显示装置的制作方法

1.本发明构思的实施例涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种能够修复有缺陷像素的显示装置。


背景技术：

2.液晶显示器是使用最广泛的显示装置之一。液晶显示器是包括显示面板的装置，在显示面板中形成有电极和液晶层，通过向电极施加电压使液晶层重新排列，并且通过液晶分子的重新排列调节光透射率以显示图像。
3.多个像素电极、多条栅极线、多条数据线和多条存储电极线可以形成在显示面板中。栅极信号可以通过栅极线施加到多个像素，数据电压可以通过数据线施加到像素，共电压可以通过存储电极线施加到像素。
4.这种布线可以布置为在显示面板中彼此交叉，在彼此交叉的布线之间可能发生短路。当不同的布线之间发生短路时，会发生其中连接到相应的布线的像素不能显示具有正常亮度的图像的缺陷。
5.在该背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对发明构思的背景技术的理解，因此，它可能包含不构成对本领域普通技术人员来讲在该国已经公知的现有技术的信息。


技术实现要素：

6.本发明构思的实施例已经努力提供一种能够精确地修复不能显示具有正常亮度的图像的缺陷像素的显示装置。
7.本发明构思的示例性实施例提供一种显示装置，该显示装置包括：多条栅极线；多条数据线；以及多个像素，连接到多条栅极线和多条数据线，其中，多个像素中的每个像素包括：晶体管，包括栅电极、第一电极、第二电极和沟道半导体；像素电极，连接到第二电极且包括多个细分支部和连接到第二电极的连接器；以及目标图案，与设置在相邻的细分支部之间的细狭缝叠置，其中，相邻的细分支部中的至少一个细分支部直接连接到连接器。
8.目标图案可以与直接连接到连接器的相邻的细分支部部分地叠置。
9.目标图案可以与多条栅极线和栅电极设置在同一层处，并且与多条栅极线和栅电极物理地且电气地分开。
10.目标图案可以是与任何其它导体绝缘的浮置图案。
11.目标图案可以沿着第一方向具有6μm或更小的尺寸，并且沿着第二方向具有6μm或更小的尺寸。
12.目标图案在平面图中可以通过细狭缝暴露。
13.像素电极还可以包括水平主干部和竖直主干部，并且直接连接到连接器的相邻的细分支部设置在连接器与竖直主干部之间。
14.显示装置还可以包括覆盖多条栅极线、多条数据线、栅电极、第一电极、第二电极和沟道半导体的光阻挡构件，并且目标图案可以设置在由光阻挡构件限定的像素区域中。
15.目标图案在平面图中可以沿着第一方向和第二方向与光阻挡构件分隔开预定距离。
16.第一电极的部分可以从数据线沿着第一方向延伸，并且目标图案设置在连接像素电极的中心和第一电极的所述部分的延长线上。
17.本发明构思的示例性实施例提供一种显示装置，该显示装置包括：栅极线，沿着第一方向延伸；数据线，沿着第二方向延伸；第一电极，包括从数据线沿着第一方向延伸的部分；第二电极，设置为面对第一电极；沟道半导体，与第一电极和第二电极之间的区域叠置；栅电极，连接到栅极线以与沟道半导体叠置；像素电极，连接到第二电极；以及目标图案，设置在连接像素电极的中心和第一电极的沿着第一方向延伸的所述部分的延长线上。
18.目标图案可以设置在被像素电极占据的像素区域中。
19.目标图案可以是与任何其它导体绝缘的岛形浮置图案。
20.目标图案可以沿着第一方向具有6μm或更小的尺寸，并且沿着第二方向具有6μm或更小的尺寸。
21.目标图案可以由与栅极线和栅电极相同的材料形成且与栅极线和栅电极同时形成，并且与栅极线和栅电极物理地且电气地绝缘。
22.目标图案可以与任何其它导体绝缘。
23.像素电极可以包括水平主干部、竖直主干部、连接到水平主干部或竖直主干部的多个细分支部以及连接到第二电极的连接器，并且目标图案可以与由细分支部之中的直接连接到连接器的相邻的细分支部形成的细狭缝叠置。
24.目标图案可以与直接连接到连接器的相邻的细分支部部分地叠置。
25.直接连接到连接器的相邻的细分支部可以设置在连接器与竖直主干部之间。
