显示装置及其制造方法与流程

显示装置及其制造方法
1.本技术要求于2020年5月14日在韩国知识产权局(kipo)提交的第10
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2020
‑
0057711号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用被包含于此。
技术领域
2.本公开涉及一种显示装置及其制造方法。


背景技术：

3.显示装置是显示图像的装置。作为自发射显示装置的发射显示装置近来已经受到关注。
4.不同于液晶显示(lcd)装置，发射显示装置具有消除了对光源的需求的自发射特性，因此可以被制造得更薄且更轻。此外，发射显示装置具有诸如低功耗、高亮度、高响应速度等的高质量特性。
5.通常，发射显示装置包括：基底；薄膜晶体管，位于基底上；绝缘层，设置在构成薄膜晶体管的线之间；以及发光元件，连接到薄膜晶体管。滤色器可以设置在发光元件上，以显示颜色。近来，随着显示装置的分辨率增大，各个发光元件的尺寸已经减小。
6.在本背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对发明的背景技术的理解，因此，它可以包含不形成对本领域普通技术人员而言在本国已知的现有技术的信息。


技术实现要素：

7.实施例已努力提供一种防止在发射区域的边缘处产生反射色带的显示装置及其制造方法。
8.发明的实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括：源电极，设置在基底上；漏电极，设置在基底上；绝缘层，设置在源电极和漏电极上，绝缘层包括与漏电极叠置的开口；以及第一电极，设置在绝缘层上，并且在绝缘层的开口中电接触漏电极，其中，绝缘层的开口的侧表面与平行于基底的平面之间的角度在约70度至约85度的范围内。
9.源电极可以包括彼此电连接的第一源电极和第二源电极，漏电极可以包括彼此电连接的第一漏电极和第二漏电极，并且显示装置还可以包括设置在第一源电极与第二源电极之间以及第一漏电极与第二漏电极之间的中间层。
10.绝缘层可以包括硅氧烷或聚酰亚胺。
11.显示装置还可以包括：分隔壁，设置在第一电极上，并且包括黑色材料；第二电极，与第一电极叠置；发射层，设置在第一电极与第二电极之间；封装层，设置在第二电极上；以及感测层，设置在封装层上。
12.显示装置还可以包括：多个滤色器，设置在感测层上；以及光阻挡构件，设置在多个滤色器之间。光阻挡构件和分隔壁可以彼此叠置。
13.显示装置可以不包括偏振片。
14.绝缘层可以包括黑色材料。
15.显示装置还可以包括：间隔件，设置在分隔壁上，并且包括黑色材料。
16.显示装置还可以包括：间隔件，设置在分隔壁上。分隔壁和间隔件可以彼此为一体，并且分隔壁、间隔件和绝缘层可以包括黑色材料。
17.发明的实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括：源电极，设置在基底上；漏电极，设置在基底上；第一绝缘层，设置在源电极和漏电极上，并且包括与漏电极叠置的第一开口；第二绝缘层，与第一绝缘层的上表面和第一开口的侧表面叠置，并且包括与漏电极叠置的第二开口；以及第一电极，设置在第二绝缘层上，并且在第二绝缘层的第二开口中电接触漏电极。第二绝缘层的第二开口的侧表面与平行于基底的平面之间的角度可以在约70度至约85度的范围内。
18.第一绝缘层的第一开口的侧表面与平行于基底的平面之间的角度和第二绝缘层的第二开口的侧表面与平行于基底的平面之间的角度可以彼此相等。
19.第一绝缘层的第一开口的侧表面与平行于基底的平面之间的角度和第二绝缘层的第二开口的侧表面与平行于基底的平面之间的角度可以彼此不同。
20.第一绝缘层的第一开口的侧表面与平行于基底的平面之间的角度可以比第二绝缘层的第二开口的侧表面与平行于基底的平面之间的角度小。
21.第一绝缘层的第一开口的侧表面与平行于基底的平面之间的角度可以为约45度或者小于约45度。
22.第一绝缘层的厚度和第二绝缘层的厚度中的每者可以在约1.5μm至约3.0μm的范围内。
23.第一绝缘层和第二绝缘层可以包括不同的材料。
24.第一绝缘层和第二绝缘层可以包括相同的材料。
25.第一绝缘层可以包括硅氧烷或聚酰亚胺，第二绝缘层可以包括硅氧烷或聚酰亚胺。
26.源电极可以包括彼此电连接的第一源电极和第二源电极，漏电极可以包括彼此电连接的第一漏电极和第二漏电极，并且显示装置还可以包括设置在第一源电极与第二源电极之间以及第一漏电极与第二漏电极之间的中间层。
27.第二绝缘层可以包括黑色材料。
28.显示装置还可以包括：分隔壁，设置在第一电极上，并且包括黑色材料。
29.显示装置还可以包括：间隔件，设置在分隔壁上，并且包括黑色材料。
30.显示装置还可以包括：分隔壁，设置在第一电极上；和间隔件，设置在分隔壁上，其中分隔壁、间隔件和第二绝缘层可以包括黑色材料，并且分隔壁、间隔件和第二绝缘层中的至少一个包括黑色材料。
31.第一绝缘层的第一开口的侧表面和第二绝缘层的第二开口的侧表面可以设置在同一表面上。
32.第一绝缘层的第一开口的侧表面与平行于基底的平面之间的角度可以在约70度至约85度的范围内。
33.第一绝缘层的侧表面和第一电极的侧表面可以彼此直接接触。
34.发明的实施例提供了一种显示装置的制造方法，所述方法包括：在基底上形成源
电极和漏电极；在源电极和漏电极上形成绝缘层；将掩模定位在绝缘层上以曝光绝缘层，掩模包括与漏电极叠置的区域并且具有不同的透射率；蚀刻曝光的绝缘层，以形成与漏电极叠置的开口；以及曝光包括开口的绝缘层，以将开口的侧表面与平行于基底的平面之间的穿孔角度增大到约70度至约85度的范围内。
35.绝缘层可以包括黑色材料。
36.发明的实施例提供了一种显示装置的制造方法，所述方法包括：在基底上形成源电极和漏电极；在源电极和漏电极上形成第一绝缘层，以包括与漏电极叠置的第一开口；在第一绝缘层和第一绝缘层的第一开口上形成第二绝缘层；通过使用包括与漏电极叠置的区域并且具有不同透射率的掩模来曝光第二绝缘层；通过蚀刻曝光的第二绝缘层来在第二绝缘层中形成与漏电极叠置的第二开口；以及曝光包括第二开口的第二绝缘层，以将第二开口的侧表面与平行于基底的平面之间的穿孔角度增大到约70度至约85度的范围内。
37.在曝光第二绝缘层的步骤中使用的掩模在不与漏电极叠置的区域中可以与其它区域中具有不同的透射率，并且形成第二开口的步骤包括：不蚀刻第二绝缘层的一部分，以形成突起。
38.所述方法还可以包括：将第一绝缘层的第一开口的侧表面与平行于基底的平面之间的穿孔角度和第二绝缘层的第二开口的侧表面与平行于基底的平面之间的穿孔角度形成为彼此不同。
39.形成第一绝缘层的步骤可以包括：将第一绝缘层形成为具有在约1.5μm至约3.0μm的范围内的厚度，并且形成第二绝缘层的步骤可以包括：将第一绝缘层形成为具有在约1.5μm至约3.0μm的范围内的厚度。
40.第一绝缘层和第二绝缘层可以包括不同的材料。
41.第一绝缘层和第二绝缘层可以包括相同的材料。
42.第二绝缘层可以包括黑色材料。
