SAW滤波器及双工器、芯片的晶圆测试结构及芯片制造方法与流程

技术特征：
1.一种芯片的晶圆测试结构，其特征在于，包括晶圆和测试功能区；所述晶圆包括多个芯片，所述芯片包括多个测试压焊点，所述芯片之间包括划片道；所述测试功能区与一个或多个所述芯片的测试压焊点电连接；所述测试功能区包括相互连接的端部和中间部，所述端部设置于所述芯片上，所述中间部设置于所述划片道上。2.根据权利要求1所述的晶圆测试结构，其特征在于，所述测试功能区的端部宽度为0.02-0.2mm，所述中间部的宽度为0.02-0.1mm；优选的，所述端部宽度为所述测试功能区宽度的10-50％。3.根据权利要求1所述的晶圆测试结构，其特征在于，所述划片道的宽度为0.02-0.1mm；优选的，所述测试功能区与所述芯片的其他电路部分无任何物理或电学接触，其中，所述其他电路部分包括所述测试压焊点以外的电路及元器件。4.根据权利要求1所述的晶圆测试结构，其特征在于，所述测试功能区通过金属薄膜电路电连接所述测试压焊点。5.根据权利要求4所述的晶圆测试结构，其特征在于，所述薄膜电路的材质包括铜、铝、金以及锡中的一种或两种以上的组合，所述薄膜电路材质的制备方法包括电镀、化学镀、磁控溅射以及蒸镀中的一种或两种以上的组合。6.根据权利要求1-5中任一项所述的晶圆测试结构，其特征在于，所述划片道包括纵向划片道和横向划片道，全部所述测试功能区的中间部设置于所述纵向划片道或横向划片道上。7.根据权利要求6所述的晶圆测试结构，其特征在于，所述测试功能区的长度为0.1-0.5mm。8.根据权利要求1-5中任一项所述的晶圆测试结构，其特征在于，所述测试功能区与其相邻的多个所述芯片电连接。9.一种芯片的制造方法，其特征在于，包括：提供权利要求1-8中任一项所述的晶圆测试结构；沿划片道将所述晶圆测试结构分切为独立的saw滤波器及双工器芯片，同时，每个芯片上残留的测试功能区对芯片功能无影响。10.一种saw滤波器及双工器，其特征在于，包括权利要求9所述的制造方法制造的saw滤波器及双工器芯片。

技术总结
本发明公开了一种SAW滤波器及双工器、芯片的晶圆测试结构及芯片制造方法。所述晶圆测试结构包括：晶圆和测试功能区；所述晶圆包括多个芯片，所述芯片包括多个测试压焊点，所述芯片之间包括划片道；所述测试功能区与一个或多个所述芯片的测试压焊点电连接；所述测试功能区的端部设置于所述芯片上，中间部设置于所述划片道上，并且所述测试功能区不影响所述芯片的功能。本发明所提供的SAW滤波器及双工器芯片的晶圆测试结构避免了测试划痕对后续植球可靠性造成的影响，提高了凸点键合力和可靠性，进一步地提高了SAW滤波器及双工器芯片的良率和可靠性；测试功能区部分位于芯片上，使得划片道不至于过宽，提高了晶圆的集成密度，降低了芯片的制造成本。降低了芯片的制造成本。降低了芯片的制造成本。


技术研发人员：周冲
受保护的技术使用者：南京宙讯微电子科技有限公司
技术研发日：2021.12.29
技术公布日：2022/4/8