一种曲面定向超声装置的制作方法

1.本发明涉及屏幕定向发声技术领域，具体涉及一种曲面定向超声装置。


背景技术：

2.随着显示技术的发展，消费者对于显示装置不仅在于画面质量和清晰度的要求，还逐步关注声音的输出效果上，更倾向于青睐能够实现声画合一，将显示画面与播放声音完美融合的显示装置。
3.现有有通过屏幕发声技术实现显示装置的声画合一，其原理是利用振动原件推动屏幕振动发出声音。例如：共振式的屏幕发声方案，是将一个具有振动特性的器件贴在屏幕下方或整机中框上，器件在工作时候产生振动，最终带动屏幕振动发声；又例如：直推式的屏幕发声方案，器件主要由两部分构成，其中一部分直接贴在屏幕上，另一部分固定于中框上，当器件工作时，两部分会产生相互作用的引力或者斥力，由此来推动屏幕振动发声，其相比于共振式的屏幕发声方案，转换效率有提高。
4.随着oled显示技术的发展，曲面屏得到越来越多的应用。从小尺寸领域的手机、显示器到液晶电视，曲面屏在这些方面都有应用。相比主流的平面屏幕显示装置，采用oled技术的曲面显示具有更小厚度、更低功耗。对大尺寸曲面电视而言，由于能够提供更好的环绕式观感，让画面更具纵深层次，为用户提供更具深度的观赏体验，也具有一定的立体视觉效果。
5.也就是说，目前市场对曲面屏的需求越来越明确化。因此，如何使定向超声屏幕实现曲面化，是目前需要解决的问题。


技术实现要素：

6.本发明的目的在于提供一种屏幕曲面化的曲面定向超声装置。
7.为实现上述目的，本发明提出了一种曲面定向超声装置，包括：
8.第一导电结构，包括耐折弯层和设置于所述耐折弯层一面的第一导电层；
9.第二导电结构，包括与耐折弯层相对设置的基板及设置于所述基板靠近第一导电层一面的第二导电层；
10.中间微结构，设置于所述第一导电层和所述第二导电层之间，用于提供所述耐折弯层振动所需的空气间隙。
11.在一优选实施例中，所述耐折弯层包括耐折弯基底层和保护层，所述耐折弯基底层的上下面各设一层所述保护层，所述第一导电层设置其中一层的所述保护层上；或者，所述耐折弯基底层的一面设置所述保护层，另一面设置所述第一导电层。
12.在一优选实施例中，所述耐折弯基底层为厚度为15um～30um的超薄玻璃utg或者为聚酰亚胺cpi膜材，所述保护层为厚度为15um～20um的热塑性聚氨酯弹性体橡胶tpu。
13.在一优选实施例中，所述保护层贴合或涂布于所述耐折弯基底层上。
14.在一优选实施例中，所述装置还包括绝缘层，所述绝缘层设置于所述第一导电层
和所述第二导电层之间，所述中间微结构设置于所述绝缘层上或者设置于所述第一导电层上。
15.在一优选实施例中，所述装置还包括第一边缘走线和第二边缘走线，所述第一边缘走线设置于所述第一导电层上且沿所述第一导电层的外边沿设置，所述第二边缘走线设置于所述绝缘层上且沿所述绝缘层的外边沿设置或者设置于所述第二导电层上且沿所述第二导电层的外边沿设置。
16.在一优选实施例中，所述耐折弯层和所述第一导电层之间还设置有光学补偿层。
17.在一优选实施例中，所述第一导电结构还包括第一边缘走线、绝缘层和第二边缘走线，所述第一边缘走线设置于所述第一导电层上且沿所述第一导电层的外边沿设置，所述绝缘层设置于所述第一导电层上且覆盖所述第一边缘走线，所述第二边缘走线设置于所述绝缘层上且沿所述第一导电层的外边沿设置，所述中间微结构设置于所述绝缘层上，且所述第一导电结构通过第二边缘走线与第二导电结构的第二导电层进行边框贴合。
18.在一优选实施例中，所述第一导电结构还包括第一边缘走线，所述第一边缘走线设置于所述第一导电层上且沿所述第一导电层的外边沿设置，所述第二导电结构还包括第二边缘走线和绝缘层，所述第二边缘走线设置于所述第二导电层上且沿所述第二导电层的外边沿设置，所述绝缘层设置于所述第二导电层上且覆盖所述第二边缘走线。
19.在一优选实施例中，所述第一导电结构还包括第一边缘走线、保护层，所述第一边缘走线设置于所述第一导电层上且沿所述第一导电层的外边沿设置，所述保护层设置于所述第一导电层上且覆盖所述第一边缘走线，所述中间微结构设置于所述保护层上，且所述第一导电结构与第二导电结构的第二导电层进行边框贴合。
