双转换增益图像传感器及其制作方法与流程

1.本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种双转换增益图像传感器及其制作方法。


背景技术：

2.动态范围是图像传感器(contact image sensor，cis)成像质量的关键因素，动态范围大可输出更宽光强范围内的场景图像信息，呈现更丰富的图像细节。通常情况下图像传感器输出的动态范围大约为60db～70db，在一般自然环境应用中为了同时捕获高光及阴影部分的图像信息所需要的动态范围约为100db。
3.目前在图像传感器领域中，将双转换增益(dual conversion gain，dcg)应用于图像传感器的像素电路中，以在低照度条件下以较小的积分电容提高转换增益，以提高图像传感器的灵敏度；在高照度条件下以较大的积分电容提升存储电荷，降低转换增益以提高动态范围。具有dcg结构的图像传感器中，浮置扩散(floating diffusion，fd)区域的fd电容并联一个辅助电容，以通过所述辅助电容与所述fd电容的组合使浮置扩散区域具有第一种转换增益，当利用开关元件断开所述fd电容和辅助电容的连接时，浮置扩散区域具有第二种转换增益。目前，在制作dcg结构的图像传感器时，该辅助电容常采用平面mos电容、mim(metal insulator metal)电容或mom(metal oxid metal)电容实现。但是，由于受到芯片面积的限制，采用这些类型电容构造的辅助电容的电容值较小，并不能满足提高图像传感器的像素满阱容量(full well capacity，fwc)的需求，不利于图像传感器获得更大的动态范围。


技术实现要素：

4.本发明提供一种双转换增益图像传感器，可以在不需要增加芯片面积的情况下提高辅助电容的电容值，从而有助于使图像传感器满足更大的像素满阱容量的需求，进而便于提高图像传感器的动态范围。本发明另外提供一种图像传感器的制作方法。
5.为了实现上述目的，本发明一方面提供一种双转换增益图像传感器。所述双转换增益图像传感器包括半导体衬底，所述半导体衬底包括第一有源区和第二有源区，且第一有源区和第二有源区之间设置有浅沟槽隔离结构；浮置扩散区域设置于所述第一有源区中，用于接收来自光敏器件的存储电荷；辅助电容设置于所述第二有源区，用于调节所述浮置扩散区域的转换增益。其中，在所述第二有源区的半导体衬底中开设有若干条沟槽，所述沟槽的内表面覆盖有介电层；所述辅助电容的上极板覆盖所述介电层且填充每条所述沟槽，与所述辅助电容的上极板相对的半导体衬底作为所述辅助电容的下极板。
6.可选的，若干条所述沟槽相互平行。
7.可选的，每条所述沟槽的宽度小于0.2微米，深度大于0.1微米，相邻两条所述沟槽之间的间距小于0.2微米。
8.可选的，所述辅助电容的上极板填充的沟槽的数量为三条以上。
9.可选的，所述浮置扩散区域具有fd电容，所述辅助电容与所述fd电容并联。
10.可选的，所述第一有源区还设置有所述光敏器件、转移管、开关管和复位管；其中，所述光敏器件的输出端连接所述转移管的第一源漏区，所述转移管的第二源漏区连接所述开关管的第一源漏区和所述fd电容的一端，所述fd电容的另一端接地，所述开关管的第二源漏区连接所述复位管的第一源漏区和所述辅助电容的上极板，所述辅助电容的下极板接地，所述复位管的第二源漏区接电源电压。
11.可选的，所述第一有源区还设置有源极跟随管和行选择管，所述源极跟随管的栅极、第一源漏区和第二源漏区分别连接所述转移管的第二源漏区、电源电压和所述行选择管的第一源漏区，所述行选择管的第二源漏区为信号输出端。
12.本发明的另一方面还提供一种双转换增益图像传感器的制作方法。所述制作方法包括：
13.提供半导体衬底，所述半导体衬底包括相互隔离的第一有源区和第二有源区，所述第一有源区用于形成光敏器件以及用于接收来自光敏器件的存储电荷的浮置扩散区域；
