高反射薄膜及软性电路板的制作方法

1.本实用新型涉及一种薄膜以及电路板，尤其涉及一种高反射薄膜以及软性电路板。


背景技术：

2.一般软性电路板的制造方法是使用油墨叠构的工艺制造。而油墨叠构的结构在经由直接成像(direct imaging；di)等曝光显影之后，常会有底切(under cut)现象而有剥落(peeling)的风险。另外，若要再对前述制造工艺所制成的软性电路板进行表面处理(如：化金制程)，容易造成渗镀等信赖性问题。并且，油墨叠构的工艺所形成的开口，其精度仅能做到50微米(micrometer；μm)以上，其开口的大小仅能做到200微米以上。


技术实现要素：

3.本实用新型是针对一种高反射薄膜，其开口可以较小且可以具有较高的精度。
4.根据本实用新型的实施例，高反射薄膜包括透光保护层、高反射层、黏着层以及离型层。自外界经由透光保护层射向高反射层的光的光反射率大于或等于80％，且光的波长于可见光波长范围内。高反射层位于透光保护层以及黏着层之间。黏着层位于高反射层以及离型层之间。高反射薄膜具有贯穿透光保护层、高反射层、黏着层以及离型层的开口。
5.在根据本实用新型的实施例的高反射薄膜中，高反射薄膜由透光保护层、高反射层、黏着层以及离型层组成。
6.在根据本实用新型的实施例的高反射薄膜中，开口的侧壁垂直于高反射薄膜的顶表面或底表面。
7.在根据本实用新型的实施例的高反射薄膜中，开口于高反射薄膜的顶表面上的开口面积大于或等于开口于高反射薄膜的底表面上的开口面积。
8.基于上述，本实用新型的实施例的高反射薄膜，其开口可以较小且可以具有较高的精度。
9.本实用新型是针对一种软性电路板，其图案化电路层的布线密度可以较高，也可以在布线设计上具有较多的变化。另外，在形成图案化电路层的工艺中，较不会因为底切现象而有剥落的风险。
10.根据本实用新型的实施例，软性电路板包括软性基板、图案化电路层以及本实用新型的实施例的高反射薄膜。图案化电路层位于软性基板上。高反射薄膜位于软性基板上，且高反射薄膜的开口的图案对应于图案化电路层的图案。
11.基于上述，本实用新型的实施例的软性电路板，其图案化电路层的布线密度可以较高，也可以在布线设计上具有较多的变化。另外，在形成图案化电路层的工艺中，较不会因为底切现象而有剥落的风险。
附图说明
12.包含附图以便进一步理解本实用新型，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本实用新型的实施例，并与描述一起用于解释本实用新型的原理。
13.图1a至图1d为本实用新型第一实施例的高反射薄膜的部分制造方法的部分侧视示意图；
14.图1e至图1f为本实用新型第一实施例的高反射薄膜的部分制造方法的部分上视示意图；
15.图1g为本实用新型第一实施例的高反射薄膜的部分制造方法的部分剖视示意图；
16.图2a至图2c为本实用新型第二实施例的高反射薄膜的部分制造方法的部分侧视示意图；
17.图2d为本实用新型第二实施例的高反射薄膜的部分制造方法的部分上视示意图；
18.图3a至图3c为本实用新型第三实施例的软性电路板的部分制造方法的部分侧视示意图；
19.图3d至图3e为本实用新型第三实施例的软性电路板的部分制造方法的部分上视示意图。
20.附图标号说明：
21.800：切割装置；
22.810：放置平台；
23.810a：表面；
24.820：固定件；
25.821：抽气管；
26.822：模具；
27.830：定位件；
28.831：图像获取器；
29.840：切割件；
30.841：激光切割器；
31.842：冲型器；
32.850：卷对卷传输件；
33.851：卷出轴；
34.852：收卷轴；
35.700：反射膜；
36.701：边；
37.702：角；
38.710：透光保护层；
39.720：高反射层；
40.730：黏着层；
41.740：离型层；
42.750：固定孔；
43.100：高反射薄膜；
44.110：透光保护层；
45.120：高反射层；