20.与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：本发明将静电式超声换能器与曲面屏相结合，且形成多种可替代的方案，使显示器同时具有屏幕定向发声、曲面显示等多种功能，在实现屏幕声频定向，收听私密且避免对周边人员的干扰的同时，又使其实现了曲面功能，相比于直面屏，曲面屏的画面展示的立体感上效果更好，拓展了其应用范围。
附图说明：
21.图1为本发明定向超声触控装置的整体结构示意图；
22.图2为本发明其中一实施例中的整体结构示意图；
23.图3为本发明图3中增加了光学补偿层的整体结构示意图；
24.图4为本发明实施例1的结构示意图；
25.图5为本发明实施例2的结构示意图；
26.图6为本发明实施例3的结构示意图。
27.附图标记为：
28.1/1a/1b/1c、第一导电结构，11/11a/11b/11c、耐折弯层，111/111a/111b/111c、耐折弯基底层，112、保护层，112a/112b/112c、第一保护层，113a/113b/113c、第二保护层，12/12a/12b/12c、第一导电层，13、光学补偿层，2/2a/2b/2c、第二导电结构，21/21a/21b/21c、基板，22/22a/22b/22c、第二导电层，3/3a/3b/3c、中间微结构，4/4a/4b/4c、第一边缘走线，5/5a/5b、绝缘层，6/6a/6b/6c、第二边缘走线。
具体实施方式：
29.下面对本发明的具体实施方式进行详细描述，但应当理解本发明的保护范围并不受具体实施方式的限制。
30.除非另有其它明确表示，否则在整个说明书和权利要求书中，术语“包括”或其变换如“包含”或“包括有”等等将被理解为包括所陈述的元件或组成部分，而并未排除其它元件或其它组成部分。
31.如图1～图3所示，本发明所揭示的一种曲面定向超声装置，包括第一导电结构1、第二导电结构2和中间微结构3，其中，第一导电结构1和第二导电结构2组合构成静电式超声换能器，中间微结构3设置于第一导电结构1和第二导电结构2之间，用于提供第一导电结构1振动所需的空气间隙。该静电式超声换能器发出经音频信号调制后的超声波信号，经空气自解调出可听声，实现装置定向发声。优选地，第一导电结构1和第二导电结构2均可弯折为曲面状，从而实现装置的可曲面化。
32.具体地，实施时，第一导电结构1主要用于响应电信号的施加而振动发声，结合图1所示，其具体包括耐折弯层11和第一导电层12，第一导电层12设置于耐折弯层11的其中一表面上。在其中一实施例中，如图2所示，耐折弯层11具体包括耐折弯基底层111和两层保护层112，其中，耐折弯基底层111可优选采用超薄柔性玻璃utg或者透明聚酰亚胺cpi膜材，超薄柔性玻璃的厚度优选为15um～30um，弯曲角度优选为1～2
°
，弯曲角度越小，说明超薄柔性玻璃的弯曲度越大。透明聚酰亚胺cpi膜材的厚度也优选为15um～30um。两层保护层112分别设置于耐折弯基底层111的上下相对的两表面上，具体可采用贴合式工艺或者涂布式工艺形成于耐折弯基底层111上。若采用涂布式工艺，则保护层的厚度可为15um～20um，优选为15um。贴合式工艺形成的保护层112的厚度则相较于涂布式工艺形成的厚度要厚一点，因为要增加用于贴合的胶层。在该实施例中，第一导电层12设置于其中一保护层112(如设置于耐折弯基底层111的下表面的保护层112)上。在其他实施例中，耐折弯层11也可具体包括耐折弯基底层111和一层保护层112，其中，耐折弯基底层111的描述可参照上述实施例中的描述，这里不做赘述。保护层112设置于耐折弯基底层111的其中一表面上，如设置于耐折弯基底层111的上表面上，耐折弯基底层111的下表面设置第一导电层12。实施时，第一导电层12可采用氧化铟锡(ito)或纳米银，优选采用柔韧性高于氧化铟锡的纳米银。保护层112可采用热塑性聚氨酯弹性体橡胶tpu，其杨氏模量优选为300mpa-1gpa。
