一种调控纳米晶高熵合金蠕变性能的方法与流程

技术特征：
1.一种调控纳米晶高熵合金蠕变性能的方法，其特征在于：包括间歇磁控溅射镀膜和控制退火两个步骤：(1)制备crmnfeconi高熵合金靶材，其原子百分比为：cr：18
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20％、mn：21
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25％、fe：17
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21％、co：19
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21％、ni：18
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20％，总质量百分比之和为100％；(2)将crmnfeconi高熵合金靶材作为溅射靶材，采用间歇磁控溅射的方法在基底上制备沉积态纳米晶高熵合金薄膜；(3)镀膜时电源采用射频电源，功率为80
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100w，溅射过程中加偏压80
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100v，炉内压强为0.3
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0.8pa；(4)将沉积态的纳米晶高熵合金薄膜置于通有保护气体的退火炉中进行退火处理。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所制备的沉积态crmnfeconi高熵合金薄膜晶界宽度为2
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3.5nm，晶粒尺寸为3
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5nm。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：退火时保持炉内压强为25
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35pa。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述保护气体为95％氩气 5％氢气的混合气体，且在退火时保持气体流量为28
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32sccm。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述退火温度为200
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600℃。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述退火保温时间为0.5
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3h。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：退火后冷却方式为随炉冷却，制得的高熵合金薄膜晶界宽度为0.6
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2.5nm，晶粒尺寸为5
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10nm，均具有高的蠕变抗性且蠕变抗性随晶界宽度的降低而呈现增高的趋势。

技术总结
本发明公开了一种调控纳米晶高熵合金蠕变性能的方法，通过磁控溅射的方法制备非晶包裹纳米晶的双相高熵合金，其中非晶相可以看作宽度为2～3.5nm的晶界，纳米晶晶粒尺寸为3～5nm。由于非晶相对纳米晶晶粒的滑移和旋转起到很好的抑制作用，而调控退火温度可以改变非晶相宽度从而对晶粒旋转和晶界滑移进行不同程度的抑制，实现调控CrMnFeCoNi纳米晶高熵合金蠕变性能的目的。该方法包括磁控溅射镀膜和控制退火两个步骤。该方法可以有效的调控CrMnFeCoNi纳米米晶高熵合金的蠕变抗性。CrMnFeCoNi纳米米晶高熵合金的蠕变抗性。CrMnFeCoNi纳米米晶高熵合金的蠕变抗性。


技术研发人员：黄平 王飞 肖丽丽
受保护的技术使用者：西安交通大学
技术研发日：2021.08.25
技术公布日：2021/12/16