一种有机化合物以及使用其的电子元件和电子装置的制作方法

1.本技术属于有机材料技术领域，具体提供一种有机化合物以及使用其的电子元件和电子装置。


背景技术：

2.随着电子技术的发展和材料科学的进步，用于实现电致发光或者光电转化的电子元器件的应用范围越来越广泛。该类电子元器件通常包括相对设置的阴极和阳极，以及设置于阴极和阳极之间的功能层。该功能层由多层有机或者无机膜层组成，且一般包括能量转化层、位于能量转化层与阳极之间的空穴传输层、位于能量转化层与阴极之间的电子传输层。
3.以有机电致发光器件为例，其一般包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、作为能量转化层的电致发光层、电子传输层和阴极。当阴阳两极施加电压时，两电极产生电场，在电场的作用下，阴极侧的电子向电致发光层移动，阳极侧的空穴也向发光层移动，电子和空穴在电致发光层结合形成激子，激子处于激发态向外释放能量，进而使得电致发光层对外发光。


技术实现要素：

4.本技术的目的是提供一种机化合物以及使用其的电子元件和电子装置，该有机化合物可以用于有电子元件中，提高电子元件的电压性能、发光效率和使用寿命。
5.为了实现上述目的，本技术第一方面提供一种有机化合物，其结构如式1所示：
[0006][0007]
式1中，a选自金刚烷基、降冰片基或环己烷基；
[0008]
ar1选自碳原子数为6～40的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的杂芳基；
[0009]
ar2选自其中x选自c(r4r5)、n(r6)、o、s、si(r7r8)，表示化学键；
[0010]
r4、r5、r6、r7、r8相同或不同，且各自独立地选自氢、碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为6～12的芳基、被碳原子数为1～5的烷基取代的碳原子数为7～17的芳基、碳原子数为3～12的杂芳基；或者，r4和r5形成饱和或不饱和的3～15元环；或者，r7和r8形成饱和或不饱和的3～15元环；
[0011]
r1、r2和r3相同或不同，且各自独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为6～12的芳基、碳原子数为3～12的杂芳基、碳原子数为3～12的三烷基硅基；
[0012]
n1表示r1的个数，n2表示r2的个数，n3表示r3的个数，n1和n2各自独立地选自0、1、2、3或4，n3选自0、1、2、3、4或5；且当n1大于1时，任意两个r1相同或不同；当n2大于1时，任意两个r2相同或不同；当n3大于1时，任意两个r3相同或不同；
[0013]
l1和l2相同或者不同，各自独立地选自单键、碳原子数为6～30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的亚杂芳基；
[0014]
l1、l2、ar1中的取代基相同或者不同，且分别独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为6～12的芳基、碳原子数为3～12的杂芳基、碳原子数为3～12的三烷基硅基。
[0015]
可选地，r4、r5、r6、r7、r8相同或不同，且各自独立地选自碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为6～12的芳基、被碳原子数为1～5的烷基取代的碳原子数为7～17的芳基、碳原子数为3～12的杂芳基；或者，r4和r5形成饱和或不饱和的3～15元环；或者，r7和r8形成饱和或不饱和的3～15元环。
[0016]
本技术第二方面提供一种电子元件，包括相对设置的阳极和阴极，以及设于所述阳极和所述阴极之间的功能层；所述功能层包含本技术第一方面提供的有机化合物。
[0017]
本技术第三方面提供一种电子装置，包括本技术第二方面提供的电子元件。
[0018]
本技术的有机化合物是同时包括1,8
‑
二苯基萘基团、环烷烃和二苯并五元环的三芳胺结构，该结构中，1,8
‑
二苯基萘基团具有较好的电子阻挡能力，三芳胺可以增加结构中分子的共轭性，有效提升效率，同时增强分子的成膜性能，此外，大空间位阻的环烷烃结构，有效改善了分子的堆叠效应，整体上增加分子的刚性和热稳定性，进而提高有机电致发光器件的使用寿命。
[0019]
本技术的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
[0020]
附图是用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本技术，但并不构成对本技术的限制。
[0021]
图1是本技术一种实施方式的有机电致发光器件的结构示意图。
[0022]
图2是本技术一种实施方式的第一电子装置的结构示意图。
