有机发光晶体管及发光面板的制作方法

1.本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种有机发光晶体管及发光面板。


背景技术：

2.有机发光晶体管(organic light-emitting transistor，简称olet)是一种集成了有机场效应晶体管(organic field-effect transistor，简称ofet)的开关功能和有机发光二极管(organic light-emitting diode，简称oled)的发光功能的器件。olet具有结构简单、轻薄、易于微型化、制备工艺成熟等优点，成为了未来显示技术的发展趋势之一。但是，因为olet中载流子的复合率较低，导致olet的复合区域较小，从而存在发光区域窄的问题。


技术实现要素：

3.本公开实施例提供一种有机发光晶体管及发光面板，以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。
4.作为本公开实施例的第一方面，本公开实施例提供一种有机发光晶体管，包括：
5.基底；
6.第一栅极，位于基底的一侧；
7.第二栅极，位于第一栅极背离基底的一侧；
8.发光功能层，位于第二栅极背离基底的一侧，第一栅极和第二栅极在基底上的正投影覆盖发光功能层在基底上的正投影；
9.源极，位于发光功能层背离基底的一侧；
10.漏极，位于发光功能层背离基底的一侧；
11.其中，第一栅极和第二栅极在基底上的正投影覆盖源极在基底上的正投影，且覆盖漏极在基底上的正投影；第二栅极在基底上的正投影覆盖源极和漏极中的一个在基底上的正投影。
12.在一种实施方式中，发光功能层包括：
13.第一传输层，位于第二栅极背离基底的一侧，第一栅极和第二栅极在基底上的正投影覆盖第一传输层在基底上的正投影；
14.第二传输层，位于第一传输层背离基底的一侧，第二传输层在基底上的正投影与第二栅极在基底上的正投影重叠；
15.其中，第一传输层为空穴传输层，第二传输层为电子传输层；或者，第一传输层为电子传输层，第二传输层为空穴传输层。
16.在一种实施方式中，电子传输层的厚度范围为15nm～50nm，空穴传输层的厚度范围为10nm～30nm。
17.在一种实施方式中，发光功能层还包括：发光层，位于第一传输层与第二传输层之间，发光层在基底上的正投影与第二传输层在基底上的正投影重叠。
18.在一种实施方式中，第一栅极在基底上的正投影覆盖第二栅极在基底上的正投影。
19.在一种实施方式中，第一栅极在基底上的正投影与第二栅极在基底上的正投影部分重叠。
20.在一种实施方式中，第二栅极在基底上的正投影位于第一栅极在基底上的正投影范围外。
21.在一种实施方式中，第一栅极用于输入第一电压，第二栅极用于输入第二电压，第一电压与第二电压的极性相反。
22.在一种实施方式中，源极和漏极的厚度范围为8nm～90nm。
23.作为本公开实施例的第二方面，本公开实施例提供一种发光面板，包括多个上述任一种实施方式的有机发光晶体管。
24.作为本公开实施例的第三方面，本公开实施例提供一种有机发光晶体管的制备方法，包括：
25.在基底的一侧依次形成第一栅极、第二栅极和发光功能层；其中，第一栅极和第二栅极在基底上的正投影覆盖发光功能层在基底上的正投影；
26.在发光功能层背离基底的一侧分别形成源极和漏极；其中，第一栅极和第二栅极在基底上的正投影覆盖源极在基底上的正投影，且覆盖漏极在基底上的正投影；第二栅极在基底上的正投影覆盖源极和漏极中的一个在基底上的正投影。
27.在一种实施方式中，形成发光功能层包括：
28.在第二栅极背离基底的一侧依次形成第一传输层、发光层和第二传输层；
29.其中，第一栅极和第二栅极在基底上的正投影覆盖第一传输层在基底上的正投影；第二栅极在基底上的正投影覆盖第二传输层在基底上的正投影；发光层在基底上的正投影与第二传输层在基底上的正投影重叠；
30.第一传输层为空穴传输层，第二传输层为电子传输层；或者，第一传输层为电子传输层，第二传输层为空穴传输层。
31.本公开实施例的有机发光晶体管，通过控制向第一栅极和第二栅极中的其中一个栅极输入的负电压，向第一栅极和第二栅极中的另一个栅极输入的正电压，以及向源极和漏极之间施加的正向电压，可分别控制空穴和电子的注入量，使得发光功能层中的空穴数量和电子数量可控，便于通过同时增加发光功能层中的空穴数量和电子数量来提高载流子的复合率，有利于扩大有机发光晶体管的复合区域，从而拓宽其发光区域，例如将线发光区域扩大为面发光区域(发光区域在基底上的正投影为一个面)，改善有机发光晶体管的光学效率。再者，本公开实施例的有机发光晶体管的双栅极结构能单独控制空穴数量和电子数量，还便于对空穴数量和电子数量进行平衡，更有利于提高有机发光晶体管的eqe，进而提高发光效率。
