天线结构的制作方法

1.本发明涉及一种天线结构，尤其涉及一种具高隔离度的多天线结构。


背景技术：

2.在现有技术中，为了缩小天线的尺寸，因此常使用平面倒f天线(pifa)、耦合天线等1/4波长的共振结构，并于两天线之间同样加入用于增加隔离度的1/4波长共振结构。此外，现有技术中亦有使用1/2波长的闭槽孔与1/4波长pifa相邻的配置，以利用其电性不同的特性达到良好隔离度。
3.然而，在以上二例中，由于天线必须并排，进而可能导致整体天线结构占据较大的空间。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本发明提供一种天线结构，其可用于解决上述技术问题。
5.本发明提供一种天线结构，包括接地面、第一耦合天线及参考天线。第一耦合天线包括连接于接地面的一第一激发源，其中第一激发源用以激发一第一共振模态，且第一耦合天线因应于第一共振模态而在接地面形成一第一电流零点区域。参考天线包括连接于接地面的一第二激发源，其中第二激发源用以激发一第二共振模态，且参考天线因应于第二共振模态而在接地面形成一第二电流零点区域，其中第一激发源位于第二电流零点区域中，第二激发源位于第一电流零点区域中。
附图说明
6.包含附图以便进一步理解本发明，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本发明的实施例，并与描述一起用于解释本发明的原理。
7.图1a是依据本发明第一实施例示出的天线结构示意图；
8.图1b是依据图1a示出的形成第一电流零点区域的示意图；
9.图1c是依据图1a示出的形成第二电流零点区域的示意图；
10.图2是依据图1b情境示出的电场强度分布图；
11.图3是依据本发明第一实施例示出的天线效能图；
12.图4a是依据本发明第二实施例示出的天线结构示意图；
13.图4b是依据图4a示出的形成第一电流零点区域的示意图；
14.图4c是依据图4a示出的形成第二电流零点区域的示意图；
15.图5是依据图4b情境示出的电场强度分布图；
16.图6是依据本发明第二实施例示出的天线效能图；
17.图7a是依据本发明第三实施例示出的天线结构示意图；
18.图7b是依据图7a示出的形成第一电流零点区域的示意图；
19.图7c是依据图7a示出的形成第二电流零点区域的示意图；
20.图8是依据图7b情境示出的电场强度分布图；
21.图9是依据本发明第三实施例示出的天线效能图；
22.图10是依据本发明第四实施例示出的天线结构图。
具体实施方式
23.现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同组件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
24.请参照图1a，其是依据本发明第一实施例示出的天线结构示意图。在图1a中，天线结构100包括第一耦合天线110及参考天线120。第一耦合天线110包括第一激发源112、第一馈入部114及第一辐射体116，其中第一激发源112连接于接地面gnd及第一馈入部114，且可用于激发第一共振模态。另外，第一辐射体116可耦接于接地面gnd，并可通过耦合至经激发的第一激发源112及第一馈入部114而产生电流。
25.在本实施例中，参考天线120例如是一第二耦合天线，且可包括第二激发源122、第二馈入部124及第二辐射体126，其中第二激发源122连接于接地面gnd及第二馈入部124，且用于激发第二共振模态。在第一实施例中，第二辐射体126可通过耦合至经激发的第二激发源122及第二馈入部124而产生电流。
26.在第一实施例中，第一辐射体116与第二辐射体126之间可存在第一距离d1(其例如是第一辐射体116与第二辐射体126之间的最短距离)，第一激发源112与第二激发源122之间可存在第二距离d2，且第一距离d1可不大于第二距离d2。此外，第一辐射体116可为1/4波长共振结构，第二辐射体126可为双端开路的1/2波长共振结构，且第二辐射体126的基频共振频率可相同于第一辐射体116的基频共振频率。