[0023]
附图标记说明
[0024]
100、阳极
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
200、阴极
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300、功能层
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310、空穴注入层
[0025]
321、空穴传输层
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322、电子阻挡层
ꢀꢀꢀ
330、有机发光层
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341、空穴阻挡层
[0026]
340、电子传输层
ꢀꢀꢀ
350、电子注入层
ꢀꢀꢀ
400、第一电子装置
具体实施方式
[0027]
以下结合附图对本技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。
[0028]
用语“该”和“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”、“包
含”和“含有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。
[0029]
本技术的第一方面提供一种有机化合物，其结构如式1所示：
[0030][0031]
式1中，a选自金刚烷基、降冰片基或环己烷基；
[0032]
ar1选自碳原子数为6～40的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的杂芳基；
[0033]
ar2选自其中x选自c(r4r5)、n(r6)、o、s、si(r7r8)，表示化学键；
[0034]
r4、r5、r6、r7、r8相同或不同，且各自独立地选自氢、碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为6～12的芳基、被碳原子数为1～5的烷基取代的碳原子数为7～17的芳基、碳原子数为3～12的杂芳基；或者，r4和r5形成饱和或不饱和的3～15元环；或者，r7和r8形成饱和或不饱和的3～15元环，举例而言，所述环为环戊烷基、环己烷基、芴环等；
[0035]
r1、r2和r3相同或不同，且各自独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为6～12的芳基、碳原子数为3～12的杂芳基、碳原子数为3～12的三烷基硅基；
[0036]
n1表示r1的个数，n2表示r2的个数，n3表示r3的个数，n1和n2各自独立地选自0、1、2、3或4，n3选自0、1、2、3、4和5；且当n1大于1时，任意两个r1相同或不同；当n2大于1时，任意两个r2相同或不同；当n3大于1时，任意两个r3相同或不同；
[0037]
l1和l2相同或者不同，各自独立地选自单键、碳原子数为6～30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的亚杂芳基；
[0038]
l1、l2、ar1中的取代基相同或者不同，且分别独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为6～12的芳基、碳原子数为3～12的杂芳基、碳原子数为3～12的三烷基硅基。
[0039]
可选地，r4、r5、r6、r7、r8相同或不同，且各自独立地选自碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为6～12的芳基、被碳原子数为1～5的烷基取代的碳原子数为7～17的芳基、碳原子数为3～12的杂芳基；或者，r4和r5形成饱和或不饱和的3～15元环；或者，r7和r8形成饱和或不饱和的3～15元环。
[0040]
本技术中，a是未取代的金刚烷基、未取代的降冰片基、未取代的环己烷基。
[0041]
本技术中，包括
[0042]
本技术中，所使用的描述方式“各
……
独立地为”与
“……
分别独立地为”和
“……
独立地选自”可以互换，均应做广义理解，其既可以是指在不同基团中，相同符号之间所表
达的具体选项之间互相不影响，也可以表示在相同的基团中，相同符号之间所表达的具体选项之间互相不影响。例如，“其中，各q独立地为0、1、2或3，各r”独立地选自氢、氘、氟、氯”，其含义是：式q
‑
1表示苯环上有q个取代基r”，各个r”可以相同也可以不同，每个r”的选项之间互不影响；式q
‑
2表示联苯的每一个苯环上有q个取代基r”，两个苯环上的r”取代基的个数q可以相同或不同，各个r”可以相同也可以不同，每个r”的选项之间互不影响。
[0043]