32.上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本公开进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。
附图说明
33.在附图中，除非另外规定，否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解，这些附图仅描绘了根据本公开公开的一些实施方式，而不应将其视为是对本公开范围的限制。
34.图1a示出相关技术的第一示例的有机发光晶体管的电气连接示意图；
35.图1b示出相关技术的第二示例的有机发光晶体管的电气连接示意图；
36.图2示出本公开第一实施例的有机发光晶体管的结构示意图；
37.图3a示出本公开第二实施例的有机发光晶体管的结构示意图；
38.图3b示出本公开第二实施例的有机发光晶体管的电气连接示意图；
39.图4示出本公开第三实施例的有机发光晶体管的结构示意图；
40.图5示出本公开第四实施例的有机发光晶体管的结构示意图。
具体实施方式
41.在下文中，仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样，在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。
42.如图1a和图1b所示，相关技术中，有机发光晶体管100的结构包括基底(图中未示出)，依次层叠设置于基底一侧的栅极110、绝缘层120和发光功能层130，位于发光功能层130背离基底一侧的源极140和漏极150。其中，有机发光晶体管100通过在栅极110与源极140之间施加偏压以及在源极140和漏极150之间施加横向电压，可以控制电子或空穴的注入量，图中“ ”表示空穴，“—”表示电子。
43.在第一示例中，如图1a所示，在栅极110与源极140之间施加的正向偏压(栅极110接电源va的正极、源极140接电源va的负极)大于有机发光晶体管100的导通阈值电压，且源极140与漏极150之间施加的横向电压为正向电压(源极140接电源vb的正极、漏极150接电源vb的负极)的情况下，电子从漏极150注入发光功能层130，空穴从源极140注入发光功能层130。在正向偏压的作用下，电子在发光功能层130中积累，空穴在发光功能层130与源极140相对的区域积累，且电子数量大于空穴数量，有机发光晶体管100的电荷传输主要表现为电子传输。在横向电压的作用下，电子向源极140运动并在发光功能层130靠近源极140的区域与空穴复合产生光子，使得发光功能层130靠近源极140的区域发光。
44.在第二示例中，如图1b所示，在栅极110与源极140之间施加负向偏压(栅极110接电源的负极、源极140接电源的正极)小于有机发光晶体管100的导通阈值电压，且源极140与漏极150之间施加的横向电压为正向电压的情况下，电子从漏极150注入发光功能层130，空穴从源极140注入发光功能层130。在负向偏压的作用下，空穴在发光功能层130中积累，电子在发光功能层130与漏极150相对的区域积累，且空穴数量大于电子数量，有机发光晶体管100的电荷传输主要表现为空穴传输。在横向电压的作用下，空穴向漏极150运动并在发光功能层130靠近漏极150的区域与电子复合产生光子，使得发光功能层130靠近漏极150的区域发光。
45.上述第一示例和第二示例通过在栅极110与源极140之间施加偏压和横向电压来控制载流子(包括电子和空穴)的数量，例如增加电子数量或空穴数量，载流子在横向电压
作用下运动产生较大的电流，提高了有机发光晶体管100的发光亮度。但是，由于电子数量与空穴数量不平衡，使得电子与空穴的复合率较低，导致有机发光晶体管100的复合区域较小，存在发光区域窄(例如发光区域在基底上的正投影为一条线)的问题；并且，有机发光晶体管100的外量子效率(external quantum efficiency，简称eqe)较低，致使有机发光晶体管100的发光效率低。
46.为解决上述技术问题，本公开实施例提供一种有机发光晶体管。
47.图2示出根据本公开第一实施例的有机发光晶体管200的结构示意图。如图2所示，该有机发光晶体管200可以包括：基底210、第一栅极220、第二栅极230、发光功能层240、源极250和漏极260。
48.基底210的材质可以是聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate，简称pet)、聚醚砜(polyethersulfone，简称pes)、聚碳酸酯(polycarbonate，简称pc)等合成树脂，也可以是玻璃或硅片。其中，在制备双面出光的有机发光晶体管时，基底210可以选用玻璃；在制备单面出光的有机发光晶体管时，基底210可以选用硅片。
