胺化合物和包括其的发光装置的制作方法

技术特征：
1.一种发光装置，包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；以及在所述第一电极和所述第二电极之间且包括发射层的夹层，其中所述发光装置包括由式1表示的胺化合物：式1其中，在式1中，每个a独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的环己基，n1至n4各自独立地为选自0至3的整数，条件是n1 n2 n3 n4≥1，l1至l3、ar1和ar2各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，a1至a3各自独立地为选自0至5的整数，r1和r2各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳硫基、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)或-p(＝o)(q1)(q2)，b1为选自0至3的整数，b2为选自0至4的整数，并且r
10a
为：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；各自未被取代或被以下取代的c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基或c
1-c
60
烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或其任意组合；各自未被取代或被以下取代的c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基或c
6-c
60
芳硫
基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或其任意组合；或-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)，其中q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
各自独立地为氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；c
1-c
60
烷基；c
2-c
60
烯基；c
2-c
60
炔基；c
1-c
60
烷氧基；或者各自未被取代或被以下取代的c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基：氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任意组合。2.如权利要求1所述的发光装置，其中：所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，所述夹层进一步包括所述第一电极和所述发射层之间的空穴传输区以及所述发射层和所述第二电极之间的电子传输区，所述空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合，并且所述电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。3.如权利要求2所述的发光装置，其中所述空穴传输区包括所述由式1表示的胺化合物。4.如权利要求2所述的发光装置，其中所述空穴传输区包括选自所述空穴注入层和所述空穴传输层中的至少一个，并且选自所述空穴注入层和所述空穴传输层中的至少一个包括所述由式1表示的胺化合物。5.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层包括所述由式1表示的胺化合物。6.如权利要求5所述的发光装置，其中所述发射层包括主体和掺杂剂，所述发射层中所述主体的含量大于所述掺杂剂的含量，并且所述主体包括所述由式1表示的胺化合物。7.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发光装置进一步包括位于所述第一电极外侧的第一封盖层和位于所述第二电极外侧的第二封盖层，并且选自所述第一封盖层和所述第二封盖层中的至少一个在589纳米的波长处具有1.6或更高的折射率。8.如权利要求1所述的发光装置，进一步包括：第一封盖层，所述第一封盖层位于所述第一电极外侧且包括所述由式1表示的胺化合物；第二封盖层，所述第二封盖层位于所述第二电极外侧且包括所述由式1表示的胺化合物；或所述第一封盖层和所述第二封盖层。9.一种由式1表示的胺化合物：式1
其中，在式1中，每个a独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的环己基，n1至n4各自独立地为选自0至3的整数，条件是n1 n2 n3 n4≥1，l1至l3、ar1和ar2各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，a1至a3各自独立地为选自0至5的整数，r1和r2各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳硫基、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)或-p(＝o)(q1)(q2)，b1为选自0至3的整数，b2为选自0至4的整数，并且r
10a
为：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；各自未被取代或被以下取代的c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基或c
1-c
60
烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或其任意组合；各自未被取代或被以下取代的c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基或c
6-c
60
芳硫基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或其任意组合；或-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)，其中q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
各自独立地为氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基；氰
基；硝基；c
1-c
60
烷基；c
2-c
60
烯基；c
2-c
60
炔基；c
1-c
60
烷氧基；或者各自未被取代或被以下取代的c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基：氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任意组合。10.如权利要求9所述的胺化合物，其中，在式1中，n1 n2 n3 n4为1、2或3。11.如权利要求9所述的胺化合物，其中，n4为0，且n1 n2 n3为1、2或3。12.如权利要求9所述的胺化合物，其中式1中的l1至l3各自独立地为各自未被取代或被以下取代的苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、螺-苯并芴-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、芘基、1,2-苯并菲基、并四苯基、苉基、苝基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、噻咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、苯并噻咯基、二苯并噻咯基、喹啉基、异喹啉基、苯并咪唑基、咪唑并吡啶基或咪唑并嘧啶基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、螺-苯并芴-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、芘基、1,2-苯并菲基、并四苯基、苉基、苝基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、噻咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、苯并噻咯基、二苯并噻咯基、喹啉基、异喹啉基、苯并咪唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)、-p(＝o)(q