本技术中，“取代或未取代的”这样的术语是指，在该术语后面记载的官能团可以具有或不具有取代基(下文为了便于描述，将取代基统称为rc)。例如，“取代或未取代的芳基”是指具有取代基rc的芳基或者非取代的芳基。其中上述的取代基即rc例如可以为氘、卤素基团、氰基、三烷基硅基、烷基、芳基、杂芳基。
[0044]
本技术中，取代或未取代的官能团的碳原子数，指的是所有碳原子数。举例而言，若l2选自碳原子数为12的取代的亚芳基，则亚芳基及其上的取代基的所有碳原子数为12。例如：ar1为则其碳原子数为10；l2为其碳原子数为12。另外，a表示在ar1上连接的基团，当ar1为未取代的芳(杂芳)基时，a直接连接在该芳(杂芳)基上，当ar1为取代的芳(杂芳)基(取代基为rc)时，ar1可以连接在芳(杂芳)基上，还可以连接在取代基rc上，优选直接连接在芳(杂芳)基上。“未取代的芳(杂芳)基”表示未取代的芳基或未取代的杂芳基，“取代的芳(杂芳)基”表示取代的芳基或取代的杂芳基。
[0045]
本技术中，“烷基”可以包括直链烷基或支链烷基。烷基可具有1至5个碳原子，本技术中，诸如“1至5”的数值范围是指给定范围中的各个整数；例如，"1至5个碳原子的烷基”是指可包含1个碳原子、2个碳原子、3个碳原子、4个碳原子、5个碳原子的烷基，具体实例包括但不限于，甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基和戊基。
[0046]
本技术中，芳基指的是衍生自芳香碳环的任选官能团或取代基。芳基可以是单环芳基(例如苯基)或多环芳基，换言之，芳基可以是单环芳基、稠环芳基、通过碳碳键共轭连接的两个或者更多个单环芳基、通过碳碳键共轭连接的单环芳基和稠环芳基、通过碳碳键共轭连接的两个或者更多个稠环芳基。即，除非另有说明，通过碳碳键共轭连接的两个或者更多个芳香基团也可以视为本技术的芳基。其中，稠环芳基例如可以包括双环稠合芳基(例如萘基)、三环稠合芳基(例如菲基、芴基、蒽基)等。芳基中不含有b、n、o、s、p、se和si等杂原子。举例而言，在本技术中，联苯基、三联苯基等为芳基。芳基的实例可以包括但不限于，苯基、萘基、芴基、蒽基、菲基、联苯基、三联苯基、苯并[9,10]菲基、芘基、苯并荧蒽基、基等。本技术中，涉及的亚芳基是指芳基进一步失去一个氢原子所形成的二价基团。
[0047]
本技术中，取代的芳基可以是芳基中的一个或者两个以上氢原子被诸如氘原子、卤素基团、
‑
cn、芳基、杂芳基、三烷基硅基、烷基、环烷基、卤代烷基等基团取代。杂芳基取代的芳基的具体实例包括但不限于，二苯并呋喃基取代的苯基、二苯并噻吩取代的苯基、吡啶取代的苯基等。应当理解地是，取代的芳基的碳原子数，指的是芳基和芳基上的取代基的碳原子总数，例如碳原子数为18的取代的芳基，指的是芳基和取代基的总碳原子数为18。
[0048]
本技术中，杂芳基是指环中包含至少一个杂原子的一价芳香环或其衍生物，杂原
子可以是b、o、n、p、si、se和s中的至少一种。杂芳基可以是单环杂芳基或多环杂芳基，换言之，杂芳基可以是单个芳香环体系，也可以是通过碳碳键共轭连接的多个芳香环体系，且任一芳香环体系为一个芳香单环或者一个芳香稠环。示例地，杂芳基可以包括噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噻唑基、噁唑基、噁二唑基、三唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、吩噁嗪基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、噻吩并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基、异噁唑基、噻二唑基、苯并噻唑基、吩噻嗪基、硅芴基、二苯并呋喃基以及n
‑
苯基咔唑基、n
‑
吡啶基咔唑基、n
‑
甲基咔唑基等，而不限于此。其中，噻吩基、呋喃基、菲咯啉基等为单个芳香环体系类型的杂芳基，n
‑
苯基咔唑基、n
‑
吡啶基咔唑基为通过碳碳键共轭连接的多环体系类型的杂芳基。本技术中，涉及的亚杂芳基是指杂芳基进一步失去一个氢原子所形成的二价基团。
[0049]
本技术中，取代的杂芳基可以是杂芳基中的一个或者两个以上氢原子被诸如氘原子、卤素基团、
‑
cn、芳基、杂芳基、三烷基硅基、烷基、环烷基、卤代烷基等基团取代。芳基取代的杂芳基的具体实例包括但不限于，苯基取代的二苯并呋喃基、苯基取代的二苯并噻吩基、苯基取代的吡啶基等。应当理解地是，取代的杂芳基的碳原子数，指的是杂芳基和杂芳基上的取代基的碳原子总数。
[0050]
本技术中，作为取代基的芳基的碳原子数可以为6～12，例如，碳原子数可以为6、7、8、9、10、11、12，作为取代基的芳基的具体实例包括但不限于，苯基、萘基、联苯基等。
[0051]