49.第一栅极220位于基底210的一侧，第二栅极230位于第一栅极220背离基底210的一侧。第一栅极220和第二栅极230的材质可以是氧化铟锡(indium tin oxide，简称ito)等透明导电材料，也可以是硅(si)等透明半导体材料，以便光线朝向基底210方向出射。
50.发光功能层240位于第二栅极230背离基底210的一侧，第一栅极220和第二栅极230在基底210上的正投影覆盖发光功能层240在基底210上的正投影。
51.源极250位于发光功能层240背离基底210的一侧，漏极260位于发光功能层240背离基底210的一侧。
52.第一栅极220和第二栅极230在基底210上的正投影覆盖源极250在基底210上的正投影，且覆盖漏极260在基底210上的正投影；第二栅极230在基底210上的正投影覆盖源极250和漏极260中的一个在基底210上的正投影。
53.示例性地，以第二栅极230在基底210上的正投影覆盖漏极260在基底210上的正投影为例。在第一栅极220输入负电压，第二栅极230输入正电压，以使有机发光晶体管200导通，且在源极250与漏极260之间施加横向电压的情况下，空穴从源极250注入发光功能层240，电子从漏极260注入发光功能层240，其中，横向电压为正向电压(源极250接电源v1的正极、漏极260接电源v1的负极)。空穴在第一栅极220输入的负电压作用下积累在发光功能层240的第一部分240a，漏极260电子在第二栅极230输入的正电压作用下积累在发光功能层240的第二部分240b，发光功能层240的第一部分240a在基底210上的正投影位于第一栅极220在基底210上的正投影内且位于第二栅极230在基底210上的正投影外，发光功能层240的第二部分240b在基底210上正投影与第二栅极230在基底210上的正投影重叠。并且，在横向电压的作用下，电子向漏极260运动，空穴向源极250运动，这样空穴与电子在发光功能层240的沟道区域复合产生光子。空穴的注入量可通过向第一栅极220输入的负电压以及向源极250与漏极260之间施加的横向电压控制，电子的注入量可通过向第二栅极230输入的正电压以及向源极250与漏极260之间施加的横向电压控制。例如，在负电压、正电压和横向电压均位于各自的可调电压范围内的情况下，当横向电压不变时，向负极性增大或减小负电压，可对应增加或减小空穴的注入量，向正极性增大或减小正电压，可对应增加或减少电子的注入量；当将负电压和正电压不变时，增加横向电压，可增加空穴和电子的注入量，
减小横向电压，可减少空穴和电子的注入量。可以理解的，第二栅极230在基底210上的正投影覆盖源极250在基底210上的正投影的方案中，源极250与漏极260的位置与图2中的位置对调，且源极250接电源v1的负极，漏极260接电源v1的正极，该示例中电子与空穴的复合过程和注入量控制可参考上述示例，在此不赘述。为了便于描述，下文中的实施例均以第二栅极230在基底210上的正投影覆盖漏极260在基底210上的正投影为例进行描述。
54.相关技术中，由于有机发光晶体管100的复合区域较小，导致其发光区域窄、发光效率低。
55.本公开实施例的有机发光晶体管200，通过控制向第一栅极220和第二栅极230中的其中一个栅极输入的负电压，向第一栅极220和第二栅极230中的另一个栅极输入的正电压，以及向源极250和漏极260之间施加的正向电压，可分别控制空穴和电子的注入量，使得发光功能层240中的空穴数量和电子数量可控，便于通过同时增加发光功能层240中的空穴数量和电子数量来提高载流子的复合率，有利于扩大有机发光晶体管200的复合区域，从而拓宽其发光区域，例如将线发光区域扩大为面发光区域(发光区域在基底210上的正投影为一个面)，改善有机发光晶体管200的光学效率。再者，本公开实施例的有机发光晶体管200的双栅极结构能单独控制空穴数量和电子数量，还便于对空穴数量和电子数量进行平衡，更有利于提高有机发光晶体管200的eqe，进而提高发光效率。
56.需要说明的是，相关技术中基本通过增加偏压和横向电压来提高载流子的迁移率，从而增加载流子的复合率，提高有机发光晶体管100的发光效率。但是，这种方式又导致有机发光晶体管100的工作电压较高，缩短了使用寿命。本公开实施例的有机发光晶体管200利用双栅极结构来控制空穴和电子的注入量，可以在较低的工作电压下向发光功能层240注入较多的载流子来增加载流子的复合率，有助于延长其使用寿命。
