一种激光器芯片的有机金属气相沉积设备的子载盘结构的制作方法

1.本发明涉及激光器芯片技术领域，且公开一种激光器芯片的有机金属气相沉积设备的子载盘结构。


背景技术：

2.金属有机物化学气相沉积技术集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多学科为一体，是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的高端半导体材料、光电子专用设备，在使用到此设备时，常常会用到载片盘，以便对部分芯片的生产。
3.气相沉积设备是制造一些半导体及芯片的设备，而在使用过程中，由于其工作环境为温度较高的状态，其内部的子载盘可能会出现变形的现象，可能会脱离其工作位置，影响了此设备的正常使用，于是，有鉴于此，针对现有的结构及缺失予以研究改良，提供一种激光器芯片的有机金属气相沉积设备的子载盘结构，以期达到更具有更加实用价值性的目的。


技术实现要素：

4.为了解决上述技术问题，本发明提供一种激光器芯片的有机金属气相沉积设备的子载盘结构，由以下具体技术手段所达成：
5.一种激光器芯片的有机金属气相沉积设备的子载盘结构，包括反应机构、支撑机构，所述反应机构的外表面固定连接有支撑座，所述支撑座的内部固定连接有载片盘，所述支撑座的内部固定连接有反应腔体。
6.进一步的，所述支撑机构包括连接座，所述连接座的侧表面固定连接有冷却座。
7.进一步的，还包括扶持机构，所述扶持机构包括进风腔体，所述进风腔体的内部活动连接有滑动座，所述滑动座的侧表面活动连接有活塞杆，所述活塞杆的内部活动连接有伸展簧，所述活塞杆的外表面转动连接有推动杆，所述推动杆的另一端活动连接有移动柱，所述移动柱的一端活动连接有拉伸簧，所述移动柱的一端活动连接有减压架，所述减压架的侧表面活动连接有缓冲簧，所述减压架的侧表面活动连接有扶持座。
8.进一步的，还包括调节机构，所述调节机构包括输送管道，所述输送管道的另一端贯穿在集风座的内部，所述集风座的内部活动连接有送风管，所述集风座的外表面活动连接有压缩管。
9.进一步的，所述载片盘的外表面活动连接有防护套。
10.进一步的，所述支撑机构活动连接在反应机构的内部，所述扶持机构活动连接在反应机构的内部，所述调节机构活动连接在扶持机构的表面。
11.与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：
12.1、该激光器芯片的有机金属气相沉积设备的子载盘结构，通过活塞杆在压缩伸展簧的同时并带动推动杆发生转动，推动杆会同时带动其另一端的移动柱移动，使移动柱在拉动拉伸簧的同时并压缩减压架，之后会带动扶持座向靠近载片盘的一侧移动，且两侧的
扶持座会向靠近载片盘的外侧移动，两侧的扶持座会抵压在载片盘的外侧，以便维持此载片盘的正确位置，避免因为温度过高出现载片盘出现变形的现象，确保了此气相沉积设备的正常使用。
13.2、该激光器芯片的有机金属气相沉积设备的子载盘结构，通过在进风腔体有气体通入的过程中，部分气体也会通过输送管道进入到集风座的内部，之后反应气体会处于集风座的内部，且部分气体会进入到压缩管的内部，由于气体处于集风座内部，能够间接的使气体反应更加均匀，为激光器芯片的生产带来了便捷性。
附图说明
14.图1是本发明支撑座正视剖面结构示意图；
15.图2是本发明连接座部分结构示意图；
16.图3是图1中a处的放大图；
17.图4是本发明扶持机构部分结构示意图；
18.图5是本发明调节机构部分结构示意图。
19.图中：1、反应机构；2、支撑机构；3、支撑座；4、载片盘；5、反应腔体；6、连接座；7、冷却座；8、扶持机构；9、进风腔体；10、滑动座；11、活塞杆；12、伸展簧；13、推动杆；14、移动柱；15、拉伸簧；16、减压架；17、缓冲簧；18、扶持座；19、调节机构；20、输送管道；21、集风座；22、送风管；23、压缩管。
具体实施方式
20.以下结合附图对本发明做进一步描述：
21.具体实施方式一：
22.如附图1至附图4所示：
23.一种激光器芯片的有机金属气相沉积设备的子载盘结构，包括反应机构1、支撑机构2，反应机构1的外表面固定连接有支撑座3，支撑座3的内部固定连接有载片盘4，支撑座3的内部固定连接有反应腔体5。
24.支撑机构2包括连接座6，连接座6的侧表面固定连接有冷却座7。
25.扶持机构8包括进风腔体9，进风腔体9的内部活动连接有滑动座10，滑动座10的侧表面活动连接有活塞杆11，活塞杆11的内部活动连接有伸展簧12，活塞杆11的外表面转动连接有推动杆13，推动杆13的另一端活动连接有移动柱14，移动柱14的一端活动连接有拉伸簧15，移动柱14的一端活动连接有减压架16，减压架16的侧表面活动连接有缓冲簧17，减压架16的侧表面活动连接有扶持座18。
