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一种高致密ZrB2基超高温陶瓷的高压制备方法与流程

2022-03-26 15:05:04 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种高致密zrb2基超高温陶瓷的高压制备方法,其特征在于:所述制备方法的具体步骤如下:第一步,配料:将zrb2粉末与过渡族金属碳化物(zrc,hfc,tac,sic)粉末按摩尔比1:1~20:1分别进行称量后混合;第二步,混料球磨:zrb2和金属碳化物(zrc,sic,hfc,tac)分别混合后称为混料,将混料与无水乙醇混合制成浆料,混料与乙醇的质量比为1:10~1:20;将浆料倒入不锈钢球磨罐中进行球磨,行星式球磨机转速为200~400rpm,球磨时长为2~4h,得到混合均匀的浆料;第三步,离心干燥:将球磨后的浆料置于离心机,离心转速11000rpm,离心时间5min,离心后去掉上层清液,在温度为100~120℃的恒温鼓风干燥箱内进行干燥,干燥时间15-25min,得到干燥的粉末混料;第四步,模压成型:将干燥的粉末混料模压成圆柱型(直径6~10mm,高4~6mm),成型压力为4~6mpa,成型时间1~3min;第五步,高压烧结:将模压成型的圆柱体置于压机内进行高压烧结,先将压力以每分钟0.2~0.4gpa的升压速率升至2~4gpa;然后将温度以每分钟150~200℃的升温速率升至750~950℃;保温保压时间为10~20min;保温保压结束后卸压取出样品备用;第六步,致密度与烧蚀性能:利用阿基米德法测试上述步骤所制备样品的密度,样品的致密度p通过公式:p=ρ/ρ0×
100%计算得出,其中ρ0为的zrb
2-zrc复合材料的理论密度,ρ为高压制备样品的测量密度;利用1600℃~2000℃的氧-乙炔火焰,对上述步骤制备的样品进行烧蚀,烧蚀时间60s;样品的质量烧蚀率r
m
,根据公式r
m
=(m
2-m1)/(t
·
s)计算得出,其中m1为烧蚀前的样品质量,m2为烧蚀后的质量,t为烧蚀的时间,s为样品的表面积;样品的线烧蚀率r
l
根据公式r
l
=(l
2-l1)/t计算得出,其中l1为烧蚀前的样品厚度,l2为烧蚀后的厚度,t为样品的烧蚀时间。2.根据权利要求1所述的一种高致密zrb2基超高温陶瓷材料的高压制备方法,其特征在于:用于球磨时间2~4h;浆料离心时间5min;浆料干燥时间15-25min;成型时间1~3min;升压时间10min;升温时间5-7min;保温保压时间10~20min。3.一种高致密zrb2基超高温陶瓷材料,其特征在于:所述的zrb2基超高温陶瓷材料是根据权利要求1所述的一种高致密zrb2基超高温陶瓷的高压制备方法所制备:(1)起始原料为zrb2粉末(纯度99.5%)和zrc粉末(纯度99.5%),按照摩尔配比为2:1~16:1称量混料;(2)球磨混料经过干燥和模压成型后,放进两面顶高压压机内,在压力2.9gpa和温度950℃条件下,保温保压10min,降温卸压取出样品备用;(3)zrb2与zrc按摩尔配比2:1制得的zrb
2-zrc陶瓷材料密度为5.97g/cm3,致密度为95.4%;在温度为1600℃的氧乙炔火焰中烧蚀60s后,所得zrb
2-zrc陶瓷材料的质量烧蚀率为0.19mg/(s
·
cm2),线烧蚀率为0.15μm/s;在温度为2000℃的氧乙炔火焰中烧蚀60s后,所得zrb
2-zrc陶瓷材料的质量烧蚀率为0.92mg/(s
·
cm2),线烧蚀率为4.6μm/s;(4)zrb2与zrc按摩尔配比4:1制得的zrb
2-zrc陶瓷材料密度为5.82g/cm3,致密度为93.8%;在温度为1600℃的氧乙炔火焰中烧蚀后,所得zrb
2-zrc陶瓷材料的质量烧蚀率为0.15mg/(s
·
cm2),线烧蚀率为0.19μm/s;(5)zrb2与zrc按摩尔配比8:1制得的zrb
2-zrc陶瓷材料密度为5.87g/cm3,致密度为
95.4%;在温度为1600℃的氧乙炔火焰中烧蚀后,所得zrb
2-zrc陶瓷材料的质量烧蚀率为0.12mg/(s
·
cm2),线烧蚀率为0.19μm/s;(6)zrb2与zrc按摩尔配比16:1制得的zrb
2-zrc陶瓷材料密度为5.85g/cm3,致密度为95.5%;在温度为1600℃的氧乙炔火焰中烧蚀后,所得zrb
2-zrc陶瓷材料的质量烧蚀率为0.28mg/(s
·
cm2),线烧蚀率为0.20μm/s。

技术总结
一种高致密ZrB2基超高温陶瓷的高压制备方法,属于超高温陶瓷材料领域。特别涉及到超高温陶瓷材料的结构和抗烧蚀性能。本发明将ZrB2粉末和金属碳化物粉末分别按摩尔比为1:1~20:1进行称量混料;通过湿磨法对原料进行颗粒细化,将湿磨的浆料进行离心、干燥和模压成型,并在高压条件下进行烧结致密化,烧结压力为2~4GPa,烧结温度为750~950℃,最终制备出高致密ZrB


技术研发人员:丁战辉 杨境 李永峰 姚斌
受保护的技术使用者:吉林大学
技术研发日:2022.01.18
技术公布日:2022/3/25
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