33.优选地，如图3所示，在耐折弯层11和第一导电层12之间还可设置光学补偿层13。
34.具体地，第二导电结构2包括基板21和第二导电层22，其中，第二导电层22设置于基板21靠近第一导电层12的一表面上，第二导电层22也可采用氧化铟锡(ito)，方阻优选为40ω以下。
35.本发明所揭示的一种曲面定向超声装置，还包括第一边缘走线4、绝缘层5和第二边缘走线6，其中，第一边缘走线4设置于第一导电层12上且沿第一导电层12的外边沿设置，主要用于将第一导电层12引出。第一边缘走线4可采用导电银浆、导电炭浆、导电胶铜箔或导电带等实现。绝缘层5设置于第一导电层12和第二导电层22之间，主要起绝缘作用。实施时，绝缘层5可以设置于第一导电层12上且覆盖住第一边缘走线4，或者绝缘层5设置于第二导电层22上。绝缘层5的厚度优选为1um-15um，其中低于3um更优。绝缘层5可采用多种工艺实现，主要为丝印工艺，曝光显影工艺，转印工艺，spin旋转涂布工艺，silk coater(丝绸涂
布)工艺或fcs(fieldbus contorl syestem，现场总线控制系统)涂布工艺，uv(紫外线)打印工艺、3d喷印工艺、字符喷印工艺，cvd(化学气相沉积)工艺、pvd(physical vapor deposition)工艺等主流市场工艺路线，以及其他衍生路线。
36.第二边缘走线6设置于绝缘层5和第二导电层22之间，主要用于将第二导电层22引出。在其中一实施例中，第二边缘走线6设置于绝缘层5上且沿绝缘层5的外边沿设置。在另一实施例中，第二边缘走线6直接设置于第二导电层22上且沿第二导电层22的外边沿设置。实施时，第二边缘走线6可采用双面导电胶材质、双面导电铜箔、双面导电有纺布导电胶、双面导电无纺布导电胶或导电银浆中的一种或两种以上的结合。
37.中间微结构3设置于第一导电结构1和第二导电结构2之间，中间微结构3的厚度(即高度)优选为3um-80um之间。其也可以采用多种工艺实现，主要为丝印工艺，曝光显影工艺，转印工艺，spin旋转涂布工艺，silk coater(丝绸涂布)工艺或fcs(fieldbus contorl syestem，现场总线控制系统)涂布工艺，uv(紫外线)打印工艺、3d喷印工艺、字符喷印工艺，cvd(化学气相沉积)工艺、pvd(physical vapor deposition)工艺等主流市场工艺路线，以及其他衍生路线。实施时，中间微结构3可以具体设置于绝缘层5上，或者具体设置于第一导电层12上。
38.下面以几个具体实施例来介绍本发明曲面定向超声装置的具体结构。
39.实施例1
40.如图4所示，本发明实施例1所揭示的一种曲面定向超声装置，包括第一导电结构1a、第二导电结构2a和中间微结构3a，其中，第一导电结构1a具体包括耐折弯层11a、第一导电层12a、第一边缘走线4a、绝缘层5a和第二边缘走线6a，耐折弯层11a具体包括耐折弯基底层111a、第一保护层112a和第二保护层113a，耐折弯基底层111a作为第一导电结构1a的基材，可优选采用超薄柔性玻璃utg或者透明聚酰亚胺cpi膜材，超薄柔性玻璃的厚度优选为15um～30um，弯曲角度优选为1～2
°
。透明聚酰亚胺cpi膜材的厚度也优选为15um～30um。
41.第一保护层112a和第二保护层113a分别设置于耐折弯基底层111a的上下相对的两表面上，具体可采用贴合式工艺或者涂布式工艺形成于耐折弯基底层上。若采用涂布式工艺，则保护层的厚度可为15um～20um，优选为15um。且第一保护层112a和第二保护层113a可采用热塑性聚氨酯弹性体橡胶tpu，其杨氏模量优选为300mpa-1gpa。
42.第一导电层12a设置于第二保护层113a上，实施时，第一导电层12a可采用氧化铟锡(ito)或纳米银，优选采用柔韧性高于氧化铟锡的纳米银。
