显示面板、显示装置及显示面板的制备方法与流程

1.本技术涉及显示装置技术领域，尤其涉及到一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法。


背景技术：

2.随时显示技术的发展，越来越多的场景和设备配置有显示屏，以实现显示功能，且有利于人机交互。特别是移动终端中，显示屏几乎成为了必不可少的配置。因此，显示技术也在不断发展，特别是对于彩色显示技术，不断提高各方面的性能，也还具有较大的提升空间。
3.现有的显示技术中，比较成熟的技术包括lcd(液晶显示)技术和oled(有机发光二极管)技术。其中，lcd的显示模组光路较为复杂，且难以实现柔性弯折，且需要利用彩膜片与背光模组配合实现彩色显示，因此，lcd的色彩饱和度难以达到较高的水平。对于oled的显示模组，目前还存在oled的解析度、效率、亮度和寿命方向提升困难的问题。而目前micro led(微缩型发光二极管)技术在光学效率、亮度、响应速度和可靠性方面，都具有一定的优势，越来越受到业界人士的关注，但是也存在一定的问题。例如将micro led转移至制作好驱动电路的基板上，并将micro led的电极与驱动电路电连接的技术还不成熟，极易造成相邻micro led之间的短路和串扰。此外，受到尺寸较小的限制，在实现micro led的电极与驱动电路的凸点键合过程中的焊接工艺以及防氧化技术也存在较大的困难。


技术实现要素：

4.本技术提供了一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法，以提高电子器件与基板电连接的可靠性以及降低制作成本，此外，有利于降低电子器件损坏的概率。
5.第一方面，本技术提供了一种显示面板，该显示面板包括基板和固定于基板的电子器件，上述基板包括驱动电路和与驱动电路电连接的第一连接部；上述电子器件包括第二连接部，上述第一连接部与第二连接部固定且电连接。为了实现上述第一连接部与第二连接部的固定和电连接，可以使第一连接部包括镍锥层，该镍锥层朝向第二连接部的一侧为微纳米锥状结构，第二连接部包括软焊金属层。则使第一连接部与第二连接部固定时，可以使微纳米锥状结构嵌入软焊金属层，且微纳米锥状结构与软焊金属层之间形成金属间化合物层，以使微纳米锥状结构可靠且稳定的嵌入在软焊金属层中，实现第一连接部与第二连接部之间的固定且电连接。
6.该方案中，可以利用微纳米效应，使微纳米锥状结构嵌入软焊金属层，形成机械镶嵌互锁结构，且无需高温使金属熔融，从而可以避免金属熔融溢出造成的短路问题。金属镍比较容易与其它金属形成金属间化合物，故本技术可以在电子器件与基板的连接界面形成一层金属间化合物层，以提高电子器件与基板之间的连接可靠性。上述金属间化合物层沿微纳米锥状结构的表面延伸，呈蜿蜒褶皱状，因此，连接处的连接表面积较大，电子器件的第二连接部与基板的第一连接部的焊接强度较高。该方案中，只需要施加较低的温度和较
小的压力，即可使上述电子器件的第二连接部与基板的第一连接部实现焊接，由于施加的压力较小，因此不会导致电子器件损坏，且可以多次施压，以使大量的电子器件在同一批次压向基板，以提高显示面板的制备效率。
7.本技术另一种方案中，还可以将镍锥层设置于第二连接部，软焊金属层设置于第一连接部。该方案具体为，第二连接部包括镍锥层，该镍锥层朝向第一连接部的一侧为微纳米锥状结构；第一连接部包括软焊金属层，镍锥层的微纳米锥状结构嵌入软焊金属层内，且微纳米锥状结构与软焊金属层之间具有金属间化合物层。
8.具体制备上述软焊金属层时，上述软焊金属层的材质不做限制，可以为单一金属也可以为合金金属。具体的，上述软焊金属层可以为金层、锡层、银层、铜层、铋层或者铟层中的任意一种单金属层，或者至少包括金、锡、银、铜、铋或者铟中一种金属的合金层。根据实际需求选择合适的软焊金属层的材质即可。
9.另外，上述软焊金属层的具体结构也不做限制，上述软焊金属层可以为单层结构，或者也可以为包括至少两种子软焊金属层依次交叠的多层结构。当软焊金属层为单层结构时，可以为上述任一种单金属层或者合金层。当软焊金属层为多层结构时，可以包括上述单金属层或者合金层中的至少两种作为子软焊金属层，且依次交叠设置。以锡材质的子软焊金属层和铟材质的子软焊金属层依次交叠设置为例，交叠后的软焊金属层的熔点与单独的锡的软焊金属层或者铟的软焊金属层的熔点低，从而实现上述第二连接部与第一连接部的焊接时，可以施加较低的温度就可以使软焊金属层软化，以利于使镍锥层嵌入软焊金属层。