43.根据实施例，可以提供一种防止在发射区域的边缘处产生反射色带的显示装置及其制造方法。
附图说明
44.通过参照附图详细地描述发明的实施例，根据发明的实施例的附加理解将变得更清楚。
45.图1示意性地示出了根据发明的实施例的显示装置的剖面。
46.图2a示意性地示出了不包括偏振片且具有反射色带的显示装置的图像和颜色分布，图2b示意性地示出了包括偏振片且不具有反射色带的显示装置的图像和颜色分布。
47.图3a示意性地示出了其中绝缘层的开口的穿孔角度为约45度的显示装置的图像和颜色分布，图3b示意性地示出了其中绝缘层的开口的穿孔角度为约80度的显示装置的图像和颜色分布。
48.图4a示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面，图4b示意性地示出了其中绝缘层由单层制成的显示装置的图像和颜色分布，图4c示意性地示出了其中绝缘层由多层制成的显示装置的图像和颜色分布。
49.图5示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。
50.图6示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。
51.图7示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。
52.图8示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。
53.图9示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。
54.图10示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。
55.图11示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。
56.图12示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。
57.图13示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。
58.图14示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。
59.图15示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。
60.图16示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。
61.图17示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。
62.图18示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。
63.图19示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。
64.图20示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。
65.图21示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。
66.图22示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。
67.图23示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。
68.图24示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。
69.图25示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。
70.图26示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。
71.图27示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。
72.图28示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。
73.图29示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。
74.图30示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。
75.图31示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。
76.图32示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。
77.图33示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。
78.图34示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。
79.图35至图40示意性地示出了示出根据发明的实施例的显示装置的制造工艺的剖视图。
80.图41示意性地示出了根据其中在通过使用图35至图40的制造方法制造显示装置的情况下第二绝缘层、分隔壁和间隔件包括黑色材料的实施例的显示装置的剖面。
81.图42至图48示意性地示出了示出根据发明的实施例的显示装置的制造工艺的剖视图。
82.图49和图50示意性地示出了分别示出根据发明的实施例的像素的电路图。
具体实施方式
83.在下文中将参照附图更充分地描述发明，在附图中示出了发明的实施例。如本领
域技术人员将认识到的，在全部都不脱离发明的精神或范围的情况下，可以以各种不同的方式修改所描述的实施例。
84.为了清楚地描述发明，省略了与描述无关的部分，并且在整个说明书中，同样的附图标记表示同样或相似的元件。
85.此外，由于附图中所示的元件的尺寸和厚度是为了更好地理解和便于描述而任意给出的，因此发明不限于所示的尺寸和厚度。在附图中，为了清楚，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在附图中，为了更好地理解和便于描述，夸大了一些层和区域的厚度。
86.将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为“在”另一元件“上”时，它可以直接在另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。此外，在说明书中，词语“在
……
上”或“在
……
上方”(或者“在
……
下”或“在
……
下方”)表示设置在目标部分上或下方；换言之，它们不一定表示基于重力方向设置在目标部分的上侧(或下侧)上。
87.此外，除非明确地相反描述，否则词语“包括”及其变型将被理解为暗示包括所陈述的元件，但是不排除任何其它元件。