本技术中，作为取代基的杂芳基的碳原子数可以为3～12，例如，碳原子数可以为3、4、5、6、7、8、9、10、11、12，作为取代基的杂芳基的具体实例包括但不限于，吡啶基、嘧啶基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基。
[0052]
本技术中，卤素基团可以包括氟、碘、溴、氯等。
[0053]
本技术中，三烷基硅基的具体实例包括但不限于，三甲基硅基、三乙基硅基等。
[0054]
本技术中，螺芴基可以为螺二芴基。
[0055]
本技术中，不定位连接键是指从环体系中伸出的单键其表示该连接键的一端可以连接该键所贯穿的环体系中的任意位置，另一端连接化合物分子其余部分。
[0056]
举例而言，如下式(f)中所示地，式(f)所表示的萘基通过两个贯穿双环的不定位连接键与分子其他位置连接，其所表示的含义，包括如式(f
‑
1)～式(f
‑
10)所示出的任一可能的连接方式。
[0057][0058]
再举例而言，如下式(x')中所示地，式(x')所表示的二苯并呋喃基通过一个从一侧苯环中间伸出的不定位连接键与分子其他位置连接，其所表示的含义，包括如式(x'
‑
1)～式(x'
‑
4)所示出的任一可能的连接方式。
[0059][0060]
下文中对于不定位连接或不定位取代的含义与此处相同，后续将不再进行赘述。
[0061]
在本技术的一种实施方式中，ar1选自碳原子数为6～25的取代或未取代的芳基、碳原子数为5～20的取代或未取代的杂芳基。例如，ar1选自碳原子数为6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25的取代或未取代的芳基，碳原子数为5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20的取代或未取代的杂芳基。
[0062]
可选地，ar1中的取代基选自氘、氰基、氟、碳原子数为1～5的烷基、三甲基硅基、碳原子数为6～12的芳基、碳原子数为5～12的杂芳基。
[0063]
可选地，ar1选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的二苯基呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的螺芴基、取代或未取代的菲基。
[0064]
优选地，ar1中的取代基各自独立地选自氘、氰基、氟、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、联苯基、吡啶基、三甲基硅基。
[0065]
本技术中，未取代的咔唑基包括
[0066]
可选地，ar1选自取代或未取代的基团q，未取代的基团q选自如下基团所组成的组：
[0067][0068]
其中，表示化学键；取代的基团q中具有一个或两个以上的取代基，所述取代基各自独立地选自：氘、氰基、氟、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、联苯基、吡啶基、三甲基硅基；当q的取代基个数大于1时，各取代基相同或不同。
[0069]
可选地，ar1选自如下基团所组成的组：
[0070][0071]
进一步可选地，ar1选自如下基团所组成的组：
[0072][0073]
在本技术的一种具体实施方式中，l1和l2各自独立地选自单键、碳原子数为6～20的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为10～20的取代或未取代的亚杂芳基。例如，l1和l2各自独立地选自单键，碳原子数为6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20的取代或未取代的亚芳基，碳原子数为10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20的取代或未取代的亚杂芳基。
[0074]
优选地，l1和l2中的取代基各自独立地选自氘、氰基、氟、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、联苯基、吡啶基、三甲基硅基。
[0075]
可选地，l1和l2各自独立地选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚咔唑基、取代或未取代的亚二苯并呋喃基、取代或未取代的亚二苯并噻吩基、取代或未取代的亚芴基。
[0076]
优选地，l1和l2中的取代基各自独立地选自氘、氰基、氟、三甲基硅基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、联苯基、吡啶基。
[0077]
可选地，l1和l2各自独立地选自单键、取代或未取代的基团v，未取代的基团v选自如下基团所组成的组：
[0078][0079]
