一种LED支架及封装结构的制作方法

一种led支架及封装结构
技术领域
1.本实用新型属于led技术领域，具体涉及一种led支架及封装结构。


背景技术：

2.对于led行业来说，如何进一步提高led封装后的出光效率一直是相关领域的热点和难点。而随着照明技术及户外显示的发展，对led器件的气密性、可靠性等性能的要求越来越高。
3.目前led封装相关技术方案采用增设反射杯和支架底部喷涂反光层(如ag和au)来调整出光角度和提高出光效率，但是反射杯只能局部调整出光，对出光效率提升效果不明显，而镀au成本较高，镀ag层不稳定，容易被氧化或硫化。除此之外，现有常规的led支架均存在一定的气密性问题，虽然在后续封装过程中可以通过覆盖保护层提高其气密性，但对保护层材料与支架的粘接能力要求较高，覆盖过程中还需要避免对固晶、焊线区的影响。
4.因此，针对以上不足，亟需一种既能提高出光效率，又能提高led器件气密性且可行性强的封装支架和封装结构。


技术实现要素：

5.为了克服现有技术的上述缺点，本实用新型的目的在于提供一种led支架，既能提高出光效率，又能提高led器件气密性。
6.本实用新型为达到其目的，所采用的技术方案如下：
7.一种led支架，包括emc塑封体、第一金属基片和第二金属基片，所述第一金属基片和第二金属基片相对设置于所述emc塑封体的底部，所述第一金属基片和第二金属基片之间形成绝缘沟槽，所述emc塑封体包覆住所述第一金属基片、第二金属基片的正面和侧面并形成反射杯。
8.优选的，所述第一金属基片与所述第二金属基片的结构相同，所述第一金属基片的上端面设有电极部和内凹的第一蚀刻区域，所述电极部的上端面从所述反射杯露出。
9.优选的，所述电极部露出于所述反射杯的形状为圆形、多边形或不规则图形中的一种，所述电极部的数量不少于一个。
10.优选的，所述emc塑封体填充于所述第一金属基片、第二金属基片的第一蚀刻区域以及所述第一金属基片、第二金属基片之间的绝缘沟槽，并包裹住所述第一金属基片、第二金属基片的侧面边缘形成反射杯。
11.优选的，所述第一金属基片、第二金属基片的下端面设有内凹的第二蚀刻区域，所述emc塑封体填充于所述第一金属基片、第二金属基片的第二蚀刻区域，且处于所述第二蚀刻区域的emc塑封体与所述第一金属基片、第二金属基片的下端面平齐。
12.优选的，所述第一金属基片、第二金属基片上端面覆盖的emc塑封体与裸露的电极部的上端面平齐并形成反射层。
13.优选的，所述反射层与所述反射杯为一体成型结构。
14.本实用新型还包括一种led封装结构，包括led支架、至少一个led芯片，所述led芯片固定于所述反射杯，在所述反射杯中填充有将所述led芯片覆盖的光转换发光层。
15.优选的，所述led芯片为正装芯片或倒装芯片。
16.优选的，所述led芯片以串联或并联或串联并联共存的阵列方式片固定于所述反射杯。
17.与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
18.本实用新型提出的led支架及封装结构，通过在金属基片表面注塑一层emc，只露出电极部分，金属基片与外界环境无直接接触，增大了emc与金属基片的连接面积，既起到了防护作用，提高封装支架的气密性，也有效地提高了封装的出光效率，无需额外喷涂保护层或反光层，结构简单，封装流程简单高效。
附图说明
19.为了更清楚地说明本实用新型实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
20.图1是本实用新型实施例1中led封装结构的俯视图；
21.图2是本实用新型实施例1中led封装结构的剖视图；
22.图3是本实用新型实施例1中第一金属基片和第二金属基片的结构图；
23.图4是本实用新型实施例2中led封装结构的示意图；
24.图5是本实用新型实施例2中led支架的视图；
25.图6是本实用新型实施例2中第一金属基片和第二金属基片的结构图；
26.图7是本实用新型实施例3中led封装结构的示意图；
27.图8是本实用新型实施例3中led封装结构的剖视图。
28.附图标记说明：
[0029]1‑
emc塑封体，2
‑
第一金属基片，3
‑
第二金属基片，4
‑
绝缘沟槽，5
‑
反射杯，6
‑
电极部，7
‑
第一蚀刻区域，8
‑
第二蚀刻区域，9
‑
反射层，10
‑
led芯片，11
‑
光转换发光层，12
‑
金线。
具体实施方式
[0030]
为了能够更清楚地理解本实用新型的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进行详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型的实施方式及实施方式中的特征可以相互组合。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型，所描述的实施方式仅仅是本实用新型一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本实用新型中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本实用新型保护的范围。
