用于毫米波应用的功率合成器/分离器的制作方法

用于毫米波应用的功率合成器/分离器


背景技术：

1.本说明书涉及一种可以在需要多输入多输出(mimo)操作的毫米波(mm波)应用中使用的功率合成器/分离器类型。
2.威尔金森(wilkinson)合成器/分离器是用于mm波设计的流行装置。尽管威尔金森合成器/分离器的实施方案可能大体上比较简单，但其通常可能会占用基板的许多面积。尽管如此，随着对mm波集成电路(ic)的需求的增加，这一类型的装置可以集成在硅和/或层压类型的结构上。
3.对于模拟波束成形(相控阵操作)，非常需要提供允许mimo操作的双极化贴片天线。因此，两个威尔金森合成器必须集成。


技术实现要素：

4.在随附的独立权利要求和从属权利要求中阐述了本公开的各方面。来自从属权利要求的特征的组合可以按需要与独立权利要求的特征进行组合，且不仅仅是按照权利要求书中所明确阐述的那样进行组合。
5.根据本公开的一方面，提供了一种用于多输入多输出(mimo)应用的功率合成器/分离器，所述功率合成器/分离器包括：
6.金属化叠层，所述金属化叠层形成于表面上，所述金属化叠层包括多个层，所述多个层包括图案化金属特征，所述图案化金属特征形成：
7.第一分支布置，所述第一分支布置包括：
8.定位在所述第一分支布置的一个末端处的第一端口；
9.定位的多个另外的端口；
10.多个分叉分支，所述多个分叉分支在所述第一分支布置的所述第一端口与所述第一分支布置的所述多个另外的端口之间延伸，用于在所述第一分支布置的所述第一端口与所述多个另外的端口之间划分/组合通过所述第一分支布置的信号；以及
11.第二分支布置，所述第二分支布置包括：
12.定位在所述第二分支布置的一个末端处的第一端口；
13.多个另外的端口；
14.多个分叉分支，所述多个分叉分支在所述第二分支布置的所述第一端口与所述第一分支布置的所述多个另外的端口之间延伸，用于在所述第二分支布置的所述第一端口与所述多个另外的端口之间划分/组合通过所述第二分支布置的信号；
15.其中所述金属化叠层另外包括由所述第一分支布置和所述第二分支布置共享的公共接地平面，并且
16.其中所述第一分支布置和所述第二分支布置定位在所述金属化叠层的公共区域中，使得形成所述第一分支布置的所述图案化金属特征中的至少一些覆盖在形成所述第二分支布置的所述图案化金属特征中的至少一些上。
17.根据本公开的另一方面，提供了一种制造用于多输入多输出(mimo)应用的功率合
成器/分离器的方法，所述方法包括：
18.形成形成于表面上的金属化叠层，所述金属化叠层包括多个层，所述多个层包括图案化金属特征，所述图案化金属特征形成：
19.第一分支布置，所述第一分支布置包括：
20.定位在所述第一分支布置的一个末端处的第一端口；
21.定位的多个另外的端口；
22.多个分叉分支，所述多个分叉分支在所述第一分支布置的所述第一端口与所述第一分支布置的所述多个另外的端口之间延伸，用于在所述第一分支布置的所述第一端口与所述多个另外的端口之间划分/组合通过所述第一分支布置的信号；以及
23.第二分支布置，所述第二分支布置包括：
24.定位在所述第二分支布置的一个末端处的第一端口；
25.多个另外的端口；
26.多个分叉分支，所述多个分叉分支在所述第二分支布置的所述第一端口与所述第一分支布置的所述多个另外的端口之间延伸，用于在所述第二分支布置的所述第一端口与所述多个另外的端口之间划分/组合通过所述第二分支布置的信号；
27.其中所述第一分支布置和所述第二分支布置定位在所述金属化叠层的公共区域中，使得形成所述第一分支布置的所述图案化金属特征中的至少一些覆盖在形成所述第二分支布置的所述图案化金属特征中的至少一些上；以及
28.在所述金属化叠层的一层中形成公共接地平面，其中所述公共接地平面由所述第一分支布置和所述第二分支布置共享。
29.在金属化叠层中设置合成器/分离器的所述特征改进了制造，包括使装置易于缩放(例如，选择用于mimo应用的输入/输出的数量)，并且进一步允许合成器/分离器使用后段工艺(beol)加工技术集成到例如半导体管芯的管芯上。金属化叠层实施方案实现了设置和选择性地放置公共接地平面层，以优化所述第一分支布置与所述第二分支布置之间的隔离。