其中，表示化学键；取代的基团v中具有一个或两个以上的取代基，所述取代基各自独立地选自：氘、氰基、氟、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、联苯基、吡啶基、三甲基硅基；当v的取代基个数大于1时，各取代基相同或不同。
[0080]
可选地，l1和l2各自独立地选自单键、如下基团所组成的组：
[0081][0082]
进一步可选地，l1和l2各自独立地选自单键、如下基团所组成的组：
[0083][0084]
在本技术的一种具体实施方式中，r1、r2和r3各自独立地选自氘、氰基、氟、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、联苯基、吡啶基、三甲基硅基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基。
[0085]
可选地，r4、r5、r6、r7、r8各自独立地选自氢、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、联苯基、嘧啶基、吡啶基；或者，r4和r5形成芴环或者，r7和r8形成芴环
[0086]
优选地，r4、r5、r6、r7、r8各自独立地选自甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、联苯基、嘧啶基、吡啶基；或者，r4和r5形成芴环；或者，r7和r8形成芴环。
[0087]
可选地，ar2选自取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的硅芴基、取代或未取代的螺芴基。
[0088]
优选地，ar2中的取代基各自独立地选自氘、氰基、氟、三甲基硅基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、联苯基、吡啶基。
[0089]
可选地，ar2选自取代或未取代的基团w，未取代的基团w选自如下基团所组成的组：
[0090][0091]
其中，表示化学键；取代的基团w中具有一个或两个以上的取代基，所述取代基各自独立地选自：氘、氰基、氟、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、联苯基、吡啶基、三甲基硅基；当w的取代基个数大于1时，各取代基相同或不同。
[0092]
可选地，ar2选自以下基团所组成的组：
[0093][0094]
进一步可选地，ar2选自如下基团所组成的组：
[0095][0096]
可选地，a选自如下基团所组成的组：
[0097][0098]
可选地，所述有机化合物选自以下有机化合物：
[0099]
[0100]
[0101]
[0102]
[0103]
[0104]
[0105]
[0106]
[0107]
[0108]
[0109]
[0110]
[0111]
[0112]
[0113]
[0114]
[0115]
[0116]
[0117]
[0118]
[0119]
[0120][0121]
本技术的第二方面提供一种电子元件，包括相对设置的阳极和阴极，以及设于所述阳极和所述阴极之间的功能层；所述功能层包含本技术第一方面提供的所述的有机化合物。
[0122]
在一种具体的实施方式中，所述功能层包括电子阻挡层，所述电子阻挡层含有所述有机化合物。可选地，所述电子元件为有机电致发光器件。
[0123]
可选地，所述有机电致发光器件为蓝光器件或绿光器件。
[0124]
在一种具体实施方式中，电子元件为有机电致发光器件。如图1所示，有机电致发光器件可以包括依次层叠设置的阳极100、空穴传输层321、电子阻挡层322、有机发光层330、电子传输层340和阴极200。
[0125]
可选地，阳极100包括以下阳极材料，其优选地是有助于空穴注入至功能层中的具有大逸出功(功函数，work function)材料。阳极材料具体实例包括：金属如镍、铂、钒、铬、铜、锌和金或它们的合金；金属氧化物如氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ito)和氧化铟锌(izo)；组合的金属和氧化物如zno∶al或sno2∶sb；或导电聚合物如聚(3
‑
甲基噻吩)、聚[3,4
‑
(亚乙基
‑
1,2
‑
二氧基)噻吩](pedt)、聚吡咯和聚苯胺，但不限于此。优选包括包含氧化铟锡(铟锡氧化物，indium tin oxide)(ito)作为阳极的透明电极。
[0126]
可选地，空穴传输层321可以选自咔唑多聚体、咔唑连接三芳胺类化合物或者其他类型的化合物，本技术对此不做特殊的限定。例如，空穴传输层321可以为npb。
[0127]
可选地，电子阻挡层322既可以由本技术所提供的有机化合物组成，也可以由本技术所提供的有机化合物和其他材料共同组成，该其他材料可以选自咔唑多聚体、咔唑连接三芳胺类化合物或者其他本领域的技术人员在电子阻挡层所常规采用的化合物。例如，电子阻挡层可以为本技术的有机化合物。