31
)(q
32
)或其任意组合，其中q
31
至q
33
各自独立地为c
1-c
10
烷基、c
1-c
10
烷氧基、苯基、被氰基取代的苯基、联苯基、三联苯基或萘基。13.如权利要求9所述的胺化合物，其中a1至a3各自独立地为0或1。14.如权利要求9所述的胺化合物，其中式1中的ar1和ar2各自独立地为各自未被取代或被以下取代的环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、螺-环戊烷-芴基、螺-环己烷-芴基、螺-芴-苯并芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、噻咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、吲哚基、异吲哚基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、氮杂芴基、氮杂螺-二芴基、氮杂咔唑基、二氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并噻咯基、咪唑并吡啶基或咪唑并嘧啶基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c
1-c
20
烷基、被至少一个苯基取代的c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、螺-环戊烷-芴基、螺-环己烷-芴基、螺-芴-苯并芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、噻咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、吲哚基、异吲哚基、喹
啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、氮杂芴基、氮杂螺-二芴基、氮杂咔唑基、二氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并噻咯基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)、-p(＝o)(q
31
)(q
32
)或其任意组合，其中q
31
至q
33
各自独立地为c
1-c
10
烷基、c
1-c
10
烷氧基、苯基、被氰基取代的苯基、联苯基、三联苯基或萘基。15.如权利要求9所述的胺化合物，其中式1中的ar1和ar2中的至少一个为未取代的或被r
10a
取代的富π电子的c
3-c
60
环状基团。16.如权利要求9所述的胺化合物，其中在式1中，*-ar
1-(a)
n1
由式2-1a至式2-1d中的一个表示，且*-ar
2-(a)
n2
由式2-2a至式2-2d中的一个表示：其中在式2-1a至式2-1d和式2-2a至式2-2d中，x1为o、s、c[r
11-(a)
n12
][r
12-(a)
n13
]或si[r
11-(a)
n12
][r
12-(a)
n13
]，x2为o、s、c[r
21-(a)
n22
][r
22-(a)
n23
]或si[r
21-(a)
n22
][r
22-(a)
n23
]，r3至r6各自通过权利要求9中提供的对r
10a
的描述来限定，b3和b5各自独立地为选自0至3的整数，b4和b6各自独立地为选自0至4的整数，b7为选自0至7的整数，r
11
、r
12
、r
21
和r
22
各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳氧基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳硫基，n11至n13和n21至n23各自独立地为0、1、2或3，在式2-1a中，当x1为o或s时，n11＝n1，且当x1为c[r
11-(a)
n12
][r
12-(a)
n13
]或si[r
11-(a)
n12
][r
12-(a)
n13
]时，n11 n12 n13＝n1，在式2-2a中，当x2为o或s时，n21＝n2，且当x2为c[r
21-(a)
n22
][r
22-(a)
n23
]或si[r
21-(a)
n22
][r
22-(a)
n23
]时，n21 n22 n23＝n2，并且*指示与相邻原子的结合位点。
17.如权利要求9所述的胺化合物，其中式1中的*-ar
1-(a)
n1
和*-ar
2-(a)
n2
各自独立地由式6-1至式6-52中的一个表示：
其中，在式6-1至式6-52中，ph表示苯基，并且*指示与相邻原子的结合位点。18.如权利要求9所述的胺化合物，其中，在式1中，r1和r2各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；各自未被取代或被以下取代的c
1-c
20
烷基或c
1-c
20
烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、氰基、苯基、联苯基或其任意组合；各自未被取代或被以下取代的环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、螺-环戊烷-芴基、螺-环己烷-芴基、螺-芴-苯并芴基、苯并芴基、二苯并芴基、芘基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、噻咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、吲哚基、异吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、噁唑并吡啶基、噻唑并吡啶基、苯并萘啶基、氮杂芴基、氮杂螺-二芴基、氮杂咔唑基、二氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基或氮杂二苯并噻咯基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、螺-环戊烷-芴基、螺-环己烷-芴基、螺-芴-苯并芴基、苯并芴基、二苯并芴基、芘基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、噻咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、吲哚基、异吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、噁唑并吡啶基、噻唑并吡啶基、苯并萘啶基、氮杂
芴基、氮杂螺-二芴基、氮杂咔唑基、二氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并噻咯基或其任意组合；或-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)或-b(q1)(q2)，其中q1至q3各自独立地为c
1-c
10
烷基、c
1-c
10
烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基。19.如权利要求9所述的胺化合物，其中所述胺化合物由式1-1至式1-4中的一个表示：其中，在式1-1至式1-4中，a、n1至n4、l1至l3、a1至a3、ar1、ar2、r1、r2、b1和b2分别通过权利要求9中对a、n1至n4、l1至l3、a1至a3、ar1、ar2、r1、r2、b1和b2的描述来限定。20.如权利要求9所述的胺化合物，其中所述胺化合物选自化合物1至168：

技术总结
提供了由式1表示的胺化合物和包括胺化合物的发光装置。发光装置包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；以及在第一电极和第二电极之间且包括发射层的夹层，其中发光装置包括由式1表示的胺化合物。式1表示的胺化合物。式1表示的胺化合物。


技术研发人员：金珉知 韩相铉 金东俊 朴韩圭 郑恩在 赵素嬉
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：2021.07.06
技术公布日：2022/2/23