26.显示装置还可以包括覆盖栅极线、数据线、栅电极、第一电极、第二电极和沟道半导体的光阻挡构件，并且目标图案在平面图中可以沿着第一方向和第二方向与光阻挡构件分隔开预定距离。
27.根据本发明构思的示例性实施例，可以通过使用包括在每个像素中的目标图案来精确地识别缺陷像素的修复点。
附图说明
28.图1示出了示出根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的示意性框图。
29.图2示出了根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的像素的俯视平面图。
30.图3示出了示出沿着图2的线iii
‑
iii'截取的显示装置的剖面的剖视图。
31.图4示出了根据本发明构思的示例性实施例的像素的俯视平面图。
32.图5示出了示出沿着图4的线v
‑
v'截取的显示装置的剖面的剖视图。
具体实施方式
33.在下文中将参照附图更充分地描述本发明构思的实施例，在附图中示出了发明构思的示例性实施例。如本领域技术人员将意识到的，可以以各种不同的方式修改描述的实施例，而都不脱离本发明构思的精神或范围。
34.为了清楚地描述本发明构思，省略了与描述无关的部分，并且在整个说明书中，同
样的附图标记表示同样或相似的组成元件。
35.此外，因为为了更好地理解和便于描述，任意地给出了附图中示出的构成构件的尺寸和厚度，所以本发明构思不限于示出的尺寸和厚度。在附图中，为了清楚起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在附图中，为了更好地理解和便于描述，夸大了一些层和区域的厚度。
36.将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。此外，在说明书中，词语“在
……
上”或“在
……
上方”意指设置在目标部分上或下方，并且不一定意指基于重力方向设置在目标部分的上侧上。
37.另外，除非明确地相反描述，否则词语“包括”及其变型形式将被理解为意指包括所陈述元件，但不排除任何其它元件。
38.此外，在说明书中，短语“在平面图中”意为从上方观看目标部分的情况，短语“在剖面中”意为从侧面观看通过竖直地切割目标部分而获得的剖面的情况。
39.现将参照图1描述根据示例性实施例的显示装置。
40.图1示出了示出根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的示意性框图。
41.参照图1，显示装置包括显示区域600以及设置在外围区域中的信号控制器100、栅极驱动器200和数据驱动器300。显示装置可以是液晶显示器，液晶显示器还可以包括用于朝向显示区域600发射光的背光。
42.信号控制器100接收从外部装置输入的输入图像信号ims和同步信号。输入图像信号ims包括设置在显示区域600中的多个像素px的亮度信息。亮度可以具有预定数值的灰度级。同步信号可以包括水平同步信号hsync、垂直同步信号vsync等。
43.信号控制器100根据输入图像信号ims和同步信号产生第一驱动控制信号cont1和第二驱动控制信号cont2以及图像数据信号dat。
44.信号控制器100可以根据垂直同步信号vsync以帧为单位划分输入图像信号ims，并且可以根据水平同步信号hsync以栅极线121为单位划分输入图像信号ims，以产生图像数据信号dat。信号控制器100将第一驱动控制信号cont1传输到栅极驱动器200。信号控制器100将第二驱动控制信号cont2和图像数据信号dat传输到数据驱动器300。
45.显示区域600包括多个像素px。显示区域600包括像素px、多条栅极线121和多条数据线171。像素px连接到栅极线121和数据线171。像素px中的每个可以包括目标图案(见图2)。稍后将参照图2和图3描述目标图案135。
46.栅极线121可以基本上在行方向上延伸以基本上彼此平行。数据线171可以基本上在列方向上延伸以基本上彼此平行。行方向可以是平面图中的第一方向dr1(见图2)或水平方向，列方向可以是平面图中的第二方向dr2(见图2)或竖直方向。第二方向dr2可以是与第一方向dr1交叉的方向，并且可以与第一方向dr1垂直。“在平面图中”涉及与第一方向dr1和第二方向dr2平行的平面，“在剖视图中”涉及沿着与第一方向dr1和第二方向dr2垂直的第三方向dr3(见图3)截取的剖面。