30.在一些实施例中，所述第一分支布置的所述第一端口为输入并且所述第一分支布置的所述多个另外的端口为输出。在一些其它实施例中，所述第一分支布置的所述第一端口为输出并且所述第一分支布置的所述多个另外的端口为输入。
31.在一些实施例中，所述第二分支布置的所述第一端口为输入并且所述第二分支布置的所述多个另外的端口为输出。在一些其它实施例中，所述第二分支布置的所述第一端口为输出并且所述第二分支布置的所述多个另外的端口为输入。
32.因此，根据作为输入/输出的所述端口的配置，所述功率合成器/分离器可以用作功率合成器或功率分离器。
33.在一些实施例中，所述第一分支布置的所述第一端口和所述第二分支布置的所述第一端口定位在所述功率合成器/分离器的相同末端处。在一些其它实施例中，所述第一分支布置的所述第一端口和所述第二分支布置的所述第一端口定位在所述功率合成器/分离器的相对末端处。
34.在一些其它实施例中，形成所述第一分支布置的所述分支中的至少一些的所述图案化金属特征与形成所述第二分支布置的所述分支中的至少一些的所述图案化金属特征
形成于所述金属化叠层的相同层中。
35.在一些其它实施例中，形成所述第一分支布置的所述图案化金属特征定位在所述金属化叠层的多个层中。在一些其它实施例中，形成所述第二分支布置的所述图案化金属特征定位在所述金属化叠层的多个层中。在一些其它实施例中，所述金属化叠层包括两个层，所述两个层各自包括形成所述第一分支布置的所述分支中的至少一些的图案化金属特征和形成所述第二分支布置的所述分支中的至少一些的图案化金属特征。
36.在一些其它实施例中，所述两个层中的第一层包括：
37.形成接近所述第一分支布置的所述第一端口的所述第一分支布置的分支的图案化金属特征；以及
38.形成接近所述第二分支布置的所述多个另外的端口的所述第二分支布置的分支的图案化金属特征；并且
39.所述两个层中的第二层包括：
40.形成接近所述第一分支布置的所述多个另外的端口的所述第一分支布置的分支的图案化金属特征；以及
41.形成接近所述第二分支布置的所述第一端口的所述第二分支布置的分支的图案化金属特征。
42.在一些其它实施例中，所述接地平面定位在一层中，所述层定位在所述两个层之间。这可以改进所述第一分支布置与所述第二分支布置之间的隔离。
43.在一些其它实施例中，形成所述第一分支布置的所有所述图案化金属特征定位在所述金属化叠层的第一层中，并且形成所述第二分支布置的所有所述图案化金属特征定位在所述金属化叠层的第二层中。所述接地平面可以定位在所述金属化叠层的一层中，所述层定位在所述第一层与所述第二层之间。这可以改进所述第一分支布置与所述第二分支布置之间的隔离。
44.根据本公开的另外的方面，提供了一种包括根据权利要求1至12中任一项所述的功率合成器/分离器的集成电路，其中所述金属化叠层形成于所述集成电路的半导体管芯的表面上。
45.根据本公开的另一方面，提供了一种用于半导体装置的载体，所述载体包括根据权利要求1至12中任一项所述的功率合成器/分离器，其中所述金属化叠层形成于所述载体的表面上。
附图说明
46.下文将仅借助于例子、参考附图来描述本公开的实施例，在附图中相同的附图标记涉及相同的元件，并且其中：
47.图1示意性地示出了威尔金森合成器/分离器；
48.图2示意性地示出了级联的威尔金森合成器/分离器；
49.图3示意性地示出了根据本公开的实施例的功率合成器/分离器；
50.图4示意性地示出了根据本公开的另一实施例的功率合成器/分离器；
51.图5示出了根据本公开的另外的实施例的功率合成器/分离器；
52.图6示出了图5的功率合成器/分离器的下部层；
53.图7示出了图5的功率合成器/分离器的中间层；
54.图8示出了图5的功率合成器/分离器的上部层；
55.图9和10示出了图5的功率合成器/分离器的细节；并且
56.图11示出了根据本公开的实施例的设置在半导体基板上的功率合成器/分离器。
具体实施方式
57.下文参考附图描述了本公开的实施例。
