具有金属基板的功率模块的制作方法

具有金属基板的功率模块


背景技术：

1.半导体功率模块广泛用于各种应用，例如汽车、工业电机驱动、ac-dc电源等。半导体功率模块典型地包括安装在公共基板上的多个功率半导体器件以及其他元件，所述功率半导体器件例如功率mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)、igbt(绝缘栅双极晶体管)、hemt(高电子迁移率晶体管)等，所述其他元件例如无源部件、接合线等。该基板必须被设计为承受与模块的特定功率应用相关的非常高的电压和电流。
2.一种用于半导体功率模块的流行的基板构造是所谓的dcb(直接接合铜)基板。dcb基板包括在导电材料(例如铜)的金属化层中形成的多个电隔离接合焊盘。该金属化层接合到诸如陶瓷的绝缘材料的基板。
3.生产具有dcb基板的半导体功率模块的成本由几个因素驱动。这些因素包括材料成本(例如，用于绝缘层的陶瓷、用于金属化层的铜、粘合剂等)以及与执行基板形成所涉及的每个处理步骤(例如，形成导电金属层并将导电金属层接合到绝缘基板、将按压配合连接器铆接到导电金属层等)相关的时间和费用。
4.期望的是以更低的成本生产与常规解决方案相比具有相似或更好的性能特性的半导体功率模块。


技术实现要素：

5.根据形成功率半导体模块的方法的实施例，该方法包括：提供平面片状金属的基板；在基板的上表面中形成通道，该通道部分地延伸穿过基板的厚度并且在基板中限定出多个岛；将第一半导体管芯安装在所述岛中的第一个岛上；形成覆盖基板、填充通道并包封半导体管芯的包封体的模制主体；在模制主体中形成孔并在孔下方的基板的上表面中形成凹陷；以及在孔中布置按压配合连接器并且在按压配合连接器的内端和基板之间形成机械和电连接。
6.单独地或组合地，在模制主体中形成孔并在上表面中形成凹陷包括执行完全穿透模制主体并且随后部分地穿透基板的单一工艺步骤。
7.单独地或组合地，所述单一工艺步骤包括机械或激光钻孔。
8.单独地或组合地，形成机械和电连接包括将按压配合连接器的内端焊接到基板。
9.单独地或组合地，该方法还包括由基板形成弹簧接触附接特征，该弹簧接触附接特征包括平面片状金属的舌片和舌片中的完全延伸穿过基板厚度的穿孔，其中在形成模制主体之后，舌片和穿孔从包封体的模制主体突出。
10.单独地或组合地，形成通道包括将通道之一形成为外周环，其将所述岛中的每一个与基板的周缘分开。
11.单独地或组合地，在形成通道之后，所述岛中的每一个通过基板的位于通道正下方的部分保持彼此连接，并且该方法还包括在形成模制主体之后去除基板的所述部分以使所述岛中的每一个彼此电隔离。
12.单独地或组合地，形成通道包括对基板的上表面进行半蚀刻，使得基板的位于通
道正下方的部分比岛薄，并且去除基板的部分包括选择性地蚀刻基板的下表面。
13.单独地或组合地，形成通道包括冲压基板的上表面，使得基板的位于通道正下方的部分与岛垂直偏移，并且去除基板的部分包括选择性地蚀刻基板的下表面。
14.单独地或组合地，形成通道包括冲压基板的上表面，使得基板的位于通道正下方的部分与岛垂直偏移，并且去除基板的部分包括使基板的下表面平坦化。
15.单独地或组合地，在所述岛中的第二个岛中形成凹陷，并且该方法还包括：将第二半导体管芯安装在所述岛中的第二个岛上；在模制主体中形成多个孔并在相应孔中的每个孔下方的基板的上表面中形成多个凹陷；提供多个按压配合连接器；以及将按压配合连接器之一布置在所述孔中的每个孔中并在每个按压配合连接器的内端和基板之间形成机械和电连接，第一和第二半导体管芯被配置为功率晶体管，并且按压配合连接器被配置为到第一和第二半导体管芯的每个端子的外部可触及电接触点。
16.根据功率半导体模块的实施例，功率半导体模块包括：平面片状金属的基板，该基板包括多个岛，每个岛由在基板的上表面和下表面之间延伸的通道限定；第一半导体管芯，其安装在所述岛中的第一个岛上；包封体的模制主体，其覆盖金属基板、填充通道并包封第一半导体管芯；模制主体中的孔，其延伸至基板的上表面中的凹陷；以及按压配合连接器，其布置在所述孔中，使得按压配合连接器的内端机械和电连接到基板。