27.在第一实施例中，第一耦合天线110可因应于第一激发源112所激发的第一共振模态而在接地面gnd上形成第一电流零点区域，而其相关细节将辅以图1b作进一步说明。参考天线120可因应于第二激发源122所激发的第二共振模态而在接地面gnd形成第二电流零点区域，而其相关细节将辅以图1c作进一步说明。在本发明的实施例中，所称的电流零点区域例如是未有电流流过的区域，或是流过的电流极小的区域。
28.在第一实施例中，第一激发源112可经设计以位于参考天线120对应的第二电流零点区域中，而第二激发源122可经设计以位于第一耦合天线对应的第一电流零点区域中。藉此，可增加第一耦合天线110及参考天线120之间的隔离度，进而避免第一耦合天线110及参考天线120彼此产生干扰。
29.请参照图1b，其是依据图1a示出的形成第一电流零点区域的示意图。在图1b中，当第一激发源112被激发时，第一馈入部114可耦合至第一辐射体116而激发第一共振模态，并在第一辐射体116上形成第一电流i1，其中第一电流i1可流入接地面gnd以形成第一地电流gi1。
30.如图1b所示，第一地电流gi1大致可朝向图面的右方流去，但有一部分的第一地电流gi1(即，电流gi1a)可朝向图面的左方流去，但可不限于此。
31.此外，当第一激发源112被激发时，第二辐射体及126及接地面gnd可因应于第一电流i1而产生第一耦合电流ci1。在此情况下，由于接地面gnd的第一耦合电流ci1的一部分(即，电流ci1a)与第一地电流gi1的上述部分(即，电流gi1a)流动的方向相反，因此电流
ci1a可抵销电流gi1a而形成接地面gnd上的第一电流零点区域zi1。
32.请参照图1c，其是依据图1a示出的形成第二电流零点区域的示意图。在图1c中，当第二激发源122被激发时，第二馈入部124可耦合至第二辐射体126而激发第二共振模态，并在第二辐射体126上形成第二电流i2。此外，接地面gnd可因应于第二电流i2而形成第二地电流gi2。
33.相应地，第一辐射体116可因应于第二电流i2而形成流动于第一辐射体116及接地面gnd上的第二耦合电流ci2。在图1c情境中，流动于接地面gnd的第二耦合电流ci2大致可朝向图面的左方流去，但有一部分的第二耦合电流ci2(即，电流ci2a)可朝向图面的右方流去，但可不限于此。在此情况下，由于流动于接地面gnd的第二耦合电流ci2的一部分(即，电流ci2a)与第二地电流gi2的一部分(即，电流gi2a)的流动方向相反，因此电流ci2a可抵销电流gi2a而形成接地面gnd上的第二电流零点区域zi2。
34.由图1b及图1c可看出，第一激发源112可经设计以位于第二电流零点区域zi2中，而第二激发源122可位于第一电流零点区域zi1中，以增加第一耦合天线110及参考天线120之间的隔离度。
35.在第一实施例中，第一耦合天线110与参考天线120之间的相对位置可经特殊设计以保证第一耦合天线110及参考天线120之间的隔离度。请参照图2，其是依据图1b情境示出的电场强度分布图。在本实施例中，颜色越深的区域代表具有较高的电场强度(即，较弱的电流)，反之亦然。
36.在图2中，第一辐射体116可因应于第一电流i1而至少具有第一电流强区(strong current zone)214及第一电流弱区(weak current zone)212，其中第一电流弱区212的(平均)电流可低于第一电流强区214的(平均)电流。换言之，第一电流弱区212对应的(平均)电场强度可高于第一电流强区214对应的(平均)电场强度。相似地，第二辐射体126可因应于第一耦合电流ci1而至少具有第二电流强区224及第二电流弱区222，其中第二电流弱区222的(平均)电流可低于第二电流强区224的(平均)电流。换言之，第二电流弱区222对应的(平均)电场强度可高于第二电流强区224对应的(平均)电场强度。