58.图1示意性地示出了威尔金森合成器/分离器10的例子。合成器/分离器10具有第一端口2、第二端口14和第三端口16。当作为分离器操作时，第一端口2可以用作输入端口，并且端口14、16可以用作输出端口。相反地，当作为合成器操作时，第一端口2可以用作输出端口并且端口14、16可以用作输入端口。合成器/分离器10具有两条λ/4线4、6，其特性阻抗sqrt(2)*z0与之间的值为2*z0的电阻器耦合，以用于隔离目的。例如，当合成器/分离器10用作分离器时，端口2处的信号输入沿着线4、6分离成两条等效路径，其中插入损耗约为
‑
3db。
59.尽管图1所示的威尔金森合成器/分离器10具有用作输入/输出的两个端口14、16，但合成器/分离器10可以(以级联配置)扩展以具有更多这一类型的端口。因此，图2示意性地示出了威尔金森合成器/分离器10的另一例子。在图2的例子中，合成器/分离器10具有端口2、32、34、36、38。当作为分离器操作时，第一端口2可以用作输入端口，并且端口32、34、36、38可以用作输出端口。相反地，当作为合成器操作时，第一端口2可以用作输出端口并且端口32、34、36、38可以用作输入端口。应注意，图2所示的合成器/分离器10可以被视为包括图1所示类型的合成器/分离器10，其中另外两个此类合成器/分离器10耦合到图1中的端口14、16。例如，当合成器/分离器10用作分离器时，端口2处的信号输入沿着线22、24、26、28分离成四条等效路径，伴随着分离损耗(插入损耗将由金属/电介质损耗给定，并且可以添加到分离损耗中)。应注意，“损耗较少型”分离器会产生6db的损耗。图1所示的威尔金森合成器/分离器10的另外的级联可以允许提供甚至更多的合成器输入或分离器输出。
60.威尔金森合成器/分离器可能会占据相对较大的面积，这在以下情况时可能会存在问题。例如，当超过一个此类合成器/分离器设置在例如半导体基板的基板或其它载体上时，空间可能是非常宝贵的。根据本公开的实施例，多个合成器/分离器可以叠层布置设置在金属化叠层中(例如，在半导体基板或载体的表面上)，其中每一合成器/分离器的特征彼此覆盖。
61.图3示意性地示出了根据本公开的实施例的功率合成器/分离器100。在此实施例中，第一合成器/分离器具有与上文关于图2所描述的那些端口类似的端口2、32、34、36、38。在此实施例中，第二合成器/分离器具有同样与上文关于图2所描述的端口类似的端口102、132、134、136、138。本公开的实施例可以通过提供多个此类端口来帮助实现多输入多输出(mimo)应用。
62.端口32、34、36、38之间的阻抗在图3中由阻抗33、37表示，而端口132、134、136、138之间的阻抗在图3中由阻抗133、137表示。可以看出，在图3中，第一合成器/分离器覆盖第二合成器/分离器，并且第一合成器/分离器具有与第二合成器/分离器相对的朝向，使得第一合成器/分离器的端口2与第二合成器/分离器的端口132、134、136、138设置在功率合成器/分离器100的相同侧上，并且第二合成器/分离器的端口102与第一合成器/分离器的端口
32、34、36、38设置在功率合成器/分离器100的相同侧上。
63.图4示意性地示出了根据本公开的另一实施例的功率合成器/分离器100。如同图3的实施例，在此实施例中，功率合成器/分离器100包括覆盖第二合成器/分离器的第一合成器/分离器。然而，在此实施例中，功率合成器/分离器100中的两个合成器/分离器具有相同的朝向，以使第一合成器/分离器的端口2与第二合成器/分离器的端口102设置在功率合成器/分离器100的相同侧上，并且使得第二合成器/分离器的端口132、134、136、138与第一合成器/分离器的端口32、34、36、38设置在功率合成器/分离器100的相同侧上。
64.图3和4中的合成器/分离器可以包括上文关于图2所提及类型的另外级联，进而增加了端口的数量。
65.当合成器/分离器以图3或4所示的方式覆盖时，合成器/分离器的路径之间的隔离可能会存在问题。例如，交叉干扰可能会发生在点处，例如图3和4所示的点50、52，其中每一合成器/分离器内的路径的分支点重叠。