[0031]
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本实用新型。
[0032]
实施例1：
[0033]
如图1至图3所示，实施例1提供了一种led支架，包括emc塑封体1、第一金属基片2和第二金属基片3，所述第一金属基片2和第二金属基片3相对设置于所述emc塑封体1的底部，所述第一金属基片2和第二金属基片3之间形成绝缘沟槽4；
[0034]
所述第一金属基片2与所述第二金属基片3的结构相同，所述第一金属基片2的上端面设有电极部6和内凹的第一蚀刻区域7，所述电极部6的上端面从所述反射杯5露出，所述第一金属基片2的下端面设有内凹的第二蚀刻区域8；
[0035]
所述电极部6露出于所述反射杯5的形状为长方形；
[0036]
所述emc塑封体1填充于所述第一金属基片2、第二金属基片3的第一蚀刻区域7以及所述第一金属基片2、第二金属基片3之间的绝缘沟槽4，填充于所述第一金属基片2、第二金属基片3的第二蚀刻区域8，并包裹住所述第一金属基片2、第二金属基片3的侧面边缘形成反射杯5；
[0037]
处于所述第二蚀刻区域8的emc塑封体1与所述第一金属基片2、第二金属基片3的下端面未蚀刻区域的端面平齐，所述第一金属基片2、第二金属基片3上端面覆盖的emc塑封体1与裸露的电极部6的上端面平齐并形成反射层9；
[0038]
如图2所示，一种led封装结构，包括上述的led支架、led芯片10，所述led芯片10固定于所述反射杯5，在所述反射杯5中填充有将所述led芯片10覆盖的光转换发光层11；
[0039]
所述led芯片10为正装芯片，通过金线12与led支架上的电极部6进行连接；
[0040]
所述led芯片10的数量为三个，所述led芯片10的连接方式为三晶并联。
[0041]
本实施例中，所提供的led支架通过emc塑封体1对金属基片四周进行包覆，并形成反射杯5，同时利用在反射杯5底部填充一层emc塑封体1，形成反射层9，只有电极部6裸露在表面，将第一金属基片2和第二金属基片3很好地与外界环境隔离，极大地提高了封装支架的气密性，而反射层9可以有效地提高封装后的出光亮度。利用所述的封装支架制备的封装结构无需额外在反射杯5底部喷涂保护层或反射层9，封装流程简单高效。
[0042]
实施例2：
[0043]
如图4至图6所示，一种led支架，包括emc塑封体1、第一金属基片2和第二金属基片3，所述第一金属基片2和第二金属基片3相对设置于所述emc塑封体1的底部，所述第一金属基片2和第二金属基片3之间形成绝缘沟槽4；所述emc塑封体1包覆第一金属基片2和第二金属基片3并形成反射杯5；
[0044]
在本实施例中，所述电极部6露出于所述反射杯5的形状为半圆形；所述第一金属基片2、第二金属基片3的形状为半圆形；
[0045]
所述led芯片10为正装芯片，通过金线12与led支架上的电极部6进行连接；
[0046]
所述led芯片10的数量为两个，所述led芯片10的连接方式为双晶串联。
[0047]
实施例3：
[0048]
如图7至图8所示，所述的led芯片10属于倒装芯片，通过锡膏直接与led支架上的电极部6进行连接
[0049]
综上所述，本实用新型与现有技术对比具有以下优点：
[0050]
1、在现有的支架封装技术基础上，通过蚀刻工艺，对第一金属基片、第二金属基片进行选择性蚀刻，只露出电极部分，其余区域使用emc塑封体通过molding的方式与外部封装体形成一体结构，扩大了放置led芯片的位置，提高了空间利用效率，特别是金属基片的
蚀刻区域，裸露的电极形状，位置，数量和大小可以灵活多样，因此能够适应不同的封装结构。
[0051]
2、通过在金属基片表面注塑一层emc，只露出电极部分，金属基片与外界环境无直接接触，增大了emc塑封体与金属基片的连接面积，既起到了防护作用，也有效地提高了封装的出光效率，无需额外喷涂保护层或反光层，结构简单，封装流程简单高效。
[0052]
需要说明的是，本实用新型公开的led支架及模组的其它内容可参见现有技术，在此不再赘述。
[0053]
以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，故凡是未脱离本实用新型技术方案内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何修改、等同变化与修饰,均仍属于本实用新型技术方案的范围内。