[0128]
可选地，有机发光层330可以由单一发光材料组成，也可以包括主体材料和掺杂材料。可选地，有机发光层330由主体材料和掺杂材料组成，注入有机发光层330的空穴和注入有机发光层330的电子可以在有机发光层330复合而形成激子，激子将能量传递给主体材料，主体材料将能量传递给掺杂材料，进而使得掺杂材料能够发光。
[0129]
有机发光层330的主体材料可以为金属螯合类化合物、双苯乙烯基衍生物、芳香族胺衍生物、二苯并呋喃衍生物或者其他类型的材料，本技术对此不做特殊的限制。在本技术的一种实施方式中，有机发光层330的主体材料可以为bh
‑
01。
[0130]
有机发光层330的掺杂材料可以为具有缩合芳基环的化合物或其衍生物、具有杂芳基环的化合物或其衍生物、芳香族胺衍生物或者其他材料，本技术对此不做特殊的限制。在本技术的一种实施方式中，有机发光层330的掺杂材料可以为bd
‑
01。
[0131]
电子传输层340可以为单层结构，也可以为多层结构，其可以包括一种或者多种电
子传输材料，电子传输材料可以选自但不限于，苯并咪唑衍生物、噁二唑衍生物、喹喔啉衍生物或者其他电子传输材料。在本技术的一种实施方式中，电子传输层340可以由et
‑
06和liq组成。
[0132]
本技术中，阴极200可以包括阴极材料，其是有助于电子注入至功能层中的具有小逸出功的材料。阴极材料的具体实例包括但不限于，金属如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和铅或它们的合金；或多层材料如lif/al、liq/al、lio2/al、lif/ca、lif/al和baf2/ca。优选包括包含镁和银的金属电极作为阴极。
[0133]
可选地，如图1所示，在阳极100和空穴传输层321之间还可以设置有空穴注入层310，以增强向空穴传输层321注入空穴的能力。空穴注入层310可以选用联苯胺衍生物、星爆状芳基胺类化合物、酞菁衍生物或者其他材料，本技术对此不做特殊的限制。例如，空穴注入层310可以为f4
‑
tcnq。
[0134]
可选地，如图1所示，在阴极200和电子传输层340之间还可以设置有电子注入层350，以增强向电子传输层340注入电子的能力。电子注入层350可以包括有碱金属硫化物、碱金属卤化物等无机材料，或者可以包括碱金属与有机物的络合物。例如，电子注入层350可以为yb。
[0135]
可选地，如图1所示，在所述有机发光层330与所述电子传输层340之间可以设置或不设置空穴阻挡层341，空穴阻挡层341的材料为本领域所熟知，在此不再赘述。
[0136]
本技术的第三方面提供一种电子装置，包括本技术第二方面提供的电子元件。
[0137]
按照一种实施方式，如图2所示，所述电子装置为第一电子装置400，该第一电子装置400包括上述有机电致发光器件。第一电子装置400例如可以为显示装置、照明装置、光通讯装置或者其他类型的电子装置，例如可以包括但不限于电脑屏幕、手机屏幕、电视机、电子纸、应急照明灯、光模块等。
[0138]
下面结合合成实施例来具体说明本技术的有机化合物的合成方法，但是本技术并不因此而受到任何限制。
[0139]
本技术中未提到的合成方法的化合物的都是通过商业途径获得的原料产品。
[0140]
合成实施例
[0141]
中间体im a
‑
x的合成
[0142][0143]
在n2保护下，向1000ml的三口烧瓶中加入8
‑
苯基
‑
1萘硼酸(100g，0.403mol)、对溴碘苯(103.7g，0.366mol)、k2co3(101.3g，0.733mol)、tbab(2.3g，0.007mol)、pd(pph3)4(4.2g，0.004mol)、phme(600ml)、etoh(200ml)和h2o(100ml)，在80℃下回流搅拌反应12h，停止反应，待反应液冷却至室温，用去离子水/甲苯进行萃取，并水洗有机相至中性，加入无水硫酸镁除水，过滤，浓缩滤液后，使用二氯甲烷正庚烷(v/v)＝1∶5的淋洗剂过层析柱，得到白色固体的im a
‑
1(117.9g，收率90％)。
[0144]
参照im a
‑
1的方法合成表1所示的im a
‑
x(x为2或3)，不同之处在于，使用原料1代
替对溴碘苯。其中，原料1、合成的中间体及其收率如表1所示。
[0145]
表1
[0146][0147][0148]
中间体im b
‑
y的合成
[0149][0150]
在n2保护下，将1
‑
金刚烷醇(100g，0.656mol)、溴苯(103.2g，0.656mol)、二氯甲烷(800ml)加入圆底烧瓶中，降温至0～5℃，滴加三氟甲磺酸(147.8g，0.985mol)，恒温搅拌3h后停止反应，向反应液中加入去离子水(600ml)至中性，加入二氯甲烷(100ml)进行萃取，合并有机相，加入无水硫酸镁进行除水，过滤后浓缩，所得粗品以正庚烷为淋洗剂过硅胶柱色谱提纯，得到白色固体的im b
‑
