具有金属基板的功率模块的制作方法

技术特征：
1.一种形成功率半导体模块的方法，所述方法包括：提供平面片状金属的基板；在所述基板的上表面中形成通道，所述通道部分地延伸穿过所述基板的厚度并在所述基板中限定出多个岛；在所述岛中的第一个岛上安装第一半导体管芯；形成包封体的模制主体，所述模制主体覆盖所述基板、填充所述通道并包封所述半导体管芯；在所述模制主体中形成孔并且在所述孔下方的所述基板的所述上表面中形成凹陷；以及将按压配合连接器布置在所述孔中，并且在所述按压配合连接器的内端和所述基板之间形成机械和电连接。2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述模制主体中形成所述孔并且在所述上表面中形成所述凹陷包括：执行完全穿透所述模制主体并且随后部分地穿透所述基板的单一工艺步骤。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述单一工艺步骤包括机械或激光钻孔。4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述机械和电连接包括：将所述按压配合连接器的所述内端焊接到所述基板。5.根据权利要求1所述的方法，还包括由所述基板形成弹簧接触附接特征，所述弹簧接触附接特征包括所述平面片状金属的舌片和所述舌片中的完全延伸穿过所述基板的厚度的穿孔，其中，在形成所述模制主体之后，所述舌片和所述穿孔从所述包封体的模制主体突出。6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述通道包括：将所述通道中的一个通道形成为将所述岛中的每个岛与所述基板的周缘分开的外周环。7.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述通道之后，所述岛中的每个岛通过所述基板的位于所述通道正下方的部分保持彼此连接，并且其中，所述方法还包括：在形成所述模制主体之后去除所述基板的所述部分，使得所述岛中的每个岛彼此电隔离。8.根据权利要求7所述的方法，其中，形成所述通道包括：对所述基板的所述上表面进行半蚀刻，使得所述基板的位于所述通道正下方的所述部分比所述岛薄，并且其中，去除所述基板的所述部分包括选择性地蚀刻所述基板的所述下表面。9.根据权利要求7所述的方法，其中，形成所述通道包括：冲压所述基板的所述上表面，使得所述基板的在所述通道正下方的所述部分与所述岛垂直偏移，并且其中，去除所述基板的所述部分包括选择性地蚀刻所述基板的所述下表面。10.根据权利要求7所述的方法，其中，形成所述通道包括：冲压所述基板的所述上表面，使得所述基板的位于所述通道正下方的所述部分与所述岛垂直偏移，并且其中，去除所述基板的所述部分包括使所述基板的所述下表面平坦化。11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述凹陷形成在所述岛中的第二个岛中，其中，所述方法还包括：在所述岛中的第二个岛上安装第二半导体管芯；在所述模制主体中形成多个孔并且在相应孔中的每个孔下方的所述基板的所述上表
面中形成多个凹陷；提供多个按压配合连接器；以及在所述孔中的每个孔中布置所述按压配合连接器中的一个，并且在所述按压配合连接器中的每个的内端和所述基板之间形成机械和电连接，其中，所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯被配置为功率晶体管，并且其中，所述按压配合连接器被配置为到所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯的每个端子的外部可触及电接触点。12.一种功率半导体模块，包括：平面片状金属的基板，包括多个岛，所述多个岛均由在所述基板的上表面和下表面之间延伸的通道限定；安装在所述岛中的第一个岛上的第一半导体管芯；包封体的模制主体，覆盖所述金属基板、填充所述通道并且包封所述第一半导体管芯；所述模制主体中的孔，延伸至所述基板的所述上表面中的凹陷；以及布置在所述孔中的按压配合连接器，使得所述按压配合连接器的内端机械和电连接到所述基板。13.根据权利要求12所述的功率半导体模块，其中，所述按压配合连接器的所述内端焊接到所述基板。14.根据权利要求12所述的功率半导体模块，其中，所述按压配合连接器的所述内端通过机械压力固定在所述凹陷内。15.根据权利要求12所述的功率半导体模块，还包括形成在所述基板中的弹簧接触附接特征，所述弹簧接触附接特征包括所述平面片状金属的舌片和所述舌片中的完全延伸穿过所述舌片的穿孔，其中，所述舌片和所述穿孔从所述模制主体暴露。16.根据权利要求12所述的功率半导体模块，其中，所述通道中的一个被布置为将所述岛中的每个岛与所述基板的周缘分开的外周环。17.根据权利要求12所述的功率半导体模块，其中，所述基板的所述下表面在所述模制主体的下表面处暴露，并且其中，所述功率半导体模块还包括覆盖所述基板的所述下表面的电绝缘材料层。18.根据权利要求12所述的功率半导体模块，其中，所述凹陷形成在所述岛中的第二个岛中，其中，所述第一半导体管芯包括背离所述基板的所述上表面并通过电连接器而电连接到所述第二个岛的端子，并且其中，所述按压配合连接器被配置为到所述半导体管芯的所述端子的外部可触及电接触点。19.根据权利要求12所述的功率半导体模块，还包括：安装在所述岛中的第二个岛上的第二半导体管芯；所述模制主体中的多个孔和在相应孔中的每个孔下方的所述基板的所述上表面中的多个凹陷；多个按压配合连接器；其中，所述按压配合连接器中的一个布置在所述孔中的每个孔中，并且在相应的按压配合连接器的内端和所述基板之间形成机械和电连接，其中，所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯被配置为功率晶体管，并且
其中，所述按压配合连接器被配置为到所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯的每个端子的外部可触及电接触点。

技术总结
一种形成功率半导体模块的方法包括：提供平面片状金属的基板；在所述基板的上表面中形成通道，所述通道部分地延伸穿过所述基板的厚度并在所述基板中限定出多个岛；在所述岛中的第一个岛上安装第一半导体管芯；形成包封体的模制主体，所述模制主体覆盖所述基板、填充所述通道并包封所述半导体管芯；在所述模制主体中形成孔并且在所述孔下方的所述基板的所述上表面中形成凹陷；以及将按压配合连接器布置在所述孔中，并且在所述按压配合连接器的内端和所述基板之间形成机械和电连接。和所述基板之间形成机械和电连接。和所述基板之间形成机械和电连接。


技术研发人员：李五湖 R
受保护的技术使用者：英飞凌科技奥地利有限公司
技术研发日：2021.06.28
技术公布日：2022/1/13