14.在所述第二有源区形成一辅助电容，所述辅助电容用于调节所述浮置扩散区域的转换增益，其中，在所述第二有源区的半导体衬底中开设有若干条沟槽，所述沟槽内壁覆盖有介电层且所述沟槽被覆盖所述介电层的电极材料层填充，以所述电极材料层作为所述辅助电容的上极板，以与所述辅助电容的上极板相对的半导体衬底作为所述辅助电容的下极板。
15.可选的，形成所述光敏器件、所述浮置扩散区域和所述辅助电容的方法包括：
16.在所述第一有源区进行离子注入，以形成所述光敏器件；
17.刻蚀所述第二有源区的所述半导体衬底，以形成若干条所述沟槽；
18.在所述半导体衬底上依次形成介电层和覆盖所述介电层的电极材料层，所述介电层覆盖所述沟槽的内表面和所述半导体衬底的上表面，所述电极材料层填充所述沟槽并位于所述半导体衬底上；
19.刻蚀所述电极材料层，在所述第一有源区形成若干功能晶体管的栅极，并在所述第二有源区形成所述辅助电容的上极板；
20.执行离子注入，在所述第一有源区形成若干所述功能晶体管的第一源漏区和第二源漏区以及所述浮置扩散区域；
21.在所述半导体衬底上形成互连结构，以在所述第一有源区和所述第二有源区之间形成电性互连。
22.可选的，在形成若干条所述沟槽后、形成所述介电层之前，所述制作方法包括：
23.在所述半导体衬底上形成氧化层，所述氧化层覆盖所述沟槽的内表面以及所述半导体衬底的上表面；
24.在若干条所述沟槽内注入掺杂物离子，以抑制因所述沟槽内表面缺陷引起的暗电流；以及
25.去除所述氧化层。
26.本发明的双转换增益图像传感器包括半导体衬底，所述半导体衬底包括第一有源区和第二有源区；浮置扩散区域设置于所述第一有源区中，用于接收来自光敏器件的存储电荷；所述辅助电容设置于所述第二有源区，用于调节所述浮置扩散区域的转换增益；其
中，在第二有源区的半导体衬底中开设有若干条沟槽，所述沟槽的内表面覆盖有介电层，辅助电容的上极板覆盖所述介电层且填充每条所述沟槽，与所述辅助电容的上极板相对的半导体衬底作为所述辅助电容的下极板。也就是说，所述辅助电容的上极板一部分位于若干条所述沟槽的上方且另一部分填充于若干条所述沟槽内，在不需要增加芯片面积的情况下，可以增大辅助电容极板的表面积，增大辅助电容的电容值，从而有助于使图像传感器满足更大的像素满阱容量的需求，进而便于提高图像传感器的动态范围。
27.本发明的双转换增益图像传感器的制作方法中，在第二有源区的半导体衬底中开设有若干条沟槽，所述沟槽内壁覆盖有介电层并被覆盖所述介电层的电极材料层填充，以所述电极材料层作为所述辅助电容的上极板，以与所述辅助电容的上极板相对的半导体衬底作为所述辅助电容的下极板，如此，辅助电容的上极板的一部分能够位于若干条沟槽的上方且另一部分填充于若干条所述沟槽内，可以增大辅助电容极板的表面积，增大辅助电容的电容值，从而有助于使图像传感器满足更大的像素满阱容量的需求，进而便于提高图像传感器的动态范围。
附图说明
28.图1为本发明一实施例的双转换增益图像传感器的架构图。
29.图2为本发明一实施例的双转换增益图像传感器的平面示意图。
30.图3为图2所示的双转换增益图像传感器沿aa线的剖面示意图。
31.图4至图6为本发明一实施例的双转换增益图像传感器的制作过程示意图。
32.附图标记说明：10-半导体衬底；100-第一有源区；101-光敏器件；102-浮置扩散区域；200-第二有源区；201-沟槽；202-上极板；300-浅沟槽隔离结构；401-第一氧化层；402-硬掩模层；403-介电层；404-电极材料层；500-接触插塞。
具体实施方式
33.以下结合附图和具体实施例对本发明提出的双转换增益图像传感器及其制作方法作进一步详细说明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
