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一种手机外壳绝缘电阻膜层碳化铬硅镀膜工艺的制作方法

2022-04-09 02:32:33 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种手机外壳绝缘电阻膜层碳化铬硅镀膜工艺,其特征在于,包括以下工艺步骤:s110、将手机外壳放入镀膜室内,通过转架对手机外壳固定,设定转架转速为10-12hz,抽真空并对加热,设置加热温度为150-250℃,本底真空镀压强设定为1.0*10(-2)pa;s120、对手机外壳进行离子轰击刻蚀,向镀膜室同时通入保护气体氩气与反应气体乙炔,在中频溅射过程中溅射形成的铬硅层电离出的离子与乙炔电离出的碳离子发生反应生成碳化铬与碳化硅,反应过程中,镀膜室压强为1.0-6.5pa,时间设定为30-90s,ar流量设定为60-170,偏压电源产生的柱弧靶靶电流为60-160安培,利用离化的ar 对基底表面进行刻蚀,最终在手机外壳表面形成致密的ti膜层;s130、镀膜室内的氩气压强保持在2.0-6.5pa,ar流量设定为100-250,时间设定为3-70m,通过偏压电源产生的四组圆柱靶靶电流对手机壳表面进行crsi膜层镀膜,四组圆柱靶靶电流设定值均为21-31安培,调节氩气压强保持在3.0-6.5pa,ar流量设定为200-350,时间设定为5-60m,反应气体乙炔通入量为120-560,通过偏压电源产生的另外四组圆柱靶靶电流对手机壳表面进行crsic膜层镀膜,另外四组靶靶电流设定值分别为13.5-23.5安培、11.5-21.5安培、13.5-23.5安培和15-25安培;s140、通过烘干箱对手机外壳和膜层进行加热烘干;s150、使用电子测厚仪对手机外壳表面膜层厚度进行检测。2.根据权利要求1所述的一种手机外壳绝缘电阻膜层碳化铬硅镀膜工艺,其特征在于:所述使用超神波清洗装置对手机外壳进行清洗,镀膜室的内腔底面固定设置有耐高温伺服电机,所述伺服电机的输出轴端焊接有转架,所述转架的上表面铰接有限位框架,所述限位框架的侧壁中部开设有螺纹孔,所述转架的侧壁通过轴承活动安装有螺栓,将手机外壳放置在转架的上表面后转动限位框架将手机外壳的外壁挤压固定,通过伺服电机传动手机外壳进行转动。3.根据权利要求1所述的一种手机外壳绝缘电阻膜层碳化铬硅镀膜工艺,其特征在于:所述烘干箱的内腔底面设置有电动转盘,将手机外壳放置在电动转盘上,启动电动转盘带动手机外壳转动,同时启动烘干箱对手机外壳进行加热烘干,升温速度保持在5-8℃/min,一小时后可以达到380℃。4.根据权利要求1所述的一种手机外壳绝缘电阻膜层碳化铬硅镀膜工艺,其特征在于:所述每道涂层及最终涂层须用电子测厚仪进行膜厚度的检测,膜厚不足时须按要求进行补涂到规定的干膜厚度,干膜厚度2.5-5.5μm,湿膜11-16μm。5.根据权利要求1所述的一种手机外壳绝缘电阻膜层碳化铬硅镀膜工艺,其特征在于:所述设置偏压电源占空比为30-50%,负电压60-100v,ar流量设定范围为100-200,时间控制为70m,四组圆柱靶靶电流对手机壳表面进行crsi膜层镀膜沉积。6.根据权利要求1所述的一种手机外壳绝缘电阻膜层碳化铬硅镀膜工艺,其特征在于:所述离子轰击刻蚀的偏压电源设置为占空比为30-70%,负电压100-300v,ar流量控制范围分别为60-100和130-170。

技术总结
本发明涉及手机外壳镀膜技术领域,且公开了一种手机外壳绝缘电阻膜层碳化铬硅镀膜工艺,将手机外壳放入镀膜室内,通过转架对手机外壳固定,设定转架转速为10-12Hz,抽真空并对加热,设置加热温度为150-250℃,本底真空镀压强设定为1.0*10(-2)Pa。该手机外壳绝缘电阻膜层碳化铬硅镀膜工艺使用时,通过设置向镀膜室通入氩气并保持压强在2.0-6.5Pa,Ar流量设定为100-350,时间设定为3-70M,通过偏压电源产生的四组圆柱靶靶电流对手机壳表面进行CrSi/CrSiC膜层镀膜,能够有效降低摩擦系数、增强了镀层的使用性能、稳定性高,避免了传统的镀层存在摩擦系数偏高(摩擦系数均大于0.6)而降低镀层使用性能的问题。镀层使用性能的问题。镀层使用性能的问题。


技术研发人员:贾建国
受保护的技术使用者:昆山英利悦电子有限公司
技术研发日:2021.12.10
技术公布日:2022/4/8
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