43.第一边缘走线4a设置于第一导电层12a上且沿第一导电层12a的外边沿设置，主要用于将第一导电层12a引出。本实施例1中，第一边缘走线4a可采用导电银浆、导电炭浆、导电胶铜箔或导电带等实现。
44.绝缘层5a设置于第一导电层112a上且覆盖住第一边缘走线4a，本实施例1中，绝缘层5a的厚度优选为1um-15um，其中低于3um更优。绝缘层5a可采用多种工艺实现，主要为丝印工艺，曝光显影工艺，转印工艺，spin旋转涂布工艺，silk coater(丝绸涂布)工艺或fcs(fieldbus contorl syestem，现场总线控制系统)涂布工艺，uv(紫外线)打印工艺、3d喷印工艺、字符喷印工艺，cvd(化学气相沉积)工艺、pvd(physical vapor deposition)工艺等主流市场工艺路线，以及其他衍生路线。
45.第二边缘走线6a设置于绝缘层5a上且沿绝缘层5a的外边沿设置，用于将第二导电
层22引出。本实施例1中，第二边缘走线6a可采用双面导电胶材质、双面导电铜箔、双面导电有纺布导电胶、双面导电无纺布导电胶或导电银浆中的一种或两种以上的结合。
46.中间微结构3a也设置于绝缘层5a上，具体设置于绝缘层5a除设第二边缘走线6a区域的其他区域内。本实施例1中，中间微结构3a的厚度(即高度)优选为3um-80um之间。其也可以采用多种工艺实现，主要为丝印工艺，曝光显影工艺，转印工艺，spin旋转涂布工艺，silk coater(丝绸涂布)工艺或fcs(fieldbus contorl syestem，现场总线控制系统)涂布工艺，uv(紫外线)打印工艺、3d喷印工艺、字符喷印工艺，cvd(化学气相沉积)工艺、pvd(physical vapor deposition)工艺等主流市场工艺路线，以及其他衍生路线。
47.在本实施例1中，第二导电结构2a具体包括基板21a和第二导电层22a，基板21a为透明材质，如为但不限于为可弯折的玻璃。第二导电层22a设置于基板21a的其中一表面上。实施时，第二导电层22a也可采用氧化铟锡(ito)或纳米银，优选采用柔韧性高于氧化铟锡的纳米银。工艺方式为涂布或溅镀，且其方阻越低越好，优选40ω以下且与第一导电层112a方阻保持一致。
48.在该实施例1中，上述第二导电结构2a无需做表面处理，第一导电结构1a为一体化设计，直接将第一导电结构1a和第二导电结构2a直接贴合即可，本实施例中具体是将第一导电结构1a的绝缘层5a通过第二边缘走线6a与第二导电结构2a的第二导电层22a进行边框贴合。在将第一导电结构1a和第二导电结构2a贴合前，保持第一导电结构1a和第二导电结构2a均处于平面状态，贴合时采用曲面贴合设备进行贴合，曲面度根据实际需要情况而定。
49.实施例2
50.如图5所示，本发明实施例2所揭示的一种曲面定向超声装置，包括第一导电结构1b、第二导电结构2b和中间微结构3b，其中，第一导电结构1b具体包括耐折弯层11b、光学补偿层13、第一导电层12b和第一边缘走线4b，其中，耐折弯层11b具体包括耐折弯基底层111b、第一保护层112b和第二保护层113b，耐折弯基底层111b作为第一导电结构1b的基材，可优选采用超薄柔性玻璃utg或者透明聚酰亚胺cpi膜材，超薄柔性玻璃的厚度优选为15um～30um，弯曲角度优选为1～2
°
。透明聚酰亚胺cpi膜材的厚度也优选为15um～30um。
51.第一保护层112b和第二保护层113b分别设置于耐折弯基底层111b的上下相对的两表面上，具体可采用贴合式工艺或者涂布式工艺形成于耐折弯基底层上。若采用涂布式工艺，则保护层的厚度可为15um～20um，优选为15um。且第一保护层112b和第二保护层113b可采用热塑性聚氨酯弹性体橡胶tpu，其杨氏模量优选为300mpa-1gpa。
52.光学补偿层13设置于第二保护层113b上，在实施例1中也可以在第二保护层113b和第一导电层12b之间设置光学补偿层13。第一导电层12b设置于光学补偿层13上，实施时，第一导电层12b可采用氧化铟锡(ito)或纳米银，优选采用柔韧性高于氧化铟锡的纳米银。
