防腐蚀的方法与流程

1.本发明涉及超合金部件制造领域，并且尤其涉及超合金部件的热障保护。


背景技术：

2.超合金(superalloy)或高性能合金是指在高温下(通常为其熔化温度的0.7倍至0.8倍)具有优异强度和抗蠕变性、良好的表面稳定性以及良好的抗腐蚀和抗氧化性的金属合金。超合金通常具有奥氏体型的面心立方晶体结构。超合金所基于的合金化元素最常用的是镍、钴和铁，但也有钛和铝。
3.对于超合金的抗腐蚀和抗氧化性，已知的是，形成所谓的热障组件，该组件由基材(要保护的超合金部件)、粘结层和粘结层上的热屏障组成。
4.金属层(称为粘结层)的成分和质量在热障组件的使用行为中起着重要作用。
5.已知的现有技术中的部件从内到外依次包括镍基单晶超合金基材、粘结层和热屏障。
6.众所周知的是，在热障组件中加入铪能够显著地提高热屏障的粘附。
7.存在将铪添加到热障体系中的若干已知方案。
8.第一种技术是将大量的铪直接添加到基材中(如果量太少，铪不会充分扩散到粘结层中)，即在构成该基材的超合金的开发阶段。然而，这使得这种超合金的固溶处理更加困难。实际上，超合金经过热处理，包括固溶相和回火相。这种处理为将合金加热到合适的温度(低于共晶温度)，并保持该温度足够长的时间以使其组分的元素浓度均匀并控制金属间沉淀物的尺寸。这优化了材料的微观结构特性。
9.然而，超合金中铪的存在使得共晶更难完全或接近完全溶解并导致燃烧缺陷。然而，该第一种技术改进了由此获得的部件的抗氧化性。
10.第二种技术是在沉积粘合层的过程中，将少量的铪加入至该粘合层中。但是，该技术仅在物理气相沉积(pvd)溅射方法的情况下提高了热屏障的粘附，而在悬浮液等离子体喷涂(sps)等热喷涂沉积方法的情况下不起作用，其需要喷砂处理以达到最终的表面粗糙度。然而，喷砂会去除粘结层上的材料，在这种情况下，会减少铪的量。
11.第三种技术是在粘合层的过程中，将大量的铪加入至该粘结层中，以便在sps沉积的情况下保留足够的铪以提高热屏障的粘附。另一方面，这种方案会降低使超合金免受腐蚀和氧化的保护。此外，在不含铂或低铂的粘结层的情况下，在粘结层中加入铪会降低体系的抗氧化性。
12.因此，在这种情况下，本发明的目的是克服现有技术的上述缺点。
13.具体地，本发明的目的是提供一种提高通过sps、cvd或pvd沉积在粘结层上的热屏障的粘附和使用寿命而不降低部件的抗腐蚀和抗氧化性的方法。