34.为了提高图像传感器的动态范围，本实施例提供一种双转换增益图像传感器。图1示出了本实施例的双转换增益图像传感器的架构，图2示出了本实施例的双转换增益图像传感器的平面布局(layout)，图3为图2所示的双转换增益图像传感器沿aa线的剖面示意图。如图1至图3所示，所述双转换增益图像传感器包括半导体衬底10，所述半导体衬底10包括第一有源区100和第二有源区200，且所述第一有源区100和所述第二有源区200之间设置有浅沟槽隔离结构300。浮置扩散区域102(floating diffusion，fd)设置于第一有源区100中，用于接收来自光敏器件101的存储电荷，或者说用于接收光敏器件101在光照条件下产生并存储的电荷。所述光敏器件101例如为光电二极管(photo-diode，pd)。所述辅助电容(c
辅
)设置于第二有源区200，用于调节所述浮置扩散区域102的转换增益。
35.其中，在所述第二有源区200的半导体衬底中开设有若干条沟槽201，所述沟槽201的内表面覆盖有介电层403，所述辅助电容的上极板202覆盖沟槽201内的介电层403且填充
(填满)每条所述沟槽201，与所述辅助电容的上极板202相对的半导体衬底10作为所述辅助电容的下极板。也就是说，所述辅助电容的上极板202的一部分位于若干条所述沟槽201的上方且另一部分填充于若干条所述沟槽201内，在不需要增加芯片面积的情况下，可以增大辅助电容上极板202的表面积，增大辅助电容的电容值，从而有助于使图像传感器满足更大的像素满阱容量的需求，进而便于提高图像传感器的动态范围。
36.本实施例中，所述浮置扩散区域102具有fd电容(对应于图1中的c
fd
)，所述辅助电容与所述fd电容并联，具体为所述辅助电容工作时与所述fd电容为并联关系。需要说明的是，所述浮置扩散区域102通过在半导体衬底10中注入掺杂物离子形成，且可以接收来自光敏器件101的存储电荷，即所述浮置扩散区域102为fd电容，而且，所述浮置扩散区域102也可以称为浮置扩散节点。
37.若干条所述沟槽201可以互相平行，以便在芯片面积相同的情况下制作更多的沟槽201，有助于提高所述辅助电容的电容值。作为示例，如图2和图3所示，所述辅助电容的上极板202填充的沟槽201的数量为三条。但不限于此，在其它实施例中，若干条所述沟槽201之间可以不平行，所述上极板202填充的沟槽201的数量也可以为两条或大于三条。
38.所述沟槽201的宽度以及相邻两条沟槽201之间的间距较小时，在芯片面积相同的情况下可以设置更多数量的沟槽201，能够提高沟槽201的密度，有助于提高辅助电容的上极板202的表面积，进而能够提高辅助电容的电容值，因此，本实施例中，每条所述沟槽201的宽度可以小于0.2微米，相邻两条所述沟槽之间的间距可以小于0.2微米。所述沟槽201的深度可以大于0.1微米，而且在工艺窗口允许的情况下，增大沟槽201的深度可以增大上极板202的表面积。作为示例，所述沟槽201的宽度为0.13微米，相邻两条沟槽201之间的间距为0.13微米，如此可以通过trench w/s＝0.13微米/0.13微米的工艺实现沟槽201的制作。但不限于此，所述沟槽201的宽度、深度和相邻两条沟槽之间的间距可以根据需要调整。
39.经实验对比发现，在芯片面积均为10微米
×
10微米的情况下，平面mos电容的电容值约为320ff，mim电容的电容值约为200ff，mom电容的电容值约为238ff，而本实施例的辅助电容的电容值可以达到3840ff。可见，本实施例中，在设置辅助电容的第二有源区200的半导体衬底中设置若干条沟槽201，且辅助电容的上极板202填充每条所述沟槽201，可以有效的增加上极板202的表面积，进而可以有效的提高辅助电容的电容值。