37.如图2所示，第一电流弱区212在接地面gnd上的垂直投影212a可至少部分重叠于第二电流弱区222在接地面gnd上的垂直投影222a。此外，第一电流强区214在接地面gnd上的垂直投影214a可至少部分重叠于第二电流强区224在接地面gnd上的垂直投影224a。
38.从另一观点而言，以上概念可作为决定第一辐射体116的开路端位置/指向的原则。例如，第一辐射体116的开路端可大致对齐第二辐射体126上具相同电场状态的区域。由图2可看出，由于第二辐射体126的右侧为第二电流弱区222(其可理解为电场强区)，故第一辐射体116的开路端(其属于当下的第一电流弱区212)可经设计为大致对齐第二辐射体126的右侧。同时，由于第二辐射体126的中间为第二电流强区224(其可理解为电场弱区)，故第一辐射体116当下对应于第一电流强区214的区域可经设计为大致对齐第二辐射体126的中间，但可不限于此。
39.在其他实施例中，当第二激发源122被激发时(即，图1c情境)，亦可产生对应的电场强度分布图。在此情况下，第一辐射体116可因应于第二耦合电流ci2而至少具有第三电流强区及第三电流弱区，第二辐射体126可因应于第二电流i2而至少具有第四电流强区及第四电流弱区。
40.在第一实施例中，第三电流弱区在接地面gnd上的垂直投影可至少部分重叠于第四电流弱区在接地面gnd上的垂直投影。并且，第三电流强区在接地面gnd上的垂直投影可至少部分重叠于第四电流强区在接地面gnd上的垂直投影，但可不限于此。
41.请参照图3，其是依据本发明第一实施例示出的天线效能图。在图3中，曲线311及312分别是第一耦合天线110及参考天线120的反射损失曲线，曲线313则是第一耦合天线110及参考天线120之间的隔离度曲线图。
42.如图3所示，在第一耦合天线110及参考天线120的基频共振频率处(即，虚线圈选处)，第一耦合天线110及参考天线120之间具有良好的隔离度，因此不会对彼此造成过多的干扰。由此可知，通过将第一激发源112设置于第二电流零点区域zi2中，以及将第二激发源122设置于第一电流零点区域zi1中的方式，确实可增加第一耦合天线110及参考天线120之间的隔离度，从而改善天线结构100的效能。
43.请参照图4a，其是依据本发明第二实施例示出的天线结构示意图。在图4a中，天线结构400包括第一耦合天线410及参考天线420。第一耦合天线410包括第一激发源412、第一馈入部414及第一辐射体416，其中第一激发源412连接于接地面gnd及第一馈入部414，且可用于激发第一共振模态。另外，第一辐射体416可耦接于接地面gnd，并可通过耦合至经激发的第一激发源412及第一馈入部414而产生电流。
44.在本实施例中，参考天线420例如是一第二耦合天线，且可包括第二激发源422、第二馈入部424及第二辐射体426，其中第二激发源422连接于接地面gnd及第二馈入部424，且用于激发第二共振模态。在第二实施例中，第二辐射体426可通过耦合至经激发的第二激发源422及第二馈入部424而产生电流。
45.在第二实施例中，第一辐射体416与第二辐射体426之间可存在第一距离d1(其例如是第一辐射体416与第二辐射体426之间的最短距离)，第一激发源412与第二激发源422之间可存在第二距离d2，且第一距离d1可不大于第二距离d2。此外，第一辐射体416可为1/4波长共振结构，第二辐射体426可为双端短路的1/2波长共振结构，且第二辐射体426的基频共振频率可相同于第一辐射体416的基频共振频率。
46.在第二实施例中，第一耦合天线410可因应于第一激发源412所激发的第一共振模态而在接地面gnd上形成第一电流零点区域，而其相关细节将辅以图4b作进一步说明。参考天线420可因应于第二激发源422所激发的第二共振模态而在接地面gnd形成第二电流零点区域，而其相关细节将辅以图4c作进一步说明。在本发明的实施例中，所称的电流零点区域例如是未有电流流过的区域，或是流过的电流极小的区域。
