一种减少金刚石膜裂纹的方法与流程

技术特征：
1.一种减少金刚石膜裂纹的方法，其特征在于，步骤包括：在生长完成后的降温过程中，当基体柱的温度降低至设定温度时，控制所述基体柱与置于所述基体柱下方的冷却台分离，直至冷却结束。2.根据权利要求1所述的一种减少金刚石膜裂纹的方法，其特征在于，所述控制所述基体柱与所述冷却台分离的步骤包括：所述基体柱温度为700
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800℃时，关闭电源；控制所述冷却台下降，并使所述基体柱架设于置于所述冷却台外侧的筒柱上；稳定所述基体柱和所述冷却台且所述基体柱位于所述冷却台上方。3.根据权利要求2所述的一种减少金刚石膜裂纹的方法，其特征在于，稳定后的所述基体柱与所述冷却台之间的分离高度不小于5mm。4.根据权利要求3所述的一种减少金刚石膜裂纹的方法，其特征在于，所述基体柱与所述冷却台之间的分离高度为10mm。5.根据权利要求1
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2、4任一项所述的一种减少金刚石膜裂纹的方法，其特征在于，在控制所述基体柱与所述冷却台分离之后，还包括对炉腔抽真空的步骤，使所述基体柱与所述冷却台之间是真空隔离，直至降温结束。6.根据权利要求5所述的一种减少金刚石膜裂纹的方法，其特征在于，所述炉腔内的真空度小于0.1pa。7.根据权利要求1
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2、4、6任一项所述的一种减少金刚石膜裂纹的方法，其特征在于，在控制所述基体柱与所述冷却台分离之前，还包括：控制所述冷却台与所述基体柱直接接触；抽真空清洗炉腔并检查漏气率；控制电流并在所述基体柱表面成核生长。8.根据权利要求7所述的一种减少金刚石膜裂纹的方法，其特征在于，所述控制所述冷却台与所述基体柱直接接触，具体包括：执行所述冷却台与所述基体柱接触的位置高度高于置于所述冷却台外侧并用于降温时支撑所述基体柱的筒柱的高度；或者，执行所述冷却台与所述基体柱接触的位置与置于所述冷却台外侧并用于降温时支撑所述基体柱的筒柱的高度相同。9.根据权利要求7所述的一种减少金刚石膜裂纹的方法，其特征在于，所述控制电流并在所述基体柱表面成核生长的步骤，具体包括：当所述漏气率在0
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0.5pa/min以下时，先通入氩气并使氩气的流量控制在2
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5l/min内；待炉腔内的气压达到3000
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5000pa时，再向炉腔内通入流量为8
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10l/min的氢气，直至所述基体柱起弧；调整电流为0.3
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1.0a，使所述基体柱的弧稳定；当所述基体柱温度到达生长条件时，在所述基体柱的表面上生长金刚石膜；金刚石膜生长72小时后，关闭甲烷；并以5a/10min的速率下降励磁电流。10.根据权利要求9所述的一种减少金刚石膜裂纹的方法，其特征在于，所述当所述基体柱温度到达生长条件时，在所述基体柱的表面上成核生长金刚石膜的步骤包括：当所述基体柱的温度到达900
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940℃时，加入碳源；
在所述基体柱表面成核生长10
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30min；增加电流，当温度在900
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1000℃时，金刚石膜正常生长。

技术总结
本发明提供一种减少金刚石膜裂纹的方法，步骤包括：在生长完成后的降温过程中，当基体柱的温度降低至设定温度时，控制所述基体柱与置于所述基体柱下方的冷却台分离，直至冷却结束。本发明提出的一种减少金刚石膜裂纹的方法，可降低金刚石膜的冷却速度，从而减缓金刚石膜的变化幅度，延缓其降温时间，是其内部应力得到充分释放，减少金刚石膜裂纹的发生，并使金刚石膜的整膜率可提高到65%以上。使金刚石膜的整膜率可提高到65%以上。使金刚石膜的整膜率可提高到65%以上。


技术研发人员：李庆利 甄西合 赵丽媛 徐悟生 徐超 朱逢旭 刘得顺 杨春晖
受保护的技术使用者：天津本钻科技有限公司
技术研发日：2021.10.21
技术公布日：2021/11/24