电光调制器、电光调制电路以及光通信设备的制作方法

1.本技术涉及光通信领域，特别涉及一种电光调制器、电光调制电路以及光通信设备。


背景技术：

2.电光调制器是一种根据电信号调制光载波，从而将电信号加载至光载波上的调制器件，常用于光通信设备中。
3.相关技术中，电光调制器通常采用t型直流偏置器(bias-tee)进行驱动。该t型直流偏置器具有射频端口、直流偏置端口和射频直流端口，且该t型直流偏置器可以包括：电容、磁珠和电感。其中，该电容的两端分别与射频端口和射频直流端口连接，该磁珠和电感串联在直流偏置端口和射频直流端口之间。该t型直流偏置器能够将信号源通过该射频端口输入的射频信号(即高频的电信号)，以及偏置电压源通过该直流偏置端口输入的偏置电压，通过射频直流端口加载至电光调制器。
4.但是，由于t型直流偏置器中的磁珠和电感的尺寸较大，导致该t型直流偏置器难以与电光调制器集成，进而导致光通信设备中的电光调制电路的整体尺寸较大。


技术实现要素：

5.本技术提供了一种电光调制器、电光调制电路以及光通信设备，可以解决相关技术中的电光调制电路尺寸较大的问题，技术方案如下：
6.一方面，提供了一种单端驱动的电光调制器。该电光调制器包括第一容性阻抗硅光调制器和电阻。其中，该第一容性阻抗硅光调制器具有第一电极和第二电极，该第一电极用于连接信号源以及通过该电阻连接偏置电压源，该第二电极用于连接参考电源端。
7.由于该电阻可以实现t型直流偏置器中磁珠和电感的作用，即实现信号源与偏置电压源之间的隔离，因此该电光调制器无需再采用t型直流偏置器进行驱动，从而有效缩减了电光调制电路的尺寸，提高了电光调制电路的集成度。
8.可选地，该电光调制器还包括第二容性阻抗硅光调制器，该第二容性阻抗硅光调制器的第一电极也用于通过该电阻连接该偏置电压源。
9.两个容性阻抗硅光调制器共用一个电阻，可以在确保信号源与偏置电压源之间的有效隔离的前提下，减少电光调制器中所需设置的电阻的数量，进而简化电光调制器的结构，并降低电光调制器的成本。
10.可选地，该电光调制器中的第一容性阻抗硅光调制器和第二容性阻抗硅光调制器均为微环调制器。该微环调制器具有尺寸小以及波长敏感等诸多优势。
11.另一方面，提供了一种差分驱动的电光调制器。该电光调制器包括第一容性阻抗硅光调制器、第一电阻和第二电阻，其中：该第一容性阻抗硅光调制器具有第一电极和第二电极，该第一电极和该第二电极均用于连接信号源；并且该第一电极还用于通过该第一电阻连接偏置电压源，该第二电极还用于通过该第二电阻连接参考电源端。
12.由于该第一电阻和第二电阻可以实现t型直流偏置器中磁珠和电感的作用，因此该电光调制器无需再采用t型直流偏置器进行驱动，从而有效缩减了电光调制电路的尺寸，提高了电光调制电路的集成度。
13.可选地，该电光调制器还包括第二容性阻抗硅光调制器；该第二容性阻抗硅光调制器的第一电极也用于通过该第一电阻连接该偏置电压源；该第二容性阻抗硅光调制器的第二电极也用于通过该第二电阻连接该参考电源端。两个容性阻抗硅光调制器共用一个第一电阻，且共用一个第二电阻，可以减少电光调制器中所需设置的电阻的数量。
14.可选地，该电光调制器中的第一容性阻抗硅光调制器和第二容性阻抗硅光调制器均为微环调制器。
15.又一方面，提供了一种单端驱动的电光调制电路，该电路包括：信号源，偏置电压源，电容，以及如上述方面提供的单端驱动的电光调制器；该电容串联在该信号源和第一电极之间；该偏置电压源通过该电阻与该第一电极连接。
16.由于该电光调制电路中的电光调制器无需再采用t型直流偏置器进行驱动，因此有效缩减了电光调制电路的尺寸，提高了电光调制电路的集成度。
17.可选地，该信号源为驱动芯片，该电光调制器为电光调制芯片；该驱动芯片与该电光调制芯片可以通过打线(wire bonding)方式、倒装芯片(flip-chip)方式或者芯片堆叠方式连接。相比于通过高速信号线连接，上述直接互连的方式不仅简单，而且可以有效减少信号线的扇出面积，缩减电光调制电路的尺寸。
