显示板及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种显示板的制造方法，是用于微led显示器的显示板的制造方法，其中，包括：提供基板、形成于所述基板的上面的多个微led、形成于所述基板的上面控制所述微led的转换电路、与所述转换电路的端部对应地形成于所述基板的上面一侧的多个上部电极、形成于所述基板的底面的驱动电路部、及与所述驱动电路部对应地形成于所述基板的底面一侧的多个下部电极的步骤；将形成有连接所述上部电极与所述下部电极的连接狭缝的第一掩模形成为经过所述基板的上面、侧面及底面的步骤；在形成有所述第一掩模的所述基板的外面形成金属薄膜的步骤；以及通过去除所述第一掩模在所述基板形成连接所述上部电极与所述下部电极的金属连接图案的步骤。2.根据权利要求1所述的显示板的制造方法，其中，在形成所述金属薄膜的步骤之前，还包括：形成覆盖所述基板中与所述第一掩模对应的区域以外的区域的第二掩模的步骤。3.根据权利要求2所述的显示板的制造方法，其中，所述第二掩模是在所述第一掩模形成之前、形成的同时或形成之后形成的。4.根据权利要求1所述的显示板的制造方法，其中，所述第一掩模是利用感光膜形成的。5.根据权利要求4所述的显示板的制造方法，其中，所述感光膜为干膜光刻胶(dry film photoresist，dfr)膜。6.根据权利要求4所述的显示板的制造方法，其中，形成所述第一掩模的步骤为：与所述连接狭缝对应地用正性光刻胶或负性光刻胶对所述感光膜曝光，从所述感光膜去除对应于所述连接狭缝的部分形成所述连接狭缝，并将形成有所述连接狭缝的所述感光膜附着成经过所述基板的上面、侧面及底面。7.根据权利要求4所述的显示板的制造方法，其中，形成所述第一掩模的步骤为：将所述感光膜附着成经过所述基板的上面、侧面及底面，与所述连接狭缝对应地用正性光刻胶或负性光刻胶对所述感光膜曝光，并从所述感光膜去除对应于所述连接狭缝的部分以形成所述连接狭缝。8.根据权利要求4所述的显示板的制造方法，其中，所述感光膜的形成厚度为5～100μm。9.根据权利要求1所述的显示板的制造方法，其中，所述金属薄膜通过溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积(pld；pulsed laser deposition)、电子光束沉积(e
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beam evaporation)、热沉积(thermal evaporation)或金属有机分子束外延(metal
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organic molecular beam epitaxy，mombe)形成。10.根据权利要求1所述的显示板的制造方法，其中，还包括：与所述金属连接图案对应地附着同时覆盖所述基板的上面、侧面及底面的保护膜的步骤。11.根据权利要求1所述的显示板的制造方法，其中，所述上部电极或所述下部电极中至少一个是利用银浆、二硫化钼(mos2)、金属网或银纳米线形成的。
12.一种显示板，是包括基板、形成于所述基板的上面的多个微led、形成于所述基板的上面控制所述微led的转换电路、与所述转换电路的端部对应地形成于所述基板的上面一侧的多个上部电极、形成于所述基板的底面的驱动电路部及与所述驱动电路部对应地形成于所述基板的底面一侧的多个下部电极的显示板，其中，包括经过所述基板的侧面连接所述上部电极与所述下部电极的多个金属连接图案，各所述金属连接图案包括与各所述上部电极对应的第一端部及与各所述下部电极对应的第二端部，所述第一端部盖住所述上部电极的上面，所述第二端部盖住所述下部电极的底面。13.根据权利要求12所述的显示板，其中，所述金属连接图案的所述第一端部与所述上部电极之间及所述第二端部与所述下部电极之间不存在粘贴层。14.根据权利要求12所述的显示板，其中，所述金属连接图案通过溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积(pld；pulsed laser deposition)、电子光束沉积(e
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beam evaporation)、热沉积(thermal evaporation)或金属有机分子束外延(mombe；metal
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organic molecular beam epitaxy)形成。15.根据权利要求12所述的显示板，其中，所述上部电极或所述下部电极中至少一个是利用银浆、二硫化钼(mos2)、金属网或银纳米线形成的。16.根据权利要求12所述的显示板，其中，所述基板为tft玻璃基板。

技术总结
用于微LED显示器的显示板的制造方法包括：提供基板、形成于基板的上面的多个微LED、形成于基板的上面控制微LED的转换电路、与转换电路的端部对应地形成于基板的上面一侧的多个上部电极、形成于基板的底面的驱动电路部、及与驱动电路部对应地形成于基板的底面一侧的多个下部电极的步骤、将形成有连接上部电极与下部电极的连接狭缝的第一掩模形成为经过基板的上面、侧面及底面的步骤、在形成有第一掩模的基板的外面形成金属薄膜的步骤、及去除第一掩模以在基板上形成连接上部电极与下部电极的金属连接图案的步骤。部电极的金属连接图案的步骤。部电极的金属连接图案的步骤。


技术研发人员：申东赫
受保护的技术使用者：申东赫
技术研发日：2019.09.03
技术公布日：2021/11/2