晶片加工装置及晶片加工方法与流程

1.本发明涉及半导体清洗技术领域，尤其涉及一种晶片加工装置及晶片加工方法。


背景技术：

2.近年来，在晶片加工过程中，特别是在晶片清洗处理工艺中广泛地执行了单晶片清洗，并且执行聚合物的去除使得包含诸如有机溶剂或有机酸的添加剂的基于有机物的化学液体被用作剥离晶片上聚合物的化学液体，并且该化学液体被喷射在旋转的晶片上。随后，通常使用清洗液体(包括纯水)来执行冲洗处理工艺，以去除残留在晶片上的化学液体成份，并且以旋转脱水方式来干燥衬底，然后将其送到下一个操作工艺。
3.但是在采用化学液体对晶片进行清洗的过程中，由于化学液体浓度较大，且晶片会边旋转边进行清洗，如此会使清洗装置的侧壁上凝结成许多颗粒，且侧壁上的颗粒容易掉落在晶片上，从而使晶片产生缺陷，降低了对晶片的清洗效果，进而影响晶片的加工质量。


技术实现要素：

4.为解决上述问题，本发明提供的晶片加工装置及晶片加工方法，通过设置多个清理件，能够对第一侧壁进行清理，防止第一侧壁上凝结的颗粒回落到晶片上以影响晶片的加工质量。
5.第一方面，本发明提供一种晶片加工装置，包括：第一侧壁和用于支撑晶片的定位件；
6.在对所述定位件上的晶片进行加工时，所述第一侧壁套接在所述定位件所支撑的晶片的外围周侧；
7.所述第一侧壁连接有多个清理件，所述多个清理件用于对所述第一侧壁的内壁进行清理。
8.可选地，所述多个清理件包括：多个喷头；
9.所述第一侧壁的内部开设有输液通道，所述输液通道一端与所述多个喷头的进水口连通；
10.所述晶片加工装置通过所述输液通道向所述多个喷头输送冲洗液，以对第一侧壁的内壁进行冲洗；
11.所述冲洗液的温度范围为50摄氏度至70摄氏度。
12.可选地，所述晶片加工装置还包括：第二侧壁；
13.在对所述定位件上的晶片进行加工时，所述第二侧壁套接在所述定位件所支撑的晶片的外围周侧。
14.可选地，所述晶片加工装置还包括：第一喷嘴和第二喷嘴；
15.所述第一喷嘴用于喷洒化学液体以对晶片进行清洗，所述第二喷嘴用于喷洒清洗液体以对晶片进行清洗；
16.在所述第一喷嘴和所述第二喷嘴对晶片进行清洗时，所述第一喷嘴和所述第二喷嘴均位于所述定位件的上方。
17.可选地，在所述第一喷嘴对晶片进行清洗时，所述第一侧壁位于所述定位件所支撑的晶片的外围周侧，所述第二侧壁套接在所述第一侧壁的外围周侧；
18.或，在所述第一喷嘴对晶片进行清洗时，所述第一侧壁位于所述定位件所支撑的晶片的外围周侧，所述第二侧壁脱离与所述定位件所支撑的晶片的套接。
19.可选地，在所述第二喷嘴对晶片进行清洗时，所述第二侧壁位于所述定位件所支撑的晶片的外围周侧，所述第一侧壁脱离与所述定位件所支撑的晶片的套接；
20.或，在所述第二喷嘴对晶片进行清洗时，所述第二侧壁位于所述定位件所支撑的晶片的外围周侧，所述第一侧壁套接在所述第二侧壁的外围周侧。
21.可选地，所述晶片加工装置包括：底板；
22.所述定位件位于所述底板的上方，所述定位件与所述底板固定连接；
23.所述底板开设有第一开口；
24.所述第一侧壁通过第一开口移动至定位件所支撑的晶片的下方，以将第一侧壁脱离与所述定位件所支撑的晶片的套接；
25.所述底板开设有第二开口；
