感测两个多级存储器单元以确定多个数据值的制作方法

技术特征：
1.一种设备，其包括：存储器，其具有多个存储器单元；及电路系统，其经配置以：通过以下操作感测所述多个存储器单元中的两个自选多级存储器单元mlc中的每一个的存储器状态，以确定多个数据值：在对应于第一存储器状态的第一阈值电压分布与对应于第二存储器状态的第二阈值电压分布之间的感测窗中使用第一感测电压来感测第一mlc的存储器状态；在对应于第一存储器状态的第一阈值电压分布与对应于第二存储器状态的第二阈值电压分布之间的感测窗中使用第二感测电压来感测第二mlc的存储器状态；在重复的迭代中在随后感测窗口中使用在绝对量级值方面比所述第一感测电压及所述第二感测电压更高的感测电压来感测所述第一mlc及所述第二mlc的所述存储器状态，直到所述第一mlc及所述第二mlc的所述状态经确定为止；且其中所述第一感测电压及所述第二感测电压在所述感测窗口中选择性地更靠近于所述第一阈值电压分布或所述第二阈值电压分布。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述电路系统通过以下操作确定数据值：在对应于所述第二存储器状态的所述第二阈值电压分布与对应于第三存储器状态的第三阈值电压分布之间的感测窗中使用第三感测电压来感测所述第一mlc的存储器状态；在对应于所述第二存储器状态的所述第二阈值电压分布与对应于所述第三存储器状态的第三阈值电压分布之间的所述感测窗中使用第四感测电压来感测所述第二mlc的所述存储器状态；且其中所述第三感测电压及所述第四感测电压在所述感测窗口中可选择性地更靠近于所述第二阈值电压分布或所述第三阈值电压分布。3.根据权利要求1所述的设备，其中所述电路系统通过以下操作确定数据值：在对应于所述第三存储器状态的所述第三阈值电压分布与对应于第四存储器状态的第四阈值电压分布之间的感测窗中使用第五感测电压来感测所述第一mlc的存储器状态；在对应于所述第三存储器状态的所述第三阈值电压分布与对应于所述第四存储器状态的第四阈值电压分布之间的所述感测窗中使用第六感测电压来感测所述第二mlc的存储器状态；且其中所述第五感测电压及所述第六感测电压在所述感测窗口中可选择性地更靠近于所述第三阈值电压分布或所述第四阈值电压分布。4.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一mlc及所述第二mlc各自包括2个位，且提供4个存储器状态的组合。5.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一感测电压低于所述第二感测电压。6.根据权利要求3所述的设备，其中感测电压确定阈值电压分布的可靠性。7.一种设备，其包括：电路系统，其在存储器装置中，所述电路系统经配置以：通过以下操作感测多个存储器单元中的两个自选多级存储器单元mlc中的每一个的存储器状态，以确定多个数据值：在对应于第一存储器状态的第一阈值电压分布与对应于第二存储器状态的第二阈值电压分布之间的感测窗中使用第一感测电压来感测第一mlc的存储器状态；
在对应于第一存储器状态的所述第一阈值电压分布与对应于所述第二存储器状态的第二阈值电压分布之间的感测窗中使用第二感测电压来感测第二mlc的存储器状态；在重复的迭代中在随后感测窗口中使用比所述第一感测电压及所述第二感测电压更高的感测电压来感测所述第一mlc及所述第二mlc的所述存储器状态，直到所述第一mlc及所述第二mlc的所述状态经确定为止；及确定所述两个存储器单元中的哪一个由于所述第一阈值电压分布相对于所述第一感测电压的量级在所述感测窗口中的移位而切换其存储器状态；其中所述第一感测电压的所述量级在所述感测窗口中与所述第二阈值电压分布相比选择性地更靠近于所述第一阈值电压分布。8.根据权利要求7所述的设备，其中每一自选存储器单元包括用作选择元件及存储元件的单一硫属化物材料。9.根据权利要求7所述的设备，其中在位于负极性的最高电压处的所述mlc中的第一存储器单元与位于正极性的最低电压处的所述mlc中的第二存储器单元的组合不切换存储器状态。10.根据权利要求7所述的设备，其中在从所述第一阈值电压切换到第二阈值电压之前确定所述存储器状态的所述值。11.根据权利要求7所述的设备，其中在所述感测窗口中，所述第一感测电压更靠近于所述第一阈值电压分布，且所述第二感测电压更靠近于所述第二阈值电压分布。12.根据权利要求7所述的设备，其中第一感测电压及所述第二感测电压在所述感测窗口中选择性地更靠近于所述第一阈值电压分布及所述第二感测电压中的不同者。13.根据权利要求7所述的设备，其中所述第一感测电压及所述第二感测电压的位置为固定的。14.根据权利要求7所述的设备，其中所述mlc在负极性中经编程用于使用一对互补存储器状态中的一个对所述第一存储器单元进行负读取且在正极性中经编程用于使用所述对中的另一个对所述第二存储器单元进行正读取。15.根据权利要求7所述的设备，其中所述电路系统进一步经配置以通过以下操作对所述数据值进行编程：向所述第一存储器单元施加第一电压脉冲，其中所述第一存储器单元经指定以存储其数据值；且向所述第二存储器单元施加第二电压脉冲，其中所述第二存储器单元经指定以存储其数据值，作为与所述第一存储器单元数据值的比较，以找出哪个存储器单元切换其存储器状态。16.根据权利要求7所述的设备，其中所述两个存储器单元中的每一个为电阻可变存储器单元，其经配置以选择性地存储所述第一状态及所述第二状态中的任一个。17.一种操作存储器的方法，其包括：通过以下操作感测多个存储器单元中的两个多级存储器单元mlc的存储器状态，以确定四个数据值及十六个组合：在对应于第一存储器状态的第一阈值电压分布与对应于第二存储器状态的第二阈值电压分布之间的感测窗中使用第一感测电压来感测第一mlc的存储器状态；在对应于第一
存储器状态的所述第一阈值电压分布与对应于所述第二存储器状态的第二阈值电压分布之间的感测窗中使用第二感测电压来感测第二mlc的存储器状态；在重复的迭代中在随后感测窗口中使用比所述第一感测电压及所述第二感测电压更高的感测电压来感测所述第一mlc及所述第二mlc的所述存储器状态，直到所述第一mlc及所述第二mlc的所述状态经确定为止；及将所述第一感测电压及所述第二感测电压在所述感测窗口中选择性地定位成更靠近于所述第一阈值电压分布或所述第二阈值电压分布。18.根据权利要求17所述的方法，其进一步包括：比较所述两个存储器单元中的每一个的所述所感测存储器状态；通过确定所述所感测存储器状态为互补二进制存储器状态，将所述第一存储器单元的所述存储器状态验证为对应于所述四个数据值的既定数据值；及通过确定所述所感测存储器状态匹配二进制存储器状态来确定所述两个mlc的所述存储器状态的切换。19.根据权利要求17所述的方法，其进一步包括将所述两个mlc内的所述数据值作为一个单位进行读取。20.根据权利要求17所述的方法，其进一步包括由于所述第二阈值电压分布相对于所述第二感测电压的量级在所述感测窗口中的移位而切换存储器状态。

技术总结
本申请案涉及感测两个多级存储器单元以确定多个数据值。设备包含具有多个存储器单元的存储器及经配置以感测所述多个存储器单元的两个自选多级存储器单元MLC中的每一个的存储器状态以确定多个数据值的电路系统。储器状态以确定多个数据值的电路系统。储器状态以确定多个数据值的电路系统。


技术研发人员：F
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2021.05.06
技术公布日：2021/11/8