10.为了使镍锥层与软焊金属层接触的一侧尽量多的保持为镍金属状态，而不会出现氧化，还可以在镍锥层的微纳米锥状结构表面设置防氧化层。金属镍较为活泼，容易被氧化，为氧化后的氧化镍难以与软焊金属层形成金属间化合物。因此，设置防氧化层以使微纳米锥状结构保持为金属镍的状态，以便于形成金属间化合物层，提高电子器件与基板的连接可靠性。
11.上述防氧化层的具体材质不做限制，只要活泼性较差，能够起到防氧化的作用即可。可以为单金属层，例如可以为金层、锡层或者铟层中的任意一种。或者也可以为合金层，例如包括金、锡或者铟中至少两种的合金层。
12.上述微纳米锥状结构的高度可以为0.3μm～3μm。该高度下的微纳米锥状结构较为容易制造，且可以满足连接强度需求。
13.上述电子器件的类型不做具体限制，只要是需要实现第一连接部与第二连接部的电连接和固定连接的结构，均可以采用本技术技术方案。具体的，上述电子器件可以为发光二极管、驱动芯片或者微缩型发光二极管。
14.第二方面，本技术还提供了一种显示装置，该显示装置包括中框、后壳、印制电路板以及上述任一技术方案中的显示面板。在具体安装上述显示装置时，印制电路板和显示面板设置与中框的两侧，该中框用于承载上述印制电路板和显示面板，后壳安装于印制电路板背离中框的一侧，具体可以与中框固定连接。该显示装置的显示面板的电子器件与基板之间通过镍锥层和软焊金属层实现连接，两者之间可以形成金属件化合物，使电子器件与基板可靠连接，且可以批量将大量的电子器件安装至基板，以提高显示面板的生产效率。
15.第三方面，本技术还提供了一种显示面板的制备方法，包括将电子器件固定至具有驱动电路的基板，具体包括以下步骤：
16.在电子器件的第二连接部形成软焊金属层；
17.在基板的第一连接部形成镍锥层，该镍锥层的表面为微纳米锥状结构；
18.将上述电子器件的第二连接部与上述基板的第一连接部对准；增加第二连接部和第一连接部的温度至第一温度，使第二连接部的软焊金属层软化；在基板和电子器件的两侧施加压力使基板和电子器件相靠近，使微纳米锥状结构嵌入软焊金属层，微纳米锥状结构与软焊金属层之间形成金属间化合物；
19.上述第一温度小于所述软焊金属层的熔点。
20.上述金属间化合物可以充分填充上述微纳米锥状结构嵌入软焊金属层后，两者之间的间隙，以提高第一连接部与第二连接部的连接可靠性。上述第一温度小于软焊金属层的熔点，则软焊金属层不会出现熔融的问题，也就不会导致相邻电极之间由于焊料熔融导致的短路问题。此外，该方案将显示面板的制备工艺较为简单，效率较高且成本较低。
21.或者，上述将电子器件固定至具有驱动电路的基板，还可以包括以下步骤：
22.在电子器件的第二连接部形成镍锥层，所述镍锥层的表面为微纳米锥状结构；
23.在基板的第一连接部形成软焊金属层；
24.将电子器件的第二连接部与基板的第一连接部对准；增加第一连接部和第二连接部的温度至第一温度，使第一连接部的软焊金属层软化；施加压力使微纳米锥状结构嵌入软焊金属层，微纳米锥状结构与软焊金属层之间形成金属间化合物；所述第一温度小于所述软焊金属层的熔点。
25.进一步的技术方案至，还可以在镍锥层的表面形成防氧化层，具体制备步骤为：
26.在基板的第一连接部形成镍锥层，镍锥层的表面为微纳米锥状结构，包括：在微纳米锥状结构表面形成防氧化层；
27.或者，在电子器件的第二连接部形成镍锥层，镍锥层的表面为微纳米锥状结构，包括：在微纳米锥状结构表面形成防氧化层。
28.上述防氧化层可以保护微纳米锥状结构不会产生氧化镍，从而提高微纳米锥状结构与软焊金属层形成金属间化合物的尺寸，以提高微纳米锥状结构与软焊金属层之间连接的可靠性。
29.为了提高镍锥层与软焊金属层之间形成的金属件化合物的尺寸，进而提高第一连接部与第二连接部之间连接的可靠性，将发光器件固定至具有驱动电路的基板，之后包括：
30.将固定有电子器件的基板在第二温度下烘烤设定时间，第二温度小于所述软焊金属层的熔点。
31.在第二温度下，镍锥层与软焊金属层之间继续生成金属间化合物，以使镍锥层与软焊金属层之间的金属间化合物较多，提高电子器件固定于基板的可靠性。