88.此外，在说明书中，“连接”表示：两个或更多个组件不仅直接连接，而且两个或更多个组件还可以通过其它组件间接连接、物理连接以及电连接。连接部分可以彼此分离或者可以彼此为一体。
89.此外，在本说明书中，短语“在平面图中”表示从上方观察目标部分的情况，短语“在剖视图中”表示从侧面观察通过垂直地切割目标部分而截取的剖面的情况。
90.除非这里另有定义或暗示，否则所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解的是，术语(诸如在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于正式的意义来解释，除非在说明书中明确地定义。
91.在下文中，将参照附图详细地描述根据发明的实施例的显示装置。
92.图1示意性地示出了根据发明的实施例的显示装置的剖面。为了便于描述，图1仅示意性地示出了一些元件，而发明不限于此。
93.参照图1，半导体层130可以设置在包括塑料或玻璃的基底110上。半导体层130可以包括源极区域133、沟道区域134和漏极区域135。半导体层130可以包括非晶硅、多晶硅、单晶硅和氧化物半导体中的任何一种。
94.栅极绝缘图案144可以设置为与半导体层130的沟道区域134叠置。栅极绝缘图案144可以基本不与半导体层130的导电区域叠置。
95.栅电极154可以设置在栅极绝缘图案144上。栅电极154可以在垂直于基底110的方向上与半导体层130的沟道区域134叠置。栅电极154、半导体层130、源电极173和漏电极175形成(或者构成)晶体管。
96.层间绝缘层160可以设置在半导体层130上。层间绝缘层160可以包括氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)和/或氮氧化硅(sion)。层间绝缘层160可以是包括氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)和氮氧化硅(sion)中的至少一者的单层或多层。
97.层间绝缘层160可以包括分别与半导体层130的源极区域133和漏极区域135叠置的开口。源电极173和漏电极175可以设置在层间绝缘层160上。源电极173可以通过层间绝
缘层160的开口电连接到半导体层130的源极区域133。漏电极175可以通过层间绝缘层160的开口电连接到半导体层130的漏极区域135。
98.绝缘层180设置在源电极173和漏电极175上。绝缘层180可以包括有机材料。尽管图1中绝缘层180被示出为单层，但是绝缘层180可以具有两层或更多层的多层结构。绝缘层180可以包括硅氧烷或聚酰亚胺。
99.参照图1，绝缘层180可以具有与漏电极175叠置的开口185。在开口185中，第一电极191与漏电极175彼此电接触。
100.绝缘层180的开口185的侧表面与漏电极175的上表面之间的角度(例如，穿孔角度)θ1可以在约70度至约85度的范围内。换言之，绝缘层180的开口185的侧表面与平行于基底110的平面之间的角度为约70度至约85度，因此可以防止在显示装置中产生反射色带。(在本公开中，作为用于测量角度的参照的平面是与基底110平行的平面。)下面将描述根据实施例的绝缘层180的具体效果。
101.在绝缘层180的开口185的侧表面与漏电极175的上表面之间的角度θ1小于约70度的情况下，会无法获得防止反射色带的产生的足够效果。在绝缘层180的开口185的侧表面与漏电极175的上表面之间的角度θ1大于约85度的情况下，侧表面的倾斜陡峭，并且会导致第一电极191的裂纹。
102.仍参照图1，分隔壁350设置在第一电极191上。分隔壁350可以包括与第一电极191叠置的开口355，发射层370可以设置在分隔壁350的开口355中。第二电极270可以设置在分隔壁350和发射层370上。第一电极191、发射层370和第二电极270可以形成发光二极管ed。分隔壁350可以包括黑色材料。因此，分隔壁350可以用作光阻挡构件。
103.封装层390可以设置在第二电极270上。封装层390可以是包括有机层和无机层的多层。感测层310可以是例如触摸感测层310。触摸感测层310可以设置在封装层390上。在图1中，示意性地示出了触摸感测层310，但是触摸感测层310可以包括设置在不同层上同时彼此绝缘的感测电极以及设置在感测电极之间的绝缘层。
104.在图1中，光阻挡构件330可以设置在触摸感测层310上。光阻挡构件330可以设置为在垂直于基底110的方向上与分隔壁350叠置。
105.滤色器230可以设置在光阻挡构件330之间。滤色器230可以包括红色滤色器230r、绿色滤色器230g和蓝色滤色器230b。可以设置一个滤色器以对应于一个发光二极管ed。如图1中所示，相邻的滤色器230可以在光阻挡构件330上彼此叠置。尽管图1中示出了滤色器230，但是根据实施例，滤色器230可以是包括量子点的颜色转换层。在这种情况下，红色转换层可以设置在其中设置有红色滤色器230r的区域中，绿色转换层可以设置在其中设置有绿色滤色器230g的区域中，透射层可以设置在其中设置有蓝色滤色器230b的区域中。
106.参照图1，根据实施例的显示装置在其中可以不包括偏振片。在显示装置包括偏振片的情况下，可以通过偏振片防止在发射区域中产生反射色带。然而，在其中如实施例中那样不包括偏振片的情况下，可能会在分隔壁350的开口355的边缘处产生反射色带。
107.图2a示意性地示出了不包括偏振片且具有反射色带的显示装置的图像和颜色分布，图2b示意性地示出了包括偏振片且不具有反射色带的显示装置的图像和颜色分布。图3a示意性地示出了其中绝缘层的开口的穿孔角度为约45度的显示装置的图像和颜色分布，图3b示意性地示出了其中绝缘层的开口的穿孔角度为约80度的显示装置的图像和颜色分
布。比较图2a以及图3a和图3b，在其中产生反射色带的显示装置的情况下，在发射区域的边缘处视觉地识别出绿色和紫色。颜色分布广泛分散，并且最大色差δe00为约22.24。
108.参照图2b，在其中不产生反射色带的显示装置的情况下，颜色分布呈现得狭窄，并且最大色差δe00低至约9.75。
109.在显示装置不包括偏振片的情况下，可能会产生反射色带。然而，根据实施例的在绝缘层180中包括具有在约70度至约85度范围内的穿孔角度的开口185的显示装置即使没有偏振片也可以防止反射色带的产生。这是因为：随着开口185的穿孔角度增大，在开口185的侧表面处发生的漫反射减少。由于漫反射减少，所以防止了反射色带的产生。
110.然而，在开口185的穿孔角度小于约70度的情况下，抑制漫反射的效果不足，因此会产生反射色带。在开口185的穿孔角度为约85度或者大于约85度的情况下，第一电极191在开口185的侧表面上会出现裂纹。
111.下面的表1示出了针对在除了绝缘层开口的穿孔角度之外的相同条件下的实验示例1和实验示例2的反射色带的产生的实验结果。
112.(表1)
[0113][0114]