47.在第二实施例中，第一激发源412可经设计以位于参考天线420对应的第二电流零点区域中，而第二激发源422可经设计以位于第一耦合天线对应的第一电流零点区域中。藉此，可增加第一耦合天线410及参考天线420之间的隔离度，进而避免第一耦合天线410及参考天线420彼此产生干扰。
48.请参照图4b，其是依据图4a示出的形成第一电流零点区域的示意图。在图4b中，当第一激发源412被激发时，第一馈入部414可耦合至第一辐射体416而激发第一共振模态，并在第一辐射体416上形成第一电流i1，其中第一电流i1可流入接地面gnd以形成第一地电流gi1。
49.此外，当第一激发源412被激发时，第二辐射体及426及接地面gnd可因应于第一电
流i1而产生第一耦合电流ci1。在此情况下，由于接地面gnd的第一耦合电流ci1的一部分(即，电流ci1a)与第一地电流gi1的上述部分(即，电流gi1a)流动的方向相反，因此电流ci1a可抵销电流gi1a而形成接地面gnd上的第一电流零点区域zi1。
50.请参照图4c，其是依据图4a示出的形成第二电流零点区域的示意图。在图4c中，当第二激发源422被激发时，第二馈入部424可耦合至第二辐射体426而激发第二共振模态，并在第二辐射体426上形成第二电流i2。此外，接地面gnd可因应于第二电流i2而形成第二地电流gi2。
51.相应地，第一辐射体416可因应于第二电流i2而形成流动于第一辐射体416及接地面gnd上的第二耦合电流ci2。在此情况下，由于流动于接地面gnd的第二耦合电流ci2的一部分(即，电流ci2a)与第二地电流gi2的一部分(即，电流gi2a)的流动方向相反，因此电流ci2a可抵销电流gi2a而形成接地面gnd上的第二电流零点区域zi2。
52.由图4b及图4c可看出，第一激发源412可经设计以位于第二电流零点区域zi2中，而第二激发源422可位于第一电流零点区域zi1中，以增加第一耦合天线410及参考天线420之间的隔离度。
53.在第二实施例中，第一耦合天线410与参考天线420之间的相对位置可经特殊设计以保证第一耦合天线410及参考天线420之间的隔离度。请参照图5，其是依据图4b情境示出的电场强度分布图。在本实施例中，颜色越深的区域代表具有较高的电场强度(即，较弱的电流)，反之亦然。
54.在图5中，第一辐射体416可因应于第一电流i1而至少具有第一电流强区514及第一电流弱区512，其中第一电流弱区512的(平均)电流可低于第一电流强区514的(平均)电流。换言之，第一电流弱区512对应的(平均)电场强度可高于第一电流强区514对应的(平均)电场强度。相似地，第二辐射体426可因应于第一耦合电流ci1而至少具有第二电流强区524及第二电流弱区522，其中第二电流弱区522的(平均)电流可低于第二电流强区524的(平均)电流。换言之，第二电流弱区522对应的(平均)电场强度可高于第二电流强区524对应的(平均)电场强度。
55.如图5所示，第一电流弱区512在接地面gnd上的垂直投影512a可至少部分重叠于第二电流弱区522在接地面gnd上的垂直投影522a。此外，第一电流强区514在接地面gnd上的垂直投影514a可至少部分重叠于第二电流强区524在接地面gnd上的垂直投影524a。
56.从另一观点而言，以上概念可作为决定第一辐射体416的开路端位置/指向的原则。例如，第一辐射体416的开路端可大致对齐第二辐射体426上具相同电场状态的区域。由图5可看出，由于第二辐射体426的中间为第二电流弱区522(其可理解为电场强区)，故第一辐射体416的开路端(其属于当下的第一电流弱区512)可经设计为大致对齐第二辐射体426的中间。同时，由于第二辐射体426的右侧为第二电流强区524(其可理解为电场弱区)，故第一辐射体416当下对应于第一电流强区514的区域可经设计为大致对齐第二辐射体426的右侧，但可不限于此。