57.图3a示出根据本公开实施例的第二实施例的有机发光晶体管200的结构示意图。如图3a所示，该有机发光晶体管200的发光功能层240可以包括：第一传输层241和第二传输层242。
58.第一传输层241位于第二栅极230背离基底210的一侧，第一栅极220和第二栅极230在基底210上的正投影覆盖第一传输层241在基底210上的正投影。
59.第二传输层242位于第一传输层241背离基底210的一侧，第二传输层242在基底210上的正投影与第二栅极230在基底210上的正投影与重叠。
60.示例性地，请参考图3b所示，在第一栅极220输入负电压，第二栅极230输入正电压，源极250与漏极260之间施加的横向电压为正向电压的情况下，空穴从源极250注入第一传输层241，电子从漏极260注入第二传输层242。空穴在负电压作用下积累在第一传输层241的第一部分241a，并在横向电压的作用下向漏极260运动，第一传输层241的第一部分241a在基底210上的正投影与第一栅极220在基底210上的正投影重叠且位于第二栅极230在基底210上的正投影外；电子在正电压的作用下积累在第二传输层242，并向源极250运动。这样空穴和电子在第一传输层241的第二部分241b与第二传输层242的交界处复合产生光子(可参考图3b省略发光层243的结构)。可以理解的，在第一栅极220输入正电压，第二栅极230输入负电压，源极250与漏极260之间施加的横向电压为负向电压的情况下，则电子从源极250注入第一传输层241，空穴从漏极260注入第二传输层242，电子和空穴的复合过程和注入量控制可参考上述示例，在此不赘述。
61.可选地，第一传输层241为空穴传输层(hole transport layer，简称htl)，第二传输层242为电子传输层(electron transport layer，简称etl)；或者，第一传输层241为电子传输层，第二传输层242为空穴传输层。空穴传输层和电子传输层的位置可以根据实际需要进行对调，本公开实施例空穴传输层和电子传输层的位置不作限制。
62.在一种实施方式中，电子传输层的厚度范围为15nm～50nm，空穴传输层的厚度范围为10nm～30nm。示例性地，电子传输层的厚度范围为介于15nm～50nm(包括端点值)之间的任意值，例如电子传输层的厚度为15nm、20nm、25nm、
…
、50nm中的任一数值。空穴传输层的厚度范围为介于10nm～30nm(包括端点值)之间的任意值，例如空穴传输层的厚度为10nm、15nm、20nm、
…
、30nm中的任一数值。
63.在一种实施方式中，发光功能层240还包括发光层243(emitting layer，简称eml)，发光层243位于第一传输层241与第二传输层242之间，发光层243在基底210上的正投影与第二传输层242在基底210上的正投影重叠。例如，在第一传输层241为空穴传输层，第二传输层242为电子传输层的情况下，注入空穴传输层的空穴在横向电压的作用下向漏极260运动，注入电子传输层的电子在横向电压的作用下向源极250运动，空穴与电子在发光层243中相遇并复合产生光子。示例性地，发光层243的厚度范围为30nm～60nm(包括端点值)，例如发光层243的厚度为30nm、35nm、
…
、60nm中的任一数值。
64.在一种实施方式中，如图3a和图3b所示，第一栅极220在基底210上的正投影覆盖第二栅极230在基底210上的正投影。例如，第二栅极230在基底210上的正投影位于第一栅极220在基底210上的正投影范围内，则第二栅极230可以对第一栅极220上输入的电压进行屏蔽，避免第一栅极220上输入的电压影响从漏极260注入的电子或空穴的注入量。其中，第一栅极220和第二栅极230的厚度范围为5nm～10nm(包括端点值)，例如，第一栅极220和第二栅极230的厚度为5nm、6nm、
…
、10nm中的任一数值。
65.相应的，在本实施方式中，有机发光晶体管200还可以包括位于第一栅金属层与第二栅金属层之间的第一绝缘层310以及位于第一绝缘层310与发光功能层240之间的第二绝缘层320；其中，第一绝缘层310在基底210上的正投影和第二绝缘层320在基底210上的正投影均与第一栅极220在基底210上的正投影重叠。
66.其中，第一绝缘层310的厚度范围为100nm～500nm(包括端点值)。例如，第一绝缘层310的厚度为100nm、150nm、200nm、
…