26.所述第二侧壁通过第二开口移动至定位件所支撑的晶片的下方，以将第二侧壁脱离与所述定位件所支撑的晶片的套接。
27.可选地，所述第一侧壁的内壁表面为凹凸面。
28.第二方面，本发明提供一种晶片加工方法，包括：
29.提供第一侧壁和用于支撑晶片的定位件，在对所述定位件上的晶片进行加工时，所述第一侧壁套接在所述定位件所支撑的晶片的外围周侧；
30.在晶片在第一侧壁内完成指定的加工工序后，启动所述第一侧壁上的多个喷头，以对所述第一侧壁的内壁进行冲洗。
31.可选地，所述在晶片在第一侧壁内完成指定的加工工序后，启动所述第一侧壁上的多个喷头，以对所述第一侧壁的内壁进行冲洗，包括：
32.在通过喷洒化学液体以对晶片进行清洗之前，移动第一侧壁和第二侧壁，或移动第二侧壁，以使所述第一侧壁套接在晶片的外围周侧，并使所述第二侧壁脱离与所述晶片的套接；
33.或，在通过喷洒化学液体以对晶片进行清洗之前，移动第一侧壁，以使所述第一侧壁套接在晶片的外围周侧，并使所述第二侧壁套接在所述第一侧壁的外围周侧；
34.在通过喷洒化学液体以对晶片进行清洗之后，移动第一侧壁，或移动第一侧壁和第二侧壁，以使所述第二侧壁套接在晶片的外围周侧，并使所述第一侧壁脱离与所述晶片的套接，通过清洗液对晶片进行清洗；
35.或，在通过喷洒化学液体以对晶片进行清洗之后，移动第二侧壁，以使所述第二侧壁套接在晶片的外围周侧，并使所述第一侧壁套接在所述第二侧壁的外围周侧，通过清洗液对晶片进行清洗；
36.在所述第一侧壁套接在所述第二侧壁的外围周侧，或所述第一侧壁脱离与所述晶片的套接时，启动所述第一侧壁上的多个喷头，以对所述第一侧壁的内壁进行冲洗。
37.本发明实施例提供的晶片加工装置及晶片加工方法，通过设置多个清理件，能够对第一侧壁进行清理，以去除第一侧壁朝向晶片的表面上的颗粒，防止第一侧壁上凝结的颗粒回落到晶片上以影响晶片的加工质量。
附图说明
38.图1为本技术一实施例的晶片加工装置的剖视图；
39.图2为本技术一实施例的晶片加工装置通过化学液体对晶片进行清洗的状态图；
40.图3为本技术一实施例的晶片加工装置通过清洗液体对晶片进行清洗的状态图；
41.图4为本技术一实施例的第一侧壁的内壁的局部结构图。
42.附图标记
43.1、第一侧壁；11、喷头；12、、输液通道；13、凹槽；2、第二侧壁；3、定位件；4、底板；41、排液口；51、第一喷嘴；52、第二喷嘴；6、晶片。
具体实施方式
44.为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
45.第一方面，本发明提供一种晶片加工装置，结合图1，该晶片加工装置适用于晶片6清洗的过程，该晶片加工装置包括：第一侧壁1、第二侧壁2、驱动件和用于支撑晶片6的定位件3。其中，第一侧壁1和第二侧壁2均为环形的侧壁，且第一侧壁1连接有多个清理件，且多个清理件用于对第一侧壁1的内壁进行清理；定位件3为卡盘，该卡盘用于将晶片6水平固定在卡盘的顶部。在对卡盘上的晶片6进行加工时，第一侧壁1套接在定位件3所支撑的晶片6的外围周侧。