47.显示区域600还可以包括基本上在行方向上延伸的多条存储电极线131(见图2)。
48.像素px中的每个可以发射原色中的一种。原色的示例可以包括红色、绿色和蓝色的三原色，期望的颜色可以作为三原色的空间总和或时间总和来显示。颜色可以由红色像
素、绿色像素和蓝色像素显示。红色像素、绿色像素和蓝色像素可以被统一地称为一个像素。
49.栅极驱动器200连接到栅极线121。栅极驱动器200可以响应于第一驱动控制信号cont1产生多个栅极信号，并且可以将具有栅极导通电压的栅极信号顺序地施加到栅极线121。可以与在显示区域中的诸如晶体管的电子元件一起使用同一工艺将栅极驱动器200直接形成在外围区域中。外围区域可以是围绕显示区域600的区域，在显示区域600的区域中，像素px设置在基底上。根据示例性实施例，栅极驱动器200可以安装在电连接到基底的柔性印刷电路膜或印刷电路板上。
50.数据驱动器300连接到数据线171。数据驱动器300响应于第二驱动控制信号cont2对图像数据信号dat进行采样且保持图像数据信号dat，并且将数据电压施加到数据线171。数据驱动器300可以与每个栅极信号的导通时间同步地将与图像数据信号dat对应的数据电压施加到数据线171。数据驱动器300可以作为多个驱动芯片直接安装在基底的外围区域中，或者可以安装在电连接到基底的柔性印刷电路膜或印刷电路板上。
51.在下文中，将参照图2和图3更详细地描述显示装置的结构。
52.图2示出了根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的像素的俯视平面图。图3示出了示出沿着图2的线iii
‑
iii'截取的显示装置的剖面的剖视图。
53.参照图2和图3，显示装置包括第一基底110、第二基底210和设置在第一基底110与第二基底210之间的液晶层3。
54.包括栅极线121、栅电极124、存储电极线131和目标图案135的栅极导电层设置在第一基底110上。栅极导电层可以包括诸如铜(cu)、铝(al)、镁(mg)、银(ag)、金(au)、铂(pt)、钯(pd)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、钼(mo)、钨(w)、钛(ti)、铬(cr)或钽(ta)的金属或者它们的合金。
55.栅极线121可以包括第一栅极线121a和第二栅极线121b。第一栅极线121a和第二栅极线121b可以沿着第一方向dr1平行延伸。栅电极124可以设置在第一栅极线121a与第二栅极线121b之间。栅电极124连接到第一栅极线121a和第二栅极线121b。
56.存储电极线131与栅极线121和栅电极124物理地分开。存储电极线131可以传输诸如共电压的恒定电压。存储电极线131可以设置在第一基底110上，并且可以通过使用与栅极线121相同的材料与栅极线121形成在同一层处并且同时形成。存储电极线131通常可以在与栅极线121平行的第一方向dr1上延伸。
57.存储电极线131可以包括第一水平部131a、第二水平部131b、扩展件131c、第一竖直部131d和第二竖直部131e。第一水平部131a在平面图中可以在第一方向dr1上延伸以与像素电极191的下侧相邻。第一水平部131a在平面图中可以设置在栅极线121与像素电极191之间。第二水平部131b在平面图中可以在第一方向dr1上延伸以与像素电极191的上侧相邻。扩展件131c是第一水平部131a的在平面图中扩展的部分。扩展件131c是第一水平部131a的朝向第二水平部131b延伸的部分，并且可以被包括在第一水平部131a中。第一竖直部131d和第二竖直部131e是连接扩展件131c和第二水平部131b的部分，并且可以在第二方向dr2上延伸。第一竖直部131d在平面图中可以被设置为与像素电极191的右侧相邻，第二竖直部131e在平面图中可以被设置为与像素电极191的左侧相邻。如此，存储电极线131在平面图中可以被设置为围绕像素电极191。诸如共电压的恒定电压可以从显示区域600外部
