一种倒装LED发光器件的制作方法

一种倒装led发光器件
技术领域
1.本实用新型属于led技术领域，具体涉及一种倒装led发光器件。


背景技术：

2.现有的发光器件包括塑胶碗杯、金属件、led芯片、led芯片、齐纳二极管和导线。该 led芯片固定于金属件上，通过导线与金属件相连形成通路；齐纳二极管固定于金属件上，反向并联于led芯片的两端，以对led芯片进行静电保护。但是，这种方法仍然会存在以下不足：
3.1、正装led需要通过导线将led芯片的正负极引出，在使用过程中，发热或遇冷容易使得金属线脱落或断裂，造成led发光器件死灯的情况。
4.2、由于为了增强led的发光光强，往往需要将金属层表面镀银，以增强光线反射，而银层易被空气氧化和硫化等特点，使得发光器件存在导电性能差、发光效率低。


技术实现要素：

5.为了克服现有技术的上述缺点，本实用新型的目的在于提供一种倒装led发光器件，旨在解决现有存在的发光器件导电性能差、发光效率低的问题。
6.本实用新型为达到其目的，所采用的技术方案如下：
7.一种倒装led发光器件，包括塑胶结构、金属件、倒装led芯片、齐纳二极管；
8.所述塑胶结构包括塑胶支架和围坝圈；
9.所述金属件包括第一金属件和第二金属件；
10.所述第一金属件、第二金属件与所述塑胶支架连接，且所述第一金属件与所述第二金属件分离式设置，所述围坝圈设于所述第一金属件、第二金属件上端面；
11.所述围坝圈包括围坝圈内部区域和围坝圈外部区域，所述倒装led芯片设置于所述围坝圈内部区域并与所述第一金属件、第二金属件连接；
12.所述齐纳二极管设置于第一金属件，所述第二金属件设有导线，所述导线与所述齐纳二极管连接。
13.优选的，所述第一金属件且处于所述围坝圈内部区域位置设有正极固晶区，所述第二金属件且处于所述围坝圈内部区域位置设有负极固晶区，所述倒装led芯片正负极通过焊锡分别固定在所述正极固晶区和所述负极固晶区上。
14.优选的，所述围坝圈的侧边截面形状为阶梯形结构，所述围坝圈的侧边包含围坝圈内件部和围坝圈外件部，所述围坝圈内件部的厚度小于所述围坝圈外件部的厚度，所述围坝圈内件部环绕形成围坝圈内部区域。
15.优选的，在第一金属件上设置有齐纳放置区，所述齐纳放置区位于所述围坝圈与所述塑胶支架之间，所述齐纳放置区与所述塑胶支架交接处为圆弧过渡结构，所述齐纳二极管设置于所述齐纳放置区。
16.优选的，所述第一金属件和所述第二金属件上设有两对凹槽，所述第一金属件的
凹槽的槽口与所述第二金属件的凹槽的槽口相对设置，所述凹槽处填充绝缘件，所述围坝圈与所述凹槽相配合。
17.优选的，所述第一金属件和所述第二金属件设有通孔，所述通孔内填充有填充件，所述填充件上表面与所述围坝圈相连。
18.优选的，所述围坝圈内部区域的面积大于所述倒装led芯片的面积，所述倒装led芯片与所述围坝圈内件部的接触面相重叠。
19.优选的，所述塑胶支架与所述围坝圈之间填充高反射硅胶，所述齐纳二极管被所述高反射硅胶覆盖。
20.与现有技术了相比，本实用新型的方案具体的有益效果：
21.采用倒装led芯片，芯片通过焊锡焊接在支架内，芯片本身无金线连接，器件可靠性更好，塑胶支架内设有围坝圈，将塑胶支架的碗杯内部部分分为内外两部分，围坝圈内用于放置倒装led芯片，围坝圈外填充高反射硅胶，提高发光效率；且由于围坝圈的存在，避免了高反射硅胶覆盖倒装led芯片的风险，保证了器件的高亮度。
附图说明
22.为了更清楚地说明本实用新型实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
23.图1是本实用新型实施例的倒装led发光器件的结构图；
24.图2是本实用新型实施例的倒装led发光器件除去倒装led芯片的结构图；
25.图3是本实用新型实施例的金属件的示意图；
26.图4是本实用新型实施例的倒装led发光器件除去高反射硅胶和荧光层的横截面示意图；
27.图5是本实用新型实施例的倒装led发光器件的横截面示意图；
28.附图标记说明：
29.10
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负极标识区、101
‑
标识凸起、11
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塑胶支架、12
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围坝圈、121
‑
围坝圈外件部、122
‑ꢀ
围坝圈内件部、13
‑
填充件、14
‑
绝缘件、21
‑
第一金属件、22
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第二金属件、211
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正极固晶区、 221
‑
负极固晶区、3
‑
倒装led芯片、31
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焊锡、4
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齐纳二极管、5
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导线、6
‑
通孔、71
‑
第一凹槽、72
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第二凹槽、8
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高反射硅胶、9
‑
荧光层。
具体实施方式
