一种便于更换坩埚的高通量薄膜制备装置的制作方法

技术特征：
1.一种便于更换坩埚的高通量薄膜制备装置，其特征在于，所述便于更换坩埚的高通量薄膜制备装置包括蒸发腔与存储腔；所述蒸发腔通过软连接管路与存储腔连通；所述蒸发腔与存储腔的连通管路设置有截止件；所述蒸发腔内设置有蒸发源以及用于放置坩埚的凹槽；所述存储腔内设置有坩埚存储架以及机械手；所述机械手用于坩埚在凹槽以及坩埚存储架之间的运输；所述坩埚为圆台状坩埚。2.根据权利要求1所述的便于更换坩埚的高通量薄膜制备装置，其特征在于，所述坩埚存储架包括支撑板、设置于支撑板上的坩埚支架以及设置于支撑板底部的支撑轴；所述支撑轴穿设于存储腔；所述支撑轴用于坩埚支架沿支撑轴的轴向位移和/或坩埚支架沿支撑轴的轴向旋转。3.根据权利要求2所述的便于更换坩埚的高通量薄膜制备装置，其特征在于，所述坩埚支架包括至少1层坩埚存储台；所述坩埚存储台用于放置圆台状坩埚；所述坩埚存储台通过支撑柱支撑；所述坩埚存储台设置有放置圆台状坩埚的至少2个通孔。4.根据权利要求1所述的便于更换坩埚的高通量薄膜制备装置，其特征在于，所述机械手包括第一位移件与第二位移件；所述第一位移件穿设于存储腔，所述第一位移件的轴向与支撑轴的轴向平行，第一位移件的轴向与第二位移件的轴向垂直；所述第一位移件带动第二位移件沿第一位移件的轴向位移和/或带动第二位移件沿第一位移件的轴向旋转；所述第二位移件用于坩埚在凹槽以及坩埚存储架之间的运输。5.根据权利要求1所述的便于更换坩埚的高通量薄膜制备装置，其特征在于，所述圆台状坩埚为单层坩埚；所述圆台状坩埚放置于凹槽时，圆台状坩埚高出凹槽。6.根据权利要求1所述的便于更换坩埚的高通量薄膜制备装置，其特征在于，所述圆台状坩埚为单层坩埚；所述圆台状坩埚放置于凹槽时，圆台状坩埚不高出凹槽；所述凹槽的底部设置有至少3个用于穿过顶针的通孔；所述顶针用于穿过通孔顶起圆台状坩埚。7.根据权利要求1所述的便于更换坩埚的高通量薄膜制备装置，其特征在于，所述圆台状坩埚包括内层以及设置于内层外侧的保护层；所述圆台状坩埚放置于凹槽时，内层不高出凹槽，保护层高出凹槽。8.根据权利要求1所述的便于更换坩埚的高通量薄膜制备装置，其特征在于，所述圆台状坩埚包括内层以及设置于内层外侧的保护层；所述圆台状坩埚放置于凹槽时，内层不高出凹槽，保护层不高出凹槽；所述凹槽的底部设置有至少3个用于穿过顶针的通孔；所述顶针用于穿过通孔顶起圆台状坩埚。

技术总结
本实用新型涉及一种便于更换坩埚的高通量薄膜制备装置，包括蒸发腔与存储腔；所述蒸发腔通过软连接管路与存储腔连通；所述蒸发腔与存储腔的连通管路设置有截止件；所述蒸发腔内设置有蒸发源以及用于放置坩埚的凹槽；所述存储腔内设置有坩埚存储架以及机械手；所述机械手用于坩埚在凹槽以及坩埚存储架之间的运输；所述坩埚为圆台状坩埚。本实用新型通过存储腔的设置，实现在真空环境下对坩埚进行更换，从而实现多种材料的交替镀膜，有利于实现多种材料对同一基片的真空镀膜，且能够完全避免材料的交叉污染问题。免材料的交叉污染问题。免材料的交叉污染问题。


技术研发人员：郭鸿杰 杨露明 冯秋洁
受保护的技术使用者：宁波星河材料科技有限公司
技术研发日：2021.04.01
技术公布日：2022/1/11