32.上述电子器件的类型不做具体限制，只要是需要实现第一连接部与第二连接部的电连接和固定连接的结构，均可以采用本技术技术方案。具体的，上述电子器件可以为发光二极管、驱动芯片或者微缩型发光二极管。
附图说明
33.图1为本技术实施例中显示装置的一种结构示意图；
34.图2为本技术实施例中显示面板的一种结构示意图；
35.图3为本技术实施例中显示面板的一种局部剖面结构示意图；
36.图4为本技术实施例中显示面板的另一种局部剖面结构示意图；
37.图5为本技术实施例中软焊金属层的一种剖面结构示意；
38.图6为本技术实施例中显示面板的制备工艺流程示意图；
39.图7a～7d为显示面板制备过程结构示意图。
40.附图标记：
41.100-显示装置；
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200-显示面板；
42.300-中框；
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400-后壳；
43.500-印制电路板；
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1-基板；
44.11-驱动电路；
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12-第一连接部；
45.2-电子器件；
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21-第二连接部；
46.3-镍锥层；
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31-微纳米锥状结构；
47.4-软焊金属层；
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41-子软焊金属层；
48.5-金属间化合物层；
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6-氮化镓基材。
具体实施方式
49.为了使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术作进一步地详细描述。
50.为了方便理解本技术实施例提供的显示面板，下面首先介绍一下其应用场景。
51.本技术实施例提供的显示面板可以应用于任何具有显示功能的显示装置，上述显示装置可以为手机、平板电脑或者电纸书等常见的移动终端，或者其它电子显示设置，如笔记本电脑、电视机或者设备显示屏等。随着显示技术的发展，人们对显示面板的显示效果以及制备成本等都越来越关注，micro led(微缩型发光二极管)技术在光学效率、亮度、响应速度和可靠性方面，业界对micro led技术的关注度也越来越高。现有技术中，将micro led的电极直接焊接至基板的第一连接部，由于micro led的电极之间的间距较小，融化的焊料可能会与相邻的电极连接，出现短路问题。为了解决该问题，现有技术中，可以将空心的导电管与金属导电层连接，利用机械压力，使导向管伸入金属导电层，实现电连接。现有技术中，制作空心的导向管的成本较高，且需要施加较大的机械压力，容易导致micro led损坏，且导电管与导电层之间未形成金属键结合，导电管与导电层之间电连接的可靠性较差。
52.基于现有技术中存在的上述问题，本技术提供了一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法，以提高电子器件与基板电连接的可靠性以及降低制作成本，此外，有利于降低电子器件损坏的概率。
53.以下实施例中所使用的术语只是为了描述特定实施例的目的，而并非旨在作为对本技术的限制。如在本技术的说明书和所附权利要求书中所使用的那样，单数表达形式“一个”、“一种”、“所述”、“上述”、“该”和“这一”旨在也包括例如“一个或多个”这种表达形式，除非其上下文中明确地有相反指示。
54.在本说明书中描述的参考“一个实施例”或“一些实施例”等意味着在本技术的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。由此，在本说明书中的不同之处出现的语句“在一个实施例中”、“在一些实施例中”、“在其他一些实施例中”、“在
