一种晶圆减薄方法与流程

1.本发明一般涉及半导体技术领域，具体涉及一种晶圆减薄方法。


背景技术：

2.晶圆包括芯片层和研磨层，晶圆减薄工艺是对晶圆的研磨层材料进行磨削，去掉一定厚度的材料。
3.在相关技术中，晶圆减薄工艺包括正面形成减薄线和背面研磨等步骤，在上述背面研磨时，由于芯片层较薄，存在芯片层隐裂的问题。


技术实现要素：

4.鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种晶圆减薄方法。
5.本技术提供一种晶圆减薄方法，包括以下步骤：
6.提供晶圆，所述晶圆包括芯片层和研磨层，在所述芯片层背离所述研磨层的表面上划设减薄线；
7.沿所述减薄线减薄，减薄深度为所述芯片层厚度；
8.在所述芯片层背离所述研磨层的表面涂设第一连接层；
9.通过所述第一连接层将所述芯片层连接至晶圆研磨台；
10.研磨所述研磨层，研磨深度为所述研磨层厚度；
11.在所述芯片层背离所述第一连接层的表面涂设第二连接层；
12.去除所述第一、二连接层，获取芯片。
13.作为可选的方案，所述提供晶圆，所述晶圆包括芯片层和研磨层，在所述芯片层背离所述研磨层的表面上划设减薄线步骤，包括：
14.在所述芯片层背离所述研磨层的表面上涂设刻蚀层；
15.在所述刻蚀层上划设刻蚀线；
16.利用刻蚀工艺沿所述刻蚀线刻蚀，从而形成所述减薄线。
17.作为可选的方案，所述沿所述减薄线减薄，减薄深度为所述芯片层厚度步骤，包括：
18.利用激光沿所述减薄线减薄；
19.去除所述刻蚀层。
20.作为可选的方案，激光的功率为1～3w。
21.作为可选的方案，所述研磨所述研磨层，研磨深度为所述研磨层厚度步骤，包括：
22.对所述研磨层粗研磨；
23.对所述研磨层精研磨；
24.对所述研磨层抛光，直至所述研磨层弯曲去除。
25.作为可选的方案，所述晶圆还设有保护层，所述保护层涂设于所述芯片层背离所述研磨层的表面。
26.作为可选的方案，所述减薄线包括多个纵向减薄线和多个横向减薄线，所述纵向减薄线和所述横向减薄线相互垂直。
27.作为可选的方案，所述第一连接层为uv胶膜。
28.作为可选的方案，所述第二连接层为蓝膜。
29.本技术的减薄方法，用于较薄的芯片层，在对研磨层研磨时，避免了芯片层的隐裂，有利于提高晶圆减薄精度，提高良品率。
附图说明
30.通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
31.图1为本发明实施例提供的一种晶圆减薄方法的流程图；
32.图2～图11为本发明实施例提供的一种晶圆减薄方法的步骤示意图。
具体实施方式
33.下面结合附图和实施例对本技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。
34.需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本技术。
35.本发明使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
36.参考图1所示，本技术的实施例提供一种晶圆减薄方法的流程图，其方法包括以下步骤：
37.s10，提供晶圆10，晶圆10包括芯片层11和研磨层12，在芯片层11背离研磨层12的表面上划设减薄线；
38.需要说明的是，晶圆10包括芯片层11和研磨层12。在芯片层11上划减薄线，减薄线包括横向减薄线和纵向减薄线，横向减薄线和纵向减薄线相互垂直，呈井字型布置，减薄线将芯片层11划分为若干个等面积矩形的区域，该矩形区域的尺寸与所需的芯片尺寸相同。研磨层12为半导体材料，通过机械加工去除半导体材料。
39.在s10步骤中，其包括以下具体步骤：
40.s11，参考图2和图3，晶圆10包括芯片层11和研磨层12，在芯片层11背离研磨层12的表面上涂设刻蚀层30；
41.s12，在刻蚀层30上划设刻蚀线31，刻蚀线31包括横向刻蚀线和纵向刻蚀线，横向刻蚀线和纵向刻蚀线相互垂直，呈井字型布置，进而在刻蚀层30上形成若干个子刻蚀块。其中，子刻蚀块的尺寸与所需芯片尺寸相同；
42.s13，参考图4，利用刻蚀工艺，沿上述的横向刻蚀线和纵向刻蚀线进行刻蚀，在刻蚀层30上形成若干个横向缝隙和纵向缝隙，该横向缝隙和纵向缝隙即为所述减薄线。减薄
线包括横向减薄线和纵向减薄线，横向减薄线和纵向减薄线相互垂直，呈井字型布置。
43.需要说明的是，在步骤s11中，如图2和图3，在芯片层11背离研磨层12的表面上涂设保护层20，保护层20有利于后续步骤中芯片的获取。在具体实施例中，在晶圆10的表面上依次涂设保护层20和刻蚀层30，即刻蚀层30、保护层20、芯片层11及研磨层12依次层叠设置。
44.s20，沿减薄线减薄，减薄深度为芯片层11厚度；
45.需要说明的是，通过激光技术沿横向减薄线和纵向减薄线减薄，激光线穿透保护层20和芯片层11。激光减薄应力小，能够避免芯片层11存在隐裂的问题。激光的功率为1～3w。
46.在s20步骤中，其包括以下具体步骤：
47.s21，参考图5，利用激光沿横向减薄线和纵向减薄线进行减薄；
48.s22，参考图6，减薄完毕后，去除上述的刻蚀层30。
49.s30，参考图7，在芯片层11背离研磨层12的表面涂设第一连接层40；
50.需要说明的是，第一连接层40为uv胶膜，经紫外线处理后的uv胶膜粘附作用力能够消失，有利于后续步骤的芯片获取。
51.s40，参考图8，通过第一连接层40将芯片层11连接至晶圆研磨台50；
52.可以理解的是，晶圆10研磨设备包括晶圆研磨台50和刀具，将晶圆10连接至晶圆研磨台50，即晶圆10的研磨层12朝向刀具。
53.s50，参考图9，研磨研磨层12，研磨深度为研磨层12厚度；
54.在s50步骤中，其包括以下具体步骤：
55.s51，对研磨层12进行粗研磨，提高研磨效率；
56.s52，对研磨层12进行精研磨，避免破坏芯片层11；
57.s53，对研磨层12抛光，直至研磨层12完全去除，能够保证完全去除研磨层12，精度高。
58.s60，参考图10，在芯片层11背离第一连接层40的表面涂设第二连接层60；
59.需要说明的是，第二连接层60为蓝膜。蓝膜在低温下，粘附作用力消失。通过紫外线处理，使得第一连接层40的粘附作用力消除，进而芯片层11能够脱离晶圆10研磨台。然后，将第二连接层60涂设于芯片层11背离第一连接层40的表面。
60.s70，参考图11，去除第一、二连接层，获取芯片。
61.需要说明的是，首先去除掉第一连接层40和保护层20，然后经过低温处理，使得芯片与第二连接层60之间的作用力消失，进而获取所需的芯片。
62.本技术的减薄方法，用于较薄的芯片层，在对研磨层研磨时，避免了芯片层的隐裂，有利于提高晶圆减薄精度，提高良品率。
63.以上描述仅为本技术的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本技术中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本技术中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。