46.驱动件能够改变第一侧壁1和第二侧壁2相对定位件3的位置。当在定位件3上对晶片6进行容易产生杂质颗粒的工艺的时候，驱动件能够将移动第一侧壁1套接在定位件3所支撑的晶片6的外围周侧，使在工艺过程形成的颗粒贴附在第一侧壁1上。当在定位件3上对晶片6进行不容易产生杂质颗粒的工艺的时候，驱动件能够移出第一侧壁1并将移动第二侧壁2套接在定位件3所支撑的晶片6的外围周侧，防止第一侧壁1的杂质颗粒回落到晶片6上，影响晶片6的加工质量。
47.同时，清理件能够对第一侧壁1上的杂质颗粒进行去除，而在驱动件移出第一侧壁1时，清理件对第一侧壁1进行清理能够防止杂质颗粒回落到晶片6上，以影响晶片6的加工质量。
48.进一步地，多个清理件包括：多个喷头11，且多个喷头11固定设置在第一侧壁1的顶部。其中，晶片加工装置可通过向喷头11输送液体或是高压气体以去除第一侧壁1的内壁上的杂质颗粒。在本实施例中，晶片加工装置通过向喷头11输送冲洗液对第一侧壁1进行清洗。
49.第一侧壁1的内部开设有输液通道12，输液通道12一端与多个喷头11的进水口连。晶片加工装置通过输液通道12向多个喷头11输送冲洗液，以对第一侧壁1的内壁进行冲洗。
冲洗液的温度范围为50摄氏度至70摄氏度。在本实例中，冲洗液的温度为60摄氏度。通过对冲洗液温度的限定，不但能够对凝结在第一侧壁1上的杂质颗粒的冲洗效果，同时还能够对第一侧壁1进行加热，降低了凝结在第一侧壁1上的杂质颗粒与第一侧壁1沾合的牢固性，进一步提高对第一侧壁1的冲洗效果。
50.在本实施例中，结合图2和图3，该晶片加工装置还包括：底板4、第一喷嘴51和第二喷嘴52。其中，第一喷嘴51用于喷洒化学液体以对晶片6进行清洗，第二喷嘴52用于喷洒清洗液体以对晶片6进行清洗；且在第一喷嘴51和第二喷嘴52对晶片6进行清洗时，第一喷嘴51和第二喷嘴52均移动至晶片6的上方，以对晶片6进行清洗；定位件3位于底板4的上方，定位件3与底板4固定连接；在第一喷嘴51或第二喷嘴52对晶片6进行清洗时，定位件3还用于驱动晶片6转动。底板4开设有排液口41，排液口41的设置有利于将底板4上的液体导出该晶片加工装置。
51.在第一喷嘴51对晶片6进行清洗时，驱动件将第一侧壁1移动至定位件3的外围周侧，以使晶片6在第一侧壁1内进行清洗；当第二喷嘴52对晶片6进行清洗时，驱动件将第二侧壁2移动至定位件3的外围周侧，并通过多个喷头11对第一侧壁1的内壁进行清理。
52.该晶片加工装置可根据第一侧壁1和第二侧壁2的相对位置的不同，以及第一侧壁1和第二侧壁2和第二侧壁2的连接关系，驱动件可以采用不同的驱动方式，以改变第一侧壁1和第二侧壁2相对定位件3的位置。本实施例通过以下几种方式进行具体说明。
53.方式一：结合图1、图2和图3，第一侧壁1位于第二侧壁2的内侧，底板4开设有第一开口和第二开口；第一开口与第一侧壁1适配，第二开口与第二侧壁2适配；第一侧壁1通过第一开口沿上下方向与底板4滑移连接，第二侧壁2通过第二开口沿上下方向与底板4滑移连接；驱动件同时与第一侧壁1和第二侧壁2连接。