技术实现要素：

14.根据第一方面，本发明涉及一种保护无铪镍基单晶超合金部件免受腐蚀和氧化的
方法，至少包括以下步骤：
15.制造无铪镍基单晶超合金部件；
16.在所述部件上沉积无铪第一粘结层，
17.在所述第一粘结层上沉积铪掺杂的第二粘结层，
18.在所述第二粘结层上沉积无铪第三粘结层，
19.通过喷砂来剥离所述第三粘结层，以至少部分去除所述第三粘结层并且增加由所述第二粘结层和至少部分第三粘结层形成的上粘结层的表面粗糙度；
20.进行氧化处理，以在表面得到铪掺杂的氧化材料层；
21.在所述氧化材料层上沉积热屏障层。
22.因此，本发明有利地提出使用第三粘结层，用于在通过喷砂来进行的剥离过程中作为筛网(screen)，以保持铪掺杂的第二粘结层的完整性，从而保留沉积铪的量。换言之，喷砂是热喷涂热屏障的必要预备步骤。但是喷击会剥离材料。因此，使用不含铪且在喷砂过程中可剥离的第三粘结层来保护铪掺杂的第二粘结层。因此，与已知方法相反，铪掺杂的粘结层不会被喷砂剥离或仅被轻微剥离，因此保留了已整合到其中的铪的量。
23.因此，这种布置允许热屏障通过sps热喷涂(一种需要喷砂的工艺)来沉积，同时保持选定的铪的质量百分比，以提高热屏障的耐用性并延长其使用寿命，同时促进超合金部件的抗腐蚀和抗氧化性。
24.所述热屏障层可根据悬浮液等离子体喷涂方法通过热喷涂来沉积。
25.所述热屏障层可根据pvd方法沉积，优选通过溅射来沉积。
26.第三粘结层通过喷砂在剥离过程中可被完全剥离。
27.第二粘结层中铪的质量百分比可以对应一个预定值。
28.第二粘结层中铪的质量百分比可由下式确定
[0029][0030]
其中，v2为第一粘结层的体积，v3为第二粘结层的体积，并且v4为第三粘结层的体积，以及c
均值
为部件中铪的平均质量百分比。
[0031]
所述第二粘结层的氧化处理可在氧气或氩气的分压下通过热处理来进行，该热处理可包括：升高温度直至达到900℃至1200℃的温度的阶段，使该温度保持少于1小时的阶段，以及冷却直至达到室温的阶段。
[0032]
第一粘结层和/或第三粘结层可由选自niptal或mcralx的合金组成，其中m为钴、镍或钴
‑
镍，并且x为钇或硅。
[0033]
第二粘结层可由选自alhf或mcralyhf的合金组成，其中m为钴、镍或钴
‑
镍。
[0034]
第三粘结层可由选自niptal或mcralx的合金组成，其中m为钴、镍或钴
‑
镍，并且x为钇或硅。
[0035]
所有的沉积步骤可通过相同的沉积设备来进行。
[0036]
根据第二方面，本发明涉及一种无铪镍基单晶超合金部件，通过根据本发明的方法保护其免受腐蚀，其中，v2为第一粘结层的体积，v3为第二粘结层的体积，并且v4为第三粘结层的体积，以及c
均值
为部件中铪的平均质量百分比。
[0037]
所述第二粘结层的氧化处理可在氧气或氩气的分压下通过热处理来进行，该热处
理可包括：升高温度直至达到900℃至1200℃的温度的阶段，使该温度保持少于1小时的阶段，以及冷却直至达到室温的阶段。
[0038]
第一粘结层和/或第三粘结层可由选自niptal或mcralx的合金组成，其中m为钴、镍或钴
‑
镍，并且x为钇或硅。
[0039]
第二粘结层可由选自alhf或mcralyhf的合金组成，其中m为钴、镍或钴
‑
镍。
[0040]
第三粘结层可由选自niptal或mcralx的合金组成，其中m为钴、镍或钴
‑
镍，并且x为钇或硅。
[0041]
所有的沉积步骤可通过相同的沉积设备来进行。
[0042]
根据第二方面，本发明涉及一种无铪镍基单晶超合金部件，通过根据本发明的方法保护其免受腐蚀。
附图说明
[0043]
本发明的其他特征、目的和优点将从以下描述中显现，这些描述纯粹是说明性和非限制性的，并且应当结合附图阅读，其中：
[0044]
图1示出了根据本发明的方法的第一步骤；
[0045]
图2示出了根据本发明的方法的第二步骤；
[0046]
图3示出了根据本发明的方法的第三步骤；
[0047]
图4示出了根据本发明的方法的第四步骤；
[0048]
图5示出了根据本发明的方法的第五步骤；
[0049]
图6示出了根据本发明的方法的第六步骤；
[0050]
图7示出了根据本发明的方法的第七步骤。
[0051]
在所有的附图中，相似的要素用相同的附图标记来表示。
具体实施方式
[0052]
根据一个方面，本发明涉及一种保护无铪镍基单晶超合金部件免受腐蚀和氧化的方法。该方法至少包括以下步骤：
[0053]
制造无铪镍基单晶超合金部件；
[0054]
在所述部件上沉积无铪第一粘结层；
[0055]
在所述第一粘结层上沉积铪掺杂的第二粘结层；
[0056]
在所述第二粘结层上沉积无铪第三粘结层；
[0057]
通过喷砂来剥离所述第三粘结层，以至少部分地移除所述第三粘结层并且增加所述第二粘结层的表面粗糙度；
[0058]
进行氧化处理，以得到铪掺杂的氧化材料层；
[0059]
在所述氧化材料层上沉积热屏障层。
[0060]
制造超合金部件
[0061]
如图1所示，本发明的第一步骤可为制造无铪镍基单晶超合金部件1。
[0062]
部件1可例如通过铸造或增材制造来获得并且具有期望的形状。
[0063]