参照表1，证实了：在其中绝缘层的开口的穿孔角度为约45度的实验示例1中，最大色差δe00为约30.6，但是在其中绝缘层的开口的穿孔角度为约80度的实验示例2中，最大色差δe00降低至约23.0。利用实验示例1和实验示例2的图像，可以看出，在实验示例1中，在开口的边缘处观察到绿色色带和紫色色带，但是在实验示例2中，在开口的边缘处没有观察到单独的色带。图3a和3b分别示出了实验实施例1和2的图像及其a*、b*分布。
[0115]
如上所述，根据发明实施例的显示装置在其中可以不包括偏振片，并且可以在绝缘层180中包括开口185，开口185具有在约70度至约85度的范围内的穿孔角度，漏电极175和第一电极191在开口185中连接。因此，可以防止显示装置的反射色带的产生。
[0116]
已经作为示例描述了单层的绝缘层180，但是绝缘层180可以是多层。在下文中，将描述另一实施例。
[0117]
图4a示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。参照图4a，除了绝缘层180包括第一绝缘层181和第二绝缘层182之外，根据实施例的显示装置与图1的显示装置相同。将省略相同元件的详细描述。
[0118]
在图4a的实施例中，显示装置包括第一绝缘层181和第二绝缘层182。第一绝缘层181的所有侧表面和上表面可以与第二绝缘层182叠置。例如，第一绝缘层181可以不直接接触第一电极191。
[0119]
参照图4a，第一绝缘层181的开口183的尺寸比第二绝缘层182的开口185的尺寸
大。例如，第二绝缘层182的开口185可以设置在第一绝缘层181的开口183内。
[0120]
第一绝缘层181的开口183的侧表面相对于平面的角度θ2可以不同于第二绝缘层182的开口185的侧表面相对于平面的角度θ1。具体地，第一绝缘层181的开口183的侧表面相对于平面的角度θ2可以比第二绝缘层182的开口185的侧表面相对于平面的角度θ1小。例如，由第一绝缘层181的开口183的侧表面相对于平面形成的角度θ2可以为45度或更小。由第二绝缘层182的开口185的侧表面相对于平面形成的角度θ1可以在70度至85度的范围内。
[0121]
在绝缘层180是包括第一绝缘层181和第二绝缘层182的多层的情况下，绝缘层180的平坦度可以增加，从而更有效地防止反射色带的产生。
[0122]
反射色带的产生受到绝缘层180的开口(例如，开口183和开口185)的角度和绝缘层180的上部的平坦度的影响。在实施例中，绝缘层180为多层，以增加绝缘层180的上部的平坦度，从而防止反射色带的产生。
[0123]
下面的表2示出了针对在除了绝缘层为单层或双层之外的相同条件下的实验示例3和实验示例4的反射色带的产生的实验结果。
[0124]
(表2)
[0125][0126]
参照表2，证实了：在其中绝缘层由多层制成的实验示例4中，与其中绝缘层由单层制成的实验示例3相比，绝缘层的平坦度得到改善。证实了：其中绝缘层为多层的实验示例4的最大色差δe00为约18.2，其小于其中绝缘层由单层制成的实验示例3的约23.0。图4b和4c分别示出了实验示例3和实验示例4的图像及其a*、b*分布。
[0127]
第一绝缘层181的厚度和第二绝缘层182的厚度可以分别为约1.5μm至约3.0μm。第一绝缘层181的厚度和第二绝缘层182的厚度可以相同或不同。
[0128]
第一绝缘层181和第二绝缘层182可以包括硅氧烷或聚酰亚胺。第一绝缘层181和第二绝缘层182可以包括相同材料，或者可以包括不同材料。例如，第一绝缘层181可以包括硅氧烷，而第二绝缘层182可以包括聚酰亚胺。作为另一实例，第一绝缘层181可以包括聚酰亚胺，而第二绝缘层182可以包括硅氧烷。作为另一示例，第一绝缘层181和第二绝缘层182可以包括聚酰亚胺，或者第一绝缘层181和第二绝缘层182可以包括硅氧烷。
[0129]
在图4a中，示出了其中由第一绝缘层181的开口183的侧表面相对于平面形成的角度θ2以及由第二绝缘层182的开口185的侧表面相对于平面形成的角度θ1不同的构造，但是角度θ2和角度θ1可以彼此相等。
[0130]
图5示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。参照图5，除了由第一绝缘层181的开口183的侧表面相对于平面形成的角度θ2与由第二绝缘层182的开口185的侧表面相对于平面形成的角度θ1相等之外，根据实施例的显示装置与图4a的实施例的显示装
置相同。将省略相同元件的详细描述。
[0131]
角度θ2可以等于角度θ1。角度θ2和角度θ1可以在约70度至约85度的范围内。
[0132]
图6示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。参照图6，除了第一绝缘层181的开口183的侧表面和第二绝缘层182的开口185的侧表面设置在同一表面上之外，根据实施例的显示装置与图5的实施例的显示装置相同。将省略相同元件的详细描述。
[0133]
参照图6，第一绝缘层181的开口183的侧表面和第二绝缘层182的开口185的侧表面设置在同一表面上。由第一绝缘层181的开口183的侧表面相对于平面形成的角度θ2可以在约70度至约85度的范围内。
[0134]
由于第一绝缘层181的开口183的侧表面和第二绝缘层182的开口185的侧表面设置在同一表面上，因此与图5的显示装置不同，第二绝缘层182可以不直接接触漏电极175。
[0135]
在实施例中，第一绝缘层181和第二绝缘层182可以包括彼此不同的材料，或者可以包括相同材料。例如，第一绝缘层181可以包括硅氧烷，而第二绝缘层182可以包括聚酰亚胺。作为另一实例，第一绝缘层181可以包括聚酰亚胺，而第二绝缘层182可以包括硅氧烷。作为另一示例，第一绝缘层181和第二绝缘层182可以包括聚酰亚胺，或者第一绝缘层181和第二绝缘层182可以包括硅氧烷。
[0136]
在本公开的另一实施例中，绝缘层180可以包括黑色材料。例如，绝缘层180可以包括炭黑或有机黑色材料。在绝缘层180具有包括如图4a、图5和图6中所示的第一绝缘层181和第二绝缘层182的多层结构的情况下，第二绝缘层182可以包括黑色材料。如图1中所示，在绝缘层180是单层的情况下，绝缘层180可以包括黑色材料。
[0137]
图7示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。参照图7，除了绝缘层180包括黑色材料之外，根据实施例的显示装置与图1的显示装置相同。绝缘层180可以包括炭黑或有机黑色材料，并且可以具有黑色。将省略相同元件的详细描述。
[0138]
图8示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。参照图8，除了分隔壁350包括黑色材料之外，根据实施例的显示装置与图1的显示装置相同。分隔壁350可以包括炭黑或有机黑色材料，并且可以具有黑色。将省略相同元件的详细描述。
[0139]