53.第一边缘走线4b设置于第一导电层12b上且沿第一导电层12b的外边沿设置，主要用于将第一导电层12b引出。本实施例2中，第一边缘走线4b可采用导电银浆、导电炭浆、导电胶铜箔或导电带等实现。
54.中间微结构3b设置于第一导电层12b上，具体设置于第一导电层12b除设第一边缘走线4b区域的其他区域内。本实施例2中，中间微结构3b的厚度(即高度)优选为3um-80um之间。其也可以采用多种工艺实现，主要为丝印工艺，曝光显影工艺，转印工艺，spin旋转涂布工艺，silk coater(丝绸涂布)工艺或fcs(fieldbus contorl syestem，现场总线控制系
统)涂布工艺，uv(紫外线)打印工艺、3d喷印工艺、字符喷印工艺，cvd(化学气相沉积)工艺、pvd(physical vapor deposition)工艺等主流市场工艺路线，以及其他衍生路线。
55.在本实施例2中，第二导电结构2b具体包括基板21b、第二导电层22b、第二边缘走线6b和绝缘层5b，基板21b为透明材质，如为但不限于为可弯折的玻璃。第二导电层22b设置于基板21b的其中一表面上。实施时，第二导电层22b也可采用氧化铟锡(ito)或纳米银，优选采用柔韧性高于氧化铟锡的纳米银。工艺方式为涂布或溅镀，且其方阻越低越好，优选40ω以下且与第一导电层12b方阻保持一致。
56.第二边缘走线6b设置于第二导电层22b上且沿第二导电层22b的外边沿设置，用于将第二导电层22b引出。本实施例2中，第二边缘走线6b可采用双面导电胶材质、双面导电铜箔、双面导电有纺布导电胶、双面导电无纺布导电胶或导电银浆中的一种或两种以上的结合。
57.绝缘层5b设置于第二导电层22b上且覆盖住第二边缘走线6b，本实施例2中，绝缘层5b的厚度优选为1um-15um，其中低于3um更优。绝缘层5b可采用多种工艺实现，主要为丝印工艺，曝光显影工艺，转印工艺，spin旋转涂布工艺，silk coater(丝绸涂布)工艺或fcs(fieldbus contorl syestem，现场总线控制系统)涂布工艺，uv(紫外线)打印工艺、3d喷印工艺、字符喷印工艺，cvd(化学气相沉积)工艺、pvd(physical vapor deposition)工艺等主流市场工艺路线，以及其他衍生路线。
58.该实施例2与实施例1不同的是，第二边缘走线6b和绝缘层5b设置到基板上，所以在该实施例中，第一导电结构1b和第二导电结构2b贴合时，具体是将第一导电结构1b的第一导电层12b通过第一边缘走线4b与第二导电结构2b的绝缘层5b进行边框贴合。在将第一导电结构1b和第二导电结构2b贴合前，保持第一导电结构1b和第二导电结构2b均处于平面状态，贴合时采用曲面贴合设备进行贴合，曲面度根据实际需要情况而定。
59.实施例3
60.如图6所示，本发明实施例3所揭示的一种曲面定向超声装置，包括第一导电结构1c、第二导电结构2c和中间微结构3c，其中，第一导电结构1c具体包括耐折弯层11c、第一导电层12c、第一边缘走线4c、第二保护层113c和第二边缘走线6c，耐折弯层11c具体包括耐折弯基底层111c、第一保护层112c，耐折弯基底层111c作为第一导电结构1c的基材，可优选采用超薄柔性玻璃utg或者透明聚酰亚胺cpi膜材，超薄柔性玻璃的厚度优选为15um～30um，弯曲角度优选为1～2
°
。透明聚酰亚胺cpi膜材的厚度也优选为15um～30um。
61.第一保护层112c设置于耐折弯基底层111c的上表面上，具体可采用贴合式工艺或者涂布式工艺形成于耐折弯基底层111c上。若采用涂布式工艺，则保护层的厚度可为15um～20um，优选为15um。且第一保护层112c可采用热塑性聚氨酯弹性体橡胶tpu，其杨氏模量优选为300mpa-1gpa。
62.第一导电层12c设置于耐折弯基底层111c的下表面上，实施时，第一导电层12c可采用氧化铟锡(ito)或纳米银，优选采用柔韧性高于氧化铟锡的纳米银。
