一种新型高可靠性非接触引线框架的制作方法

技术特征：
1.一种新型高可靠性非接触引线框架，所述非接触引线框架包括载带，所述载带包括芯片承载区域(1)及多个芯片焊线区域(2)，所述芯片焊线区域(2)位于所述芯片承载区域(1)的四周，其特征在于，所述芯片承载区域(1)上布置有若干密集分布的凹坑(3)，且所述芯片承载区域(1)的布置凹坑(3)的区域尺寸大于所述芯片承载区域(1)上粘接的芯片的尺寸，所述芯片承载区域(1)及所述芯片焊线区域(2)在两者相对的边上均间隔设置有成对的多组收缩口(4)，以使得所述芯片承载区域(1)的内沿与所述芯片焊线区域(2)的外沿在所述收缩口处的间距变大。2.根据权利要求1所述的新型高可靠性非接触引线框架，其特征在于，所述凹坑设置为立方体型结构的凹陷，立方体型结构的边长设置为为0.018-0.022mm。3.根据权利要求1所述的新型高可靠性非接触引线框架，其特征在于，所述凹坑设置为半球状型结构的凹陷，半球状型结构的半径为0.018-0.022mm。4.根据权利要求1所述的新型高可靠性非接触引线框架，其特征在于，所述凹坑设置为开口窄、底部宽的梯形结构。5.根据权利要求1所述的新型高可靠性非接触引线框架，其特征在于，所述芯片焊线区域(2)包括上半部分与下半部分，所述芯片焊线区域(2)的上半部分的内沿为半弧形线条，半弧形线条正对所述芯片承载区域(1)的上横边及位于上横边两侧的竖边的至少一部分，对应的，所述芯片焊线区域(2)的下半部分的内沿为半弧形线条，半弧形线条正对所述芯片承载区域(1)的下横边及位于下横边两侧的竖边的至少一部分，所述芯片承载区域(1)上半部分与下半部分各自包括三个收缩口(4)，其中一个收缩口位于所述芯片承载区域(1)的上横边或下横边中心，另外两个收缩口位于上横边或下横边的两端。6.根据权利要求5所述的新型高可靠性非接触引线框架，其特征在于，所述收缩口为弧形收缩口。7.根据权利要求6所述的新型高可靠性非接触引线框架，其特征在于，所述弧形收缩口的半径r设置为：r＝l/[(e g)v/2]；其中，l为所述芯片承载区域(1)的上横边或下横边的相邻两个收缩口之间的间距，e为载带材料的弹性模量，g为载带材料的切变模量，v为泊松比。8.根据权利要求1所述的新型高可靠性非接触引线框架，其特征在于，在将所述芯片塑封于所述芯片承载区域(1)上之后，所述芯片承载区域(1)的超过所述芯片尺寸的非粘接区域填充有塑封料。9.根据权利要求1所述的新型高可靠性非接触引线框架，其特征在于，所述芯片承载区域(1)与所述芯片焊线区域(2)表面设置有阶梯状结构。

技术总结
本申请属于智能卡封装技术领域，特别涉及一种新型高可靠性非接触引线框架。非接触引线框架包括载带，载带包括芯片承载区域及多个芯片焊线区域，芯片焊线区域位于芯片承载区域的四周，芯片承载区域上布置有若干密集分布的凹坑，且芯片承载区域的布置凹坑的区域尺寸大于芯片承载区域上粘接的芯片的尺寸，芯片承载区域及芯片焊线区域在两者相对的边上均间隔设置有成对的多组收缩口，以使得芯片承载区域的内沿与芯片焊线区域的外沿在所述收缩口处的间距变大。本申请提高了冲压时载带的耐受力，保证了非接触载带的表面平整度，增加了芯片粘接强度以及模块剥离强度，使封装模块的机械性能更强，性能更加稳定可靠。性能更加稳定可靠。性能更加稳定可靠。


技术研发人员：周峥 张刚 江永 印泽庆 张致伟
受保护的技术使用者：中电智能卡有限责任公司
技术研发日：2021.11.05
技术公布日：2022/2/8