18.可选地，该信号源和该电容均集成在驱动芯片中，由此可以进一步提高该电光调制电路的集成度。
19.再一方面，提供了一种差分驱动的电光调制电路，该电路包括：信号源，偏置电压源，第一电容，第二电容，以及如上述方面提供的差分驱动的电光调制器；其中该第一电容串联在该信号源和该第一电极之间；该第二电容串联在该信号源和该第二电极之间；该偏置电压源则通过该第一电阻与该第一电极连接。
20.可选地，该信号源为驱动芯片，该电光调制器为电光调制芯片；该驱动芯片与该电光调制芯片可以通过打线式、倒装芯片方式或者芯片堆叠方式连接。
21.可选地，该信号源、该第一电容和该第二电容均集成在驱动芯片中，由此可以进一步提高该电光调制电路的集成度。
22.再一方面，提供了一种光通信设备，该设备包括：光源，以及如上述方面提供的电光调制电路，该电光调制电路中的容性阻抗硅光调制器具有光波导；该光源与该光波导连接，并用于为该光波导提供光载波，该电光调制电路用于对该光载波进行电光调制。
23.综上所述，本技术提供了一种电光调制器、电光调制电路以及光通信设备，该电光调制电路中的电光调制器包括第一容性阻抗硅光调制器和电阻，且该第一容性阻抗硅光调制器中，用于连接信号源的第一电极还通过该电阻与偏置电压源连接。由于该电阻可以实现t型直流偏置器中磁珠和电感的作用，即实现信号源与偏置电压源之间的隔离，因此本技术实施例提供的电光调制器无需再采用t型直流偏置器进行驱动，从而有效缩减了电光调制电路的尺寸，提高了电光调制电路的集成度。
附图说明
24.图1是相关技术中的一种采用微环调制器的电光调制电路的结构示意图；
25.图2a是本技术实施例提供的一种单端驱动的电光调制器的结构示意图；
26.图2b是图2a所示的电光调制器的等效电路图；
27.图3是本技术实施例提供的另一种单端驱动的电光调制器的结构示意图；
28.图4a是本技术实施例提供的一种差分驱动的电光调制器的结构示意图；
29.图4b是图4a所示的电光调制器的等效电路图；
30.图5是本技术实施例提供的另一种差分驱动的电光调制器的结构示意图；
31.图6是本技术实施例提供的又一种差分驱动的电光调制器的结构示意图；
32.图7a是本技术实施例提供的一种单端驱动的电光调制电路的结构示意图；
33.图7b是图7a所示的电光调制电路的等效电路图；
34.图8是本技术实施例提供的另一种单端驱动的电光调制电路的结构示意图；
35.图9是本技术实施例提供的又一种单端驱动的电光调制电路的结构示意图；
36.图10a是本技术实施例提供的一种差分驱动的电光调制电路的结构示意图；
37.图10b是图10a所示的电光调制电路的等效电路图；
38.图11是本技术实施例提供的另一种差分驱动的电光调制电路的结构示意图；
39.图12是本技术实施例提供的一种高频的电信号的泄露功率的示意图；
40.图13是本技术实施例提供的一种光通信设备的结构示意图。
具体实施方式
41.下面结合附图详细介绍本技术实施例提供的电光调制器、电光调制电路以及光通信设备。
42.容性阻抗硅光是硅光子(si photonics)技术中普遍采用的一种电光调制器，如微环调制器或集总型马赫曾德调制器等，其利用载流子偏置效应来实现电光调制的功能，同时由于硅光子本身具有的高集成度的优势，在多路收发系统中得到了广泛的应用。
43.图1是相关技术中的一种采用容性阻抗硅光调制器的电光调制电路的结构示意图。如图1所示，该容性阻抗硅光调制器01需要采用t型直流偏置器02进行驱动。t型直流偏置器02包括：电容c、磁珠lb和电感l。该电容c的一端可以与信号源03连接，另一端可以与容性阻抗硅光调制器01的信号电极连接。磁珠lb和电感l则串联在偏置电压源04与信号电极之间。