图9示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。除了间隔件320设置在分隔壁350上之外，图9的显示装置与图1的显示装置相同。间隔件320可以设置在像素中的一些分隔壁350上，在这种情况下，图1示出了其中未定位有间隔件320的区域的剖面，而图9示出了其中定位有间隔件320的区域的剖面。参照图9，间隔件320可以包括黑色材料。例如，间隔件320可以包括炭黑或有机黑色材料，并且可以具有黑色。将省略相同元件的详细描述。
[0140]
图10示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。除了间隔件320和分隔壁350彼此连接或彼此成为一体且包括黑色材料之外，图10的显示装置与图9的显示装置相同。将省略相同元件的详细描述。在图10中，间隔件320和分隔壁350可以在相同的工艺中形成。
[0141]
图11示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。参照图11，在根据实施例的显示装置中，绝缘层180、分隔壁350和设置在分隔壁350上的间隔件320包括黑色材料。其它元件与图10中的相同，并且将省略相同元件的详细描述。
[0142]
图12示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。参照图12，除了第二绝缘层182包括黑色材料之外，根据实施例的显示装置与图4a的显示装置相同。第二绝缘层
182可以包括炭黑或有机黑色材料，并且可以具有黑色。将省略相同元件的详细描述。
[0143]
图13示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。参照图13，除了分隔壁350包括黑色材料之外，根据实施例的显示装置与图4a的显示装置相同。分隔壁350可以包括炭黑或有机黑色材料，并且可以具有黑色。将省略相同元件的详细描述。
[0144]
图14示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。除了间隔件320设置在分隔壁350上之外，图14的显示装置与图4a的显示装置相同。参照图14，间隔件320可以包括黑色材料。例如，间隔件320可以包括炭黑或有机黑色材料，并且可以具有黑色。将省略相同元件的详细描述。
[0145]
图15示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。除了间隔件320和分隔壁350彼此连接且包括黑色材料之外，图15的显示装置与图14的显示装置相同。将省略相同元件的详细描述。在图15中，间隔件320和分隔壁350可以在相同的工艺中形成。
[0146]
图16示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。参照图16，在根据实施例的显示装置中，第二绝缘层182、分隔壁350和设置在分隔壁350上的间隔件320包括黑色材料。其它元件与图15中的相同，并且将省略相同元件的详细描述。
[0147]
图17示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。参照图17，除了间隔件320和分隔壁350彼此连接且第二绝缘层182、分隔壁350和设置在分隔壁350上的间隔件320包括黑色材料之外，根据实施例的显示装置与图5的显示装置相同。将省略相同元件的详细描述。在图17中，示出了其中第二绝缘层182、分隔壁350和间隔件320中的全部包括黑色材料的构造，但是在另一实施例中，它们中的仅一些可以包括黑色材料。
[0148]
图18示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。参照图18，除了间隔件320和分隔壁350彼此连接且第二绝缘层182、分隔壁350和设置在分隔壁350上的间隔件320包括黑色材料之外，根据实施例的显示装置与图6的显示装置相同。将省略相同元件的详细描述。在图18中，示出了其中第二绝缘层182、分隔壁350和间隔件320中的全部包括黑色材料的构造，但是在另一实施例中，它们中的仅一些可以包括黑色材料。
[0149]
图1、图4a以及图5至图18示意性地示出了其中源电极173和漏电极175设置在一层上的实施例，但是如图19至图34中所示，源电极173和漏电极175可以具有其中设置在不同层上的源电极173a和173b以及漏电极175a和175b连接且中间层161位于其间的结构。下面将参照图19至图34详细地描述具体结构。
[0150]
图19示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。参照图19，在根据实施例的显示装置中，除了源电极173包括第一源电极173a和第二源电极173b、漏电极175包括第一漏电极175a和第二漏电极175b、以及设置在其间的中间层161之外，显示装置与图1的显示装置相同。将省略相同元件的详细描述。参照图19，中间层161设置在第一源电极173a与第二源电极173b之间以及第一漏电极175a与第二漏电极175b之间。第一源电极173a和第二源电极173b在中间层161的开口中彼此电连接，第一漏电极175a和第二漏电极175b在中间层161的开口中彼此电连接。
[0151]
在其中源电极173和漏电极175设置为多层的实施例中，第一电极191与设置在上层中的第一源电极173a和第一漏电极175a之间的绝缘层180可以具有发明的结构。例如，绝缘层180的开口185的侧表面与平面之间的穿孔角度θ1可以在70度至85度的范围内。因此，可以防止在不包括偏振片的显示装置中产生反射色带。
[0152]
图20示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。参照图20，除了绝缘层180包括黑色材料之外，根据实施例的显示装置与图19的显示装置相同。绝缘层180可以包括炭黑或有机黑色材料，并且可以具有黑色。将省略相同元件的详细描述。
[0153]
图21示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。参照图21，除了分隔壁350包括黑色材料之外，根据实施例的显示装置与图19的显示装置相同。分隔壁350可以包括炭黑或有机黑色材料，并且可以具有黑色。将省略相同元件的详细描述。
[0154]
图22示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。除了间隔件320设置在分隔壁350上之外，图22的显示装置与图19的显示装置相同。参照图22，间隔件320可以包括黑色材料。例如，间隔件320可以包括炭黑或有机黑色材料，并且可以具有黑色。将省略相同元件的详细描述。
[0155]
图23示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。除了间隔件320与分隔壁350彼此连接且包括黑色材料之外，图23的显示装置与图22的显示装置相同。将省略相同元件的详细描述。间隔件320和分隔壁350可以在相同的工艺中形成。