施加到存储电极线131的第一水平部131a和第二水平部131b中的至少一个。
58.栅极绝缘层140设置在栅极导电层上。栅极绝缘层140可以包括诸如氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)等的无机绝缘材料。
59.包括沟道半导体154和台阶阻挡半导体156的半导体层设置在栅极绝缘层140上。半导体层可以包括非晶硅、多晶硅或氧化物半导体。沟道半导体154可以与栅电极124叠置。
60.包括数据线171、第一电极173和第二电极175的数据导电层设置在栅极绝缘层140和半导体层上。第一电极173可以被称为源电极，第二电极175可以被称为漏电极。数据导电层可以包括诸如铜(cu)、铝(al)、镁(mg)、银(ag)、金(au)、铂(pt)、钯(pd)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、钼(mo)、钨(w)、钛(ti)、铬(cr)或钽(ta)的金属或者它们的合金。
61.数据线171可以在彼此相邻的存储电极线131的第一竖直部131d和第二竖直部131e之间沿第二方向dr2延伸。数据线171可以在第二方向dr2上延伸以与栅极线121以及存储电极线131的第一水平部131a和第二水平部131b交叉。数据线171可以包括第一电极173。第一电极173可以具有从数据线171延伸的延伸形式。例如，第一电极173可以具有第一部分和第二部分，第一部分沿着第一方向dr1从数据线171延伸，第二部分连接到第一部分的端部，第二部分具有基本上u形并且从第一部分的端部朝向栅电极124延伸。然而，第一电极173的形状可以不同地形成，但是不限于以上形状。
62.台阶阻挡半导体156可以设置在栅极导电层和数据线171交叉的部分处。台阶阻挡半导体156可以用于防止数据线171由于因栅极导电层引起的台阶而断开。
63.第二电极175与数据线171和第一电极173物理地分开。第二电极175可以包括延伸件177和面对第一电极173且设置在与栅电极124叠置的区域中的部分。彼此面对的第一电极173和第二电极175之间的区域可以与沟道半导体154叠置。作为延伸成与存储电极线131叠置的部分的延伸件177可以与存储电极线131的扩展件131c叠置。延伸件177可以与存储电极线131的扩展件131c叠置，并且栅极绝缘层140设置在延伸件177与存储电极线131的扩展件131c之间以形成存储电容器。即使当数据电压不从数据线171施加到第二电极175和像素电极191时，存储电容器也可以用于保持施加到第二电极175和连接到其的像素电极191的电压。
64.栅电极124、第一电极173和第二电极175可以与沟道半导体154一起构成作为开关元件的晶体管。晶体管的沟道可以形成在第一电极173与第二电极175之间的沟道半导体154中。
65.钝化层180设置在数据导电层和暴露的半导体层上。钝化层180可以包括诸如氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)等的无机绝缘材料。
66.滤色器层230可以设置在钝化层180上。滤色器层230可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。滤色器层230可以表示原色中的一种。
67.钝化层180和滤色器层230可以具有暴露第二电极175的延伸件177的接触开口185。
68.包括像素电极191和屏蔽电极199的像素电极层可以设置在滤色器层230上。像素电极层可以包括诸如氧化铟锡(ito)或氧化铟锌(izo)的透明导电材料，或者诸如铝(al)、银(ag)或铬(cr)的金属或者它们的合金。像素电极191可以通过接触开口185物理地且电气地连接到第二电极175，以从第二电极175接收数据电压。