1(106.2g，收率55.4％)。
[0151]
参照im b
‑
1的方法合成im b
‑
y，不同之处在于，使用原料2代替1
‑
金刚烷醇，使用原料3代替溴苯。其中，使用的主要原料、合成的中间体及其收率如表2所示。
[0152]
表2
[0153]
[0154][0155]
中间体im c1
‑
2和中间体im c2
‑
2的合成
[0156]
[0157]
在n2保护下，将2,2'
‑
双溴双苯(100g，320mmol)、thf(500ml)在1000ml的三口瓶中搅拌溶清，将反应温度降至
‑
78℃，滴加正丁基锂(280ml，2.5m，710mmol)，反应1h后，加入苯基三氯硅烷(130ml，800mmol)，缓慢上升温度至常温，搅拌反应12h，反应停止后，用二氯甲烷和水萃取反应液，水洗有机相至中性，用硫酸钠干燥，用二氯甲烷为淋洗剂过柱，浓缩柱后液，用二氯甲烷∶正庚烷(v/v)＝1∶4进行重结晶，过滤后得到im c1
‑
1(46.8g，收率50％)。
[0158][0159]
在n2保护下，将im c1
‑
1(46.8g，160mmol)、thf(300ml)于500ml的三口瓶中搅拌溶清，将反应温度降至
‑
78℃，滴加正丁基锂(140.8ml，2.5m，352mmol)，反应1h后，加入3
‑
溴苯胺(55g，320mmol)，缓慢上升温度至常温，搅拌反应12h，反应停止后，用二氯甲烷和水萃取反应液，水洗有机相至中性，用硫酸钠干燥，用二氯甲烷为淋洗剂过柱，浓缩柱后液，用乙酸乙酯∶正庚烷(v/v)＝1∶10进行重结晶，过滤后得到im c1
‑
2(22.5g，收率41％)。
[0160]
参照im c1
‑
2的方法合成im c2
‑
2，不同之处在于，使用2
‑
溴苯胺代替3
‑
溴苯胺，其中，使用的主要原料、合成的中间体及其收率如表3所示。
[0161]
表3
[0162][0163]
中间体im c3
‑
2的合成
[0164][0165]
在n2保护下，将9,9
‑
二苯基
‑
9h
‑9‑
硅杂芴(27g，80.8mmol)溶于300ml氯仿中，并将混合物置于0℃下充分搅拌，向混合物中滴加溴(12.9g，80.8mmol)，之后逐渐升温至室温，在室温下反应8h后停止反应，加水淬灭，水洗有机相三次后，用硫酸钠干燥，用乙醇进行重结晶，过滤后得到im c3
‑
1(23.6g，收率71％)。
[0166][0167]
在n2保护下，将im c3
‑
1(24.8g，60mmol)溶解于100mlthf中，然后加入cu(0.2g，5mol％)，并在110℃下搅拌反应12h，反应结束后，用二氯甲烷和水进行萃取，水洗有机相三次后，用硫酸钠干燥，过滤后，用乙酸乙酯∶正庚烷(v/v)＝1∶10为淋洗剂，过柱，浓缩柱后液，得到im c3
‑
2(17g，收率81％)。
[0168]
中间体im c4
‑
2的合成
[0169][0170]
在n2保护下，将3
‑
氯
‑2‑
碘苯胺(25.3g，100mmol)、领氯苯硼酸(15.6g，100mmol)、碳酸钾(27.6g，200mmol)、tbab(1.29g，4mmol)、pd(pph3)4(2.31g，2mmol)、甲苯(150ml)、乙醇(75ml)、水(25ml)加入至500ml的三口瓶中，在80℃下反应12h后，用甲苯和水萃取，水洗有机相至中性，用无水硫酸钠干燥，以甲苯为淋洗剂，过硅胶柱，浓缩后柱液，用二氯甲烷∶正庚烷(v/v)＝1∶5进行重结晶，得到im c4
‑
1(21.9g，收率91％)。
[0171][0172]
在n2保护下，将im c4
‑
1(21.9g，92mmol)、thf(160ml)于25ml三口瓶中搅拌溶清，将反应温度降至
‑
78℃，滴加正丁基锂(80.9ml，2.5m，202.4mmol)，反应1h后，加入二苯二氯硅烷(46.6g，184mmol)，缓慢上升温度至常温，搅拌反应12h，反应停止后，用二氯甲烷和水萃取反应液，水洗有机相至中性，用硫酸钠干燥，用二氯甲烷为淋洗剂过柱，浓缩柱后液，用乙酸乙酯∶正庚烷(v/v)＝1∶20进行重结晶，过滤后得到im c4
‑
2(12.4g，收率38.5％)。
[0173]
中间体im c
‑
z的合成
[0174][0175]
在n2保护下，将im a
‑
1(0.056mol，20g)、im c1
‑
2(0.056mol，19.57g)、甲苯(160ml)加入250ml的三口圆底烧瓶中，108℃下回流搅拌30min，降温至70～80℃，加入t
‑
buona(0.112mol，10.76g)、x
‑
phos(0.001mol，0.53g)、pd2(dba)3(0.0005mol，0.4576g)，待体系温度稳定后，回流反应4h后停止反应，待反应液冷却至室温，加入100ml去离子水，用甲苯/水进行萃取，并水洗有机相至中性，加入无水硫酸镁除水，过滤后浓缩，以二氯甲烷∶正庚烷(v/v)＝1∶4的淋洗剂过硅胶柱，得到白色固体的im c