26.随着进风腔体9内部的气体增多，其内部的压强也会增大，进而其内部的滑动座10会发生移动，且滑动座10会带动其表面的活塞杆11进行移动，使活塞杆11在压缩伸展簧12的同时并带动推动杆13发生转动，推动杆13会同时带动其另一端的移动柱14移动，使移动柱14在拉动拉伸簧15的同时并压缩减压架16，之后会带动扶持座18向靠近载片盘4的一侧移动，且两侧的扶持座18会向靠近载片盘4的外侧移动，两侧的扶持座18会抵压在载片盘4的外侧，以便维持此载片盘4的正确位置，避免因为温度过高出现载片盘4出现变形的现象。
27.具体实施方式二：
28.如附图4至附图5所示：
29.一种激光器芯片的有机金属气相沉积设备的子载盘结构，包括反应机构1、支撑机构2，反应机构1的外表面固定连接有支撑座3，支撑座3的内部固定连接有载片盘4，支撑座3的内部固定连接有反应腔体5。
30.进一步的，还包括调节机构19，调节机构19包括输送管道20，输送管道20的另一端贯穿在集风座21的内部，集风座21的内部活动连接有送风管22，集风座21的外表面活动连接有压缩管23，支撑机构2活动连接在反应机构1的内部，扶持机构8活动连接在反应机构1的内部，调节机构19活动连接在扶持机构8的表面。
31.在进风腔体9有气体通入的过程中，部分气体也会通过输送管道20进入到集风座21的内部，之后反应气体会处于集风座21的内部，且部分气体会进入到压缩管23的内部，由于气体处于集风座21内部，能够间接的使气体反应更加均匀，为激光器芯片的生产带来了便捷性。
32.具体实施方式三：
33.如附图1至附图5所示：
34.一种激光器芯片的有机金属气相沉积设备的子载盘结构，包括反应机构1、支撑机构2，反应机构1的外表面固定连接有支撑座3，支撑座3的内部固定连接有载片盘4，支撑座3的内部固定连接有反应腔体5。
35.支撑机构2包括连接座6，连接座6的侧表面固定连接有冷却座7，进风腔体9的内部活动连接有滑动座10，滑动座10的侧表面活动连接有活塞杆11，活塞杆11的内部活动连接有伸展簧12，活塞杆11的外表面转动连接有推动杆13，推动杆13的另一端活动连接有移动柱14，移动柱14的一端活动连接有拉伸簧15，移动柱14的一端活动连接有减压架16，减压架16的侧表面活动连接有缓冲簧17，减压架16的侧表面活动连接有扶持座18。
36.随着进风腔体9内部的气体增多，其内部的压强也会增大，进而其内部的滑动座10会发生移动，且滑动座10会带动其表面的活塞杆11进行移动，使活塞杆11在压缩伸展簧12的同时并带动推动杆13发生转动，推动杆13会同时带动其另一端的移动柱14移动，使移动柱14在拉动拉伸簧15的同时并压缩减压架16，之后会带动扶持座18向靠近载片盘4的一侧移动，且两侧的扶持座18会向靠近载片盘4的外侧移动，两侧的扶持座18会抵压在载片盘4的外侧，以便维持此载片盘4的正确位置，避免因为温度过高出现载片盘4出现变形的现象。
37.调节机构19包括输送管道20，输送管道20的另一端贯穿在集风座21的内部，集风座21的内部活动连接有送风管22，集风座21的外表面活动连接有压缩管23，支撑机构2活动连接在反应机构1的内部，扶持机构8活动连接在反应机构1的内部，调节机构19活动连接在扶持机构8的表面，在进风腔体9有气体通入的过程中，部分气体也会通过输送管道20进入到集风座21的内部，之后反应气体会处于集风座21的内部，且部分气体会进入到压缩管23的内部，由于气体处于集风座21内部，能够间接的使气体反应更加均匀，为激光器芯片的生产带来了便捷性。
38.本实施例的具体使用方式与作用：在使用此气相沉积设备时，此载片盘4处于适宜的正常位置，在使用时，反应气体通入到此反应腔体5的内部，且部分气体会通入进风腔体9的内部，随着进风腔体9内部的气体增多，其内部的压强也会增大，进而其内部的滑动座10会发生移动，且滑动座10会带动其表面的活塞杆11进行移动，使活塞杆11在压缩伸展簧12
的同时并带动推动杆13发生转动，推动杆13会同时带动其另一端的移动柱14移动，使移动柱14在拉动拉伸簧15的同时并压缩减压架16，之后会带动扶持座18向靠近载片盘4的一侧移动，且两侧的扶持座18会向靠近载片盘4的外侧移动，两侧的扶持座18会抵压在载片盘4的外侧，以便维持此载片盘4的正确位置，避免因为温度过高出现载片盘4出现变形的现象，确保了此气相沉积设备的正常使用。
39.在进风腔体9有气体通入的过程中，部分气体也会通过输送管道20进入到集风座21的内部，之后反应气体会处于集风座21的内部，且部分气体会进入到压缩管23的内部，由于气体处于集风座21内部，能够间接的使气体反应更加均匀，为激光器芯片的生产带来了便捷性。
40.利用本发明所述技术方案，或本领域的技术人员在本发明技术方案的启发下，设计出类似的技术方案，而达到上述技术效果的，均是落入本发明的保护范围。