17.单独地或组合地，按压配合连接器的内端被焊接到基板。
18.单独地或组合地，按压配合连接器的内端通过机械压力固定在凹陷内。
19.单独地或组合地，功率半导体模块还包括形成在基板中的弹簧接触附接特征，该弹簧接触附接特征包括平面片状金属的舌片和舌片中的完全延伸穿过舌片的穿孔，并且舌片和穿孔从模制主体暴露。
20.单独地或组合地，通道之一被布置为外周环，其将所述岛中的每一个与基板的周缘分开。
21.单独或组合地，基板的下表面在模制主体的下表面处暴露，并且功率半导体模块还包括覆盖基板的下表面的电绝缘材料层。
22.单独地或组合地，凹陷形成在所述岛中的第二个岛中，其中，第一半导体管芯包括背离基板的上表面并通过电连接器电连接到第二个岛的端子，并且其中，按压配合连接器被配置为到半导体管芯的端子的外部可触及电接触点。
23.单独地或组合地，功率半导体模块还包括：安装在所述岛中的第二个岛上的第二半导体管芯；模制主体中的多个孔，以及在相应孔中的每个孔下方的基板的上表面中的多个凹陷；多个按压配合连接器，所述按压配合连接器中的一个布置在所述孔中的每个孔中并且在相应按压配合连接器的内端和基板之间形成机械和电连接，第一和第二半导体管芯被配置为功率晶体管，并且按压配合连接器被配置为到第一和第二半导体管芯的每个端子的外部可触及电接触点。
24.本领域技术人员在阅读以下具体实施方式并查看附图后，将认识到附加特征和优点。
附图说明
25.附图的要素不一定相对于彼此成比例。类似的附图标记指代对应的相似部分。除
非它们相互排斥，否则可以组合各种所示实施例的特征。在附图中描绘了实施例，并且在以下描述中详细描述了实施例。
26.图1示出了根据实施例的平面片状金属的基板。
27.图2a示出了根据实施例的在基板的上表面中形成通道。
28.图2b示出了根据另一个实施例在基板的上表面中形成通道。
29.图3，其包括图3a-3b，示出了根据实施例的将半导体管芯安装在形成于基板中的岛上并将半导体管芯电连接到基板。图3a描绘了组件的示意性截面图，并且图3b描绘了组件的顶侧等距视图。
30.图4，其包括图4a-4c，示出了根据实施例的在基板上形成包封半导体管芯的模制主体。图4a描绘了组件的示意性截面图，图4b描绘了组件的顶侧等距视图，并且图4c描绘了组件的底侧等距视图。
31.图5示出了根据实施例的在模制主体中形成孔并在孔下方的基板中形成对应凹陷。
32.图6，其包括图6a和图6b，示出了根据实施例的在孔和凹陷中布置按压配合连接器。图6a描绘了组件的顶侧等距视图，其中模制主体被表示为透明以显示包封的特征，并且图6b描绘了组件的顶侧等距视图，其中模制主体是不透明的，这是典型的情况。
33.图7，其包括图7a-7c，示出了根据实施例的用于处理基板的后侧以形成电隔离的岛的各种技术。图7a和图7b描绘了选择性蚀刻技术，并且图7c描绘了平坦化技术。
34.图8示出了根据实施例的在处理基板的后侧以形成电隔离的岛之后的组件的底侧等距视图。
35.图9示出了根据实施例的在电隔离的岛上形成电绝缘层之后的组件的底侧等距视图。
具体实施方式
36.根据各种实施例，本文描述了半导体功率模块构造和用于形成半导体功率模块的相应方法。有利地，与其他功率半导体模块构造相比，可以用相对较少的处理步骤和较便宜的材料来生产所述半导体功率模块。例如，基于dcb的解决方案所需的框架构造、按压配合焊接和凝胶分配等处理步骤已被更加成本高效的替代方案所取代。本文所用的技术利用金属基板作为功率半导体模块的基本构建块。金属基板可以是平面片状金属，例如通常用于形成引线框架或印刷电路板的铜面板或条。可以使用批处理工具形成功率半导体模块的每一个特征，例如隔离接合焊盘、按压配合连接、绝缘材料等，所述工具可以对具有同时处理的多个单元的面板或条执行这些步骤。这些处理步骤高度发达，非常适合大批量并行化，并且利用在半导体行业中广泛可用的廉价材料。