54.在第一喷嘴51对晶片6进行清洗前，驱动件驱动第一侧壁1上升至底板4的上方，以使第一侧壁1套接在晶片6的外围周侧；而第二侧壁2可位于第一侧壁1的外围周侧或位于定位件3所支撑的晶片6的下方，在本实施例中，此时驱动件控制第二侧壁2位于定位件3所支撑的晶片6的下方。在第一喷嘴51结束对晶片6的清洗后，且第二喷嘴52对晶片6进行清洗前，驱动件驱动第一侧壁1下降至定位件3所支撑的晶片6以下的位置，以将第一侧壁1脱离与定位件3所支撑的晶片6的套接，并驱动第二侧壁2上升至底板4的上方，以使第二侧壁2套接在定位件3所支撑的晶片6的外围周侧；同时通过控制多个喷头11开启，以对第一侧壁1的内壁进行清洗。
55.方式二：第一侧壁1位于第二侧壁2的内侧，底板4开设有第一开口；第一开口与第一侧壁1适配；第一侧壁1通过第一开口沿上下方向与底板4滑移连接，第二侧壁2固定设置与底板4的上方；驱动件与第一侧壁1连接。
56.在第一喷嘴51对晶片6进行清洗前，驱动件驱动第一侧壁1上升至底板4的上方，以使第一侧壁1套接在晶片6的外围周侧，并使第二侧壁2套接在第一侧壁1的外围周侧。在第一喷嘴51结束对晶片6的清洗后，且第二喷嘴52对晶片6进行清洗前，驱动件驱动第一侧壁1下降至晶片6以下，使得第一侧壁1脱离与定位件3所支撑的晶片6的套接，且使得第二侧壁2直接套接在定位件3的外围周侧，以防止清洗液体飞溅；同时通过控制多个喷头11开启，以对第一侧壁1的内壁进行清洗。
57.方式三：第一侧壁1位于第二侧壁2的外侧，底板4开设有第一开口和第二开口；第
一开口与第一侧壁1适配，第二开口与第二侧壁2适配；第一侧壁1通过第一开口沿上下方向与底板4滑移连接，第二侧壁2通过第二开口沿上下方向与底板4滑移连接；驱动件同时与第一侧壁1和第二侧壁2连接。
58.在第一喷嘴51对晶片6进行清洗前，驱动件驱动第一侧壁1上升至底板4的上方，以使第一侧壁1套接在晶片6的外围周侧；而第二侧壁2位于定位件3所支撑的晶片6的下方。在第一喷嘴51结束对晶片6的清洗后，且第二喷嘴52对晶片6进行清洗前，驱动件驱动第一侧壁1下降至晶片6以下，以将第一侧壁1脱离与定位件3所支撑的晶片6的套接，并驱动第二侧壁2上升至底板4的上方，以使第二侧壁2套接在定位件3所支撑的晶片6的外围周侧；同时通过控制多个喷头11开启，以对第一侧壁1的内壁进行清洗。或者，在第一喷嘴51结束对晶片6的清洗后，且第二喷嘴52对晶片6进行清洗前，驱动件仅驱动第二侧壁2上升至底板4的上方，以使第二侧壁2套接在定位件3所支撑的晶片6的外围周侧，而第一侧壁1套接在第二侧壁2的外侧；同时通过控制多个喷头11开启，以对第一侧壁1的内壁进行清洗。
59.方式四：第一侧壁1位于第二侧壁2的外侧，底板4开设有第二开口；第二开口与第二侧壁2适配；第二侧壁2通过第二开口沿上下方向与底板4滑移连接，第一侧壁1固定设置与底板4的上方；驱动件与第二侧壁2连接。
60.在第一喷嘴51对晶片6进行清洗前，驱动件驱动第二侧壁2下降至晶片6以下，以使第一侧壁1直接套接在定位件3的外围的周侧，以防止化学液体飞溅。在第一喷嘴51结束对晶片6的清洗后，且第二喷嘴52对晶片6进行清洗前，驱动件驱动第二侧壁2上升至底板4的上方，以使第二侧壁2直接套接在定位件3的外围周侧，以防止清洗液体飞溅；同时通过控制多个喷头11开启，以对第一侧壁1的内壁进行清洗。