44.其中，t型直流偏置器02中电容c所在的分支可以称为高频分支，用于向信号电极传输高频的电信号，用于调制光载波。磁珠lb和电感l所在分支可以称为低频分支，用于向信号电极传输偏置电压，从而使得该容性阻抗硅光调制器01能够达到理想的工作状态。并且，该低频分支对于高频的电信号能够呈现出较高的阻抗，从而能够防止高频的电信号泄露至偏置电压源04，也即是，该低频分支可以实现信号源03与偏置电压源04的隔离。
45.相关技术中，容性阻抗硅光调制器01一般通过互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor，cmos)工艺集成在芯片中，该芯片可以称为硅光芯片。信号源03也可以通过cmos工艺集成在芯片中，该芯片可以称为驱动芯片。但由于t型直流偏置器02中的磁珠lb和电感l的尺寸较大，导致该t型直流偏置器02难以集成于硅
光芯片或驱动芯片中，进而导致电光调制电路的整体尺寸较大，小型化程度不足。
46.本技术实施例提供的电光调制器结构无需通过t型直流偏置器进行驱动，从而可以有效缩减电光调制电路的尺寸，提高电光调制电路的集成度。
47.图2a是本技术实施例提供的一种单端驱动的电光调制器的结构示意图。如图2a所示，该电光调制器包括：第一容性阻抗硅光调制器100和电阻r11。图2b是图2a所示的电光调制器的等效电路图。如图2b所示，第一容性阻抗硅光调制器100等效为电阻r10和电容c10。
48.结合图2a和图2b可以看出，该第一容性阻抗硅光调制器100具有第一电极p11和第二电极p12，该第一电极p11用于连接信号源，该第二电极p12用于连接参考电源端。
49.其中，该信号源用于为该第一容性阻抗硅光调制器100提供高频的电信号，第一容性阻抗硅光调制器100基于该电信号对接收到的光载波进行调制。该参考电源端用于为该第一容性阻抗硅光调制器100提供参考电位。例如，该参考电源端可以为地端gnd，则该参考电位可以为0伏特(v)。
50.本技术实施例提供的方案中，该信号源提供的电信号为单端信号，因此该第一容性阻抗硅光调制器100仅通过第一电极p11接收信号源提供的电信号。相应的，第一电极p11也可以称为信号(signal，s)电极。该第二电极p12也可以称为地(ground，g)电极。
51.在本技术实施例中，该第一电极p11还用于通过该电阻r11连接偏置电压源。也即是，该电阻r11的一端与该第一电极p11连接，另一端用于连接偏置电压源。该偏置电压源用于为该第一容性阻抗硅光调制器100提供偏置电压，以确保该第一容性阻抗硅光调制器100能够处于理想的工作状态。该电阻r11可以避免信号源提供的高频的电信号泄露至偏置电压源，从而可以实现对信号源和偏置电压源的有效隔离，进而可以确保第一容性阻抗硅光调制器100的正常工作。
52.其中，为了确保对高频的电信号的有效隔离，该电阻r11的阻值可以为千欧(kω)级别。例如电阻r11的阻值可以大于或等于0.5kω。
53.在本技术实施例中，该第一容性阻抗硅光调制器100是指采用硅光子技术的电容型的电光调制器。例如，微环调制器。微环调制器具有尺寸小和波长敏感等诸多优势。并且，其独特的滤波特性可以简化波分复用(wavelength division multiplexing，wdm)系统的架构，为短距通信系统提供了单纤多波长的解决方案。
54.参考图2a，该微环调制器100包括微环101、位于该微环101内侧的第一掺杂区域102以及位于该微环101外侧的第二掺杂区域103。其中，该第一掺杂区域102和第二掺杂区域103中的一个掺杂区域为n型掺杂区域，另一个掺杂区域为p型掺杂区域。
55.第一电极p11与第一掺杂区域102连接，第二电极p12与第二掺杂区域103连接。或者，第一电极p11与第二掺杂区域103连接，第二电极p12与第一掺杂区域102连接。并且，从图2a可以看出，该微环调制器100可以包括对称设置的两个第二电极p12。