[0156]
图24示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。参照图24，除了绝缘层180包括黑色材料之外，根据实施例的显示装置与图23的显示装置相同。将省略相同元件的详细描述。在图24中，示出了其中绝缘层180、分隔壁350和间隔件320中的全部包括黑色材料的构造，但是在另一实施例中，它们中的仅一些可以包括黑色材料。
[0157]
图25示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。参照图25，在根据实施例的显示装置中，除了源电极173包括第一源电极173a和第二源电极173b、漏电极175包括第一漏电极175a和第二漏电极175b、以及设置在其间的中间层161之外，显示装置与图4a的显示装置相同。将省略相同元件的详细描述。参照图25，中间层161设置在第一源电极173a与第二源电极173b之间以及第一漏电极175a与第二漏电极175b之间。第一源电极173a和第二源电极173b通过中间层161的开口彼此连接，第一漏电极175a和第二漏电极175b通过中间层161的开口彼此连接。第一绝缘层181和第二绝缘层182的描述与参照图4a的描述相同。例如，第一绝缘层181的开口183的侧表面相对于平面的角度θ2可以不同于第二绝缘层182的开口185的侧表面相对于平面的角度θ1。由第二绝缘层182的开口185的侧表面相对于平面形成的角度θ1可以在约70度至约85度的范围内。
[0158]
图26示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。参照图26，除了第二绝缘层182包括黑色材料之外，根据实施例的显示装置与图25的显示装置相同。第二绝缘层182可以包括炭黑或有机黑色材料，并且可以具有黑色。将省略相同元件的详细描述。
[0159]
图27示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。参照图27，除了分隔壁350包括黑色材料之外，根据实施例的显示装置与图25的显示装置相同。分隔壁350可以包括炭黑或有机黑色材料，并且可以具有黑色。将省略相同元件的详细描述。
[0160]
图28示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。除了间隔件320设置在分隔壁350上之外，图28的显示装置与图25的显示装置相同。参照图28，间隔件320可以包括黑色材料。例如，间隔件320可以包括炭黑或有机黑色材料，并且可以具有黑色。将省略相同元件的详细描述。
[0161]
图29示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。除了间隔件320与分隔壁350彼此连接且包括黑色材料之外，图29的显示装置与图28的显示装置相同。将省略相同
元件的详细描述。在图29中，间隔件320和分隔壁350可以在相同的工艺中形成。
[0162]
图30示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。参照图30，除了第二绝缘层182包括黑色材料之外，根据实施例的显示装置与图29的显示装置相同。将省略相同元件的详细描述。在图30中，示出了其中第二绝缘层182、分隔壁350和间隔件320中的全部包括黑色材料的构造，但是在另一实施例中，它们中的仅一些可以包括黑色材料。
[0163]
图31示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。参照图31，除了源电极173包括第一源电极173a和第二源电极173b、漏电极175包括第一漏电极175a和第二漏电极175b、以及设置在其间的中间层161之外，根据实施例的显示装置与图5的显示装置相同。将省略相同元件的详细描述。参照图31，中间层161设置在第一源电极173a与第二源电极173b之间以及第一漏电极175a与第二漏电极175b之间。第一源电极173a和第二源电极173b在中间层161的开口中彼此连接，第一漏电极175a和第二漏电极175b在中间层161的开口中彼此连接。第一绝缘层181和第二绝缘层182的描述与参照图5的描述相同。例如，第一绝缘层181的开口183的侧表面相对于平面的角度θ2可以与第二绝缘层182的开口185的侧表面相对于平面的角度θ1相等。例如，角度θ2和角度θ1可以在约70度至约85度的范围内。即使在图31的实施例中，第一绝缘层181或第二绝缘层182也可以包括黑色材料。
[0164]
图32示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。参照图32，除了间隔件320和分隔壁350彼此连接且第二绝缘层182、分隔壁350和设置在分隔壁350上的间隔件320包括黑色材料之外，根据实施例的显示装置与图31的显示装置相同。将省略相同元件的详细描述。在图32中，示出了其中第二绝缘层182、分隔壁350和间隔件320中的全部包括黑色材料的构造，但是在另一实施例中，它们中的仅一些可以包括黑色材料。
[0165]
图33示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。参照图33，除了源电极173包括第一源电极173a和第二源电极173b并且漏电极175包括第一漏电极175a和第二漏电极175b以及设置在其间的中间层161之外，根据实施例的显示装置与图6的显示装置相同。将省略相同元件的详细描述。参照图33，中间层161设置在第一源电极173a与第二源电极173b之间以及第一漏电极175a与第二漏电极175b之间。第一源电极173a和第二源电极173b在中间层161的开口中彼此连接，第一漏电极175a和第二漏电极175b在中间层161的开口中彼此连接。第一绝缘层181和第二绝缘层182的描述与参照图6的描述相同。例如，第一绝缘层181的开口183的侧表面和第二绝缘层182的开口185的侧表面可以设置在同一表面上。在这种情况下，由第一绝缘层181的开口183的侧表面相对于平面形成的角度θ2可以在约70度至约85度的范围内。
[0166]
图34示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的剖面。参照图34，除了间隔件320和分隔壁350彼此连接且第二绝缘层182、分隔壁350和设置在分隔壁350上的间隔件320包括黑色材料之外，根据实施例的显示装置与图33的显示装置相同。将省略相同元件的详细描述。在图34中，示出了其中第二绝缘层182、分隔壁350和间隔件320中的全部包括黑色材料的构造，但是在另一实施例中，它们中的仅一些可以包括黑色材料。
[0167]
在下文中，将参照附图详细地描述根据发明的实施例的显示装置的至少一种制造方法。将聚焦于包括第一绝缘层181和第二绝缘层182的绝缘层180的制造方法来描述制造工艺。
[0168]
