一种陶瓷盆与台面无缝拼接工艺的制作方法

1.本发明涉及台面拼接技术领域，具体为一种陶瓷盆与台面无缝拼接工艺。


背景技术：

2.陶瓷盆在与台面进行拼接的时候，因为陶瓷盆盆上口表面不平整，内侧边不平整，陶瓷盆盆上口与台面拼接处无法达到无缝，陶瓷盆因为生产工艺的原因，每个盆都会存在误差，上口会有高低误差，内侧釉面有高低误差，并且在打磨的时候釉面是无法打磨，容易损坏，从而使得陶瓷盆与台面无缝拼接带来较为困难。


技术实现要素：

3.针对现有技术的不足，本发明提供了一种陶瓷盆与台面无缝拼接工艺，解决了上述背景技术中提出的问题。
4.为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种陶瓷盆与台面无缝拼接工艺，包括以下步骤：s1：首先操作人员先把陶瓷盆放置在工作台上，通过使用夹具，将陶瓷盆固定在工作台上，此时操作人员采用磨平设备，对陶瓷盆进行磨平，直到磨平到陶瓷盆的上口面和盆内侧釉面完全齐平；s2：根据台面的实际需要选择合适的加工方式进行对台面处理；s3：若根据台面的实际需要选择进行薄边加工时，取用两层台面结构，将第二层台面与第一层台面进行贴合，接着与陶瓷盆外径相互贴合，第二层台面贴合在陶瓷盆外侧面，第一层台面贴合在陶瓷盆上口面，或者也可以选择一层台面，通过利用石材加工设备对台面进行铣面，将台面铣薄，接着操作人员将陶瓷盆外径与台面内径相贴合；s4：若根据台面的实际需要厚边时，直接选用一层较厚的台面，接着操作人员将陶瓷盆外径与台面内径相贴合；s5：接着操作人员在陶瓷盆内侧贴上金属保护膜，使得金属保护膜与陶瓷盆上口面平行；s6：最后操作人员手工打磨精修台面突出的部分。
5.可选的，所述s3若根据台面的实际需要选择进行薄边加工时，取用两层台面结构，将第二层台面与第一层台面进行贴合，接着与陶瓷盆外径相互贴合，第二层台面贴合在陶瓷盆外侧面，第一层台面贴合在陶瓷盆上口面，或者也可以选择一层台面，通过利用石材加工设备对台面进行铣面，将台面铣薄，接着操作人员将陶瓷盆外径与台面内径相贴合步骤后，采用专用胶水对台面与陶瓷盆进行粘合，同时使得台面略微突出陶瓷盆一段长度。
6.可选的，所述s4若根据台面的实际需要厚边时，直接选用一层较厚的台面，接着操作人员将陶瓷盆外径与台面内径相贴合的步骤，一层台面与陶瓷盆外径相互贴合后，采用专用胶水对台面与陶瓷盆进行粘合，同时使得台面略微突出陶瓷盆一段长度。
7.可选的，所述 s5接着操作人员在陶瓷盆内侧贴上金属保护膜，使得金属保护膜与
陶瓷盆上口面平行步骤中采用的金属保护膜为不锈钢材质。
8.可选的，所述s3若根据台面的实际需要选择进行薄边加工时，取用两层台面结构，将第二层台面与第一层台面进行贴合，接着与陶瓷盆外径相互贴合，第二层台面贴合在陶瓷盆外侧面，第一层台面贴合在陶瓷盆上口面，或者也可以选择一层台面，通过利用石材加工设备对台面进行铣面，将台面铣薄，接着操作人员将陶瓷盆外径与台面内径相贴合步骤中第一层台面采用较薄的台面，第二层台面采用较为厚实的台面。
9.可选的，所述s6最后操作人员手工打磨精修台面突出的部分步骤完成之后，对陶瓷盆台面进行检查，确保无缝拼接完成。