57.在其他实施例中，当第二激发源422被激发时(即，图4c情境)，亦可产生对应的电场强度分布图。在此情况下，第一辐射体416可因应于第二耦合电流ci2而至少具有第三电流强区及第三电流弱区，第二辐射体426可因应于第二电流i2而至少具有第四电流强区及第四电流弱区。
58.在第二实施例中，第三电流弱区在接地面gnd上的垂直投影可至少部分重叠于第四电流弱区在接地面gnd上的垂直投影。并且，第三电流强区在接地面gnd上的垂直投影可至少部分重叠于第四电流强区在接地面gnd上的垂直投影，但可不限于此。
59.请参照图6，其是依据本发明第二实施例示出的天线效能图。在图6中，曲线611及612分别是第一耦合天线410及参考天线420的反射损失曲线，曲线613则是第一耦合天线410及参考天线420之间的隔离度曲线图。
60.如图6所示，在第一耦合天线410及参考天线420的基频共振频率处(即，虚线圈选处)，第一耦合天线410及参考天线420之间具有良好的隔离度，因此不会对彼此造成过多的干扰。由此可知，通过将第一激发源412设置于第二电流零点区域zi2中，以及将第二激发源422设置于第一电流零点区域zi1中的方式，确实可增加第一耦合天线410及参考天线420之间的隔离度，从而改善天线结构400的效能。
61.请参照图7a，其是依据本发明第三实施例示出的天线结构示意图。在图7a中，天线结构700包括第一耦合天线710及参考天线720。第一耦合天线710包括第一激发源712、第一馈入部714及第一辐射体716，其中第一激发源712连接于接地面gnd及第一馈入部714，且可用于激发第一共振模态。另外，第一辐射体716可耦接于接地面gnd，并可通过耦合至经激发的第一激发源712及第一馈入部714而产生电流。
62.在本实施例中，参考天线720例如是一第二耦合天线，且可包括第二激发源722、第二馈入部724及第二辐射体726，其中第二激发源722连接于接地面gnd及第二馈入部724，且用于激发第二共振模态。在第三实施例中，第二辐射体726可通过耦合至经激发的第二激发源722及第二馈入部724而产生电流。
63.在第三实施例中，第一辐射体716与第二辐射体726之间可存在第一距离d1(其例如是第一辐射体716与第二辐射体726之间的最短距离)，第一激发源712与第二激发源722之间可存在第二距离d2，且第一距离d1可不大于第二距离d2。此外，第一辐射体716可为1/4波长共振结构，第二辐射体726可为1/4波长共振结构，且第二辐射体726的一端可连接于接地面gnd，第二辐射体726的另一端可为开路端。另外，第二辐射体726的倍频共振频率(例如，3倍频共振频率)可相同于第一辐射体716的基频共振频率。
64.在第三实施例中，第一耦合天线710可因应于第一激发源712所激发的第一共振模态而在接地面gnd上形成第一电流零点区域，而其相关细节将辅以图7b作进一步说明。参考天线720可因应于第二激发源722所激发的第二共振模态而在接地面gnd形成第二电流零点区域，而其相关细节将辅以图7c作进一步说明。在本发明的实施例中，所称的电流零点区域例如是未有电流流过的区域，或是流过的电流极小的区域。
65.在第三实施例中，第一激发源712可经设计以位于参考天线720对应的第二电流零点区域中，而第二激发源722可经设计以位于第一耦合天线对应的第一电流零点区域中。藉此，可增加第一耦合天线710及参考天线720之间的隔离度，进而避免第一耦合天线710及参考天线720彼此产生干扰。
66.请参照图7b，其是依据图7a示出的形成第一电流零点区域的示意图。在图7b中，当第一激发源712被激发时，第一馈入部714可耦合至第一辐射体716而激发第一共振模态，并在第一辐射体716上形成第一电流i1，其中第一电流i1可流入接地面gnd以形成第一地电流gi1。
67.如图7b所示，第一地电流gi1大致可朝向图面的右方流去，但有一部分的第一地电流gi1(即，电流gi1a)可朝向图面的左方流去，但可不限于此。