图35至图40示意性地示出了示出根据发明的实施例的显示装置的制造工艺的剖
视图。为了更好地理解和便于描述，在图35至图40中，仅示出了基底110、源电极173、漏电极175、第一绝缘层181、第二绝缘层182、第一电极191、分隔壁350和间隔件320，并且省略了其它元件。例如，根据实施例的制造方法至少在主要示出的形成第一绝缘层181和第二绝缘层182的工艺中具有特性。
[0169]
参照图35，在基底110上设置源电极173和漏电极175。省略了设置在基底110与源电极173和漏电极175之间的其它层的图示。形成第一绝缘层181以与源电极173和漏电极175叠置，并且第一绝缘层181包括与漏电极175叠置的开口183。在第一绝缘层181的开口183上设置第二绝缘层182。第二绝缘层182设置为与第一绝缘层181的前表面和开口183的前表面叠置。在实施例中，第二绝缘层182可以包括黑色材料。对于其中第二绝缘层182包括黑色材料的构造，可以应用参照图1至图34的描述。
[0170]
接下来，参照图36，在第二绝缘层182上设置掩模700。在这种情况下，掩模700在与漏电极175叠置的开口710中的透射率可以为约100％，并且在其它区域中的透射率可以为约0％。如此，第二绝缘层182通过掩模700而被曝光。
[0171]
接下来，参照图37，蚀刻通过掩模700而被曝光的第二绝缘层182。通过蚀刻在第二绝缘层182中形成与漏电极175叠置的开口185，并且暴露漏电极175的上表面。由于光在掩模700的开口710附近的衍射，第二绝缘层182的开口185可以具有锥形。在这种情况下，第二绝缘层182的开口185的穿孔角度可以类似于第一绝缘层181的开口183的穿孔角度。这是因为第一绝缘层181的开口183也是通过使用具有开口710的掩模700蚀刻的。
[0172]
接下来，参照图38，对第二绝缘层182的整个表面执行曝光。由于曝光而发生光固化，并且包括有机材料的第二绝缘层182发生收缩。在该收缩过程期间，锥形角度在第二绝缘层182的开口185附近增大。例如，随着在开口185附近的第二绝缘层182通过光固化而收缩，开口185的侧表面与开口185的平面之间的角度增大。在这种情况下，由第二绝缘层182的开口185的侧表面相对于平面形成的角度可以在约70度至约85度的范围内。此时，可以通过调节正面曝光的时间量来控制第二绝缘层182的开口185的穿孔角度。
[0173]
接下来，参照图39，形成第一电极191。沿着第二绝缘层182的上表面和侧表面设置第一电极191，并且第一电极191在第二绝缘层182的开口185中直接接触漏电极175。
[0174]
接下来，参照图40，在第一电极191上形成分隔壁350。分隔壁350具有与第一电极191叠置的开口。在实施例中，分隔壁350可以包括黑色材料。针对其中分隔壁350包括黑色材料的构造，可以应用参照图1至图34的描述。
[0175]
在随后的工艺中，可以在开口185中形成发射层370等。在分隔壁350上形成间隔件320。可以在分隔壁350的一部分上设置间隔件320。在实施例中，间隔件320可以包括黑色材料。对于其中间隔件320包括黑色材料的构造，可以应用参照图1至图34的描述。可以通过分开的工艺形成分隔壁350和间隔件320，或者可以同时形成分隔壁350和间隔件320。在分隔壁350和间隔件320是在单个工艺中形成的情况下，分隔壁350和间隔件320可以包括黑色材料。参照图1至图34的描述可以应用于其中分隔壁350和间隔件320都包括黑色材料的构造。
[0176]
图41示意性地示出了根据其中在通过应用图35至图40的制造方法制造显示装置的情况下第二绝缘层182、分隔壁350和间隔件320包括黑色材料的实施例的显示装置的剖面。参照图41，第二绝缘层182、分隔壁350和间隔件320可以包括黑色材料。如上所述，与根据图35至图40的实施例的显示装置的制造方法一致，在蚀刻第二绝缘层182之后通过执行
前表面曝光工艺来引起有机层的收缩，从而形成具有约70度至约85度的锥形角度的开口。
[0177]
在图35至图41中，已经描述了其中绝缘层180包括第一绝缘层181和第二绝缘层182的实施例的制造方法，但是可以在绝缘层180为单层的情况下使用所述方法。例如，可以通过使用掩模700曝光来在绝缘层180中形成开口185，并且可以在不使用掩模700的情况下通过整个曝光来增大绝缘层180的开口185的穿孔角度。
[0178]
现在将参照图42至图48描述根据实施例的显示装置的制造方法。图42至图48示意性地示出了示出根据发明的实施例的显示装置的制造工艺的剖视图。为了更好地理解和便于描述，在图42至图48中，仅示出了基底110、源电极173、漏电极175、第一绝缘层181、第二绝缘层182、第一电极191和分隔壁350，但是发明不限于此。例如，根据实施例的制造方法至少在主要示出的形成第一绝缘层181和第二绝缘层182的工艺中具有特性。
[0179]
参照图42，在基底110上设置源电极173、漏电极175和第一绝缘层181。第一绝缘层181具有与漏电极175叠置的开口183。在第一绝缘层181上设置第二绝缘层182。第二绝缘层182设置为与第一绝缘层181的前表面和开口183的前表面叠置。在这种情况下，第二绝缘层182的厚度可以比图35至图41的第二绝缘层182的厚度厚。这是因为根据实施例的制造方法以其中第二绝缘层182的一部分用作间隔件的结构为基础。在实施例中，第二绝缘层182可以包括黑色材料。对于其中第二绝缘层182包括黑色材料的构造，可以应用参照图1至图34的描述。
[0180]
接下来，参照图43，在第二绝缘层182上设置掩模700，并且使掩模700曝光。在这种情况下，掩模700包括第一区域710、第二区域720、第三区域730和第四区域740。
[0181]
第一区域710与第一绝缘层181的开口183叠置，并且可以具有约100％的透射率。第二区域720设置在第一区域710的相对侧处，以与第一绝缘层181的开口183的锥形区域叠置，并且可以具有约40％至约50％(例如，约42.5％)的透射率。第三区域730与第二绝缘层182叠置，并且可以具有约100％的透射率。第四区域740用于形成第二绝缘层182的用作间隔件的突起187(参照图44)，并且可以具有约0％的透射率。
[0182]
可以通过用具有这种透射率分布的掩模700使第二绝缘层182曝光然后蚀刻第二绝缘层182来形成图44中所示的结构。
[0183]
参照图44，从初始形成时的厚度来刻蚀与具有约100％透射率的第三区域730叠置的第二绝缘层182。例如，执行蚀刻直到暴露于第三区域730的第二绝缘层182未被完全蚀刻且被部分保留。
[0184]
在这种情况下，第一区域710的透射率约为100％，其与第三区域730的透射率相等，但是针对通过第一区域710而曝光的第二绝缘层182，穿过相邻的第二区域720的光也影响它。通过第一区域710而曝光的第二绝缘层182比通过第三区域730而曝光的第二绝缘层182曝光得多。例如，与第一区域710叠置的第二绝缘层182受到掩模700的第一区域710和第二区域720两者的影响并被完全蚀刻。结果，可以形成第二绝缘层182的开口185。
