一种低SAR天线及电子设备的制作方法

一种低sar天线及电子设备
技术领域
1.本技术涉及电子设备领域，尤其涉及一种低sar天线及电子设备。


背景技术：

2.电子设备可以通过其中设置的天线进行无线信号的收发。天线的辐射性能与天线在电子设备中的环境关系紧密。比如，当天线设置在电子设备的下部时，由于用户手握电子设备会覆盖天线，从而对天线的辐射性能造成较大影响；进而影响用户手持电子设备时的通信体验。
3.目前，可以将天线设置在电子设备的上部，从而避免手握电子设备对天线辐射性能的影响。
4.可以理解的是，电子设备在工作时，在为用户提供畅通的无线通信体验之外，还需要将对人体的辐射控制在合理范围内，从而避免电磁辐射对人体的伤害。而当天线设置在电子设备的上部时，在用户使用电子设备的一些场景下(如用户使用手机进行通话时)，天线距离用户头部的距离较近。而具有较好辐射性能的天线所产生或接收的电磁波的功率一般较大，由此也就会对用户的头部产生较大的辐射。
5.因此，如何保证电子设备的辐射能力的同时，将对人体的辐射控制在合理范围内成为保证电子设备的无线通信性能的关键。


技术实现要素：

6.本技术实施例提供一种低sar天线及电子设备，可以提供较好的中高频辐射性能，同时具有较低的sar值。
7.为了达到上述目的，本技术实施例采用如下技术方案：
8.第一方面，提供一种低sar天线，应用于电子设备，该天线包括：第一辐射结构和第二辐射结构。该第一辐射结构包括第一辐射体，该第二辐射结构包括第二辐射体，该第一辐射体与该第二辐射体不导通。该第一辐射体的第一端与该第二辐射体的第一端相对设置，该第一辐射体的第一端与该第二辐射体的第一端构成第一缝隙。该第一辐射体的第二端悬空，该第二辐射体的第二端接地。该天线的馈电点与该第一辐射体耦接，以该馈电点为分界，将该第一辐射体划分为第一部分和第二部分，该第一部分的长度小于该第二部分的长度。该第二部分上在该第一辐射体的第二端和该馈电点之间设置有接地点。
9.基于该方案，提供了一种具体的具有低sar高性能天线的方案示例。在本示例中，该天线可以具有两个辐射区域，如第一辐射结构和第二辐射结构。其中，每个辐射结构都可以包括对应的辐射体以及相关的接地和/或馈电结构。在本示例提供的方案中，第一辐射结构可以作为直接馈电的对象，即馈电信号可以直接通过馈电点馈入第一辐射体，从而激励第一辐射体的工作。比如，第一辐射体的工作频段可以包括低频。在一些实现中，可以通过在第一辐射体上激励1/4波长实现低频覆盖。在另一些实现中，第一辐射体还可以通过激励高次模覆盖中高频。第二辐射结构可以作为第一辐射结构的寄生设置。在本示例中，该寄生
可以设置在第一辐射体的短枝节附近。需要说明的是，在本示例的方案中，第一辐射体的短枝节(如第一辐射体的第一部分)可以与第二辐射体共同激励覆盖中高频。而由于该覆盖中高频的模式并非高次模(如ifa天线的高次模)，因此具有较低的中高频段的sar值。另外，本示例中的方案的低频和中高频合路设计，因此不会引入低频和中高频分路导致的额外插损。
10.在一种可能的设计中，在该天线工作时，该第一辐射体的第一部分与该第二辐射体共同工作在第一频段和第二频段，该第一频段的频率低于该第二频段的频率。工作在该第一频段时，该第一部分上的电流方向与该第二辐射体上的电流方向相同。工作在该第二频段时，该第一部分上的电流方向与该第二辐射体上的电流方向在该第一缝隙处反向。以使得该天线在该第一频段和该第二频段的sar值低于该第一辐射结构单独工作在该第一频段和该第二频段时的sar值。基于该方案，提供了本示例提供的天线方案在工作时的具体机制。比如，第一辐射体和第二辐射体可以共同激励cm模式以及dm模式，从而代替ifa天线的高次模覆盖中高频，由此在提供较好的辐射性能的同时，避免高次模引入的sar过高的问题。
11.在一种可能的设计中，该第一辐射结构为ifa天线。基于该方案，提供了一种具体的第一辐射结构的实现。比如，在该示例中，该第一辐射结构可以具有ifa天线的辐射形式。也就是说，该第一辐射结构中，可以包括第一辐射体，还可以包括馈电点，以及馈电点附近的接地点。在一些实现中，第一辐射结构中还可以包括馈电点与射频模块之间的匹配电路。该匹配电路可以通过串联和/或并联电容或电感器件，减少天线端口插损。在本示例中，ifa天线的匹配电路中可以串联有小电容(如小于2pf)，用于在ifa天线上激励左手模式覆盖低频端。在一些实现中，该ifa天线的接地点可以是第一辐射体通过开关电路接地的形式。这样，可以通过切换开关电路的电感和/或电容值，实现低频谐振切换。