37.参考图1，提供了平面片状金属的基板100。基板100可以是厚度相对均匀的导电金属片，具有大致平面的上表面102和与上表面102相对的大致平面的下表面104。基板100可以由诸如cu、ni和/或ag的一种或多种导电金属形成。此外，例如，基板100可以包括或镀覆有cu、ni、ag、au、pd、pt、niv、nip、ninip、nip/pd、ni/au、nip/pd/au或nip/pd/auag。一般而言，基板100在上表面102和下表面104之间测量的厚度可以在0.5mm厚至10mm厚的范围内。在某些实施例中，基板100的厚度在1.0mm厚至2.0mm厚的范围内。
38.典型地与半导体管芯结合的任何类型的金属基板都可以用于金属基板100。例如，基板100可以是商业可用的金属条，其用于形成用于半导体封装的引线框架或金属夹。在其他实施例中，基板100是用于形成印刷电路板的大(例如，600mm
×
600mm)金属面板。虽然附图描绘了用于形成一个功率半导体模块的步骤，但是应当理解，可以并行执行本文描述的技术以同时形成多个相同的功率半导体模块。特别地，可以使用大金属条或面板来提供如图1所示的多个基板100，并且下文描述的每个处理步骤可以与每个单元并行执行。
39.参考图2a，基板100被处理以在平面片状金属的上表面102中形成通道106。通道106部分地延伸穿过基板100的厚度，使得基板100的部分108保持在通道106的底部和基板100的下表面104之间。通道106被形成为在基板100中限定出多个岛108。这意味着，从基板100的上表面102的平面透视图来看，通道106形成封闭形状(例如，圆形、矩形等)，其中岛110对应于基板100的被封闭形状完全包围的部分。
40.另外，基板100被处理以形成弹簧接触附接特征112。弹簧接触附接特征112用于将完成的功率半导体模块附接到外部设备，例如散热器。弹簧接触附接特征112包括平面片状金属的舌片114部分，其从基板100的包括通道106和由通道106包围的对应岛110的主体部分突出。此外，弹簧接触附接特征112包括舌片114中的穿孔116，其完全延伸穿过平面片状金属的厚度。穿孔116用于容纳紧固件(例如，弹簧接触部)以将功率半导体模块安装到外部设备。
41.图2a中描绘的基板100可以使用半蚀刻技术形成。在该技术的一个示例中，在基板100的上表面和下表面102、104上都提供两个掩模。例如使用光刻技术对设置在基板100的上侧102上的掩模进行图案化，以具有半蚀刻特征(例如，通道106)和(如果需要)完全蚀刻特征(例如，舌片114和穿孔116)的期望几何形状。设置在基板100的下侧104上的掩模被不对称地图案化，使得半蚀刻特征正下方的区域被覆盖并且完全蚀刻特征正下方的区域被暴露。例如，通过适当使用掩模几何形状、时间、蚀刻剂化学品等来控制蚀刻，使得蚀刻剂从任一侧去除基板100的厚度的大约一半。结果，通道106的深度约为基板100的厚度的一半，并且基板100的在通道106下方的剩余部分108具有基板100的厚度的大约一半。同时，蚀刻剂去除基板100的完整厚度以形成舌片114和穿孔116。
42.参考图2b，描绘了用于处理平面片状金属以形成通道106和弹簧接触附接特征112的另一种技术。在图2b的实施例中，例如通过金属冲孔或压印技术，通过冲压平面片状金属的上表面102而形成通道106。这些技术可以形成具有相同封闭几何形状的通道106，从而以相同方式形成多个封闭岛110。与先前描述的半蚀刻技术不同，基板100的在通道106下方的部分108不是半厚度区域。相反，这些部分108具有与平面片状金属的原始厚度大致相同的厚度并且与非冲压区域垂直偏移。结果，基板100的下表面104是起伏的。包括舌片114和穿孔116的弹簧接触附接特征112可以例如通过执行金属的完整冲孔而与通道106同时形成。替代地，可以通过在形成通道106的冲压工艺之前或之后执行的单独的切割工艺来形成弹簧接触附接特征112。
43.参考图3，多个半导体管芯118安装在基板100上。在图3所示的实施例中，基板100是根据参考图2a描述的技术所形成的半蚀刻基板100。替代地，基板100可以是根据参考图2b描述的技术所形成的冲压基板100。除了描述用于处理每种基板100的具体技术的图6之外，应当理解，下文描述的每个处理步骤同样适用于任何一种基板100。