46.130：黏着层；
47.140：离型层；
48.100a：顶表面；
49.150、250：开口；
50.150c、250c：侧壁；
51.151：对位开口；
52.100b：底表面；
53.301：软性电路基板；
54.310：图案化电路层；
55.311：第一导电层；
56.330：软性基板；
57.320：第二导电层；
58.340：黏着层；
59.350：绝缘层；
60.953、954：卷出轴；
61.955：固定轴；
62.956：放置平台；
63.r1、r2：区域。
具体实施方式
64.有关本实用新型的前述及其他技术内容、特点与功效，在以下配合参考附图的各实施例的详细说明中，将可清楚的呈现。以下实施例中所提到的方向用语，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附加附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本实用新型。并且，在下列各实施例中，相同或相似的元件将采用相同或相似的标号。
65.图1a至图1d为本实用新型第一实施例的高反射薄膜的部分制造方法的部分侧视示意图。图1e至图1f为本实用新型第一实施例的高反射薄膜的部分制造方法的部分上视示意图。图1g为本实用新型第一实施例的高反射薄膜的部分制造方法的部分上视示意图。举例而言，图1e可以是图1c的上视视意图，图1f可以是图1d的上视视意图，且图1g可以是针对图1a中的反射膜700的剖视示意图。另外，图1b至图1d可以是针对类似于图1a中的区域r1的放大侧视示意图。并且，为了清楚起见，于图1a至图1g中可能省略示出了部分的膜、层、组件或器件。
66.请参照图1a，将反射膜700配置于切割装置800上。
67.在本实施例中，切割装置800包括放置平台810、固定件820(标示于图1b或图2a)、定位件830(标示于图1c)以及切割件840(标示于图1d或图2b)，但本实用新型不限于此。
68.请参照图1a及图1g，反射膜700包括透光保护层710、高反射层720、黏着层730以及离型层740。高反射层720位于透光保护层710以及黏着层730之间。黏着层730位于高反射层
720以及离型层740之间。自外界经由透光保护层710射向高反射层720的光l的光反射率大于或等于80％，且前述的光l的波长于可见光波长范围内。
69.在一实施例中，反射膜700可以是由透光保护层710、高反射层720、黏着层730以及离型层740组成。
70.请继续参照图1a，反射膜700可以是以其离型层740(标示于图1g)面向放置平台810的方式配置于切割装置800的放置平台810上。
71.在本实施例中，切割装置800可以更可以包括卷对卷传输件850，且反射膜700可以经由卷对卷传输件850传输。换句话说，未经由后续制造工艺的反射膜700可以被从卷对卷传输件850的卷出轴851中被卷出，而经由后续制造工艺的反射膜700可以被卷对卷传输件850的收卷轴852所收卷。
72.请参照图1a至图1b，在将反射膜700配置于放置平台810上之后，经由固定件820固定于放置平台810上的反射膜700。
73.在本实施例中，固定件820可以包括连通于放置平台810的抽气管821。抽气管821其中一端的端口可以位于放置平台810的表面810a上。因此，可以对抽气管821进行抽气，以使配置于放置平台810上的反射膜700被固定于放置平台810上。
74.请参照图1b至图1c及图1e，经由定位件830以边角定位(corner pin)的方式定位被固定件820固定于放置平台810上的反射膜700。
75.举例而言，定位件830可以包括图像获取器831，而图像获取器831可以具有感光耦合组件(charge-coupled device；ccd)、互补性氧化金属半导体(complementary metal-oxide semiconductor；cmos)或其他适宜的感光组件，以用于获取图像。
