技术特征：
1.一种用于在等离子体处理系统中对衬底进行蚀刻处理的方法，所述方法包括：将源rf功率施加到所述等离子体处理系统的电极；以及向所述电极施加偏置rf功率；其中所述源rf功率和所述偏置rf功率是一起定义多个多态脉冲rf循环的脉冲信号，每个循环具有第一状态、第二状态和第三状态；其中所述第一状态由具有第一源rf功率电平的所述源rf功率和具有第一偏置rf功率电平的所述偏置rf功率定义；其中所述第二状态由具有基本上为零的功率电平的所述源rf功率和具有基本上为零的功率电平的所述偏置rf功率定义；以及其中所述第三状态由具有第二源rf功率电平的所述源rf功率以及具有基本上为零的功率电平的所述偏置rf功率定义，其中所述第二源rf功率电平小于所述第一源rf功率电平。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一状态被配置为实现对所述衬底的表面上的特征的蚀刻。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第二状态被配置为实现对所述衬底的所述表面上的所述特征的钝化。4.根据权利要求2所述的方法，其中所述第三状态被配置为实现在所述特征中形成颈部的材料的去除。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述偏置rf功率具有小于约10mhz的频率。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述源rf功率具有大于约20mhz的频率。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第三状态的持续时间为所述第一状态的持续时间的大约一到五倍。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二状态的持续时间大约等于所述第一状态的持续时间。9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一源rf功率电平大约在1到6kw的范围内；以及其中所述第一偏置rf功率电平大约在5到20kw的范围内。10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二源rf功率电平大约在100w到6kw的范围内。11.根据权利要求1所述的方法，其中在每个循环内，所述第三状态紧跟在所述第二状态之后。12.根据权利要求1所述的方法，其中在每个循环中，所述第二状态紧跟在所述第三状态之后。13.一种配置为使等离子体处理系统在所述等离子体处理系统中的衬底上执行蚀刻工艺的控制器设备，所述方法包括以下操作：将源rf功率施加到所述等离子体处理系统的电极；以及向所述电极施加偏置rf功率；其中所述源rf功率和所述偏置rf功率是一起定义多个多态脉冲rf循环的脉冲信号，每个循环具有第一状态、第二状态和第三状态；
其中所述第一状态由具有第一源rf功率电平的所述源rf功率和具有第一偏置rf功率电平的所述偏置rf功率定义；其中所述第二状态由具有基本上为零的功率电平的所述源rf功率和具有基本上为零的功率电平的所述偏置rf功率定义；以及其中所述第三状态由具有第二源rf功率电平的所述源rf功率以及具有基本上为零的功率电平的所述偏置rf功率定义，其中所述第二源rf功率电平小于所述第一源rf功率电平。14.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一状态被配置为实现对所述衬底的表面上的特征的蚀刻。15.根据权利要求14所述的方法，其中所述第二状态被配置为实现对所述衬底的所述表面上的所述特征的钝化。16.根据权利要求14所述的方法，其中所述第三状态被配置为实现在所述特征中形成颈部的材料的去除。17.根据权利要求13所述的方法，其中所述偏置rf功率具有小于约10mhz的频率。18.根据权利要求13所述的方法，其中所述源rf功率具有大于约20mhz的频率。19.根据权利要求13所述的方法，其中所述第三状态的持续时间为所述第一状态的持续时间的大约一到五倍。20.根据权利要求13所述的方法，其中所述第二状态的持续时间大约等于所述第一状态的持续时间。21.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一源rf功率电平大约在1到6kw的范围内；以及其中所述第一偏置rf功率电平大约在5到20kw的范围内。22.根据权利要求13所述的方法，其中所述第二源rf功率电平大约在100w到6kw的范围内。23.根据权利要求13所述的方法，其中在每个循环内，所述第三状态紧跟在所述第二状态之后。24.根据权利要求13所述的方法，其中在每个循环内，所述第二状态紧跟在所述第三状态之后。
技术总结
一种用于在等离子体处理系统中对衬底进行蚀刻处理的方法，该方法包括：将源RF功率和偏置RF功率施加到电极，其中源RF功率和偏置RF功率是一起定义多个多态脉冲RF循环的脉冲信号，每个循环具有第一状态、第二状态和第三状态；其中第一状态由具有第一源RF功率电平的源RF功率和具有第一偏置RF功率电平的偏置RF功率定义；其中第二状态由源RF功率和具有基本上为零的功率电平的偏置RF功率定义；以及其中第三状态由具有小于第一源RF功率电平的第二源RF功率电平的源RF功率，以及具有基本上为零的功率电平的偏置RF功率定义。功率电平的偏置RF功率定义。功率电平的偏置RF功率定义。
技术研发人员：尼基尔
受保护的技术使用者：朗姆研究公司
技术研发日：2020.08.21
技术公布日：2022/4/12
再多了解一些
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