44.在实施例中，半导体管芯118通过焊接技术安装，该技术在每个半导体管芯118的金属表面(例如，接合焊盘)和基板100之间形成导电焊料结合点。例如，软焊膏可以提供在半导体管芯的金属表面和基板100的上表面102之间并且随后回流以形成典型的焊料接合部，所述软焊膏例如是诸如sn/ag、sn/ag/cu、sn/cu等的基于锡的无铅焊膏。在另一个示例中，半导体管芯118可以通过扩散工艺进行焊接，其中焊料结合点包括比结合的元件具有更高熔点的大量金属间相。可以执行该扩散工艺以在半导体管芯的金属表面和基板100的上表面102之间提供非常薄(例如，小于30μm厚)的焊料层(例如，印刷的或预成型的焊料)并且随后回流焊料。
45.在实施例中，半导体管芯118被配置为功率器件，该功率器件被设计为承受非常高的电压(例如600v(伏特)、1200v)和/或相当大的电流(例如大约1a的电流(安培)、2a等)。这些器件的示例包括功率晶体管管芯，例如功率mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)、igbt(绝缘栅双极晶体管)、hemt(高电子迁移率晶体管)等。更一般地，半导体管芯118可以被配置为诸如栅极驱动器、微控制器、存储装置等的逻辑管芯、或诸如电感器、电容器等的无源管芯。半导体管芯118可以具有横向器件构造，其中每个导电端子设置在管芯的背离基板100的上侧上。在这种情况下，半导体管芯118的后侧和基板100之间没有电连接，并且岛110可以用于非电目的，例如散热。替代地，半导体管芯118可以具有垂直器件构造，其中半导体管芯118的后侧包括例如通过焊料连接而电连接到基板100的上表面102的导电接合焊盘。在那种情况下，岛110可以被配置为电端子，例如漏极、源极等。
46.在图3b所示的实施例中，成对的不同半导体管芯118彼此相邻地安装在所述岛110中的单个岛上。例如，这些成对的不同半导体管芯118可以包括功率晶体管和用于控制每个晶体管的栅极的对应的栅极驱动器。这些对中的三对安装在一个公共岛110上，并且这些对中的三对安装在单独的岛110上。这种布置可以用于半桥电路，其中容纳三对的公共岛110被配置为用于每个低侧开关的公共参考电位端子，例如gnd，并且容纳单一对的不同半导体管芯118的单独的岛110被配置为用于每个高侧开关的高电压端子，例如v
ds
。这种布置仅代表各种各样的构造的一个示例，其中选择通道106的几何形状以为安装在其上的器件提供专用的接合焊盘和端子。
47.在将半导体管芯118安装在基板100上之后，执行电互连步骤以形成电连接120。电连接120可以在半导体管芯的背离基板100的上表面102的端子与不包括安装在其上的任何半导体管芯118和/或不同半导体管芯118的端子的其他岛110之间形成电互连。例如，电连接120可以包括在功率晶体管的源极端子和不容纳任何半导体管芯118的单独的岛110之间的电连接。在另一个示例中，电连接120可以包括在驱动器管芯的栅极端子与不容纳任何半导体管芯118的单独的岛110之间的电连接。更一般地，单独的岛110可以被配置为为每个半导体管芯118不同端子提供焊盘引出再分配。这些电连接120可以使用接合线(如图所示)、金属夹、带等形成。图3仅描绘了使用导电接合线实现的用于功率模块的一些必要的电连接120。
48.参考图4，对组件执行包封工艺。包封工艺形成电绝缘包封材料的模制主体121，其覆盖基板100、填充每个通道106、并包封半导体管芯118。因此，模制主体121形成保护每个半导体管芯118和相关的电连接120的绝缘和保护性结构。模制主体121可以包括多种电绝缘包封材料，包括陶瓷、环氧树脂材料和热固性塑料，仅举几例。在实施例中，通过将组件放
置在三维腔室中并将液化的包封材料注入腔室中而形成模制主体121。这些技术的示例包括注塑模制、传递模制和压缩模制。在另一个实施例中，通过层合技术形成模制主体121。