76.就制作工艺上而言，在以卷对卷传输件850(标示于图1a)传输反射膜700及/或以固定件820将反射膜700固定于放置平台810上时，可能会因为拉力、吸力或其他因素而使放置平台810上的反射膜700产生形变或位移。因此，可以经由图像获取器831所获取的图像来修正或建立后续制作工艺的位置，以降低因反射膜700的形变或位移所造成的影响，而可以降低后续制作工艺中出现误对准(misalignment)的现象，以提升卷对卷工艺的质量。
77.另外，经由边角定位的方式可以通过重新定位反射膜700的边701、角702(如：上视状态下反射膜700与放置平台810的对应位置)或定位点(若有)来进行图像扭曲度的计算。然后，可以经由前述的图像扭曲度计算，估算出参考点(如：中心点)，以进行后续的切割步骤。
78.在本实施例中，由于高反射层720(标示于图1g)具有较高的光反射率。因此，可以较容易的经由具有图像获取器831的定位件830对被固定件820固定于放置平台810上的反射膜700进行定位。
79.在一实施例中，放置平台810用于配置反射膜700的表面810a可以具有较低的光反射率(如：在可见光波长范围内的光l的反射率小于或等于20％)。如此一来，在经由具有图像获取器831的定位件830对被固定件820固定于放置平台810上的反射膜700进行定位时，可以提升反射膜700与放置平台810之间的亮度对比，而可以提升图像的识别率。
80.请参照图1c至图1d及图1e至图1f，经由切割件840对反射膜700进行切割，以形成具有开口150的高反射薄膜100。在完成切割后的透光保护层基本上类似于前述的透光保护层710，在完成切割后的高反射层基本上类似于前述的高反射层720，在完成切割后的黏着
层基本上类似于前述的黏着层730，在完成切割后的离型层基本上类似于前述的离型层740，差别在于：开口150贯穿透光保护层(如：类似于图1g所标示的保护层710)、高反射层(如：类似于图1g所标示的高反射层720)、黏着层(如：类似于图1g所标示的黏着层730)以及离型层(如：类似于图1g所标示的离型层740)。换句话说，高反射薄膜100包括被开口150贯穿的透光保护层、被开口150贯穿的高反射层、被开口150贯穿的黏着层730以及被开口150贯穿的离型层740。
81.在本实施例中，切割件840包括激光切割器841，且开口150可以经由激光切割器841以激光切割的方式形成。激光例如是绿激光、紫外激光、皮秒绿激光、皮秒紫外光或其他适宜的激光，本实用新型并不以此为限。
82.在本实施例中，由于具有开口150的高反射薄膜100可以经由前述的定位以及激光切割所形成。因此，开口150可以较小且可以具有较高的精度。举例而言，在一实施例中，经由激光切割所形成的开口150的精度可以大约在20微米(micrometer；μm)，且经由激光切割所形成的开口150的大小可以大约在30μm。
83.在一实施例中，反射膜700可以是由透光保护层710、高反射层720、黏着层730以及离型层740组成。
84.在本实施例中，由于高反射薄膜100的开口150是经由激光切割所形成。因此，开口150的侧壁150c基本上垂直于高反射薄膜100的顶表面100a或底表面100b。也就是说，开口150于高反射薄膜100的顶表面100a上的开口面积基本上等于开口150于高反射薄膜100的底表面100b上的开口面积。
85.在一实施例中，开口150可以包括一个或多个对位开口151，但本实用新型不限于此。对位开口151在高反射薄膜100的后续应用上，可以用于对位。
86.在一实施例中，在经由前述切割步骤后，具有开口150的高反射薄膜100可以被卷对卷传输件850(标示于图1a)的收卷轴852(标示于图1a)所收卷。
87.图2a至图2c为本实用新型第二实施例的高反射薄膜的部分制造方法的部分侧视示意图。图2d为本实用新型第二实施例的高反射薄膜的部分制造方法的部分上视示意图。举例而言，图2d可以是图2a的上视视意图，并且，为了清楚起见，于图2a至图2c中可能省略示出了部分的膜、层、组件或器件。