56.可选地，该第一容性阻抗硅光调制器100还可以为集总型马赫曾德调制器(lumped mach-zehnder modulator)、微盘调制器或光子晶体调制器等其他类型的采用硅光子技术的电容型电光调制器。本技术实施例对该第一容性阻抗硅光调制器的类型不做限定。
57.其中，该微盘调制器的结构与微环调制器的结构类似，区别在于微盘调制器中的微环与第一掺杂区域之间不存在间隙，即该微环与第一掺杂区域组成一个实心的盘状结构。
58.本技术实施例以第一容性阻抗硅光调制器100为微环调制器为例进行说明。作为一种可选地实现方式，如图2a所述，该第一电极p11和电阻r11并未直接连接，该电阻r11与该第一电极p11所连接的掺杂区域连接，从而实现与该第一电极p11的连接。例如，如图2a所示，第一电极p11与第一掺杂区域102连接，则电阻r11也与该第一掺杂区域102连接。作为另一种可选地实现方式，该第一电极p11和电阻r11也可以直接连接。
59.图3是本技术实施例提供的另一种电光调制器的结构示意图，如图3所示，该电光调制器还包括第二容性阻抗硅光调制器200。该第二容性阻抗硅光调制器200的结构与该第一容性阻抗硅光调制器100的结构相同，即该第二容性阻抗硅光调制器200也包括用于连接信号源的第一电极p11，以及用于连接参考电源端的第二电极p12。
60.其中，该第二容性阻抗硅光调制器200的第一电极p11也通过该电阻r11连接该偏置电压源。也即是，该第一容性阻抗硅光调制器100和第二容性阻抗硅光调制器200共用同一个电阻r11。
61.可选地，如图3所示，该电光调制器包括多个第二容性阻抗硅光调制器200，该多个第二容性阻抗硅光调制器200的第一电极p11均与该电阻r11连接。也即是，该第一容性阻抗硅光调制器100与多个第二容性阻抗硅光调制器200共用同一个电阻r11。
62.通过使多个容性阻抗硅光调制器共用一个电阻，可以在确保信号源与偏置电压源之间的有效隔离的前提下，有效减少电光调制器中所需设置的电阻的数量，进而简化电光调制器的结构，并降低电光调制器的成本。
63.在本技术实施例中，该电光调制器还可以包括多个第一容性阻抗硅光调制器100和多个电阻r11。其中，每个电阻r11与一个第一容性阻抗硅光调制器100中的第一电极p11连接。也即是，该多个第一容性阻抗硅光调制器100所连接的电阻r11相互独立。
64.由于电阻的尺寸较小，因此该电光调制器包括的各个容性阻抗硅光调制器和电阻可以集成在一个电光调制芯片中，从而实现一个多通道的电光调制芯片。例如，该电光调制芯片中可以集成有8个容性阻抗硅光调制器，即该电光调制芯片为8通道的电光调制芯片，能够实现对8路光载波的调制。
65.需要说明的是，本技术实施例提供的单端驱动的电光调制器包括的多个容性阻抗硅光调制器的类型可以相同。例如，可以均为微环调制器。
66.综上所述，本技术实施例提供了一种单端驱动的电光调制器，该电光调制器包括第一容性阻抗硅光调制器和电阻，且该第一容性阻抗硅光调制器中，用于连接信号源的第一电极还通过该电阻与偏置电压源连接。由于该电阻可以实现信号源与偏置电压源之间的隔离，因此本技术实施例提供的电光调制器无需再采用t型直流偏置器进行驱动，从而有效缩减了电光调制电路的尺寸，提高了电光调制电路的集成度。
67.图4a是本技术实施例提供的一种差分驱动的电光调制器的结构示意图。如图4a所示，该差分驱动的电光调制器包括第一容性阻抗硅光调制器300、第一电阻r21和第二电阻r22。图4b是图4a所示的电光调制器的等效电路图。如图4b所示，第一容性阻抗硅光调制器300等效为电阻r20和电容c20。
68.结合图4a和图4b可以看出，该第一容性阻抗硅光调制器300具有第一电极p21和第二电极p22，该第一电极p21和该第二电极p22均用于连接信号源。