40.参考图1至图3，所述第一有源区100还可以设置有所述光敏器件101、转移管tx、开关管sx和复位管rx。其中，所述光敏器件101的输出端可以连接所述转移管tx的第一源漏区，所述转移管tx的第二源漏区可以连接所述开关管sx的第一源漏区和所述fd电容的一端，所述fd电容的另一端接地，所述开关管sx的第二源漏区可以连接所述复位管rx的第一源漏区和所述辅助电容(c
辅
)的上极板202，所述辅助电容的下极板接地(即半导体衬底10接地)，所述复位管rx的第二源漏区接电源电压(vdd)。
41.需要说明的是，所述转移管tx可以用于将光敏器件101产生并存储的电荷从所述光敏器件101转移到浮置扩散区域102。所述开关管sx可以用于控制所述fd电容与所述辅助电容的并联关系。作为示例，在高照度条件下(例如大于等于第一设定值)，开关管sx连接以使得所述辅助电容与fd电容并联，以调节所述浮置扩散区域102的转换增益(即使得浮置扩散区域102具有第一种转换增益)，进而有助于使图像传感器满足更大的像素满阱容量的需求；在低照度条件下(例如小于第一设定值)，开关管sx断开以使得所述辅助电容与fd电容
断开，所述浮置扩散区域102具有第二种转换增益。所述第一设定值可以根据实际情况具体设定，本实施例不作限定。所述复位管rx可以用于通过电源电压将复位电压(略小于电源电压)引入到所述浮置扩散区域102以对浮置扩散区域102进行电压复位，其中，在复位管rx对浮置扩散区域102进行复位时，开关管sx连接，所述转移管tx断开。
42.本实施例中，所述第一有源区100还可以设置有源极跟随管sf和行选择管rs。其中，所述源极跟随管sf的栅极可以连接所述转移管tx的第二源漏区(即所述源极跟随管sf的栅极连接浮置扩散区域102)，源极跟随管sf的第一源漏区可以连接电源电压(vdd)，源极跟随管sf的第二源漏区可以连接所述行选择管rs的第一源漏区，所述行选择管rs的第二源漏区为信号输出端。
43.需要说明的是，源极跟随管sf可以用于接收浮置扩散区域102的电压以及在源极跟随管sf的第二源漏区(例如在源极跟随管sf的源极处)提供放大电压。所述行选择管rs可以用于接收所述放大电压以及将该放大电压输出，例如将该放大电压提供到位线。
44.本实施例中，转移管tx、开关管sx、复位管rx和行选择管rs的栅极均与对应的控制电路连接，控制电路控制对应的功能晶体管(指转移管tx、开关管sx、复位管rx或行选择管rs)的栅极电压，以打开或关断对应的功能晶体管。
45.所述转移管tx、开关管sx、复位管rx、源极跟随管sf和行选择管rs可以沿一设定方向依次排布(即成行排布)，所述沟槽201可以沿所述设定方向伸长，如此可以有效的利用芯片面积。
46.为了节省芯片面积，如图2所示，所述转移管tx的第二源漏区和开关管sx的第一源漏区可以共用同一源漏区，开关管sx的第二源漏区和复位管rx的第一源漏区可以共用同一源漏区，复位管rx的第二源漏区和源极跟随管sf的第一源漏区可以共用同一源漏区，源极跟随管sf的第二源漏区和行选择管rs的第一源漏区可以共用同一源漏区。
47.本实施例中，如图2所示，所述半导体衬底10上可以形成有互连结构，所述互连结构可以包括多个接触插塞500和多条导电线。多个所述接触插塞500可以分别与各个功能晶体管的源漏区(第一源漏区和第二源漏区的统称)或栅极连接。通过所述多个接触插塞500和多条导电线可以使得光敏器件101、浮置扩散区域102、转移管tx、开关管sx、复位管rx、源极跟随管sf、行选择管rs和辅助电容可以实现如图1所示的电连接关系。
48.本实施例的双转换增益图像传感器包括半导体衬底10，所述半导体衬底10包括第一有源区100和第二有源区200；浮置扩散区域102设置于第一有源区100中，用于接收来自光敏器件101的存储电荷；所述辅助电容(c
辅