68.此外，当第一激发源712被激发时，第二辐射体及726及接地面gnd可因应于第一电流i1而产生第一耦合电流ci1。在此情况下，由于接地面gnd的第一耦合电流ci1的一部分(即，电流ci1a)与第一地电流gi1的上述部分(即，电流gi1a)流动的方向相反，因此电流ci1a可抵销电流gi1a而形成接地面gnd上的第一电流零点区域zi1。
69.请参照图7c，其是依据图7a示出的形成第二电流零点区域的示意图。在图7c中，当第二激发源722被激发时，第二馈入部724可耦合至第二辐射体726而激发第二共振模态，并在第二辐射体726上形成第二电流i2。此外，接地面gnd可因应于第二电流i2而形成第二地电流gi2。
70.相应地，第一辐射体716可因应于第二电流i2而形成流动于第一辐射体716及接地面gnd上的第二耦合电流ci2。在此情况下，由于流动于接地面gnd的第二耦合电流ci2的一部分(即，电流ci2a)与第二地电流gi2的一部分(即，电流gi2a)的流动方向相反，因此电流ci2a可抵销电流gi2a而形成接地面gnd上的第二电流零点区域zi2。
71.由图7b及图7c可看出，第一激发源712可经设计以位于第二电流零点区域zi2中，而第二激发源722可位于第一电流零点区域zi1中，以增加第一耦合天线710及参考天线720之间的隔离度。
72.在第三实施例中，第一耦合天线710与参考天线720之间的相对位置可经特殊设计以保证第一耦合天线710及参考天线720之间的隔离度。请参照图8，其是依据图7b情境示出的电场强度分布图。在本实施例中，颜色越深的区域代表具有较高的电场强度(即，较弱的电流)，反之亦然。
73.在图8中，第一辐射体716可因应于第一电流i1而至少具有第一电流强区814及第一电流弱区812，其中第一电流弱区812的(平均)电流可低于第一电流强区814的(平均)电流。换言之，第一电流弱区812对应的(平均)电场强度可高于第一电流强区814对应的(平均)电场强度。相似地，第二辐射体726可因应于第一耦合电流ci1而至少具有第二电流强区824及第二电流弱区822，其中第二电流弱区822的(平均)电流可低于第二电流强区824的(平均)电流。换言之，第二电流弱区822对应的(平均)电场强度可高于第二电流强区824对应的(平均)电场强度。
74.如图8所示，第一电流弱区812在接地面gnd上的垂直投影812a可至少部分重叠于第二电流弱区822在接地面gnd上的垂直投影822a。此外，第一电流强区814在接地面gnd上的垂直投影814a可至少部分重叠于第二电流强区824在接地面gnd上的垂直投影824a。
75.从另一观点而言，以上概念可作为决定第一辐射体716的开路端位置/指向的原则。例如，第一辐射体716的开路端可大致对齐第二辐射体726上具相同电场状态的区域。由图8可看出，由于第二辐射体726的右侧为第二电流弱区822(其可理解为电场强区)，故第一辐射体716的开路端(其属于当下的第一电流弱区812)可经设计为大致对齐第二辐射体726的右侧。同时，由于第二辐射体726的中间为第二电流强区824(其可理解为电场弱区)，故第一辐射体716当下对应于第一电流强区814的区域可经设计为大致对齐第二辐射体726的中间，但可不限于此。
76.在其他实施例中，当第二激发源722被激发时(即，图7c情境)，亦可产生对应的电
场强度分布图。在此情况下，第一辐射体716可因应于第二耦合电流ci2而至少具有第三电流强区及第三电流弱区，第二辐射体726可因应于第二电流i2而至少具有第四电流强区及第四电流弱区。
77.在第三实施例中，第三电流弱区在接地面gnd上的垂直投影可至少部分重叠于第四电流弱区在接地面gnd上的垂直投影。并且，第三电流强区在接地面gnd上的垂直投影可至少部分重叠于第四电流强区在接地面gnd上的垂直投影，但可不限于此。
78.请参照图9，其是依据本发明第三实施例示出的天线效能图。在图9中，曲线911及912分别是第一耦合天线710及参考天线720的反射损失曲线，曲线913则是第一耦合天线710及参考天线720之间的隔离度曲线图。