69.像素电极191可以与一个像素px显示图像的像素区域对应，像素电极191的整体形状可以是四边形。像素区域可以与通常被像素电极191占据的区域对应。像素电极191可以具有水平主干部192、竖直主干部193、多个细分支部194、连接器195和延伸部196。
70.水平主干部192可以在第一方向dr1上延伸，竖直主干部193可以在第二方向dr2上延伸，水平主干部192和竖直主干部193可以形成十字形。像素电极191可以包括由水平主干部192和竖直主干部193限定的四个子区域，并且细分支部194连接到水平主干部192或竖直主干部193。细分支部194可以设置在子区域中的每个中。
71.细分支部194可以与水平主干部192形成大约40度至45度的角度。两个相邻的子区域的细分支部194可以彼此垂直。可以去除设置在相邻的细分支部194之间的像素电极层以形成细狭缝sl。
72.连接器195可以连接到包括在一个子区域中的细分支部194中的至少一个。如图所示，连接器195可以连接到两个细分支部194。
73.像素电极191的延伸部196是从连接器195延伸以与第二电极175的延伸件177叠置的部分。像素电极191的延伸部196可以通过接触开口185物理地且电气地连接到第二电极175。
74.如图2中所示，像素电极191的左边缘和右边缘的端部可以不与存储电极线131的第一竖直部131d和第二竖直部131e叠置。可选地，根据示例性实施例，像素电极191的左边缘和右边缘的端部可以与存储电极线131的第一竖直部131d和第二竖直部131e中的至少一个叠置。
75.屏蔽电极199可以与像素电极191分隔开，并且通常可以沿着第一方向dr1延伸。屏蔽电极199可以与栅极线121叠置。屏蔽电极199可以接收与共电极270的电压相同的电压。在屏蔽电极199与共电极270之间不产生电场，因此，设置在屏蔽电极199与共电极270之间的液晶可以布置为不使来自光源的光穿过。如此，液晶分子本身可以用作光阻挡构件。根据示例性实施例，可以省略屏蔽电极199。
76.光阻挡构件220可以设置在第二基底210下方。光阻挡构件220可以防止相邻的像素电极191之间的光泄漏。具体地，光阻挡构件220在平面图中可以主要地设置在相邻的像素电极191之间的区域中。例如，光阻挡构件220可以在沿第一方向dr1相邻的像素电极191之间延伸以覆盖栅极线121、存储电极线131的第一水平部131a和扩展件131c、栅电极124、沟道半导体154、第一电极173、第二电极175等，并且可以在相邻的像素电极191之间沿第二方向dr2延伸以覆盖数据线171。光阻挡构件220在平面图中可以具有网格形式，像素px的像素区域可以被光阻挡构件220暴露。即，由网格型的光阻挡构件220形成的多个开口可以与像素px的像素区域对应。
77.目标图案135与栅极线121、栅电极124和存储电极线131物理地且电气地绝缘。目标图案135在平面图中可以设置在其中一个像素px显示图像的像素区域中。目标图案135在平面图中可以在第一方向dr1和第二方向dr2上与光阻挡构件220分隔开预定距离。
78.目标图案135可以具有与任何其它导体浮置的岛形式。即，目标图案135不电连接到任何其它导体，而是与其它导体绝缘，并且电压不施加到目标图案135。
79.目标图案135可以设置在由像素电极191的水平主干部192和竖直主干部193限定的四个子区域中的任何一个中。目标图案135可以设置在其中至少一个细分支部194连接到
连接器195的子区域中。目标图案135可以与形成在设置在连接器195与竖直主干部193之间的相邻的两个细分支部194之间的至少一个细狭缝sl叠置。相邻的两个细分支部194直接连接到连接器195。目标图案135可以与定位在像素电极191的连接器195和竖直主干部193之间的细分支部194部分地叠置。即，目标图案135可以与直接连接到连接器195的细分支部194部分地叠置。目标图案135在平面图中可以通过至少一个细狭缝sl来识别。
80.目标图案135可以具有可以在显示装置的制造工艺中形成的最小尺寸，以使像素的开口率最大化。例如，目标图案135可以在第一方向dr1上具有6μm或更小的尺寸，并且在第二方向dr2上具有6μm或更小的尺寸。