、500nm中的任一数值。第二绝缘层320包括第一部分320a和第二部分320b，第二绝缘层320的第一部分320a的正投影位于第一栅极220在基底210上的正投影范围内，且位于第二栅极230在基底210上的正投影范围外，第二绝缘层320的第二部分320b在基底210上的正投影与第二栅极230在基底210上的正投影重叠；第二绝缘层320的第一部分320a的厚度大于第二部分320b的厚度，第二部分320b的厚度范围为200nm～500nm(包括端点值)。例如，第二部分320b的厚度为200nm、250nm、300nm、
…
、500nm等。
67.在一种实施方式中，如图4所示，第一栅极220在基底210上的正投影与第二栅极230在基底210上的正投影部分重叠。例如，第一栅极220包括第一部分220a和第二部分220b，第一栅极220的第一部分220a在基底210上的正投影位于第二栅极230在基底210上的正投影范围外，第一栅极220的第二部分220b在基底210上的正投影位于第二栅极230在基底210上的正投影的范围内，第二栅极230可以对第一栅极220的第二部分220b上输入的电
压进行屏蔽。
68.相应的，在本实施方式中，有机发光晶体管200包括位于基底210与第二栅极230之间的第一绝缘层410以及位于第一绝缘层410与发光功能层240之间的第二绝缘层420，其中，第一绝缘层410在基底210上的正投影和第二绝缘层420在基底210上的正投影均与第一栅极220在基底210上的正投影重叠。
69.在一种实施方式中，如图5所示，第二栅极230在基底210上的正投影位于第一栅极220在基底210上的正投影范围外。第二栅极230在基底210上的正投影与第一栅极220在基底210上的正投影不重叠，第二栅极230无需对第一栅极220上输入的电压进行屏蔽。相应的，有机发光晶体管200包括位于基底210与第二栅极230之间的第一绝缘层510以及位于第一绝缘层510与发光功能层240之间的第二绝缘层520，其中，第一绝缘层510在基底210上的正投影和第二绝缘层520在基底210上的正投影均与第一栅极220在基底210上的正投影重叠。
70.上述第一绝缘层310、410、510和第二绝缘层320、420、520的材质可以是氧化锌(al2o3)、氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio2)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate，简称pmma)和聚乙烯醇(polyvinyl alcohol，pva)中的一种。第一绝缘层410、510和第二绝缘层420、520的厚度范围可以参考图3a中第二绝缘层320，在此不赘述。
71.在一种实施方式中，第一栅极220用于输入第一电压，第二栅极230用于输入第二电压，第一电压与第二电压的极性相反。例如，第一栅极220输入正电压，第二栅极230输入负电压；或者，第一栅极220输入正电压，第二栅极230输入负电压，只要第一栅极220和第二栅极230中的其中一个栅极输入的电压能够控制电子的注入量，第一栅极220和第二栅极230中的另一个栅极输入的电压能够控制空穴的注入量即可。
72.在一种实施方式中，源极250和漏极260的厚度范围为8nm～90nm(包括端点值)。例如，源极250和漏极260的厚度为8nm、10nm、15nm、20nm、
…
、90nm。源极250和漏极260的材质包括氟化锂(lif)、金(au)、银(ag)、铝(al)、镁(mg)、氧化铟锡(ito)、三氧化钼(moo3)、和石墨烯中的一种。源极250和漏极260的材质可以相同，比如，源极250和漏极260的材质均为氟化锂、金、或铝；源极250和漏极260的材质可以不同，比如源极250的材质为金、三氧化钼或石墨烯，漏极260的材质为氟化锂或铝。
73.优选地，综合考虑源极250和漏极260的功函数、导电性以及透光性，可以选用金制作源极250和漏极260，并使其厚度范围为8nm～10nm。
74.相关技术中，源极140和漏极150的厚度通常远远大于90nm，其厚度较厚，透光性能较差，使得源极140和漏极150遮挡了发光区域，缩小了发光区域的面积。相较于相关技术，本公开实施例的有机发光晶体管200中的源极250和漏极260的厚度较薄或材质为透明材质，具有良好的透光性，从而源极250和漏极260不会遮挡发光区域，使得光线可以从源极250和漏极260出射，增大了发光区域的面积，提高了发光效率。
75.需要说明的是，在第一栅极220和第二栅极230的材质为透明材质且源极250和漏极260具有良好的透光性时，则有机发光晶体管200双面出光；在第一栅极220和第二栅极230的材质不透明或源极250和漏极260不透光性时，则有机发光晶体管200单面出光。
76.本公开实施还提供一种发光面板，包括阵列排布的多个上述任一种实施方式的有机发光晶体管200。由于有机发光晶体管200具有较大的发光区域和较高的发光效率，可有