)设置于第二有源区200，用于调节所述浮置扩散区域102的转换增益；其中，在第二有源区200的半导体衬底中开设有若干条沟槽201，所述沟槽201的内表面覆盖有介电层403，辅助电容的上极板202覆盖所述沟槽内的介电层403且填充每条所述沟槽201，与所述辅助电容的上极板202相对的半导体衬底为所述辅助电容的下极板。也就是说，所述辅助电容的上极板202一部分位于若干条所述沟槽201的上方且另一部分垂直延伸到所述沟槽201内，在不需要增加芯片面积的情况下，可以增大辅助电容极板的表面积，增大辅助电容的电容值，从而有助于使图像传感器满足更大的像素满阱容量的需求，进而便于提高图像传感器的动态范围。
49.本实施例还提供一种双转换增益图像传感器的制作方法，利用该制作方法可以制作上述的双转换增益图像传感器。
50.所述双转换增益图像传感器的制作方法包括：
51.提供半导体衬底，所述半导体衬底包括相互隔离的第一有源区和第二有源区，所述第一有源区用于形成光敏器件以及用于接收来自光敏器件的存储电荷的浮置扩散区域；
52.在所述第二有源区形成一辅助电容，所述辅助电容用于调节所述浮置扩散区域的转换增益，其中，在所述第二有源区的半导体衬底中开设有若干条沟槽，所述沟槽内壁覆盖有介电层且所述沟槽被覆盖所述介电层的电极材料层填充(所述电极材料层填满所述沟槽)，以所述电极材料层作为所述辅助电容的上极板，以与所述辅助电容的上极板相对的半导体衬底作为所述辅助电容的下极板。
53.图4至图6为本发明一实施例的双转换增益图像传感器的制作过程示意图。以下结合图1至图6对本实施例的双转换增益图像传感器的制作方法进行说明。
54.参考图3和图4，所述半导体衬底10包括相互隔离的第一有源区100和第二有源区200，所述第一有源区100用于形成光敏器件101以及形成用于接收来自光敏器件101的存储电荷的浮置扩散区域102。第一有源区100和第二有源区200之间可以通过浅沟槽隔离结构300隔离。所述浅沟槽隔离结构300在形成光敏器件101和浮置扩散区域102之前形成，所述浅沟槽隔离结构300可以限定出所述第一有源区100和第二有源区200。
55.所述半导体衬底10可以是半导体领域技术人员熟知的各种半导体材料。作为示例，半导体衬底10可以为单晶或者多晶结构的硅或硅锗(si ge)；还可以是含有掺杂离子例如n型或者p型掺杂的硅或者硅锗；也可以包括化合物半导体结构例如碳化硅、锑化铟、碲化铅、砷化铟、磷化铟、砷化镓、锑化镓、氮化镓、氮化铝或氮化铟合金半导体，或是它们的组合；也可以是绝缘体上硅(soi)；也可以是应变硅、应力硅锗或者其他应变材料。所述半导体衬底可以是空白的半导体材料衬底，也可以是已经形成各种半导体结构、器件以及线路的半导体衬底。
56.本实施例中，形成所述光敏器件101、所述浮置扩散区域102和所述辅助电容的方法可以包括以下子步骤s01至子步骤s06。
57.子步骤s01，如图4所示，在形成浅沟槽隔离结构300后，在第一有源区100进行离子注入，以形成光敏器件101。具体的，可以在第一有源区100的半导体衬底中进行两次离子注入，依次形成光敏器件101的n-掺杂区以及位于n-掺杂区上方的p 掺杂区，其中，n-掺杂区的边界超出p 掺杂区的边界。
58.子步骤s02，如图5所示，刻蚀所述第二有源区200的所述半导体衬底，以形成若干条沟槽201。具体的，在第一有源区100形成所述光敏器件101后，在半导体衬底10上依次沉积第一氧化层401和硬掩模层402，所述第一氧化层401覆盖所述半导体衬底10的上表面，所述硬掩模层402覆盖所述第一氧化层401的上表面；对硬掩模层402进行图像化处理形成图形化的硬掩模层，以图形化的硬掩模层为掩膜依次刻蚀所述第一氧化层401和所述半导体衬底10并停止在半导体衬底10中，在第二有源区200的半导体衬底中形成若干条沟槽201。
