半导体结构的形成方法及半导体结构与流程

技术特征：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体基底，所述半导体基底中至少包括分立的导电层；在所述半导体基底上形成分立排布的支撑结构，所述支撑结构之间包括电容开口；在所述支撑结构的侧壁形成下电极，所述下电极电连接所述导电层；形成覆盖所述支撑结构顶部、所述下电极侧壁和所述电容开口底部的电容介质层；形成覆盖所述电容介质层的上电极，以构成电容结构。2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，在所述半导体基底上形成分立排布的支撑结构的步骤包括：在所述半导体基底上形成支撑层；图形化所述支撑层形成所述电容开口，剩余的所述支撑层构成所述支撑结构。3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，所述电容开口至少暴露出每个分立的所述导电层的部分顶部表面。4.根据权利要求1或3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括如下步骤：在形成所述支撑结构的步骤之前还包括：在所述半导体基底上形成底部导电层，所述底部导电层电连接所述导电层；形成所述支撑结构的步骤包括：在所述底部导电层上形成分立排布的所述支撑结构；形成所述下电极后且形成所述电容介质层前，还包括以下步骤：刻蚀去除所述电容开口底部暴露出的所述底部导电层。5.根据权利要求1或2中所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述支撑结构为依次堆叠形成的堆叠结构。6.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述堆叠结构包括依次堆叠形成的底支撑层和填充层。7.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，图形化所述支撑层形成多个分立的所述电容开口的步骤包括：在所述支撑层上依次形成掩膜层和图形化的光刻胶层；基于所述光刻胶层，图形化所述掩膜层；基于图形化后的所述掩膜层，刻蚀所述支撑层形成所述电容开口。8.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述支撑结构的侧壁形成电连接一所述导电层的下电极的步骤包括：在所述支撑结构顶部和侧壁以及所述电容开口底部形成顶导电层；去除位于所述支撑结构顶部以及所述电容开口底部的所述顶导电层，形成位于所述支撑结构侧壁的下电极。9.根据权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述去除位于所述支撑结构顶部的所述顶导电层的方式包括化学机械研磨。10.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成覆盖所述电容介质层的上电极的步骤包括：形成覆盖所述电容介质层的第一导电层；形成填充所述第一导电层之间间隙的第二导电层，所述第二导电层顶部表面与位于所述支撑结构上的所述第一导电层的顶部表面平行，且所述第二导电层顶部表面的高度高于
位于所述支撑结构上的所述第一导电层顶部表面的高度。11.根据权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成填充所述第一导电层之间间隙的第二导电层包括以下步骤：形成填充所述第一导电层之间间隙的第二导电膜，所述第二导电膜顶部表面的高度高于位于所述支撑结构上的所述第一导电层顶部表面的高度；对所述第二导电膜顶部表面进行化学机械研磨处理，以形成所述第二导电层。12.一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体基底，所述半导体基底中至少包括分立的导电层；多个分立的支撑结构，位于所述半导体基底上；以及通过所述支撑结构支撑的电容结构，所述电容结构包括：下电极，位于所述支撑结构的侧壁，且电连接所述导电层；电容介质层，位于所述支撑结构顶部、所述下电极侧壁和所述支撑结构之间的间隙底部；上电极，位于所述电容介质层上。13.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述支撑结构之间的间隙至少暴露出每个分立的所述导电层的部分顶部表面；所述下电极用于连接暴露出的分立的导电层的顶部表面。14.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述上电极包括：第一导电层，位于所述电容介质层上；第二导电层，填充所述第一导电层之间间隙，且所述第二导电层顶部表面的高度高于位于所述支撑结构上的第一导电层顶部表面的高度。15.根据权利要求12或13所述的半导体结构，其特征在于，还包括：底部导电层，位于所述半导体基底和所述支撑结构之间，用于电连接所述导电层和所述下电极。

技术总结
本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构，其中，半导体结构的形成方法包括：提供半导体基底，半导体基底中至少包括分立的导电层；在半导体基底上形成分立排布的支撑结构，支撑结构之间包括电容开口；在支撑结构的侧壁形成下电极，下电极电连接导电层；形成覆盖支撑结构顶部、下电极侧壁和电容开口底部的电容介质层；形成覆盖电容介质层的上电极，以构成电容结构。本发明实施例通过形成稳定的支撑结构以形成稳定柱状电容，提高了形成的电容结构的深宽比，且形成的电容结构稳定不易倒塌，提高了半导体结构的良率。提高了半导体结构的良率。提高了半导体结构的良率。


技术研发人员：王凌翔
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2020.08.13
技术公布日：2022/2/23