技术特征:
1.一种硼掺杂纳米硅的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)取氧化硅、镁粉和氧化硼混合,在室温下进行球磨,得到混合均匀的混合物;(2)向步骤(1)得到的混合物中加入戊醇,再加入重量百分比浓度为5%wt
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20%wt的稀盐酸,浸没20
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40分钟,固液分离,得到纳米硅固体;(3)向步骤(2)得到的纳米硅固体中依次加入乙醇和水进行洗涤,固液分离得到固体,在60
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80℃的温度下真空加热干燥固体,得到硼掺杂纳米硅。2.根据权利要求1所述的硼掺杂纳米硅的制备方法,其特征在于,还包括步骤:(4)步骤(3)得到的硼掺杂纳米硅使用hf溶液刻蚀,除去所述硼掺杂纳米硅的表面氧化层,乙醇洗涤,固液分离得到固体,在60
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80℃的温度下真空加热干燥固体,得到无氧化层的硼掺杂纳米硅。3.根据权利要求1所述的硼掺杂纳米硅的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述氧化硼在所述混合物中质量分数为1
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10%,所述氧化硅与镁粉的质量比为1
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1.5。4.根据权利要求1所述的硼掺杂纳米硅的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,球料比为10:1
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50:1,球磨时间为200
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600min。5.根据权利要求1所述的硼掺杂纳米硅的制备方法,其特征在于,步骤(3)中,固液分离采用离心分离或过滤分离,其中离心分离的转速为10000
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15000rpm。6.根据权利要求1所述的硼掺杂纳米硅的制备方法,其特征在于,步骤(3)中,干燥固体在真空条件下进行,在60
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80℃的温度下真空加热干燥3
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5h。7.根据权利要求2所述的硼掺杂纳米硅的制备方法,其特征在于,步骤(4)中,hf溶液的重量百分比浓度为0.1%wt
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40%wt。8.根据权利要求2所述的硼掺杂纳米硅的制备方法,其特征在于,步骤(4)中,固液分离采用离心分离或过滤分离,其中离心分离的转速为10000
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15000rpm。9.根据权利要求2所述的硼掺杂纳米硅的制备方法,其特征在于,步骤(4)中,干燥固体在真空条件下进行,在60
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80℃的温度下真空加热干燥3
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5h。
技术总结
本发明公开了一种硼掺杂纳米硅的制备方法,包括以下步骤:(1)取氧化硅、镁粉和氧化硼混合,在室温下进行球磨,得到混合均匀的混合物;(2)向步骤(1)得到的混合物中加入戊醇,再加入重量百分比浓度为5%wt
技术研发人员:陈顺鹏 郑捷 李星国
受保护的技术使用者:北京大学
技术研发日:2021.07.27
技术公布日:2021/11/2
再多了解一些
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