69.其中，该信号源提供的电信号为差分信号，因此该第一容性阻抗硅光调制器300需
通过第一电极p21和第二电极p22接收该差分信号。该第一电极p21也可以称为正(positive，p)电极，该第二电极p22也可以称为负(negative，n)电极。
70.参考图4a和图4b，该第一电极p21还通过该第一电阻r21连接偏置电压源。也即是，该第一电阻r21的一端与该第一电极p21连接，另一端用于连接偏置电压源。该第二电极p22还通过该第二电阻r22连接参考电源端。也即是，该第二电阻r22的一端与该第二电极p22连接，另一端用于连接参考电源端。
71.由于差分驱动的方案中，该第一电极p21和第二电极p22均用于接收信号源提供的高频的电信号，因此需要设置两个电阻分别与该两个电极连接，以实现对该高频的电信号的有效隔离，避免该高频的电信号泄露。其中，该第一电阻r21和第二电阻r22中的每个电阻的阻值均可以为kω级别。例如每个电阻的阻值均可以大于或等于0.5kω。
72.在本技术实施例中，该第一容性阻抗硅光调制器300可以为微环调制器、集总型马赫曾德调制器、微盘调制器或者光子晶体调制器等采用硅光子技术的电容型电光调制器。
73.本技术实施例以第一容性阻抗硅光调制器300为微环调制器为例进行说明，参考图4a，该第一容性阻抗硅光调制器300包括微环301、第一掺杂区域302和第二掺杂区域303。
74.可选地，该第一电阻r21可以与该第一电极p21直接连接，或者如图4a所示，该第一电阻r21也可以通过第一掺杂区域302与该第一电极p21连接。同理，该第二电阻r22可以与该第二电极p22直接连接，或者如图4a所示，该第二电阻r22也可以通过第二掺杂区域303与该第二电极p22连接。
75.图5是本技术实施例提供的另一种差分驱动的电光调制器的结构示意图，如图5所示，该电光调制器还包括第二容性阻抗硅光调制器400。该第二容性阻抗硅光调制器400的结构与该第一容性阻抗硅光调制器300的结构相同，即该第二容性阻抗硅光调制器400也包括用于连接信号源的第一电极p21和第二电极p22。
76.其中，该第二容性阻抗硅光调制器400的第一电极p21也通过该第一电阻r21连接该偏置电压源；该第二容性阻抗硅光调制器400的第二电极p22也通过该第二电阻r22连接该参考电源端。也即是，该第一容性阻抗硅光调制器300和第二容性阻抗硅光调制器400共用同一个第一电阻r21，且共用同一个第二电阻r22。
77.如图5所示，该电光调制器可以包括多个第二容性阻抗硅光调制器400以及多个第二电阻r22。该多个第二容性阻抗硅光调制器400的第一电极p21均与该第一电阻r21连接。并且，该多个第二容性阻抗硅光调制器400呈线性排列，其中每相邻两个第二容性阻抗硅光调制器400与同一个第二电阻r22连接，即每相邻两个第二容性阻抗硅光调制器400共用一个第二电阻r22。
78.通过使多个容性阻抗硅光调制器共用一个第一电阻，并共用同一个第二电阻，可以在确保有效隔离信号源提供的高频的电信号的前提下，有效减少电光调制器中所需设置的电阻的数量，进而简化电光调制器的结构，并降低电光调制器的成本。
79.可选地，本技术实施例提供的该差分驱动的电光调制器可以包括多个第一容性阻抗硅光调制器300、多个第一电阻r21以及多个第二电阻r22。其中，每个第一容性阻抗硅光调制器300的第一电极p21与一个第一电阻r21连接，且各个第一容性阻抗硅光调制器300的第一电极p21所连接的第一电阻r21相互独立。相应的，该电光调制器中包括的第一电阻r21的数量等于该第一容性阻抗硅光调制器300的数量。
80.在一种实现方式中，如图6所示，该多个第一容性阻抗硅光调制器300呈线性排列，每相邻两个第一容性阻抗硅光调制器300与同一个第二电阻r22连接，即每相邻两个第一容性阻抗硅光调制器300共用一个第二电阻r22。在该实现方式中，该电光调制器中包括的第二电阻r22的数量小于该第一容性阻抗硅光调制器300。