30.为了能够更清楚地理解本实用新型的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进行详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型的实施方式及实施方式中的特征可以相互组合。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型，所描述的实施方式仅仅是本实用新型一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本实用新型中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本实用新型保护的范围。
31.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领
域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本实用新型。
32.由图1至图5所示，本实施例包括一种倒装led发光器件，包括塑胶结构、金属件、倒装led芯片3、齐纳二极管4；
33.所述塑胶结构包括塑胶支架11和围坝圈12；
34.所述金属件包括第一金属件21和第二金属件22；
35.所述第一金属件21、第二金属件22与所述塑胶支架11连接，且所述第一金属件21与所述第二金属件22分离式设置，所述围坝圈12设于所述第一金属件21、第二金属件22上端面；
36.所述围坝圈12包括围坝圈12内部区域和围坝圈12外部区域，所述第一金属件21且处于所述围坝圈12内部区域位置设有正极固晶区211，所述第二金属件22且处于所述围坝圈 12内部区域位置设有负极固晶区221；
37.所述倒装led芯片3设置于所述围坝圈12内部区域，所述倒装led芯片3正负极通过焊锡31分别固定在所述正极固晶区211和所述负极固晶区221上；
38.在第一金属件21上设置有齐纳放置区，所述齐纳放置区与所述塑胶支架交接处为圆弧过渡结构，所述齐纳放置区位于所述围坝圈12与所述塑胶支架11之间，所述齐纳二极管4设置于所述齐纳放置区，所述第二金属件22设有导线5，所述导线5与所述齐纳二极管4连接；
39.所述塑胶支架11与所述围坝圈12之间填充高反射硅胶8，所述齐纳二极管4被所述高反射硅胶8覆盖。
40.与现有技术了相比，本实用新型的方案具体的有益效果：
41.1、采用倒装led芯片3，芯片通过焊锡31焊接在支架内，芯片本身无金线连接，整个发光器件可靠性更好；
42.2、塑胶支架11内设有围坝圈12，将塑胶支架11的碗杯内部部分分为内外两部分，围坝圈12内用于放置倒装led芯片3，围坝圈12外填充高反射硅胶8，提高发光效率；且由于围坝圈12的存在，避免了高反射硅胶8覆盖倒装led芯片3的风险，保证了器件的高亮度；
43.3、填充高反射硅胶8后，形成一种保护层，避免金属件被氧化和硫化；
44.4、设置有齐纳放置区，齐纳放置区的设置且齐纳放置区的端面为凸起弧面结构，有利于齐纳二极管4的固晶和后序打线操作，而齐纳二极管4放置区位于围坝圈12与塑胶支架11 之间，可被高反射硅胶8覆盖，从而避免了齐纳二极管4对光的吸收，高反射硅胶8覆盖齐纳二极管4和部分金属件，提高光的反射率，提升器件的发光效率。
45.具体的，所述围坝圈12的侧边截面形状为阶梯形结构，所述围坝圈12的侧边包含围坝圈内件部122和围坝圈外件部121，所述围坝圈内件部122的厚度小于所述围坝圈外件部121 的厚度，所述围坝圈内件部122环绕形成围坝圈12内部区域。围坝圈12的结构有助于倒装 led平稳的放置于围坝圈12内，减少倒装led芯片3位置的偏移。
46.具体的，参照图3，所述第一金属件21和所述第二金属件22上设有两对凹槽，分别为第一凹槽71和第二凹槽72，所述第一金属件21的凹槽的槽口与所述第二金属件22的凹槽的槽口相对设置，所述凹槽处填充绝缘件14，所述围坝圈12与所述凹槽相配合。所述第一金属件21和所述第二金属件22设有通孔6，所述通孔6内填充有填充件13，所述填充件13 上表
面与所述围坝圈12相连。设置凹槽和通孔6有助于在支架注塑/模顶过程中形成饱满的围坝圈12；同时通孔6的存在还可以增强塑胶支架11与金属件的结合，提升整个支架的强度。
47.具体的，所述围坝圈12内部区域的面积大于所述倒装led芯片3的面积，所述倒装led 芯片3与所述围坝圈内件部122的接触面相重叠。
48.具体的，所述塑胶支架上靠近负极固晶区的位置设有负极标识区10，所述负极标识区10 设有标识凸起101。设置的负极标识区和标识凸起结构，可以方便操作人员更好的识别负极区域，起到防呆作用。
49.本实用新型对应的一种倒装led发光器件的制作方法，包括如下步骤：
50.将所述第一金属件21和所述第二金属件22分别所述塑件支架固定连接，所述围坝圈12、所述绝缘件14和所述填充件13填充于所述第一金属件21和所述第二金属件22之间以及所述第一金属件21和所述第二金属件22的所述通孔6处；
51.所述倒装led芯片3的正负极分别与所述正极固晶区211和所述负极固晶区221通过所述焊锡31固定连接；
52.将齐纳二极管4固定于所述齐纳放置区并进行打线；
53.将所述塑胶支架11与所述围坝圈12之间填充高反射硅胶8，所述齐纳二极管4被所述高反射硅胶8覆盖；
54.向所述塑胶支架11内注入荧光胶并进行加热固化，形成荧光层9。
55.以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，故凡是未脱离本实用新型技术方案内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何修改、等同变化与修饰,均仍属于本实用新型技术方案的范围内。