66.根据本公开的实施例，功率合成器/分离器的特征可以并入金属化叠层中。通过在金属化叠层中实施功率合成器/分离器提供的设计灵活性可以使合成器/分离器易于缩放(级联)，并且还可以允许采取一些步骤来改进覆盖的合成器/分离器的各种路径之间的隔离。
67.现将参考图5到10描述根据本公开的另外的实施例的功率合成器/分离器100。
68.图5中示出了功率合成器/分离器100的概览。在此实施例中，功率合成器/分离器100具有第一合成器/分离器和第二合成器/分离器，所述第一合成器/分离器具有端口2、32、34、36、38且所述第二合成器/分离器具有端口102、132、134、136、138，并且第一合成器/分离器和第二合成器/分离器的内部路径可以在拓扑结构上类似于关于图3和4所描述的那些路径。图5中的功率合成器/分离器100的总体拓扑结构与图3所示的拓扑结构类似，即端口2、102定位在功率合成器/分离器100的相对侧上，然而，可以实施具有与图4所示的拓扑结构类似的拓扑结构的实施例，其中端口2、102定位在功率合成器/分离器100的相同侧上。应注意，端口32、34和端口132、134设置在图5中的功率合成器/分离器100的相同侧上，端口36、38和端口136、138也是如此。
69.如本文中所描述，使用金属化叠层中的多个金属层来实施图5中的功率合成器/分离器100的特征(路径/端口)。叠层中的每一金属层包括限定第一合成器/分离器和第二合成器/分离器的路径、端口等的图案化金属特征。电介质层可以设置在层之间，并且通孔可以延伸穿过电介质层，以使不同金属层中的图案化金属特征互连。电介质还可以存在于“金属”层内，以填充未被图案化金属特征占据的区域。如下文将关于图11所描述的，金属化叠层可以定位在表面上，例如半导体基板或其它载体(例如，印刷电路板(pcb))的表面。
70.图6示出了图5的功率合成器/分离器的第一层。在此实施例中，第一层为“下部”层，但是可以颠倒布置，使得图6所示的层为“上部”层。
71.图6中的层包括分支布置的图案化金属特征，其形成功率合成器/分离器100的第一合成器/分离器和第二合成器/分离器两者的路径。具体地说，存在第二合成器/分离器的第一台140，以及第一合成器/分离器的第二台50。每一台140、50包括在金属化叠层的下部层中限定的图案化金属特征。
72.具体地说，在此实施例中，第二合成器/分离器的第一台140包括信号线148和布置
在信号线148的两侧上的两条接地线142、144。应注意，信号线分叉，并且每一分叉路径通向第二合成器/分离器的第二台150的相应部分上(参见图8)。另外的接地线146定位在信号线148的两条分叉路径之间。接地线142、144、146一起用以改进信号线148的隔离，以防止与叠层中的其它特征的交叉干扰，所述特征例如形成第一合成器/分离器的图案化金属特征。
73.在此实施例中，第一合成器/分离器的第二台50具有设置在功率合成器/分离器100的相对侧上的两个部分。每一部分可以布置为另一部分的镜像，如图6所示。每一部分包括信号线58。应注意，第二台50的每一部分中的信号线58分叉，其中分叉信号线的一条路径通向/来自端口36(或端口32)，并且另一条路径通向/来自端口38(或端口34)。第二台的每一部分还包括接地线52、54。接地线52、54定位在信号线58的两侧上，以改进信号线58的隔离。应注意，在本实施例中，接地线52可以耦合到接地线144。
74.区域200包括用于使叠层的下部层的各种图案化金属特征与叠层的其它层中的特征耦合的特征。下文将关于图9和10描述这些特征。
75.图7示出了图5的功率合成器/分离器的中间层。中间层定位在图6所示的第一层与下文将关于图8描述的另外的层之间。图7中也可以看到上文关于图6所描述的下部层的基本特征。
76.在此实施例中，中间层包括形成接地平面70的图案化金属特征。因此，接地平面70定位在叠层的下部层和上部层中的图案化金属特征之间，进而改进第一合成器/分离器与第二合成器/分离器之间的隔离。接地平面70进而形成用于第一合成器/分离器和第二合成器/分离器的分支布置的共享接地平面。在此实施例中，接地平面70延伸到大体上覆盖由叠层的下部层和上部层的特征占据的区域(或“占据面积”)，同样用于改进第一合成器/分离器与第二合成器/分离器之间的隔离。