59.在形成若干条所述沟槽201后，所述子步骤s02还可以包括：在所述半导体衬底10上形成第二氧化层(图中未示出)，所述第二氧化层可以覆盖所述沟槽201的内表面以及所述半导体衬底10的上表面；然后在若干条所述沟槽201内注入掺杂物离子，该掺杂物离子透过沟槽201内的第二氧化层进入到沟槽201内表面对应的半导体衬底，使得沟槽201内表面对应的半导体衬底表层形成掺杂区，以抑制因所述沟槽201内表面缺陷引起的暗电流；接
着，去除所述第二氧化层、所述硬掩模层402和所述第一氧化层401。所述第一氧化层401和所述第二氧化层可以为氧化硅层。所述硬掩模层402可以为氮化硅层。
60.在执行子步骤s02后，执行子步骤s03，如图6所示，在所述半导体衬底10上依次形成介电层403和覆盖所述介电层403的电极材料层404，所述介电层403覆盖所述沟槽201的内表面和所述半导体衬底10的上表面，所述电极材料层404填充(填满)所述沟槽201并位于所述半导体衬底10上。所述介电层403可以为氧化硅层。所述电极材料层404可以为多晶硅层。但不限于此，所述介电层403和所述电极材料层404可以根据需要选择。所述介电层403和所述电极材料层404可以通过通过本领域公知的沉积方法形成，在此不作限定。
61.执行子步骤s04，参考图2和图3，刻蚀所述电极材料层404，在所述第一有源区100形成若干功能晶体管的栅极，并在所述第二有源区200形成所述辅助电容的上极板202。若干所述功能晶体管可以包括转移管tx、开关管sx、复位管rx、源极跟随管sf和行选择管rs。
62.执行子步骤s05，执行离子注入，在所述第一有源区100形成若干所述功能晶体管的第一源漏区和第二源漏区以及所述浮置扩散区域102。
63.作为示例，所述第一源漏区和所述第二源漏区均可以包括n-掺杂区和n 掺杂区。参考图3，子步骤s05具体可以包括：在形成若干所述功能晶体管的栅极以及所述辅助电容的上极板202后，执行离子注入，在所述栅极两侧的半导体衬底中形成源漏区(第一源漏区和第二源漏区的统称)的n-掺杂区；然后，在所述栅极的两侧形成侧墙，所述侧墙可以覆盖所述源漏区的n-掺杂区的部分边缘；接着，在所述侧墙侧边的半导体衬底中继续进行离子注入，在源漏区的n-掺杂区上部形成源漏区的n 掺杂区。其中，在形成源漏区的n-掺杂区后、形成所述侧墙之前，可以去除位于半导体衬底10上表面上的部分介电层403，各个栅极和辅助电容的上极板202下的介电层403可以保留。
64.需要说明的是，本实施例中，所述光敏器件101的n-掺杂区与所述转移管tx的栅极部分交叠。所述光敏器件101可以作为转移管tx的第一源漏区，即在子步骤s05中，不需要在转移管tx的栅极侧边制作所述转移管tx的第一源漏区。所述转移管tx的第二源漏区的n-掺杂区的下方还形成有p-掺杂区，该p-掺杂区可以在n-掺杂区形成之前形成，且所述转移管tx的第二源漏区作为所述双转换增益图像传感器的浮置扩散区域102。
65.上述对所述双转换增益图像传感器的制作方法的介绍以半导体衬底10为p型为例进行说明。在其它实施例中，所述半导体衬底也可以为n型，对应的，若干所述功能晶体管的源漏区中的各个掺杂区的掺杂物离子的类型也可以适应性的改变。
66.本实施例中，若干所述功能晶体管的栅极可以沿一设定方向依次排布(即成行排布)，为了节省芯片面积，如图2所示，所述转移管tx的第二源漏区和开关管sx的第一源漏区可以共用同一源漏区，开关管的第二源漏区和复位管rx的第一源漏区可以共用同一源漏区，复位管rx的第二源漏区和源极跟随管sf的第一源漏区可以共用同一源漏区，源极跟随管sf的第二源漏区和行选择管rs的第一源漏区可以共用同一源漏区。
67.在子步骤s05结束后，执行子步骤s06，在所述半导体衬底10上形成互连结构，以在所述第一有源区100和所述第二有源区200之间形成电性互连。具体的，参考图1和图2，所述互连结构可以包括接触插塞500和导电线，通过接触插塞500和导电线可以使得辅助电容(c
辅