49.通道106可以形成为包括环形通道122(如图6a所示)，其围绕岛110中的每个岛并将岛110中的每个岛与基板100的周缘分开。该环形通道122有利地用于通过在包封体材料和基板100之间提供附加的互锁表面来在包封工艺期间增强包封材料的粘附。更一般地，该概念可以用于形成外部通道106或其他特征，其增加基板100的与包封体材料相互作用的可用表面积。
50.执行包封工艺，使得形成弹簧接触附接特征112的平面片状金属的舌片114和舌片114中的穿孔116从模制主体121突出。因此，这些特征是可触及的，以用于附接在完成的模块中。可选地，可以在同一包封步骤中或在另一步骤中用模制化合物涂覆舌片114。此外，如图4c的后侧视图所示，基板100的下表面104保持从模制主体121暴露。在基板100是冲压基板100的情况下(例如，如参考图2b所述)，基板100的包括岛110的下侧和垂直偏移部分的完整下表面104可以从模制主体121暴露。
51.参考图5，在模制主体121中形成多个孔123，并且在基板100的上表面102形成多个凹陷124。每个凹陷124设置在每个相应孔123的下方。即，穿过模制主体121并终止于基板100内的单一穿孔116由孔123之一和凹陷124之一的组合提供。这些孔123和对应的凹陷124可以形成在岛110中的任何一个中，包括容纳半导体管芯118的岛110和不容纳半导体管芯118并电连接到半导体管芯118的岛110。
52.根据实施例，模制主体121中的孔123和上表面102中的在每个孔123下方的对应凹陷124是通过完全穿透模制主体121并随后部分穿透基板100的单一工艺步骤形成的。例如，该单一工艺步骤可以包括机械钻孔技术，由此钻头穿透模制主体121并部分穿透基板100。在另一个实施例中，单一工艺步骤可以包括激光钻孔技术，由此高度集中的能量被引导到模块的上表面102，直到模制主体121被穿透并且基板100被部分穿透。
53.参考图6，按压配合连接器126布置在孔123中的每个中，使得在按压配合连接器126的内端和基板100之间存在机械和电连接。按压配合连接器126是被设计为提供用于功率半导体模块的i/o连接的导电结构。按压配合连接器126可以包括导电金属，例如cu、al等，并且可以包括一层或多层抗腐蚀镀覆层，例如ni、ag、au等。按压配合连接器126提供经由包含在模制主体121内的电连接120到第二半导体管芯118的各个端子的外部可触及电接触点。按压配合连接器126可以被设计为通过将按压配合连接器126的远端插入电路接口(例如印刷电路板)中的相应形状的插座中而提供与电路接口的力配合连接。按压配合连接器126与基板100之间的机械连接具有足够的抗力，使得按压配合连接器126不容易被普通人的拉力移除，并且可以从电路接口的插座中插入和拔出而不会破损。一般而言，按压配合连接器126的直径可以在0.5mm-2mm的范围内，并且在某些实施例中可以是1mm。按压配合连接器126的远端可以被设计为塑性变形和/或可以包括弹簧加载的接触机构以增强i/o连接。
54.在实施例中，通过将按压配合连接器126的内端焊接到基板100来提供按压配合连接器126和基板100之间的机械和电连接。更具体地，可以执行电阻焊接技术，由此非常大量的电流通过两个元件，从而产生足够的热量来熔化金属并实现焊接。在另一个示例中，可以执行激光焊接技术，由此例如来自连续或脉冲激光束的集中辐射被引导到结合界面，直到
产生足够的热量以熔化金属并实现焊接。更一般地，可以采用各种各样的焊接技术中的任何一种。
55.在实施例中，在没有焊接的情况下提供按压配合连接器126和基板100之间的机械和电连接。例如，凹陷124的尺寸可以设计成具有比按压配合连接器126的直径略小的直径(例如，小约5-15％)，这样按压配合连接器126可以插入凹陷124中，然后通过机械压力牢固地保持住。在另一个示例中，按压配合连接器126的内端可以包括突出特征，例如脊或螺纹，其以与螺钉或螺栓类似的方式与凹陷124的侧壁啮合。
56.在以上示例中的任一个中，基板100充当锚定点，其为每个按压配合连接器126提供基本的机械稳定性并且同时提供电再分配。有利地，不需要焊接或附加特征(例如销铆钉)来形成按压配合连接器100和基板100之间的机械和电连接。
