一种去除超高纯碲表面杂质的方法与流程

技术特征：
1.一种去除超高纯碲表面杂质的方法，包括以下步骤：a)将石英盛料器依次使用玻璃清洗剂、王水、稀硝酸和纯水进行清洗，最后在纯水中超声，得到预处理的石英盛料器；b)将区域熔炼得到的碲锭置于预处理的石英盛料器中，装入升华设备，在持续通入保护性气体的条件下，进行升华；所述升华的压力为100～1000pa，所述升华的温度为350～420℃，所述升华的时间为2～6小时；c)升华结束待体系冷却，对体系充入保护性气体至常压，取出碲锭。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述王水清洗具体为，将石英盛料器在王水中浸泡2～8小时。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述稀硝酸清洗具体为，将王水清洗后的石英盛料器在稀硝酸溶液中浸泡5～20min；所述稀硝酸的质量浓度为2～5％。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述超声至纯水的电导率小于0.5μs/cm。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述区域熔炼得到的碲锭与区熔舟的接触面朝上放置在石英盛料器中。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将石英盛料器装入升华设备后，先从升华设备的进气口通2～8小时的高纯氮气，再从升华设备的真空口抽真空，调节保护性气体的流量，使体系压力维持在100～1000pa。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述升华设备的真空口设置在气流方向的下游。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述升华过程中，升华的杂质在收集石英管冷凝。9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤c)中充入保护性气体的气流方向与升华气流的气体方向一致。

技术总结
本发明提供一种去除超高纯碲表面杂质的方法，包括以下步骤：A)将石英盛料器依次使用玻璃清洗剂、王水、稀硝酸和纯水进行清洗，最后在纯水中超声，得到预处理的石英盛料器；B)将区域熔炼得到的碲锭置于预处理的石英盛料器中，装入升华设备，在持续通入保护性气体的条件下，进行升华；所述升华的压力为100～1000pa，所述升华的温度为350～420℃，所述升华的时间为2～6小时；C)升华结束待体系冷却，对体系充入保护性气体至常压，取出碲锭。能够有效去除超高纯碲区熔锭因容器或其他原因造成的表面污染问题，弥补现有工艺的不足之处，大幅提高产品的合格率，产品质量稳定，能够满足生产CZT和MCT晶体材料的需要。足生产CZT和MCT晶体材料的需要。


技术研发人员：李清宇 何志达 朱刘 黄杰杰
受保护的技术使用者：广东先导微电子科技有限公司
技术研发日：2021.10.22
技术公布日：2022/1/21