)的上极板202与开关管sx的第二源漏区电连接、源极跟随管sf的栅极与浮置扩散区域102(fd)电连接、复位管rx的第二源漏区和源极跟随管sf的第一源漏区均与电源电压(vdd)
电连接，而且使得转移管tx、复位管rx、开关管sx和行选择管rs的栅极分别连接到对应的控制电路上。
68.应当理解，本技术所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。基于本技术提供的实施例，本领域普通及时人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。此外，还可以理解的是，虽然这种开发过程中所做出的努力可能是复杂并且冗长的，然而对于与本技术公开的内容相关的本领域的普通技术人员而言，在本技术揭露的技术内容的基础上进行的一些设计，制造或者生产等变更只是常规的技术手段，不应当理解为本技术公开的内容不充分。
69.在本技术中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本技术的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域普通技术人员显式地和隐式地理解的是，本技术所描述的实施例在不冲突的情况下，可以与其它实施例相结合。
70.除非另作定义，本技术所涉及的技术术语或者科学术语应当为本技术所属技术领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本技术所涉及的“一”、“一个”、“一种”、“该”等类似词语并不表示数量限制，可表示单数或复数。本技术所涉及的术语“包括”、“包含”、“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。本技术所涉及的“多个”是指大于或者等于两个。“和/或”描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，“a和/或b”可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况。本技术所涉及的术语“第一”、“第二”等仅仅是区别类似的对象，不代表针对对象的特定排序。本技术所说“连接”、“联接”，如无特殊说明，均包括直接和间接的连接(联接)。本技术涉及的术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或者暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，不能理解为对本技术的限制。
71.在本技术中，除非另有明确的限定和规定，第一特征在第二特征“上”或“下”，可以是第一特征和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”是为了描述第一特征的水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”是为了描述第一特征的水平高度小于第二特征。
72.需要说明的是，本说明书中实施例采用递进的方式描述，在后描述的双转换增益图像传感器的制作方法重点说明的都是与在前描述的双转换增益图像传感器的不同之处，各个部分之间的相同和相似之处互相参见即可。对于实施例公开的双转换增益图像传感器而言，由于与实施例公开的双转换增益图像传感器的制作方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
73.上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明权利范围的任何限定，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。