko2的尺寸大于在靠近目标衬底sub的第一掩模层mk1中限定的第一掩模开口mko1的尺寸。在使用掩模mk的沉积工艺期间，由于第二掩模层mk2导致沉积材料dm不沉积在目标区域上的故障可以被去除。
123.此外，第一掩模层mk1的第一掩模开口mko1可以由在掩模设置工艺期间使用的辅助层amk设置或形成。在这种情况下，选择完全被辅助层amk覆盖的第二掩模层mk2的材料的自由度可以增加。此外，包括与第一掩模开口mko1重叠的突出尖端部分的辅助层amk被完全去除，并且因此，在使用掩模mk的沉积工艺时，可以提高沉积精度和沉积可靠性。
124.尽管已经参考实施方式描述了本发明，但是应当理解，在不背离如所要求保护的本公开的精神和技术领域的情况下，本领域的普通技术人员或具有本领域普通知识的人员可以对本公开进行各种改变和修改。因此，本公开的技术范围不限于说明书中的详细描述，
而应仅根据所附权利要求书来确定。