88.第二实施例的高反射薄膜200的制造方法与第一实施例的高反射薄膜100的制造方法相似，其类似的构件以相同的标号表示，且具有类似的功能、材质或形成方式，并省略描述。具体而言，图2a至图2c示出接续图1a的步骤的高反射薄膜的制造方法的部分侧视示意图。另外，图2c可以是针对类似于图2a或图2b中的区域r2的放大侧视示意图。
89.请参照图1a及图2a、图2d，在将反射膜700配置于放置平台810上之后，经由固定件820固定于放置平台810上的反射膜700。
90.在本实施例中，反射膜700可以更包括固定孔(pin hole)750。固定孔750可以贯穿透光保护层710、高反射层720、黏着层730以及离型层740。固定孔750可以经由机械钻孔的方式形成，但本实用新型不限于此。
91.在本实施例中，固定件820可以包括模具822。模具822的定位脚(pin)可以插入反射膜700的固定孔750，以使配置于放置平台810上的反射膜700被以机械固定的方式固定于放置平台810上。
92.在经由固定件820固定于放置平台810上的反射膜700之后，可以经由定位件830以边角定位的方式定位被固定件820固定于放置平台810上的反射膜700。定位被固定件820固定于放置平台810上的反射膜700的方式可以经由相同或相似于图1c所示的方式，故于此不重复叙述。
93.请参照图2b至图2c，经由切割件840对反射膜700进行切割，以形成具有开口250的高反射薄膜200。
94.在本实施例中，切割件840包括冲型器842，且开口250可以经由经由冲型器842以冲型的方式形成。在一实施例中，经由冲型方式所形成的开口250的精度可以大约在200微米(micrometer；μm)，且经由冲型方式所形成的开口250的大小可以大约在200μm。
95.在本实施例中，由于高反射薄膜200的开口250是经由冲型的方式所形成。因此，开口250的侧壁250c基本上可能不会垂直于高反射薄膜200的顶表面200a或底表面200b。也就是说，开口250于高反射薄膜200的顶表面200a上的开口面积可能会大于开口250于高反射薄膜200的底表面200b上的开口面积。
96.在一实施例中，固定孔在高反射薄膜200的后续的应用上可以作为对位开口(如：类似于前述实施例的对位开口151)，但本实用新型不限于此。
97.在一实施例中，在经由前述切割步骤后，具有开口250的高反射薄膜200可以被卷对卷传输件850(标示于图1a)的收卷轴852(标示于图1a)所收卷。
98.图3a至图3c为本实用新型第三实施例的软性电路板的部分制造方法的部分侧视示意图。图3d至图3e为本实用新型第三实施例的软性电路板的部分制造方法的部分上视示意图。举例而言，图3d可以是图3b的上视视意图，图3e可以是图3c的上视视意图。另外，图3b及图3c可以是针对类似于图3a中的区域r2的放大侧视示意图。并且，为了清楚起见，于图3a至图3e中可能省略示出了部分的膜、层、组件或器件。
99.请参照图3a、图3b及图3d，提供软性电路基板301。软性电路基板301包括软性基板330以及位于软性基板330上的第一导电层311。
100.在本实施例中，软性电路基板301可以更包括第二导电层320，且软性基板330位于第一导电层311与第二导电层320之间。
101.在一实施例中，软性基板330的材质例如为聚酰亚胺(polyimide，pi)或其他可挠性材料。软性基板330可以是单层板也可以是复合板，于本实用新型并不加以限制。
102.在一实施例中，导电层(如：第一导电层311或第二导电层320)可以是单层的结构也可以是多层的结构，于本实用新型并不加以限制。举例而言，可以通过溅镀的方式形成种晶层(seed layer)。然后，可以通过电镀(electroplating)的方式于前述的种晶层上形成电镀层。
103.在本实施例中，软性电路基板301可以更包括绝缘层350与黏着层340。绝缘层350可以覆盖第二导电层320，且绝缘层350与第二导电层320之间可以经由黏着层340而相结合。