77.在此实施例中，通孔80延伸穿过叠层以将接地线(例如，接地线146)连接到接地平面70。还可以提供其它此类通孔以将接地平面70连接到下部层中的其它接地线142、144、52、54，且连接到上部层中的接地线。
78.图8示出了图5的功率合成器/分离器的另外的层。在此实施例中，所述另外的层为叠层中的“上部”层。然而，如上文所提及，可以颠倒叠层中的层，使得图8所示的层为“下部”层。图8中也可以看到上文关于图6所描述的下部层和上文关于图7所描述的中间层的基本特征。
79.图8中的层包括分支布置的图案化金属特征，其形成功率合成器/分离器100的第一合成器/分离器和第二合成器/分离器两者的路径。具体地说，存在第二合成器/分离器的第二台150，以及第一合成器/分离器的第一台40。每一台40、150包括在金属化叠层的上部层中限定的图案化金属特征。
80.如将从下文的描述了解，上部层中的第二合成器/分离器的第二台150和第一合成器/分离器的第一台40的图案化金属特征可以在某些方面类似于上文关于图6所描述的第二合成器/分离器的第一台140和第一合成器/分离器的第二台50的图案化金属特征。然而，应注意，在此实施例中，端口132、134与端口32、34横向分离，使得它们在叠层中不会彼此覆盖(类似地布置端口136、138和端口36、38)，进而改进各个端口之间的隔离。
81.在此实施例中，第一合成器/分离器的第一台40包括信号线48和布置在信号线48的两侧上的两条接地线42、44。应注意，信号线分叉，并且每一分叉路径通向第一合成器/分
离器的第二台50的相应部分上(参见图6)。另外的接地线46可以定位在信号线48的两条分叉路径之间。接地线42、44、46一起用以改进信号线48的隔离，以防止与叠层中的其它特征的交叉干扰，所述特征例如形成第二合成器/分离器的图案化金属特征。
82.在此实施例中，第二合成器/分离器的第二台150具有设置在功率合成器/分离器100的相对侧上的两个部分。这些相对侧可以对应于功率合成器/分离器100的其上定位有第一合成器/分离器的第二台50的两个部分的侧。因此，叠层中的每一第二台50、150的两个部分可以在某一程度上重叠。如上文所描述，接地平面70可以定位在这些部分之间，以便改进所述部分之间的隔离。
83.第二台150的每一部分可以布置为另一部分的镜像，如图8所示。每一部分包括信号线158。应注意，第二台150的每一部分中的信号线158分叉，其中分叉信号线的一条路径通向/来自端口136(或端口132)，并且另一条路径通向/来自端口138(或端口134)。第二台150的每一部分还包括接地线152、154。接地线152、154定位在信号线158的两侧上，以改进信号线158的隔离。应注意，在本实施例中，接地线152可以耦合到接地线42。
84.图9和10示出了对应于图6所示的区域200的功率合成器/分离器的细节。具体地说，虽然在图9中可以看到上部层和下部层的图案化金属特征，但图10示出了包括接地平面70的相同布置。还应注意，图6所示的布局具有邻近区域200的另一区域，其可以具有与图9所示的布局类似的布局(例如，镜像)。
85.图9中的区域200包括第二合成器/分离器的第一台140的信号线148的末端，以及其通过通孔82穿过叠层到第二合成器/分离器的第二台150的信号线158的连接，所述通孔82竖直地延伸穿过下部层与上部层之间的叠层。
86.图9中的区域200还包括第一合成器/分离器的第一台40的信号线48的末端，以及其通过一对通孔82穿过叠层到第一合成器/分离器的第二台50的信号线58的连接，所述通孔82同样竖直地延伸穿过下部层与上部层之间的叠层。
87.应注意，图9所示的信号线58、158的部分重叠，并且图9所示的上部层与下部层的线之间还存在许多交叉点。同样，本文中所描述的接地平面70可以用来改进合成器/分离器的这些部分在那些点处的隔离。
