一种低压脉冲磁场净化金属熔体的方法

技术特征：
1.一种低压脉冲磁场净化金属熔体的方法，其特征在于，该方法包括：将金属材料熔化后，得到金属熔体；将金属熔体置于低压脉冲磁场中，进行低压脉冲磁场净化处理，得到净化的金属熔体。2.根据权利要求1所述的低压脉冲磁场净化金属熔体的方法，其中，将金属材料熔化的温度为高于所述金属材料的熔点或液相线20～200℃的温度。3.根据权利要求1所述的低压脉冲磁场净化金属熔体的方法，其中，所述低压脉冲磁场的励磁电压为50～300v，频率为1～10hz。4.根据权利要求3所述的低压脉冲磁场净化金属熔体的方法，其中，所述低压脉冲磁场的励磁电压为100～300v，频率为2～10hz。5.根据权利要求1所述的低压脉冲磁场净化金属熔体的方法，其中，所述低压脉冲磁场净化处理的时间为1～30min，温度为高于所述金属材料的熔点或液相线20～200℃的温度。6.根据权利要求5所述的低压脉冲磁场净化金属熔体的方法，其中，所述低压脉冲磁场净化处理的时间为5～30min，温度为高于所述金属材料的熔点或液相线20～180℃的温度。7.根据权利要求1所述的低压脉冲磁场净化金属熔体的方法，其中，所述金属材料为纯金属、al合金、cu合金和mg合金中的至少一种。8.根据权利要求1所述的低压脉冲磁场净化金属熔体的方法，其中，所述方法还包括：将所述净化的金属熔体进行冷却凝固和切削处理，得到净化的金属铸锭。9.根据权利要求8所述的低压脉冲磁场净化金属熔体的方法，其中，所述净化的金属铸锭中的非金属夹杂的体积分数不高于0.2％。10.根据权利要求9所述的低压脉冲磁场净化金属熔体的方法，其中，所述净化的金属铸锭中的非金属夹杂的体积分数不高于0.07％。

技术总结
本发明属于金属材料制备领域，公开了一种低压脉冲磁场净化金属熔体的方法。该方法包括：将金属材料熔化后，得到金属熔体；将金属熔体置于低压脉冲磁场中，进行低压脉冲磁场净化处理，得到净化的金属熔体。本发明根据金属材料种类和非金属夹杂尺寸等不同情况，调节低压脉冲磁场励磁电压、频率、处理温度、处理时间等参数，利用低压脉冲磁场在熔体中形成的反向挤压力，驱动非金属夹杂在熔体中发生定向迁移，从而实现低压脉冲磁场作用下的熔体净化。从而实现低压脉冲磁场作用下的熔体净化。从而实现低压脉冲磁场作用下的熔体净化。


技术研发人员：冯小辉 杨院生 李应举 罗天骄 黄秋燕 郑策 曹天慧
受保护的技术使用者：中国科学院金属研究所
技术研发日：2021.12.13
技术公布日：2022/4/12