57.代替在模制主体121中形成孔123随后将按压配合连接器126附接到基板，可以在形成模制主体121之前附接按压配合连接器126。例如，按压配合连接器126可以根据上述技术通过机械方式焊接到基板100或附接至基板，并且随后可以围绕按压配合连接器126形成模制主体121。
58.参考图7，示出了用于电隔离岛110的后侧处理步骤。在参考图2描述的任一技术中，在形成通道106之后，每个岛110通过基板100的位于通道106正下方的部分108保持彼此连接。在参考图2a描述的半蚀刻技术的情况下，平面片状金属的位于通道106正下方的这些部分108比岛110薄。在参考图3a描述的冲压技术的情况下，平面片状金属的位于通道106正下方的这些部分108与岛110垂直偏移并且具有与岛110大约相同的厚度。在任一情况下，图9中所示的工艺步骤去除了基板100的这些部分108以消除相邻岛110之间的任何连接，从而形成隔离的接合焊盘。
59.参考图7a，将选择性蚀刻技术应用于基板100的下表面104。在图7a的实施例中，基板100是根据参考图2a描述的技术形成的半蚀刻基板100。根据该技术，在基板100的下表面104上提供掩模128，并且例如以与参考图2a描述的半蚀刻技术类似的方式蚀刻基板100的从掩模128暴露的部分。由于要去除的所需区域的几何形状与通道106的几何形状相同，因此可以使用公共光掩模来形成两个掩模(即，用于形成通道106的掩模和用于去除通道106下方的部分108的掩模)。
60.参考图7b，将选择性蚀刻技术应用于不同配置的基板100的下表面104。在图7b的实施例中，基板100是根据参考图2b描述的技术所形成的冲压平面片状金属。除了选择蚀刻条件以去除基板100的较厚的垂直偏移部分108之外，后侧蚀刻工艺可以与图7a的技术基本相似。
61.参考图7c，将平坦化技术应用于平面片状金属的下表面104。在图7c的实施例中，基板100是根据参考图2b描述的技术所形成的冲压平面片状金属。平坦化技术从冲压基板100均匀地去除材料，直到暴露出通道106的底部。例如，这可以使用化学抛光工艺、机械抛光工艺(例如研磨)或化学机械抛光(cmp)工艺来完成。
62.参考图8，在执行后侧处理步骤之后，岛110通过模制主体121的包封材料彼此完全分开和隔离。如果需要，这些岛110可以被配置为用于在模块的下侧电触及半导体管芯118的每个端子的电端子。
63.如图9所示，基板100的下表面104可以被一层电绝缘材料覆盖。结果，模块可以安
装在例如散热器的外部设备上，并且电绝缘材料层为每个岛110提供电隔离。一般来说，电绝缘材料层可以是任何商业上可用的高k封装电介质。根据实施例，电绝缘材料层是或包括陶瓷材料。在另一个实施例中，电绝缘材料层是或包括在电化学或化学工艺中通过氧化沉积的氧化物层。在另一个实施例中，绝缘材料层是或包括颗粒和基体材料。基质材料可以是例如环氧树脂、硅树脂或丙烯酸酯。颗粒可以例如来自陶瓷、涂层金属和玻璃。颗粒可以由两种或更多种材料混合而成。颗粒的形式可以是球状、碎球状、板状和钉状。例如，电绝缘材料层的厚度可以在50μm和500μm之间，并且在某些实施例中可以在150μm和250μm之间。
64.诸如“第一”、“第二”等的术语用于描述各种元件、区域、部分等，并且也不旨在进行限制。在整个说明书中，相似的术语指代相似的元件。
65.如本文中所使用的，术语“具有”、“包含”、“包括”等是开放式术语，其指示所陈述的元件或特征的存在，但是不排除附加的元件或特征。除非上下文另外明确指出，否则冠词“一”和“所述”旨在包括复数和单数。
66.应当理解，除非另外特别指出，否则本文所述的各种实施例的特征可以彼此组合。
67.尽管这里已经示出和描述了特定实施例，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离本发明的范围的情况下，各种替代和/或等效实施方式可以替代所示出和描述的特定实施例。本技术旨在覆盖本文所讨论的特定实施例的任何改编或变型。因此，旨在使本发明仅由权利要求及其等同物限制。