61.通过更换定位件3上的晶片6，该晶片加工装置采样上述方式中的任一一种即可持续对晶片6进行清洗，并在防止化学液体和清洗液体的飞溅的同时，还提高晶片6的清洗质量，有效的防止了在侧壁上的由化学液体凝结的杂质颗粒掉落的晶片6上以降低晶片6的质量。在本实施例中，对第一侧壁1下降至晶片6以下和第一侧壁1位于晶片6的下方中对第一侧壁1位置的描述，即为第一侧壁1的顶部通过第一开口与底板4连接；对第二侧壁2下降至晶片6以下和第二侧壁2位于晶片6的下方中对第二侧壁2位置的描述，即为第二侧壁2的顶部通过第二开口与底板4连接。
62.结合图4，第一侧壁1的内壁开设有多个凹槽13，以形成凹凸面。凹槽13的形成可以为多边形或圆形。在本实施例中，凹槽13的形状为方形。凹凸面的设置能够防止第一侧壁1的内壁凝结成的杂质颗粒过大，以增大第一侧壁1的清理难度。
63.在一种可选的实施例中，在第一喷嘴51和第二喷嘴52对晶片6清洗完之后，定位件3还用于驱动晶片6转动，以对晶片6进行干燥处理。同时，在第一喷嘴51和第二喷嘴52对晶片6清洗完之后，且定位件3带动晶片6进行干燥处理时，第二侧壁2位于晶片6的外围周侧，第一侧壁1位于晶片6的下方或位于第二侧壁2的外围周侧。
64.第二方面，本发明提供一种晶片加工方法，结合图1至图3，该方法包括：提供第一侧壁1和用于支撑晶片6的定位件3，在对定位件3上的晶片6进行加工时，第一侧壁1套接在定位件3所支撑的晶片6的外围周侧；在晶片6在第一侧壁1内完成指定的加工工序后，启动第一侧壁1上的多个喷头11，以对第一侧壁1的内壁进行冲洗。如此当晶片6在加工时，凝结在第一侧壁1上的杂质颗粒通过多个喷头11进行清除，防止杂质颗粒在自然脱落时掉落到
晶片6上，以影响晶片6的加工质量。
65.在本实施例中，在晶片6在第一侧壁1内完成指定的加工工序后，启动第一侧壁1上的多个喷头11，以对第一侧壁1的内壁进行冲洗，包括：在通过喷洒化学液体以对晶片6进行清洗之前，移动第一侧壁1和第二侧壁2，或移动第二侧壁2，以使第一侧壁1套接在晶片6的外围周侧，并使第二侧壁2脱离与晶片6的套接。或，在通过喷洒化学液体以对晶片6进行清洗之前，移动第一侧壁1，以使第一侧壁1套接在晶片6的外围周侧，并使第二侧壁2套接在第一侧壁1的外围周侧。
66.在通过喷洒化学液体以对晶片6进行清洗之后，移动第一侧壁1，或移动第一侧壁1和第二侧壁2，以使第二侧壁2套接在晶片6的外围周侧，并使第一侧壁1脱离与晶片6的套接，通过清洗液对晶片6进行清洗。或，在通过喷洒化学液体以对晶片6进行清洗之后，移动第二侧壁2，以使第二侧壁2套接在晶片6的外围周侧，并使第一侧壁1套接在第二侧壁2的外围周侧，通过清洗液对晶片6进行清洗。
67.在第一侧壁1套接在第二侧壁2的外围周侧，或第一侧壁1脱离与晶片6的套接时，启动第一侧壁1上的多个喷头11，以对第一侧壁1的内壁进行冲洗。具体的可参见上述的四种方式，在此不做赘述。
68.通过在不同的工序交替使用不同的侧壁作为晶片6的加工腔室的侧壁，并对容易凝结杂质颗粒的侧壁进行清理，如此能够有效的防止杂质颗粒在自然脱落时掉落到晶片6上，以影响晶片6的加工质量。
69.以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。