下表1示出了可用于根据本发明的方法中的超合金的若干实例。它们由字母a到f来标识。
[0064]
表1
[0065][0066]
无铪镍基单晶超合金的实例
[0067]
对于每种超合金，术语“余量”对应于与所提到的各种其他成分一起达到100％的剩余质量百分比。
[0068]
沉积第一粘结层
[0069]
该方法的第二步骤示出在图2中。该步骤为沉积无铪第一粘结层2。该第一粘结层2将用于限制存在于第二粘结层3中的铪的扩散至部件1。
[0070]
第一粘结层2可以由选自niptal或mcralx的合金组成，m为钴、镍或钴
‑
镍，并且x为钇或硅。
[0071]
第一粘结层可具有介于5μm和50μm之间的厚度。
[0072]
第一粘结层2可以通过物理气相沉积(pvd)，或者优选通过化学气相沉积(cvd)来沉积。
[0073]
沉积第二粘结层
[0074]
如图3所示，第三步骤对应于沉积第二粘结层3。在尤其有利的方式中，第二粘结层3掺杂有铪。
[0075]
第二粘结层3可由选自alhf或mcralyhf的合金组成，其中m为钴、镍或者钴
‑
镍。
[0076]
此外，第二粘结层3的(原子)铪质量百分比c3的计算与所有粘结层的体积相关，为部件中铪的平均质量比的函数，根据下式来计算：
[0077][0078]
其中，c2为第一粘结层2中铪的质量百分比，v2为第一粘结层2的体积，v3为第二粘结层3的体积，c4为第三粘结层4中铪的质量百分比，并且v4为第三粘结层4的体积。
[0079]
优选地，c2和c4为零，因此，
[0080][0081]
其还可写成：
[0082][0083]
在尤其优选的方式中，第三粘结层4在剥离过程中被完全剥离，并且第一粘结层2和第二粘结层3具有相同的体积。这意味着，在这种情况下，v4＝0且v2＝v3，则：c3＝2*c
均值
＝1％。
[0084]
这意味着部件中铪的平均质量百分比c
均值
为0.5％。
[0085]
在尤其有利的方式中，第二粘结层3中存在的铪强化了第二粘结层3的晶界，从而阻止了金属阳离子的扩散并且减缓了氧向第二粘结层3中的扩散，从而减缓了第二粘结层3的氧化动力学。
[0086]
第二粘结层可通过物理气相沉积(pvd)，或优选通过化学气相沉积(cvd)来沉积。
[0087]
沉积第三粘结层
[0088]
如图4所示，该方法的第四步骤对应于沉积无铪第三粘结层4。
[0089]
第三粘结层4是本发明的特别有利的提供。实际上，如下文将描述的，该粘结层旨在在喷砂步骤期间被剥离且因此大部分被剥离，但它的存在使得在喷砂期间最大可能地保留了第二粘结层3(并且因此保留了最高程度的铪)。
[0090]
第三粘结层4可以由与第一粘结层2相同的合金组成。
[0091]
因此，第三粘结层4可由选自niptal或mcralx的合金组成，其中m为钴、镍或钴
‑
镍，并且x为钇或硅。
[0092]
与前面的粘结层一样，第三粘结层4可以通过pvd，或者优选通过cvd工艺来沉积。
[0093]
值得注意的是，在尤其有利的方式中，这三个粘结层可以通过同一沉积装置进行喷涂。这种安排能够简化根据本发明的方法(与现有技术的方法相比)。
[0094]
喷砂
[0095]
该方法的第五步骤是对第三粘结层4进行喷砂的剥离步骤。喷砂用于尤其通过增加待进行热喷涂的表面的粗糙度来对通过悬浮液等离子体喷涂(sps)类型的热喷涂来沉积热屏障的准备。
[0096]
在尤其有利的方式中，通过对将完全剥离或部分剥离的第三粘结层4进行喷砂，保留了第二粘结层3。因此，在喷砂结束时，外层要么是第二粘结层3(如图5所示)，要么是第三粘结层4的残余部分，但具有改进的表面光洁度(增加了所述第二或第三齐平粘结层3、4的表面粗糙度)，并且其基本上仍具有铪的理想质量百分比c3。
[0097]
在本说明书的其余部分中，在至少部分剥离第三粘结层4之后获得的第二粘结层3或第三粘结层是齐平的并且具有改性的表面光洁度，将被称为“上”粘结层。更确切地说，如果第三粘结层4近乎完全被剥离，则上粘结层为第二粘结层2，否则其始终为第三粘结层4，至少是剩下的第三粘结层。
[0098]
氧化
[0099]
第六步骤是表面的氧化步骤，即上粘结层的氧化步骤，得到铪掺杂的氧化材料层5。更确切地说，上粘结层的表面部分经受氧化，从而使该表面部分的材料发生转变(被氧化)。如图6所示，氧化处理使得产生铪掺杂的氧化材料层5。更确切地说，在优选的方式中，其是在晶界中含铪的铝氧化物(al2o3，也称为氧化铝)的层，换句话说，在其晶界水平掺杂了铪的氧化铝的层。这种氧化处理是在氧气或氩气分压下于密闭体系(enclosure)中进行的。
[0100]
优选地，氧化处理的各个阶段如下：
[0101]
升温：优选80℃/min至100℃/min，
[0102]
氧化时间：0.5小时至1小时，在900℃至1200℃的温度下，
[0103]
冷却、降温：优选80℃/min至100℃/min。
[0104]
沉积热屏障层
[0105]
最后，如图7所示，该方法的最后一个步骤是沉积热屏障6的步骤。优选地，使用sps
热喷涂方法来沉积热屏障6。
[0106]
值得注意的是，该热屏障直接沉积在氧化材料层5上。因此，存在于第二粘结层3和氧化材料层5中的铪可以扩散到热屏障中以延长其使用寿命。