‑
1(29.9g，收率85％)。
[0176]
参照im c
‑
1的方法合成表4所列im c
‑
z，不同之处在于，使用原料4代替im a
‑
1，使用原料5代替im c1
‑
2。其中，使用的主要原料、合成的中间体及其收率如表4所示。
[0177]
表4
[0178]
[0179]
[0180]
[0181]
[0182]
[0183][0184]
化合物x的合成
[0185][0186]
在n2的保护下，将im b
‑
1(8.85g，30.4mmol)、im c
‑
1(19.08g，30.4mmol)、甲苯(100ml)加入250ml三口圆底烧瓶中，108℃回流搅拌，溶液溶解至澄清，降温至70～80℃，加入叔丁醇钠(4.4g，45.7mmol)、s
‑
phos(0.25g，0.61mmol)、pd2(dba)3(0.28g，0.330mmol)，回流反应6h，停止反应，蒋反应温度冷却至室温，用甲苯、去离子水萃取反应液，并水洗至中性后，加入无水硫酸镁除水，用乙酸乙酯∶正庚烷(v/v)＝1∶10作为淋洗剂过柱，浓缩柱后液，用甲苯和正庚烷进行重结晶，过滤后得到白色固体的化合物2(21.7g，收率85％)；质谱(m/z)＝838.38[m h]

。
[0187]
参考化合物2的方法合成表5所示的化合物，不同之处在于，使用原料6代替im b
‑
1，使用原料7代替im c
‑
1。其中，使用的主要原料、合成的化合物及其收率、质谱如表5所示：
[0188]
表5
[0189]
[0190]
[0191]
[0192]
[0193]
[0194]
[0195]
[0196]
[0197]
[0198]
[0199]
[0200][0201]
部分化合物的核磁数据如下：
[0202][0203]
[0204]
器件实施例
[0205]
实施例1：蓝色有机电致发光器件
[0206]
通过以下过程制备阳极：将厚度为的ito基板(康宁制造)切割成40mm
×
40mm
×
0.7mm的尺寸，使用光刻工序，将其制备成具有阴极、阳极以及绝缘层图案的实验基板，利用紫外臭氧以及o2∶n2等离子进行表面处理，以增加阳极(实验基板)的功函数的和清除浮渣。
[0207]
在实验基板(阳极)上真空蒸镀f4
‑
tcnq形成厚度为的空穴注入层(hil)，并且在空穴注入层上蒸镀npb，形成厚度为的空穴传输层(htl)。
[0208]
在空穴传输层上真空蒸镀本技术的化合物2，形成厚度为的电子阻挡层(ebl)。
[0209]
在电子阻挡层上，将bh
‑
01和bd
‑
01以98％∶2％的膜厚比进行共同蒸镀，形成厚度为的蓝色发光层(eml)。
[0210]
将et
‑
06和liq以1∶1的膜厚比进行蒸镀形成厚的电子传输层(etl)，将yb蒸镀在电子传输层上以形成厚度为的电子注入层(eil)，然后将镁(mg)和银(ag)以1∶9的膜厚比真空蒸镀在电子注入层上，形成厚度为的阴极。
[0211]
此外，在上述阴极上蒸镀厚度为的cp
‑
05，形成有机覆盖层(cpl)，从而完成有机发光器件的制造。
[0212]
实施例2～78
[0213]
除了在形成电子阻挡层时，分别以下表7中所示的化合物代替化合物2以外，使用与实施例1相同的方法制作有机电致发光器件。
[0214]
比较例1～4
[0215]
除了在形成电子阻挡层时，分别以化合物a、化合物b、化合物c、化合物d代替化合物2以外，使用与实施例1相同的方法制作有机电致发光器件。
[0216]
以上实施例和对比例使用的主要材料结构如下表6所示：
[0217]
表6
[0218]
[0219][0220]
对如上制得的有机电致发光器件，在20ma/cm2的条件下分析了器件的性能，其结果示于下表7所示：
[0221]
表7
[0222]
[0223]
[0224][0225]
根据表7的结果可知，作为电子阻挡层的化合物的实施例1～78与已公知的化合物所对应的器件比较例1～4相比本发明中使用的化合物作为电子阻挡层制备的上述有机电致发光器件的驱动电压至少降低0.17v，发光效率(cd/a)至少提高了13.36％，外量子效率至少提高了13.42％，寿命最少的提高了6％，寿命最高可提高82h。
[0226]
以上结合附图详细描述了本技术的优选实施方式，但是，本技术并不限于上述实施方式中的具体细节，在本技术的技术构思范围内，可以对本技术的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本技术的保护范围。
[0227]
另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本技术对各种可能的组合方式不再另行说明。
[0228]
此外，本技术的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本技术的思想，其同样应当视为本技术所公开的内容。