63.第一边缘走线4c设置于第一导电层12c上且沿第一导电层12c的外边沿设置，主要用于将第一导电层12c引出。本实施例3中，第一边缘走线4c可采用导电银浆、导电炭浆、导电胶铜箔或导电带等实现。
64.第二保护层113c设置于第一导电层12c上且覆盖住第一边缘走线4c，本实施例3
中，第二保护层113c具体也可采用贴合式工艺或者涂布式工艺形成于第一导电层12c上。若采用涂布式工艺，则保护层的厚度可为15um～20um，优选为15um。且第二保护层113c也可采用热塑性聚氨酯弹性体橡胶tpu，其杨氏模量优选为300mpa-1gpa。本实施例中，第二保护层113c既作为保护层又作为绝缘层，即同时起到保护和电绝缘的作用。
65.本实施例3中，第二边缘走线6c设置于第二保护层113c上且沿第二保护层113c的外边沿设置，用于将第二导电层22c引出。本实施例3中，第二边缘走线6c可采用双面导电胶材质、双面导电铜箔、双面导电有纺布导电胶、双面导电无纺布导电胶或导电银浆中的一种或两种以上的结合。
66.中间微结构3c也设置于第二保护层113c上，具体设置于第二保护层113c除设第二边缘走线6c区域的其他区域内。本实施例3中，中间微结构3c的厚度(即高度)优选为3um-80um之间。其也可以采用多种工艺实现，主要为丝印工艺，曝光显影工艺，转印工艺，spin旋转涂布工艺，silk coater(丝绸涂布)工艺或fcs(fieldbus contorl syestem，现场总线控制系统)涂布工艺，uv(紫外线)打印工艺、3d喷印工艺、字符喷印工艺，cvd(化学气相沉积)工艺、pvd(physical vapor deposition)工艺等主流市场工艺路线，以及其他衍生路线。
67.与实施例1相同，在本实施例3中，第二导电结构2c也具体包括基板21c和第二导电层22c，基板21c为透明材质，如为但不限于为可弯折的玻璃。第二导电层22c设置于基板21c的其中一表面上。实施时，第二导电层22c也可采用氧化铟锡(ito)或纳米银，优选采用柔韧性高于氧化铟锡的纳米银。工艺方式为涂布或溅镀，且其方阻越低越好，优选40ω以下且与第一导电层12c方阻保持一致。
68.在其他可替换实施例中，上述第二边缘走线6c也可以设置于第二导电结构2c上，如具体可设置于第二导电层12c的外边沿上。中间微结构3c也可以设置在第二导电结构2c上，如具体可设置于第二导电层12c的除外边沿区域的其他区域上。
69.该实施例3与实施例1不同的是，第一导电层12c是直接设置在耐折弯基底层111c上的，第二保护层113c设置在第一导电层12c上，第二边缘走线6c和中间微结构3c设置在第二保护层113c上。另外，与实施例1相同的是，该实施例中第二导电结构2c也无需做表面处理，第一导电结构1c为一体化设计，直接将第一导电结构1c和第二导电结构2c直接贴合即可，本实施例中具体是将第一导电结构1c的第二保护层113c通过第二边缘走线6c与第二导电结构2c的第二导电层22c进行边框贴合。在将第一导电结构1c和第二导电结构2c贴合前，保持第一导电结构1c和第二导电结构2c均处于平面状态，贴合时采用曲面贴合设备进行贴合，曲面度根据实际需要情况而定。
70.本发明的优点在于，本发明将静电式超声换能器与曲面屏相结合，且形成多种可替代的方案，使显示器同时具有屏幕定向发声、显示及触控等多种功能，在实现屏幕声频定向，收听私密且避免对周边人员的干扰的同时，又使其实现了曲面功能，相比于直面屏，曲面屏的画面展示的立体感上效果更好，拓展了其应用范围。
71.前述对本发明的具体示例性实施方案的描述是为了说明和例证的目的。这些描述并非想将本发明限定为所公开的精确形式，并且很显然，根据上述教导，可以进行很多改变和变化。对示例性实施例进行选择和描述的目的在于解释本发明的特定原理及其实际应用，从而使得本领域的技术人员能够实现并利用本发明的各种不同的示例性实施方案以及各种不同的选择和改变。本发明的范围意在由权利要求书及其等同形式所限定。