81.通过使用目标图案135，可以识别像素px中的每个的修复点。发射具有异常地明亮亮度的光的缺陷像素可能因像素px之中的布线之间的短路而发生。由于短路，会发生诸如因缺陷像素而可见地识别的亮点的显示缺陷。
82.可以用激光照射与目标图案135叠置的细分支部194，以使像素电极191和数据线171电断开，以修复缺陷像素。由于与目标图案135叠置的细分支部194是将第二电极175电连接到像素电极191的部分，因此可以通过切割与目标图案135叠置的细分支部194来将像素电极191与第二电极175物理地且电气地分开。数据电压不会施加到通过激光切割工艺与第二电极175物理地且电气地分开的像素电极191，电场不会在像素电极191与共电极270之间产生，设置在像素电极191与共电极270之间的液晶可以处于黑色状态。可以通过使发射具有异常明亮亮度的光的缺陷像素总是显示黑色来改善显示缺陷。
83.用于将第一电极173与数据线171分开的修复点可以通过使用像素电极191的中心cp和目标图案135的中心来找到。像素电极191的中心cp可以是水平主干部192与竖直主干部193彼此交叉的点。第一电极173的与连接像素电极191的中心cp和目标图案135的中心的假想线交叉的部分可以是用于将第一电极173与数据线171分开的修复点。即，第一电极173的从数据线171沿第一方向dr1延伸的部分可以设置在连接像素电极191的中心cp和目标图案135的中心的延长线上。换句话说，目标图案135可以设置在连接像素电极191的中心cp和用于将第一电极173与数据线171分开的修复点的延长线上。第一电极173的设置在连接像素电极191的中心cp和目标图案135的中心的延长线上的部分成为修复点。如此，在寻找第一电极173的修复点时，目标图案135可以是有益的。
84.因为第一电极173设置在光阻挡构件220下面，所以第一电极173是不可见的。然而，通过使用像素电极191的中心cp和目标图案135的中心，可以找到第一电极173的修复点。可以用激光照射第一电极173的修复点，以将第一电极173与数据线171物理地且电气地分开。当缺陷像素的第一电极173与数据线171物理地且电气地分开时，数据电压不施加到缺陷像素的像素电极191，缺陷像素总是显示黑色。可以通过使发射具有异常亮度的光的缺陷像素总是显示黑色来改善显示缺陷。
85.共电极270可以设置在光阻挡构件220下方。共电极270可以连续地形成在与显示区域600对应的区域的大部分中。共电极270可以包括诸如ito和izo的透明导电材料，或诸如铝(al)、银(ag)或铬(cr)的金属或者它们的合金。根据示例性实施例，共电极270可以被图案化以包括狭缝或切口。
86.先前，描述了滤色器层230设置在第一基底110上，但是根据示例性实施例，滤色器层230可以不设置在第一基底110上，而是可以设置在第二基底210与共电极270之间。
87.液晶层3可以包括具有负介电各向异性的液晶分子31。液晶分子31可以被取向为使得在液晶层3中没有电场的情况下，液晶分子31的长轴通常与第一基底110和第二基底210的表面垂直或者相对于第一基底110和第二基底210的表面的竖直方向以预定角度倾斜。液晶分子31可以根据像素电极191的图案化部分(例如，细分支部194)的边缘与共电极270之间的边缘场或台阶而预倾斜。
88.第一取向层11可以设置在像素电极191和滤色器层230上，第二取向层21可以设置在共电极270下方。第一取向层11和第二取向层21可以是竖直取向层。液晶层3设置在第一取向层11与第二取向层21之间。通过使反应性单体(rm)反应以与诸如紫外线的光反应形成的多个聚合物突起可以设置在第一取向层11和第二取向层21的与液晶层3相邻的表面上。这种聚合物突起可以用于保持液晶层3的液晶分子31的预倾斜。
89.数据电压施加到其的像素电极191与共电极270一起产生电场。设置在像素电极191与共电极270之间的液晶分子31的布置方向可以由电场确定，穿过液晶层3的光的亮度可以根据液晶分子31的所确定的方向来控制。