另外一些实施例中”等不是必然都参考相同的实施例，而是意味着“一个或多个但不是所有的实施例”，除非是以其他方式另外特别强调。术语“包括”、“包含”、“具有”及它们的变形都意味着“包括但不限于”，除非是以其他方式另外特别强调。
55.图1为本技术实施例中显示装置的一种结构示意图，该显示装置100的具体类型不做限制，可以为手机、平板电脑或者电纸书等常见的移动终端，或者其它电子显示设置，如笔记本电脑、电视机或者设备显示器等。该显示装置100包括显示面板200、中框300、后壳400和印制电路板500。上述显示面板200与印制电路板500电连接，且显示面板200和印制电路板500设置于中框300的两侧，该中框300用于承载印制电路板500和显示面板200。上述后壳400位于印制电路板500背离中框300的一侧，也可以固定于中框300。具体的，上述显示面板200可以为micro led(微缩型发光二极管)显示面板200。图2为本技术实施例中显示面板的一种结构示意图，如图2所示，该显示面板200包括基板1和固定于基板1的多个电子器件2。上述基板1包括驱动电路11和第一连接部12，上述电子器件2电连接于上述驱动电路11的第一连接部12(由于电子器件2与第一连接部12叠置，因此图2中电子器件2所在的区域即为第一连接部12所在的区域)。请结合图3，图3为本技术实施例中显示面板200的一种局部剖面结构示意图，上述基板1具有与驱动电路11电连接的第一连接部12，电子器件2具有第二连接部21，上述第二连接部21与第一连接部12固定且电连接。具体的，上述第一连接部12包括镍锥层3，该镍锥层3朝向第二连接部21的一侧具有微纳米锥状结构31；上述第二连接部21包括软焊金属层4，上述微纳米锥状结构31嵌入软焊金属层4内，并且，微纳米锥状结构31与软焊金属层4之间具有金属间化合物层5。
56.该方案中，可以利用微纳米效应，使微纳米锥状结构31嵌入软焊金属层4，形成机械镶嵌互锁结构，且无需高温使金属熔融，从而可以避免金属熔融溢出造成的短路问题。利用微纳米锥状结构31嵌入软焊金属层4实现电子器件2与基板1的固定(bonding)，微纳米锥状结构31与软焊金属层4接触面积较大。金属镍比较容易与其它金属形成金属间化合物，故本技术可以在电子器件2与基板1的连接界面形成一层金属间化合物层5，以提高电子器件2与基板1之间的连接可靠性。上述金属间化合物层5沿微纳米锥状结构31的表面延伸，呈蜿蜒褶皱状，因此，连接处的连接表面积较大，电子器件2的第二连接部21与基板1的第一连接部12的焊接强度较高。该方案中，只需要施加较低的温度和较小的压力，即可使上述电子器件2的第二连接部21与基板1的第一连接部12实现焊接，由于施加的压力较小，因此不会导致电子器件2损坏，且可以多次施压，以使大量的电子器件2在同一批次压向基板1，以提高显示面板200的制备效率。
57.或者，请参考图4，图4为本技术实施例中显示面板的另一种局部剖面结构示意图。另一种实施例中，也可以使上述电子器件2的第二连接部21设置镍锥层3，该镍锥层3朝向第一连接部12的一侧为微纳米锥状结构31。上述基板1的第一连接部12设置有软焊金属层4，微纳米锥状结构31嵌入软焊金属层4内，并且，微纳米锥状结构31与软焊金属层4之间具有金属间化合物层5。本技术中利用具有微纳米锥状结构31的镍锥层3与软焊金属层4配合形成焊层，则可以使电子器件2与基板1可靠连接。具体的上述镍锥层3可以制备于电子器件2的一侧，也可以制备于基板1的一侧。
58.具体的实施例中，本技术实施例中的电子器件2可以为发光二极管、驱动芯片或者微缩型发光二极管(micro led)，不做具体限制。任何与基板1进行电连接的电子器件2均可
以采用本技术的技术方案。
59.具体的，由于微缩型发光二极管的尺寸小、间距窄，则进行常规的共晶焊接时，容易导致焊料熔融，相邻的第二连接部21容易出现短路风险。而本技术中电子器件2与基板1的焊接工艺中，无需使焊料熔融，可以避免上述短路问题。因此，本技术技术方案对于微缩型电子器件2焊接至基板1的工艺具有极其重要的意义。现有技术中，微缩型发光二极管焊接时，通常需要使用贵金属金(au)与铟(in)焊接，上述金和铟分别通过溅射的方法分别生长于微缩型发光二极管的第二连接部21与基板1的第一连接部12，成本较高，制备工艺难度也较大。而本技术中，可以利用一次性的电镀或者化学镀形成上述镍锥层3，制作工艺较为简单，且镍的成本较低，有利于降低显示面板200的成本。