88.如图10中可见，接地平面70可以具有开口72、74以允许一个或多个通孔82在叠层的上部层与下部层之间延伸，以使那些层中的图案化金属特征彼此互连而不会在接地平面70处短路。开口74可以大体符合一个通孔82(例如，在72处)或一组通孔82(例如，在74处)的占据面积。这可以使开口72、74相对较小，用于改进由接地平面70在每一合成器/分离器的第一台与第二台之间的连接处提供的隔离。
89.图11示出了根据本公开的实施例的设置在半导体基板300的表面上的上文所描述类型的功率合成器/分离器100。基板300为集成电路的半导体管芯。如先前所描述，实施功率合成器/分离器100的金属化叠层202可以设置在某种其它类型的表面上，例如设置在印刷电路板(pcb)的表面上。在图11中，金属化叠层具有四个层204、206、208、210。例如，这些层204、206、208、210可以对应于金属化叠层中的层cu1、cu2、cu3、cu4。如先前所提及，电介质层可以设置在层204、206、208、210之间，并且通孔可以延伸穿过电介质层以使不同金属层204、206、208、210中的图案化金属特征互连。同样，电介质还可以存在于“金属”层内，以填充未被图案化金属特征占据的区域。
90.为了在叠层202与基板300之间提供电连接，金属(例如，cu)柱212可以从叠层202朝向基板300延伸。例如，这些柱212可以连接到定位在叠层202中的合成器/分离器的各个端口。
91.根据本公开的实施例，可以提供制造上文所描述类型的功率合成器/分离器的方法。标准后段工艺加工技术可以用于形成金属化叠层和合成器/分离器的各种特征。
92.所述方法可以包括形成形成于表面(例如，图11所示的基板300的表面)上的金属化叠层。金属化叠层可以包括多个层，所述多个层包括图案化金属特征(例如，如上文关于图5到10所描述的)。
93.图案化金属特征可以形成第一分支布置(例如，参见上文关于图6和8所描述的台40、50)，所述第一分支布置具有定位在第一分支布置的一个末端处的第一端口。第一分支布置还可以具有定位在第一分支布置的另一末端处的多个另外的端口。第一分支布置可以另外包括在第一分支布置的每一末端之间延伸的多个分叉分支，用于在第一分支布置的第一端口与多个另外的端口之间划分/组合通过第一分支布置的信号。
94.图案化金属特征还可以形成第二分支布置(例如，参见上文关于图6和8所描述的台140、150)。第二分支布置可以具有定位在第二分支布置的一个末端处的第一端口。第二分支布置还可以具有定位在第二分支布置的另一末端处的多个另外的端口。第一分支布置可以另外包括在第二分支布置的每一末端之间延伸的多个分叉分支，用于在第二分支布置的第一端口与多个另外的端口之间划分/组合通过第二分支布置的信号。
95.第一分支布置和第二分支布置可以定位在所述金属化叠层的公共区域中，使得形成第一分支布置的图案化金属特征中的至少一些覆盖在形成第二分支布置的图案化金属特征中的至少一些上。
96.所述方法可以另外包括在金属化叠层的一层中形成公共接地平面(例如，上文关于图7所描述的)。公共接地平面可以由第一分支布置和第二分支布置共享。
97.图5到9的回顾示出了：在一些实施例中，功率合成器/分离器100的布局可以具有至少一个对称平面。这可以通过减小功率合成器/分离器100中的不同路径之间的相位不平衡和相位插入来改进功率合成器/分离器100的操作。例如，在图5到9的实施例中，功率合成器/分离器100具有两个对称平面400、500，它们彼此正交，如图5所示。
98.因此，已描述了一种用于多输入多输出(mimo)应用的功率合成器/分离器以及其制造方法。金属化叠层具有多个层，所述多个层包括形成所述功率合成器/分离器的第一分支布置和第二分支布置的图案化金属特征。每一分支布置包括定位在所述分支布置的一个末端处的端口，以及多个另外的端口。每一分支布置还包括在所述分支布置的每一末端之间延伸的多个分叉分支，用于在所述端口与所述多个另外的端口之间划分/组合通过所述分支布置的信号。所述金属化叠层另外包括由所述第一分支布置和所述第二分支布置共享的公共接地平面。形成所述第一分支布置的所述图案化金属特征中的至少一些覆盖在形成所述第二分支布置的所述图案化金属特征中的至少一些上。
99.尽管已描述了本公开的具体实施例，但是应了解，可以在权利要求书的范围内作出许多修改/添加和/或替代。