90.在下文中，将参照图4和图5描述根据另一示例性实施例的像素。将主要地描述与图2和图3的前述示例性实施例的不同之处。
91.图4示出了根据本发明构思的示例性实施例的像素的俯视平面图。图5示出了示出沿着图4的线v
‑
v'截取的显示装置的剖面的剖视图。
92.参照图4和图5，包括栅极线121、栅电极124、目标图案135和辅助数据图案137的栅极导电层设置在第一基底110上。即，栅极导电层不包括存储电极线131，而是包括辅助数据图案137。
93.辅助数据图案137在第二方向dr2上延伸，不接触在第一方向dr1上相邻的像素电极191之间的栅极线121。辅助数据图案137与栅极线121和栅电极124物理地分开。辅助数据图案137可以通过使用与栅极线121相同的材料与栅极线121形成在同一层处。辅助数据图案137与数据线171叠置。
94.设置在栅极导电层上的栅极绝缘层140具有接触开口141。接触开口141可以形成在与辅助数据图案137的第一端叠置的位置处和与辅助数据图案137的第二端叠置的位置处。
95.设置在栅极绝缘层140上的数据线171可以通过接触开口141接触辅助数据图案137。辅助数据图案137可以电连接到数据线171且可以用于传输数据电压。辅助数据图案137可以用于减小数据线171的电阻。
96.第一电极173可以具有条形第一部分和条形第二部分，条形第一部分从数据线171与栅极线121的延伸方向平行延伸，条形第二部分连接到条形第一部分的端部且在第二方向dr2上延伸。第二电极175可以形成为具有条形第一部分和条形第二部分，条形第一部分沿着第一方向dr1延伸，条形第二部分连接到第二电极175的条形第一部分的一端且沿着第二方向dr2延伸以面对第一电极173的条形第二部分和延伸件177。延伸件177可以与用于连接像素电极191和晶体管的接触开口185叠置。
97.中间导电层250可以设置在滤色器层230上。
98.中间导电层250可以与像素px叠置，并且通常可以被图案化以在与像素电极191叠置的同时不与数据线171和晶体管叠置。中间导电层250可以不与辅助数据图案137叠置。中
间导电层250可以不与第一电极173、第二电极175和第二电极175的延伸件177叠置。共电压或预定参考电压可以施加到中间导电层250。中间导电层250与像素电极191叠置以构成保持电容器。中间导电层250可以包括诸如铜(cu)、铝(al)、镁(mg)、银(ag)、金(au)、铂(pt)、钯(pd)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、钼(mo)、钨(w)、钛(ti)、铬(cr)或钽(ta)的金属或者它们的合金。
99.绝缘层260可以设置在中间导电层250上。绝缘层260可以包括有机绝缘材料。钝化层180、滤色器层230和绝缘层260可以具有设置在延伸件177上的接触开口185。
100.包括像素电极191的像素电极层可以设置在绝缘层260上。
101.像素电极191可以包括水平主干部192、竖直主干部193、多个细分支部194、连接器195、延伸部196和边缘部197。边缘部197可以沿着像素电极191的边缘连接到细分支部194。
102.设置在第二基底210下面的光阻挡构件220可以覆盖栅极线121和相邻的像素电极191之间的晶体管，并且通常可以在第一方向dr1上延伸。光阻挡构件220可以从与数据线171叠置的部分沿第二方向dr2突出，以覆盖数据线171的部分。
103.除了这些差异之外，参照图2和图3描述的示例性实施例的特征可以应用于参照图4和图5描述的示例性实施例。具体地，图2和图3的示例性实施例中描述的目标图案135可以应用于根据图4和图5的示例性实施例的像素，并且将省略其重复描述。
104.虽然已经参照附图具体地示出和描述了本发明构思的示例性实施例，但是在此所使用的特定术语仅用于描述发明构思的目的，并且不旨在限定发明构思的含义或限制权利要求中所阐述的发明构思的范围。因此，本领域技术人员将理解的是，本发明构思的各种修改和其它等同实施例是可行的。因此，本发明构思的真实技术保护范围必须基于所附权利要求的技术精神来确定。