60.具体制备上述软焊金属层4的材质不做限制，例如，上述软焊金属层4可以为单金属层，例如金层(au)、锡层(sn)、银层(ag)、铜层(cu)、铋层(bi)或者铟层(in)等。上述软焊金属层4可以为合金层，具体可以为包括金、锡、银、铜、铋或者铟中任一种金属的合金层，例如锡银铜合金(cu)、锡银合金(snag)或者锡铋合金(snbi)。
61.此外，上述软焊金属层4可以为单层结构，也可以包括至少两层的多层结构。具体的，当软焊金属层4为单层结构时，可以为上述任一种单金属层或者合金层。请参考图5，图5为本技术实施例中软焊金属层4的一种剖面结构示意图。当软焊金属层4为多层结构时，可以包括上述单金属层或者合金层中的至少两种作为子软焊金属层41，且依次交叠设置。以锡材质的子软焊金属层41和铟材质的子软焊金属层41依次交叠设置为例，交叠后的软焊金属层4的熔点与单独的锡的软焊金属层4或者铟的软焊金属层4的熔点低，从而实现上述第二连接部21与第一连接部12的焊接时，可以施加较低的温度就可以使软焊金属层4软化，以利于使镍锥层3嵌入软焊金属层4。
62.若上述软焊金属层4包括金属锡(sn)，则上述金属间化合物层5为ni
x
sn
y
，若上述软焊金属层4包括金属铟(in)，则上述金属间化合物层5为ni
x
in
y
，此处不进行一一列举。
63.由于镍锥层3相对较为活泼，容易被氧化，为了减少镍被氧化的程度，本技术实施例中，在上述镍锥层3的微纳米锥状结构31的表面具有防氧化层。由于氧化镍不易与软焊金属层4形成金属间化合物，因此本方案可以使上述微纳米锥状结构31保持为金属镍的材质。以便于与软焊金属层4形成金属间化合物层5，提高电子器件2与基板1的连接可靠性。
64.具体制备上述防氧化层时，上述防氧化层的具体材质不做限制，可以为单金属层，例如可以为金层、锡层或者铟层中的任意一种。或者也可以为合金层，例如包括金、锡或者铟中至少两种的合金层。该防氧化层的厚度可以为0.02μm～0.5μm。
65.上述微纳米锥状结构31的尺寸不做具体限制，具体的，可以使微纳米锥状结构31的高度可以为0.3μm～3μm，例如0.5μm、0.8μm、1μm、1.2μm、1.5μm、1.7μm、2μm、2.5μm、2.8μm、3μm、3.6μm、4μm、4.2μm、4.5μm或者4.8μm等。微纳米锥状结构31的底部直径可以为0.15μm～1.5μm，例如，可以为0.2μm、0.3μm、0.5μm、0.8μm、1μm或者1.2μm等。上述尺寸的微纳米锥状结构31比较容易制作，且可以满足连接强度需求。
66.基于相同的发明构思，本技术还提供了一种显示面板的制备方法，请参考图6，图6为本技术实施例中显示面板的制备工艺流程示意图，结合图7a～7d，图7a～7d为显示面板制备过程结构示意图。上述显示面板的制备方法包括：将电子器件2固定至具有驱动电路11的基板1，具体的，该将电子器件2固定至具有驱动电路11的基板1具体包括以下步骤：
67.步骤s101，在电子器件2的第二连接部21形成软焊金属层4，如图7a所示；
68.该步骤中，以电子器件2为发光二极管为例，可以先将发光二极管设置于氮化镓基材6，该氮化镓基材6可以设置3～1000000颗发光二极管，当然，还可以设置有驱动芯片等结构。具体的每个上述发光二极管的尺寸可以为14μmx18μm，相邻的发光二极管之间的间距可以为8μm。上述发光二极管可以包括两个第二连接部21，具体可以为n电极面和p电极面，上述电子器件2采用倒装结构(flip chip)，即上述n电极面和p电极面位于电子器件2的同一侧，则便于将发光二极管的第二连接部21与基板1的第一连接部12焊接。
69.可以采用溅射工艺在上述电子器件2的第二连接部21形成软焊金属层4，当然，也可以采用电镀、化学镀、物理气相沉积(pvd)、化学气相沉积(cvd)或者光刻掩膜等工艺在上述第二连接部21形成软焊金属层4，具体制备工艺本技术不做限制。具体的，上述软焊金属层4的厚度可以为0.5μm～10μm。
