具有堆叠层的边缘耦合器的制作方法

技术特征：
1.一种结构，包括：边缘耦合器，包括波导芯，该波导芯由第一材料组成；以及成形层，位于该波导芯的部分上方，该成形层由组分与该第一材料不同的第二材料组成。2.如权利要求1所述的结构，其中，该第一材料为单晶硅，且该第二材料为氮化硅。3.如权利要求1所述的结构，其中，该成形层包括定义形状的多个表面。4.如权利要求3所述的结构，其中，该成形层的该形状为矩形。5.如权利要求3所述的结构，其中，该成形层的该形状包括锥形段。6.如权利要求5所述的结构，其中，该波导芯包括端部表面以及延伸至该端部表面的倒锥，该波导芯的该部分为该倒锥，且该成形层的该锥形段直接位于该倒锥上方。7.如权利要求6所述的结构，其中，该成形层包括第一侧表面以及与该第一侧表面相对的第二侧表面，该倒锥包括第一侧表面以及与该第一侧表面相对的第二侧表面，且该倒锥的该第一侧表面及该第二侧表面横向位于该成形层的该第一侧表面与该成形层的该第二侧表面之间。8.如权利要求6所述的结构，其中，该波导芯具有纵轴，该倒锥具有第一长度，且该成形层具有实质上等于该第一长度的第二长度。9.如权利要求1所述的结构，其中，该波导芯包括端部表面以及延伸至该端部表面的倒锥，且该波导芯的该部分为该倒锥。10.如权利要求9所述的结构，其中，该倒锥随着与该端部表面的距离增加而加宽，且该成形层以层式堆叠形式直接位于该倒锥上方。11.如权利要求1所述的结构，还包括：介电层，位于该边缘耦合器与该成形层之间。12.如权利要求1所述的结构，其中，该边缘耦合器包括第一条带、第二条带、以及横向设于该第一条带与该第二条带之间的第一倒锥，且该成形层直接位于该第一条带、该第二条带、以及该第一倒锥上方。13.如权利要求1所述的结构，其中，该边缘耦合器包括第一倒锥以及与该第一倒锥直接连接的第二倒锥，且该成形层直接位于该第一倒锥及该第二倒锥上方。14.如权利要求13所述的结构，其中，该成形层包括矩形段及锥形段，该矩形段直接位于该边缘耦合器的该第一倒锥上方，且该锥形段直接位于该边缘耦合器的该第二倒锥上方。15.如权利要求14所述的结构，其中，该波导芯具有纵轴，且该波导芯的该第一倒锥及该第二倒锥在沿该纵轴的第一方向逐渐变窄，且该成形层的该锥形段在与该第一方向相反的沿该纵轴的第二方向逐渐变窄。16.一种方法，包括：形成包括波导芯的边缘耦合器；以及形成位于该波导芯的部分上方的成形层，其中，该波导芯由第一材料组成，且该成形层由组分与该第一材料不同的第二材料组成。17.如权利要求16所述的方法，还包括：
形成位于该边缘耦合器与该成形层之间的介电层。18.如权利要求16所述的方法，其中，该波导芯包括端部表面以及延伸至该端部表面的倒锥，且该波导芯的该部分为该倒锥。19.如权利要求16所述的方法，其中，该第一材料为单晶硅，且该第二材料为氮化硅。20.如权利要求16所述的方法，其中，形成位于该波导芯的该部分上方的该成形层包括：沉积含有该第二材料的层；以及图案化该层，以形成具有定义形状的多个表面的该成形层。

技术总结
本发明涉及具有堆叠层的边缘耦合器，揭示包括边缘耦合器的结构以及制造包括边缘耦合器的结构的方法。该边缘耦合器包括波导芯，以及位于该波导芯的部分上方的成形层。该波导芯由第一材料组成，且该成形层由组分与该第一材料不同的第二材料组成。该第一材料可为例如单晶硅，且该第二材料可为例如氮化硅。且该第二材料可为例如氮化硅。且该第二材料可为例如氮化硅。


技术研发人员：卞宇生 R
受保护的技术使用者：格芯（美国）集成电路科技有限公司
技术研发日：2021.03.26
技术公布日：2021/11/14