81.在另一种实现方式中，每个第一容性阻抗硅光调制器300的第二电极p22与一个第二电阻r22连接，且各个第一容性阻抗硅光调制器300的第二电极p22所连接的第二电阻r22相互独立。在该实现方式中，该电光调制器中包括的第二电阻r22的数量等于第一容性阻抗硅光调制器300的数量。
82.需要说明的是，本技术实施例提供的差分驱动的电光调制器包括的多个容性阻抗硅光调制器的类型可以相同。例如，可以均为微环调制器。
83.综上所述，本技术实施例提供了一种差分驱动的电光调制器，该电光调制器包括第一容性阻抗硅光调制器、第一电阻和第二电阻，且该第一容性阻抗硅光调制器中，用于连接信号源的第一电极通过该第一电阻与偏置电压源连接，用于连接信号源的第二电极通过该第二电阻与参考电源连接。由于该第一电阻和第二电阻可以实现信号源与偏置电压源之间的隔离，因此本技术实施例提供的电光调制器无需再采用t型直流偏置器进行驱动，从而有效缩减了电光调制电路的尺寸，提高了电光调制电路的集成度。
84.图7a是本技术实施例提供的一种单端驱动的电光调制电路的结构示意图，参考图7a，该电路包括：单端驱动的电光调制器10，信号源20，偏置电压源30以及电容c11。其中，该电光调制器10可以为图2a至图3任一所示的调制器。
85.图7b是图7a所示的电光调制电路的等效电路图，参考图7a和图7b可以看出，该电容c11串联在该信号源20和第一电极p11之间。该偏置电压源30通过该第一电阻r11与该第一电极p11连接。
86.可选地，该电光调制器10还包括一个或多个第二容性阻抗硅光调制器200，或者包括多个第一容性阻抗硅光调制器100。对于该电光调制器10包括多个容性阻抗硅光调制器的场景，如图8所示，该电光调制电路包括多个电容c11，其中每个电容c11串联在该信号源20和该电光调制器10的一个第一电极p11之间。
87.并且，从图8可以看出，该信号源20与多个电容c11连接，并为多个容性阻抗硅光调制器提供高频的电信号。例如，如图8所示，该信号源20通过四个电容c11为四个第一容性阻抗硅光调制器100提供高频的电信号。即该信号源20为四通道的信号源。
88.可选地，电光调制器10可以包括多个第一容性阻抗硅光调制器100，以及多个电阻r11。如图8所示，该电光调制电路可以仅包括一个偏置电压源30，该一个偏置电压源30与该多个电阻r11连接，并通过该多个电阻r11统一为各个第一容性阻抗硅光调制器100提供偏置电压。由于电光调制电路中仅需设置一个偏置电压源30，因此可以有效降低电路成本，简化电路结构。作为另一种可选地实现方式，该电光调制电路也可以包括多个偏置电压源30，其中每个偏置电压源30与一个电阻r11连接，并通过该电阻r11为一个第一容性阻抗硅光调制器100提供偏置电压。其中，任意两个偏置电压源30所连接的电阻r11不同。通过设置多个偏置电压源30，可以实现对每个第一容性阻抗硅光调制器100的偏置电压的独立调节，从而有效提高了该电光调制电路工作时的灵活性。
89.可选地，如图9所示，在本技术实施例中，该信号源20为驱动芯片，该电光调制器10
为电光调制芯片。该驱动芯片20与该电光调制芯片10之间可以通过打线方式、倒装芯片方式或者芯片堆叠方式连接。相比于通过高速信号线连接两个芯片，上述连接方式不仅可以避免高速信号线传输电信号对电信号的质量造成影响，还可以有效减小电光调制电路的尺寸，实现电光调制电路的小型化设计。
90.当然，该驱动芯片20与该电光调制芯片10之间也可以通过高速信号线连接。并且在本技术实施例中，由于无需在驱动芯片20和电光调制芯片10之间设置t型直流偏置器，因此相比于相关技术，可以有效缩短高速信号线的走线距离，减少高频的电信号的损耗。