79.如图9所示，在第一耦合天线710的基频共振频率处及参考天线720的3倍频共振频率处(即，虚线圈选处)，第一耦合天线710及参考天线720之间具有良好的隔离度，因此不会对彼此造成过多的干扰。由此可知，通过将第一激发源712设置于第二电流零点区域zi2中，以及将第二激发源722设置于第一电流零点区域zi1中的方式，确实可增加第一耦合天线710及参考天线720之间的隔离度，从而改善天线结构700的效能。
80.应了解的是，虽以上实施例中皆假设参考天线为第二耦合天线，但在其他实施例中，参考天线亦可为其他类型的天线。
81.请参照图10，其是依据本发明第四实施例示出的天线结构图。在图10中，天线结构1000包括第一耦合天线710及参考天线720。第一耦合天线710包括第一激发源712、第一馈入部714及第一辐射体716，其中第一激发源712连接于接地面gnd及第一馈入部714，且可用于激发第一共振模态。另外，第一辐射体716可耦接于接地面gnd，并可通过耦合至经激发的第一激发源712及第一馈入部714而产生电流。
82.在本实施例中，参考天线1020可包括第二激发源1022及第二辐射体1026，其中第二激发源1022连接于接地面gnd及第二辐射体1026之间，且可用于激发第二共振模态。在第四实施例中，第二辐射体1026可因应于经激发的第二激发源1022而产生电流。
83.在第四实施例中，第一辐射体716与第二辐射体1026之间可存在第一距离d1(其例如是第一辐射体716与第二辐射体1026之间的最短距离)，第一激发源712与第二激发源1022之间可存在第二距离d2，且第一距离d1可不大于第二距离d2。此外，第一辐射体716可为1/4波长共振结构，第二辐射体1026可为1/4波长共振结构，且第二辐射体1026的一端可通过第二激发源1022连接于接地面gnd，第二辐射体1026的另一端可为开路端。另外，第二辐射体1026的倍频共振频率(例如，3倍频共振频率)可相同于第一辐射体716的基频共振频率。
84.在第四实施例中，第一耦合天线710可因应于第一激发源712所激发的第一共振模态而在接地面gnd上形成第一电流零点区域，而其相关细节可参照图7b及其相关说明，于此不另赘述。参考天线1020可因应于第二激发源1022所激发的第二共振模态而在接地面gnd形成第二电流零点区域，而其相关细节相似于图7c所示机制，故于此不另赘述。在本发明的实施例中，所称的电流零点区域例如是未有电流流过的区域，或是流过的电流极小的区域。
85.在第四实施例中，第一激发源712可经设计以位于参考天线1020对应的第二电流零点区域中，而第二激发源1022可经设计以位于第一耦合天线对应的第一电流零点区域中。藉此，可增加第一耦合天线710及参考天线1020之间的隔离度，进而避免第一耦合天线
710及参考天线1020彼此产生干扰。由于第四实施例可理解为将第三实施例的参考天线替换为非耦合天线的版本，故第四实施例细节可参照第三实施例的相关说明，于此不另赘述。
86.此外，在本发明的实施例中，天线结构100、400、700、1000可设置于通讯装置(例如智能手机等)中。并且，当第一耦合天线110、410、710经配置为所述通讯装置的发射天线时，参考天线120、420、720、1020可经配置与此通讯装置的近接传感器连接并作为近接传感器的感应金属部。在此情况下，所述通讯装置即可通过参考天线120、420、720、1020来侦测是否有人体靠近，进而相应地调整第一耦合天线110、410、710的发射功率，以符合相关的电磁波能量比吸收率(specific absorption rate，sar)规定。
87.综上所述，通过将第一耦合天线的第一激发源设置于参考天线对应的第二电流零点区域中，以及将参考天线的第二激发源设置于第一耦合天线对应的第一电流零点区域中的方式，本发明可让第一耦合天线及参考天线之间具有较高的隔离度，进而避免第一耦合天线及参考天线彼此产生干扰。
88.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。