10.可选的，所述s1首先操作人员先把陶瓷盆放置在工作台上，通过使用夹具，将陶瓷盆固定在工作台上，此时操作人员采用磨平设备，对陶瓷盆进行磨平，直到磨平到陶瓷盆的上口面和盆内侧釉面完全结合步骤中，工作台上设置有四个滑轨，滑轨上设置有云台，云台上设置有夹具，且工作台上四个滑轨之间设置有丝杆固定系统。
11.本发明提供了一种陶瓷盆与台面无缝拼接工艺，具备以下有益效果：1、该陶瓷盆与台面无缝拼接工艺，使用本工艺对陶瓷盆与台面进行拼接时，使得陶瓷盆与台面无缝拼接较为方便，同时还可以根据客户的需要进行对台面进行处理，使得成品可以具有薄边或者厚边效果，同时在对台面突出的部分进行打磨精修前，可以在陶瓷盆内侧贴上金属保护膜，使得打磨时，防止陶瓷盆内壁出现划痕。
12.2、该陶瓷盆与台面无缝拼接工艺，通过在s1步骤前，先将定位轮限位在陶瓷盆的边上，然后沿着磨轮沿着陶瓷盆的内壁走把多余的材料均匀的去掉，从而使得在s1步骤进行打磨时，从而提高了打磨的效率，进一步提高了拼接的效率。
附图说明
13.图1为本发明工作台顶剖视图；图2为本发明工作台俯视图；图3为本发明工作台侧视图；图4为本发明工作台前视图；图5为本发明工作台前剖视图；图6为本发明定位轮与磨轮结构示意图。
14.附图说明：1、定位轮；2、磨轮。
具体实施方式
15.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
实施例
16.请参阅图1至图6，本实施例提供一种技术方案：一种陶瓷盆与台面无缝拼接工艺，包括以下步骤：s1：首先操作人员先把陶瓷盆放置在工作台上，通过使用夹具，将陶瓷盆固定在工作台上，此时操作人员采用磨平设备，对陶瓷盆进行磨平，直到磨平到陶瓷盆的上口面和盆
内侧釉面完全齐平；s2：根据台面的实际需要选择合适的加工方式进行对台面处理；s3：若根据台面的实际需要选择进行薄边加工时，取用两层台面结构，将第二层台面与第一层台面进行贴合，接着与陶瓷盆外径相互贴合，第二层台面贴合在陶瓷盆外侧面，第一层台面贴合在陶瓷盆上口面，或者也可以选择一层台面，通过利用石材加工设备对台面进行铣面，将台面铣薄，接着操作人员将陶瓷盆外径与台面内径相贴合；s4：若根据台面的实际需要厚边时，直接选用一层较厚的台面，接着操作人员将陶瓷盆外径与台面内径相贴合；s5：接着操作人员在陶瓷盆内侧贴上金属保护膜，使得金属保护膜与陶瓷盆上口面平行；s6：最后操作人员手工打磨精修台面突出的部分。
17.本领域技术人员可以理解为，上述实施例提供的一种陶瓷盆与台面无缝拼接工艺，首先操作人员将定位轮1限位在陶瓷盆的边上，然后沿着磨轮2沿着陶瓷盆的内壁走把多余的材料均匀的去掉，操作人员先把陶瓷盆放置在工作台上，通过使用夹具，将陶瓷盆固定在工作台上，此时操作人员采用磨平设备，对陶瓷盆进行磨平，直到磨平到陶瓷盆的上口面和盆内侧釉面完全结合，接着根据客户的实际需要选择合适的加工方式进行对台面处理，若根据台面的实际需要选择进行薄边加工时，取用两层台面结构，将第二层台面与第一层台面进行贴合，接着与陶瓷盆外径相互贴合，然后采用专用胶水对台面与陶瓷盆进行粘合，同时使得台面略微突出陶瓷盆1-3毫米，也可以选择一层台面，操作人员通过利用石材加工设备对台面进行铣面，将台面铣薄，接着操作人员将陶瓷盆外径与台面内径相贴合，采用专用胶水对台面与陶瓷盆进行粘合，同时使得台面略微突出陶瓷盆1-3毫米，若根据台面的实际需要厚边时，直接选用一层较厚的台面，接着操作人员将陶瓷盆外径与台面内径相贴合，然后采用专用胶水对台面与陶瓷盆进行粘合，同时使得台面略微突出陶瓷盆1-3毫米，接着操作人员在陶瓷盆内侧贴上金属保护膜，使得金属保护膜与陶瓷盆上口面平行，最后操作人员手工对台面突出的部分进行打磨精修。