91.在本技术实施例中，电容c11也可以集成在驱动芯片20中，也即是，该信号源和电容可以集成在同一个芯片中，由此可以进一步提高该电光调制电路的集成度。
92.需要说明的是，该电光调制器芯片10的通道数可以大于或等于驱动芯片20的通道数。若该电光调制器芯片10的通道数大于该驱动芯片20的通道数，则该电光调制器芯片10与多个驱动芯片20连接。例如，参考图9，该电光调制器芯片10的通道数为8，该驱动芯片20的通道数为4，则该电光调制器芯片10与两个驱动芯片20连接。
93.综上所述，本技术实施例提供了一种单端驱动的电光调制电路。该电光调制电路中的电光调制器包括第一容性阻抗硅光调制器以及电阻，且该第一容性阻抗硅光调制器中，与信号源连接的第一电极通过该电阻与偏置电压源连接。由于该电阻可以实现t型直流偏置器中磁珠和电感的作用，即实现信号源与偏置电压源之间的隔离，因此本技术实施例提供的电光调制电路中无需再采用t型直流偏置器，从而有效缩减了电光调制电路的尺寸，提高了电光调制电路的集成度。
94.图10a是本技术实施例提供的一种差分驱动的电光调制电路的结构示意图，如图10a所示，该电路包括：差分端驱动的电光调制器40，信号源50，偏置电压源60，第一电容c21，以及第二电容c22。其中，该电光调制器40可以为图4a至图6任一所示的调制器。
95.图10b是图10a所示的电光调制电路的等效电路图，参考图10a和图10b可以看出，该第一电容c21串联在该信号源50和该第一电极p1之间。该第二电容c22串联在该信号源50和该第二电极p2之间。该偏置电压源60通过该第一电阻r21与该第一电极p21连接，参考电源端(例如图10a和图10b所示的地端gnd)通过第二电阻r22与该第二电极p22连接。
96.可选地，电光调制器40还包括一个或多个第二容性阻抗硅光调制器400，或者可以包括多个第一容性阻抗硅光调制器300。则对于该电光调制器40包括多个容性阻抗硅光调制器的场景，如图11所示，该电光调制电路包括多个第一电容c21以及多个第二电容c22。其中，每个第一电容c21串联在该信号源50和一个第一电极p21之间，每个第二电容c22串联在该信号源50和一个第二电极p22之间。
97.并且，参考图11可以看出，该信号源50与多个第一电容c21和多个第二电容c22连接，并为多个容性阻抗硅光调制器提供高频的电信号。例如，如图11所示，该信号源50为四个容性阻抗硅光调制器提供高频的电信号，即该信号源50为四通道的信号源。
98.可选地，该电光调制器40可以包括多个第一容性阻抗硅光调制器300，以及多个第一电阻r21。对于该电光调制器40包括多个第一电阻r21的场景，作为一种可选地实现方式，如图11所示，该电光调制电路仅包括一个偏置电压源60，该一个偏置电压源60与该多个第一电阻r21连接，并通过该多个第一电阻r21统一为各个第一容性阻抗硅光调制器300提供偏置电压。由于该电光调制电路中仅需设置一个偏置电压源60，因此可以有效降低电路成
本，简化电路结构。
99.对于该电光调制器40包括多个第一电阻r21的场景，作为另一种可选地实现方式，该电光调制电路也可以包括多个偏置电压源60，每个偏置电压源60与一个第一电阻r21连接，并通过该第一电阻r21为一个第一容性阻抗硅光调制器400提供偏置电压。其中，任意两个偏置电压源60所连接的第一电阻r21不同。由此，可以实现对每个第一容性阻抗硅光调制器400的偏置电压的独立调节，从而有效提高了该电光调制电路工作时的灵活性。
100.可选地，在本技术实施例中，该信号源50为驱动芯片，该电光调制器40为电光调制芯片。该驱动芯片50与该电光调制芯片40之间可以通打线方式、倒装芯片方式或者芯片堆叠方式连接。当然，该驱动芯片50与该电光调制芯片40之间也可以通过高速信号线连接。