70.步骤s102，在基板1的第一连接部12形成镍锥层3，上述镍锥层3的表面为微纳米锥状结构31，如图7b所示；
71.具体的，可以先在基板1的第一连接部12通过电镀或者化学镀的工艺形成一层镍层进行打底，再在上述镍层表面生长微纳米锥状结构31。上述打底用的镍层的厚度可以为0.5μm～5μm，微纳米锥状结构31的高度可以为0.3μm～3μm，微纳米锥状结构31的底部直径可以为0.15μm～1.5μm。制作工艺较为简单，且可以满足连接强度需求。
72.步骤s103，将电子器件2的第二连接部21与基板1的第一连接部12对准，如图7c所示；增加第二连接部21和第一连接部12的温度至第一温度，使第二连接部21的软焊金属层4软化；施加压力使微纳米锥状结构31嵌入软焊金属层4，微纳米锥状结构31与软焊金属层4之间形成金属间化合物，从而形成金属间化合物层5，如图7d所示。
73.具体的，可以在上述电子器件2所在的一侧和基板1所在的一侧分别设置加热台，以使第二连接部21和第一连接部12的温度达到第一温度，该温度下，软焊金属层4可以软化，便于镍锥层3嵌入软焊金属层4内，且有利于生长上述金属间化合物。上述金属间化合物可以充分填充上述微纳米锥状结构31与软焊金属层4之间的间隙，以提高连接可靠性。上述第一温度小于软焊金属层4的熔点，则软焊金属层4不会出现熔融的问题，也就不会导致相邻电极之间由于焊料熔融导致的短路问题。此外，经过发明人多次试验，采用本技术技术方案制备的显示面板的电子器件2与基板1之间连接的可靠性较高，且不易损坏。
74.具体的技术方案中，可以将设置有大量发光二极管的氮化镓基材6与具有驱动电路11的基板1相对，并进行多次施加压力，以使整面氮化镓基材6上的发光二极管的第二连接部21与基板1的第一连接部12接触。由于该方案无需施加过大的压力，因此不会损坏发光二极管，可以进行多次压合，效率较高。该方案将显示面板的制备工艺较为简单，效率较高且成本较低。
75.或者，采用相似的制备工艺，可以在电子器件2的第二连接部21形成镍锥层3，镍锥层3的表面为微纳米锥状结构31；在基板1的第一连接部12形成软焊金属层4；将电子器件2的第二连接部21与基板1的第一连接部12对准；增加第一连接部12和第二连接部21的温度至第一温度，使所述第一连接部12的软焊金属层4软化；施加压力使微纳米锥状结构31嵌入软焊金属层4，微纳米锥状结构31与软焊金属层4之间形成金属间化合物层5；第一温度小于软焊金属层4的熔点。与上述制备流程相似，此处不进行赘述。
76.上述实施例中，步骤：在基板1的第一连接部12形成镍锥层3，镍锥层3的表面为微纳米锥状结构31，还包括：在微纳米锥状结构31表面形成防氧化层。该方案中，可以在镍锥层3的表面形成防氧化层，从而可以保护微纳米锥状结构31不会产生氧化镍，从而提高微纳米锥状结构31与软焊金属层4形成金属间化合物的尺寸，以提高微纳米锥状结构31与软焊金属层4之间连接的可靠性。
77.同样，步骤：在电子器件2的第二连接部21形成镍锥层3，镍锥层3的表面为微纳米锥状结构31，还包括：在微纳米锥状结构31表面形成防氧化层。该方案中，可以在镍锥层3的表面形成防氧化层，从而可以保护微纳米锥状结构31不会产生氧化镍，从而提高微纳米锥状结构31与软焊金属层4形成金属间化合物的尺寸，以提高微纳米锥状结构31与软焊金属层4之间连接的可靠性。
78.此外，为了进一步的提高上述第二连接部21与第一连接部12的连接可靠性，可以将固定于电子器件2的基板1在第二温度下烘烤设定时间，该第二温度小于软焊金属层4的熔点。该方案中，利用第二温度再次烘烤上述固定有电子器件2的基板1，则可以促进镍锥层3与软焊金属层4之间的金属间化合物继续生长，以填充镍锥层3与软焊金属层4之间的间隙，提高电子器件2与基板1之间的连接可靠性。
79.具体的，上述电子器件2除了可以为发光二极管外，还可以为驱动芯片或者微缩型发光二极管，任何需要与基板1进行电连接的结构，均可以采用本技术的技术方案。
80.以上，仅为本技术的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本技术的保护范围之内。因此，本技术的保护范围应以权利要求的保护范围为准。