18.进一步，s3若根据台面的实际需要选择进行薄边加工时，取用两层台面结构，将第二层台面与第一层台面进行贴合，接着与陶瓷盆外径相互贴合，第二层台面贴合在陶瓷盆外侧面，第一层台面贴合在陶瓷盆上口面，或者也可以选择一层台面，通过利用石材加工设备对台面进行铣面，将台面铣薄，接着操作人员将陶瓷盆外径与台面内径相贴合步骤后，采用专用胶水对台面与陶瓷盆进行粘合，同时使得台面略微突出陶瓷盆一段长度。
19.本领域技术人员可以理解为，由于台面略微突出陶瓷盆1-3毫米，从使而方便在陶瓷盆内侧贴上金属保护膜，从而使得金属保护膜能够对陶瓷盆内侧进行保护。
20.进一步，s4若根据台面的实际需要厚边时，直接选用一层较厚的台面，接着操作人员将陶瓷盆外径与台面内径相贴合的步骤，一层台面与陶瓷盆外径相互贴合后，采用专用胶水对台面与陶瓷盆进行粘合，同时使得台面略微突出陶瓷盆一段长度。
21.本领域技术人员可以理解为，由于台面略微突出陶瓷盆1-3毫米，从使而方便在陶瓷盆内侧贴上金属保护膜，从而使得金属保护膜能够对陶瓷盆内侧进行保护。
22.进一步， s5接着操作人员在陶瓷盆内侧贴上金属保护膜，使得金属保护膜与陶瓷盆上口面平行步骤中采用的金属保护膜为不锈钢材质。
23.本领域技术人员可以理解为，使得不锈钢材质的金属保护膜能够在对台面突出的部分进行打磨精修时，对陶瓷盆进行保护，防止陶瓷盆上产生划痕。
24.进一步，s3若根据台面的实际需要选择进行薄边加工时，取用两层台面结构，将第二层台面与第一层台面进行贴合，接着与陶瓷盆外径相互贴合，第二层台面贴合在陶瓷盆外侧面，第一层台面贴合在陶瓷盆上口面，或者也可以选择一层台面，通过利用石材加工设备对台面进行铣面，将台面铣薄，接着操作人员将陶瓷盆外径与台面内径相贴合步骤中第一层台面采用较薄的台面，第二层台面采用较为厚实的台面。
25.本领域技术人员可以理解为，这样在成品的时候会产生薄边的效果，从而满足客户对于台面薄边的需求。
26.进一步，s6最后操作人员手工打磨精修台面突出的部分步骤完成之后，对陶瓷盆台面进行检查，确保无缝拼接完成。
27.本领域技术人员可以理解为，在检查出台面有问题时，及时进行修整。
28.进一步，s1首先操作人员先把陶瓷盆放置在工作台上，通过使用夹具，将陶瓷盆固定在工作台上，此时操作人员采用磨平设备，对陶瓷盆进行磨平，直到磨平到陶瓷盆的上口面和盆内侧釉面完全结合步骤中，工作台上设置有四个滑轨，滑轨上设置有云台，云台上设置有夹具，且工作台上四个滑轨之间设置有丝杆固定系统。
29.本领域技术人员可以理解为，可以在进行磨边时，对陶瓷盆进行固定，从而使得打磨时，陶瓷盆不会晃动，从而提高了打磨的效率。
30.以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。