[0185]
在第二绝缘层182与掩模700的第四区域740叠置的情况下，由于第四区域740的透射率约为0％，所以它几乎不被蚀刻。如此，未被蚀刻的第二绝缘层182形成突起187。然而，突起187的侧表面可以通过入射在相邻的第三区域730上的光而渐缩。
[0186]
接下来，参照图45，对第二绝缘层182的整个表面执行曝光。由于曝光而发生光固化，并且包括有机材料的第二绝缘层182发生收缩。在该收缩过程期间，锥形角度在第二绝
缘层182的开口185附近增大。例如，随着开口185附近的第二绝缘层182通过光固化而收缩，开口185的侧表面与开口185的平面之间的角度增大。在这种情况下，由第二绝缘层182的开口185的侧表面相对于平面形成的角度可以在约70度至约85度的范围内。类似地，第二绝缘层182的突起187的侧表面可以通过光固化而收缩，从而增大由突起187的侧表面相对于平面形成的角度。
[0187]
参照图46，在第二绝缘层182上设置第一电极191。第一电极191沿着第二绝缘层182的上表面和侧表面设置，并且在第二绝缘层182的开口185中直接接触漏电极175。
[0188]
接下来，参照图47，在第一电极191上形成分隔壁350。分隔壁350具有与第一电极191叠置的开口。分隔壁350设置在第二绝缘层182的突起187上，并且第二绝缘层182的突起187和位于突起187上的分隔壁350可以用作间隔件。因此，可以省略形成间隔件的单独工艺。
[0189]
图48示意性地示出了根据其中在通过使用图42至图47的制造方法制造显示装置的情况下第二绝缘层182、分隔壁350和间隔件320包括黑色材料的实施例的显示装置的剖面。参照图48，第二绝缘层182、分隔壁350和间隔件320可以包括黑色材料。
[0190]
上面已经描述了根据发明实施例的显示装置的制造方法。在下文中，将详细地描述包括具有发明的实施例的结构的绝缘层180的显示装置的示例。然而，下面描述的显示装置仅是示例，并且发明不限于此。无论显示装置的其它区域的详细结构如何，如果绝缘层180的开口(漏电极175和第一电极191在开口中彼此电连接)的穿孔角度为约70度至约85度，那么它们都包括在发明的实施例中。
[0191]
下面将简要地描述发明可以应用的显示装置的像素。图49和图50示意性地示出了示出根据实施例的像素的示例的电路图。
[0192]
参照图49，每个像素px可以电连接到扫描线gwl、gil和gcl中的任意两条、发射线el中的一条和数据线dl中的一条。例如，如图49中所示，像素px包括驱动晶体管dt、发光元件lel、开关元件和电容器c1。开关元件包括第一晶体管至第六晶体管st1、st2、st3、st4、st5和st6。驱动晶体管dt包括栅电极、第一电极和第二电极。驱动晶体管dt根据施加到栅电极的数据电压控制在第一电极与第二电极之间流动的漏极
‑
源极电流(在下文中，被称为“驱动电流”)ids。
[0193]
发光元件lel根据驱动电流ids发光。发光元件lel的发射量可以与驱动电流ids成比例。
[0194]
发光元件lel可以是包括阳极、阴极和设置在阳极与阴极之间的有机发射层的有机发光二极管。作为另一示例，发光元件lel可以是包括阳极、阴极和设置在阳极与阴极之间的无机半导体的无机发光元件。作为另一示例，发光元件lel可以是包括阳极、阴极和设置在阳极与阴极之间的量子点发射层的量子点发光元件。作为另一示例，发光元件lel可以是微型发光二极管。
[0195]
发光元件lel的阳极可以电连接到第四晶体管st4的第一电极和第六晶体管st6的第二电极，并且发光元件lel的阴极可以电连接到第三驱动电压线vssl。寄生电容器cel可能会形成在发光元件lel的阳极与阴极之间。
[0196]
电容器c1形成在驱动晶体管dt的栅电极与第一驱动电压线vddl之间。电容器c1的第一电极可以电连接到驱动晶体管dt的栅电极，电容器c1的第二电极可以电连接到第一驱
动电压线vddl。
[0197]
在第一晶体管至第六晶体管st1、st2、st3、st4、st5和st6中的每个的第一电极是源电极的情况下，第二电极可以是漏电极。作为另一示例，当第一晶体管至第六晶体管st1、st2、st3、st4、st5和st6中的每个的第一电极是漏电极时，第二电极可以是源电极。
[0198]
第一晶体管至第六晶体管st1、st2、st3、st4、st5和st6中的每个的有源层可以由多晶硅、非晶硅和氧化物半导体中的一种形成。在第一晶体管至第六晶体管st1、st2、st3、st4、st5和st6中的每个以及驱动晶体管dt的半导体层由多晶硅形成的情况下，用于形成半导体层的工艺可以是低温多晶硅(ltps)工艺。
[0199]
在图49中，第一晶体管至第六晶体管st1、st2、st3、st4、st5和st6以及驱动晶体管dt主要被描述为p型金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)，但是发明不限于此，并且它们可以是n型mosfet。第一晶体管st1可以包括两个晶体管st1
‑
1和st1
‑
2，第三晶体管st3可以包括两个晶体管st3
‑
1和st3
‑
2。
[0200]
可以基于驱动晶体管dt的特性、发光元件lel的特性等来设定第一驱动电压线vddl的第一驱动电压、第二驱动电压线vil的第二驱动电压和第三驱动电压线vssl的第三驱动电压。
[0201]
图50示出了示出发明的像素的另一示例的电路图。
[0202]
图50的实施例与图49的实施例的不同之处至少在于：驱动晶体管dt、第二晶体管st2、第四晶体管st4、第五晶体管st5和第六晶体管st6是p型mosfet，而第一晶体管st1和第三晶体管st3可以是n型mosfet。
[0203]
参照图50，作为p型mosfet的驱动晶体管dt、第二晶体管st2、第四晶体管st4、第五晶体管st5和第六晶体管st6的有源层由多晶硅形成，而作为n型mosfet的第一晶体管st1和第三晶体管st3的有源层可以由氧化物半导体形成。在这种情况下，由于由多晶硅形成的晶体管和由氧化物半导体形成的晶体管可以设置在不同的层上，因此可以减小像素px的面积。
[0204]
在图50中，第二晶体管st2的栅电极和第四晶体管st4的栅电极电连接到写入扫描线gwl，第一晶体管st1的栅电极电连接到控制扫描线gcl，这与图49的实施例不同。在图50中，第一晶体管st1和第三晶体管st3是n型mosfet，因此栅极高电压的扫描信号可以施加到控制扫描线gil和初始化扫描线gil。由于第二晶体管st2、第四晶体管st4、第五晶体管st5和第六晶体管st6是p型mosfet，因此栅极低电压的扫描信号可以施加到写入扫描线gwl和发射线el。
[0205]
上述图1至图34的实施例可以应用于具有图49或图50的电路图的显示装置。然而，这仅是示例，并且发明不限于此。
[0206]
虽然已经结合当前被认为是实际实施例的内容描述了本发明，但是应当理解的是，发明不限于公开的实施例，而是意图覆盖所附权利要求的精神和范围内包括的各种修改以及等同布置。