效提高发光面板的开口率。
77.示例性地，该发光面板可以作为显示面板装配于显示装置中，也可以作为光源装配于显示装置中。其中，该显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、可穿戴显示设备等任何具有显示功能的产品或部件。此外，该发光面板还可以作为发光光源使用在照明产品中。
78.上述实施例的有机发光晶体管200及发光面板的其他构成可以采用于本领域普通技术人员现在和未来知悉的各种技术方案，这里不再详细描述。
79.为解决上述技术问题，本公开实施例还提供一种有机发光晶体管的制备方法。请参考图3a，该制备方法可以包括：
80.步骤s610、在基底210的一侧依次形成第一栅极220、第二栅极230和发光功能层240；其中，第一栅极220和第二栅极230在基底210上的正投影覆盖发光功能层240在基底210上的正投影。
81.示例性地，步骤s610可以包括：在基底210的一侧形成第一栅极薄膜，并对第一栅极薄膜进行刻蚀，形成第一栅极220；采用化学气相沉积工艺(chemical vapor deposition，简称cvd)在基底210设置有第一栅极220的一侧形成第一绝缘层310；采用蒸镀工艺在第一绝缘层310背离基底210的一侧形成第二栅极230；采用蒸镀工艺在第一绝缘层310设置有第二栅极230的一侧形成第二绝缘层320；采用蒸镀工艺在第二绝缘层320背离基底210的一侧形成发光功能层240。
82.步骤s620、在发光功能层240背离基底210的一侧分别形成源极250和漏极260；其中，第一栅极220和第二栅极230在基底210上的正投影覆盖源极250在基底210上的正投影，且覆盖漏极260在基底210上的正投影；第二栅极230在基底210上的正投影覆盖源极250和漏极260中的一个在基底210上的正投影。在一个示例中，步骤s620可以包括：在发光功能层240背离基底210的一侧设置掩模板；采用蒸镀工艺或磁控溅射工艺在发光功能层240背离基底210的一侧同时形成源极250和漏极260。这样使用一张掩模板可以同时蒸镀形成源极250和漏极260，降低了工艺难度。
83.在一种实施方式中，形成发光功能层240可以包括：在第二栅极230背离基底210的一侧依次形成第一传输层241、发光层243和第二传输层242。其中，第一传输层241、发光层243和第二传输层242可以采用蒸镀工艺或磁控溅射工艺形成。第一栅极220和第二栅极230在基底210上的正投影覆盖第一传输层241在基底210上的正投影；第二栅极230在基底210上的正投影覆盖第二传输层242在基底210上的正投影；发光层243在基底210上的正投影与第二传输层242在基底210上的正投影重叠。第一传输层241为空穴传输层，第二传输层242为电子传输层；或者，第一传输层241为电子传输层，第二传输层242为空穴传输层。
84.在制备有机发光晶体管200的过程中，其各层结构的厚度范围可以参考前文的实施例，在此不赘述。
85.在本说明书的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。
86.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者多个该特征。在本公开的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
87.在本公开中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接，还可以是通信；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
88.在本公开中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
89.上文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本公开的不同结构。为了简化本公开的公开，上文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本公开。此外，本公开可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。
90.以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到其各种变化或替换，这些都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。