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一种倒装LED发光器件的制作方法

2021-11-17 18:31:00 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种倒装led发光器件,其特征在于,包括塑胶结构、金属件、倒装led芯片、齐纳二极管;所述塑胶结构包括塑胶支架和围坝圈;所述金属件包括第一金属件和第二金属件;所述第一金属件、第二金属件与所述塑胶支架连接,且所述第一金属件与所述第二金属件分离式设置,所述围坝圈设于所述第一金属件、第二金属件上端面;所述围坝圈包括围坝圈内部区域和围坝圈外部区域,所述倒装led芯片设置于所述围坝圈内部区域并与所述第一金属件、第二金属件连接;所述齐纳二极管设置于第一金属件,所述第二金属件设有导线,所述导线与所述齐纳二极管连接。2.根据权利要求1所述的倒装led发光器件,其特征在于,所述第一金属件且处于所述围坝圈内部区域位置设有正极固晶区,所述第二金属件且处于所述围坝圈内部区域位置设有负极固晶区,所述倒装led芯片正负极通过焊锡分别固定在所述正极固晶区和所述负极固晶区上。3.根据权利要求1所述的倒装led发光器件,其特征在于,所述围坝圈的侧边截面形状为阶梯形结构,所述围坝圈的侧边包含围坝圈内件部和围坝圈外件部,所述围坝圈内件部的厚度小于所述围坝圈外件部的厚度,所述围坝圈内件部环绕形成围坝圈内部区域。4.根据权利要求1所述的倒装led发光器件,其特征在于,在第一金属件上设置有齐纳放置区,所述齐纳放置区位于所述围坝圈与所述塑胶支架之间,所述齐纳放置区与所述塑胶支架交接处为圆弧过渡结构,所述齐纳二极管设置于所述齐纳放置区。5.根据权利要求1所述的倒装led发光器件,其特征在于,所述第一金属件和所述第二金属件上设有两对凹槽,所述第一金属件的凹槽的槽口与所述第二金属件的凹槽的槽口相对设置,所述凹槽处填充绝缘件,所述围坝圈与所述凹槽相配合。6.根据权利要求1所述的倒装led发光器件,其特征在于,所述第一金属件和所述第二金属件设有通孔,所述通孔内填充有填充件,所述填充件上表面与所述围坝圈相连。7.根据权利要求3所述的倒装led发光器件,其特征在于,所述围坝圈内部区域的面积大于所述倒装led芯片的面积,所述倒装led芯片与所述围坝圈内件部的接触面相重叠。8.根据权利要求1

7任一项所述的倒装led发光器件,其特征在于,所述塑胶支架与所述围坝圈之间填充高反射硅胶,所述齐纳二极管被所述高反射硅胶覆盖。9.根据权利要求1

7任一项所述的倒装led发光器件,其特征在于,所述塑胶支架上设有负极标识区,所述负极标识区设有标识凸起。

技术总结
一种倒装LED发光器件,包括塑胶结构、金属件、倒装LED芯片、齐纳二极管;塑胶结构包括塑胶支架和围坝圈;金属件包括第一金属件和第二金属件;第一金属件、第二金属件与塑胶支架连接,围坝圈设于所述第一金属件、第二金属件上端面;围坝圈包括围坝圈内部区域和围坝圈外部区域,倒装LED芯片设置于围坝圈内部区域并与所述第一金属件、第二金属件连接。芯片通过焊锡焊接在支架内,芯片本身无金线连接,器件可靠性更好,塑胶支架内设有围坝圈,将塑胶支架的碗杯内部部分分为内外两部分,围坝圈内用于放置倒装LED芯片,围坝圈外填充高反射硅胶,提高发光效率;且由于围坝圈的存在,避免了高反射硅胶覆盖倒装LED芯片的风险,保证了器件的高亮度。高亮度。高亮度。


技术研发人员:徐波 万垂铭 朱文敏 蓝义安 吴金其 曾照明 肖国伟
受保护的技术使用者:广东晶科电子股份有限公司
技术研发日:2020.12.31
技术公布日:2021/11/16
再多了解一些

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