101.在本技术实施例中，该第一电容c21和第二电容c22也可以均集成在驱动芯片50中，也即是，该信号源、第一电容c21和第二电容c22均集成在同一个芯片中。由此可以进一步提高该电光调制电路的集成度。
102.综上所述，本技术实施例提供了一种差分驱动的电光调制电路，该电光调制电路中的电光调制器包括第一容性阻抗硅光调制器、第一电阻和第二电阻，且该第一容性阻抗硅光调制器中，与信号源连接的第一电极通过该第一电阻与偏置电压源连接，与信号源连接的第二电极通过该第二电阻与参考电源连接。由于该第一电阻和第二电阻可以实现信号源与偏置电压源之间的隔离，因此本技术实施例提供的电光调制电路中无需再采用t型直流偏置器，从而有效缩减了电光调制电路的尺寸，提高了电光调制电路的集成度。
103.需要说明的是，由于本技术实施例提供的单端驱动以及差分驱动的电光调制电路中，偏置电压源可以直接与电光调制芯片连接，因此该偏置电压源的设置位置不再受到t型直流偏置器的设置位置的限定，该偏置电压源的设置位置较为灵活。例如，参考图9，驱动芯片20设置于电光调制芯片10的第一侧，而该偏置电压源30则设置于电光调制芯片10的第二侧，该第一侧和第二侧为电光调制芯片10的不同侧。由此可知，本技术实施例提供的电光调制电路中各元器件的布局灵活性较高，可以有效缩减电光调制电路的整体尺寸。
104.本技术实施例还对该电光调制电路中，信号源泄露的高频的电信号的功率进行了仿真。对单端驱动的电光调制电路进行仿真时，该电光调制电路所采用的电阻r11为1kω的电阻丝。对差分驱动的电光调制电路进行仿真时，该电光调制器40所采用的第一电阻r21和第二电阻r22均为1kω的电阻丝。仿真结果如图12所示，图12中横轴为信号源提供的高频的电信号的频率，单位为吉赫兹(ghz)，纵轴为泄露的高频的电信号的功率，单位为分贝(db)。对于单端驱动的电光调制电路，该泄露的电信号的功率是在偏置电压源30侧检测得到的。对于差分驱动的电光调制电路，该泄露的电信号的功率是在偏置电压源60侧或者参考电源端侧检测得到的。
105.如图12所示，随着信号源提供的高频的电信号的频率的变化，该信号源泄露的电信号的功率始终小于-46db。由此可知，本技术实施例提供的方案，通过在电光调制器中增加电阻，即可实现t型直流偏置器中低频分支的作用，即该电阻可以有效隔离信号源提供的高频的电信号，确保电光调制器的正常工作。
106.图13是本技术实施例提供的一种光通信设备的结构示意图，如图13所示，该光通信设备包括：电光调制电路001以及光源002。其中，电光调制电路001可以为如图7a至图11任一所示的电路。例如，图13所示设备中的电光调制电路001可以为上述实施例提供的单端
驱动的电光调制电路。
107.如图13所示，电光调制电路001中的容性阻抗硅光调制器100还具有光波导104，该光源002与该光波导104连接，用于为该光波导104提供光载波，该电光调制电路001进而可以对该光载波进行电光调制。
108.可选地，参考上述实施例可知，该电光调制电路001中可以包括多个第一容性阻抗硅光调制器，或者可以包括一个或多个第二容性阻抗硅光调制器。对于该电光调制电路001中包括多个容性阻抗硅光调制器的场景，该光源002分别与每个容性阻抗硅光调制器的光波导004连接，并分别为每个容性阻抗硅光调制器提供光载波。
109.其中，光源002可以为每个容性阻抗硅光调制器提供多个不同波长的光载波，每个容性阻抗硅光调制器用于对其中一个波长的光载波进行调制，且各个容性阻抗硅光调制器所调制的光载波的波长不同。
110.综上所述，本技术实施例提供了一种光通信设备，该光通信设备中的电光调制电路的尺寸较小，集成度较高，从而有效提高了该光通信设备的集成度。
111.以上所述仅为本技术的可选实施例，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。