104.在一实施例中，绝缘层350可以是保护层(cover layer)或是防焊层，于本实用新型并不加以限制。
105.请继续参照图3a、图3b及图3d，配置高反射薄膜100于软性电路基板301上，且高反射薄膜100的开口150暴露出部分的第一导电层311。
106.值的注意的是，在本实施例中，配置于软性电路基板301上的高反射薄膜100是以第一实施例的高反射薄膜100为例。在其他未示出的实施例中，配置于软性电路基板301上的高反射薄膜可以是类似于高反射薄膜100的高反射薄膜(如：第二实施例的高反射薄膜200)。
107.在本实施例中，软性电路基板301可以从一卷出轴953中被卷出，但本实用新型不限于此。
108.在本实施例中，高反射薄膜100可以从另一卷出轴954中被卷出。卷出轴954可以相同或相似于在前述用于制造高反射薄膜100的制作工艺中用于收卷高反射薄膜100的收卷轴852，但本实用新型不限于此。
109.在一实施例中，在将软性电路基板301从卷出轴953中卷出，且将高反射薄膜100从卷出轴954中卷出之后，可以经由固定轴955固定软性电路基板301及高反射薄膜100。但本实用新型对于将软性电路基板301及高反射薄膜100相固定或接合的方式并不加以限制。
110.在一实施例中，卷出的软性电路基板301及高反射薄膜100可以被置于放置平台956上，但本实用新型不限于此。
111.请参照图3b至图3c及图3d至图3e，移除被开口150暴露出的部分第一导电层311，以形成图案化电路层310。也就是说，在移除被开口150所暴露出部分第一导电层311之后，开口150可以暴露出软性基板330，而可以使开口150的图案对应于图案化电路层310的图案。
112.举例而言，可以将类似于图3b中r2区域的部分至于蚀刻装置中，以经由适宜的蚀刻(如：干蚀刻或湿蚀刻)方式移除被开口150所暴露出部分第一导电层311。
113.经过上述制作工艺后即可大致上完成本实施例之软性电路板300的制作。
114.软性电路板300包括软性基板330、图案化电路层310以及高反射薄膜100。图案化电路层310位于软性基板330上。高反射薄膜100位于软性基板330上。高反射薄膜100的开口150的图案对应于图案化电路层310的图案。
115.在本实施例中，由于构成软性电路板300的高反射薄膜100是经由前述实施例的高反射薄膜100制造工艺所制造。而在高反射薄膜100中，开口150于高反射薄膜100的顶表面100a上的开口面积基本上等于开口150于高反射薄膜100的底表面100b上的开口面积。因此，在形成图案化电路层310的工艺中，较不会因为底切(under cut)现象而有剥落(peeling)的风险。
116.另外，在对软性电路板300进行任何可能的后续应用上，也可以有好的质量与信赖。举例而言，若要再对软性电路板300进行表面处理(如：化金制程)，可以降低渗镀的可能。除此之外，由于高反射薄膜100的开口150可以较小且可以具有较高的精度。因此，图案化电路层310的布线密度(layout density)可以提升，也可以在布线设计(layout design)上具有较好的弹性。
117.在另一未示出的实施例中，类似于软性电路板300的软性电路板可以包括软性基板330、图案化电路层310以及高反射薄膜200。高反射薄膜200位于软性基板330上。高反射薄膜200的开口250的图案对应于图案化电路层310的图案。由于构成软性电路板的高反射薄膜200是经由前述实施例的高反射薄膜200制造工艺所制造。而在高反射薄膜200中，开口250于高反射薄膜200的顶表面200a上的开口面积可以大于开口250于高反射薄膜200的底
表面200b上的开口面积。因此，在形成图案化电路层310的工艺中，较不会因为底切(under cut)现象而有剥落(peeling)的风险。
118.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。