12.在一种可能的设计中，该第二辐射结构构成该第一辐射体的寄生结构，在该天线工作时，该第二辐射结构通过该第一缝隙，与该第一辐射结构的第一辐射体进行电场耦合，以激励该第二辐射体上的电流。基于该方案，提供了一种具体的第二辐射结构的示例。在本示例中，第二辐射结构可以为第一辐射结构的寄生。在一些实现中，该第二辐射结构可以设置在第一辐射体的短枝节附近。因此第二辐射结构的寄生作用可以起到对第一辐射体的短枝节对应的谐振的频段展宽的作用。在本示例中，第二辐射结构可以不存在馈电点，由此保证天线的单馈结构。在天线工作时，第二辐射结构上的电流可以通过与第一辐射结构进行电场耦合激励。
13.在一种可能的设计中，该天线工作时，通过在该第一辐射体的第一部分和该第二辐射体上激励槽天线共模slot cm模式覆盖该第一频段，通过在该第一辐射体的第一部分和该第二辐射体上激励槽天线差模slot dm模式覆盖该第二频段。基于该方案，提供了一种具体的本技术实施例提供的天线覆盖中高频的示例。在本示例中，可以通过第一辐射体的第一部分(如短枝节)和第二辐射体的共同作用，获取cm模式和dm模式的激励，从而在中高频获取至少2个谐振覆盖。由此在提供足够带宽覆盖中高频以保证其辐射性能的同时，可以获取较低的sar值。
14.在一种可能的设计中，耦接所述第一辐射体的馈电点位于所述第一辐射体的弯折处。示例性的，耦接该第一辐射体的馈电点可以位于该电子设备背视图的右上角。基于该方
案，提供了一种具体的第一辐射体的馈电点的位置示意。该第一辐射体的馈电点也就是天线的馈电点。通过将馈电点设置在电子设备(如手机)的右上角，能够更加有效地激励地板电流，从而达到展宽天线带宽提升辐射性能的效果。在本示例的一些实现中，第一辐射体的长枝节(如第二部分)可以是沿手机侧边设置的，短枝节(如第一部分)可以是沿手机顶部设置的。
15.在一种可能的设计中，该第一辐射体的第二部分的工作频段覆盖第三频段，该第三频段的频率小于该第二频段。在该天线工作在该第三频段的情况下，该第一辐射体上分布有同向电流，该第一辐射体通过激励左手模式覆盖该第三频段。基于该方案，提供了一种本技术实施例提供的天线覆盖低频的方案示例。在本示例中，第一辐射体可以通过长枝节(如第二部分)实现低频覆盖。其中，在本设计中，第一覆盖可以通过激励第一辐射体上同向电流的左右模式实现。作为一种可能的实现，可以在匹配电路中串联小电容(如小于2pf)实现左手模式的激励。需要说明的是，在本技术的另一些实现中，还可以通过激励低频的1/4ifa模式实现低频覆盖。在该实现中，该1/4ifa模式可以通过在第二部分上激励同向电流实现。
16.在一种可能的设计中，该天线还包括第三辐射结构，该第三辐射结构包括第三辐射体，该第三辐射体分别与该第一辐射体或该第二辐射体不导通，该第三辐射体的第一端与该第一辐射体的第二端相对设置。第三辐射体的第一端与该第一辐射体的第二端之间构成第二缝隙，该第三辐射体上设置有接地点。基于该方案，提供了又一种低sar天线的组成示例。在本示例中，在第一辐射结构的短枝节(如第二部分)末端还可以设置第三辐射结构。该第三辐射结构可以实现在中频和高频之间的激励，从而进一步增加该天线中高频的辐射性能。尤其是能够显著提升中频和高频过度频段的辐射性能。
17.在一种可能的设计中，在该天线工作时，该第三辐射结构构成该第一辐射体的寄生结构，该第三辐射体用于通过该第二缝隙，与该第一辐射体进行电场耦合，以激励该第三辐射体上的电流。基于该方案，提供了一种第三辐射结构的具体实现示例。在本示例中，第三辐射结构可以构成寄生结构。在一些实现中，该第三辐射结构的第三辐射体的尺寸可以与需要覆盖的中高频的谐振所在频段的1/4波长对应。由此，通过寄生作用，可以使得第三辐射结构可以通过第二缝隙进行电场耦合，由此激励第三辐射体上的寄生电流，从而实现1/4波长的激励。进而提升中高频性能。
18.在一种可能的设计中，该第三辐射体的工作频段覆盖第四频段，该第四频段的频率位于该第一频段和该第二频段的频率之间。基于该方案，提供了一种第三辐射结构的具体设计示例。在一些实现中，cm模式和dm模式由于模式不相容，因此在cm模式和dm模式相交的频段附近，会出现辐射性能恶化的情况。通过本示例所示的寄生结构，可以通过将覆盖谐振调谐到cm模式和dm模式之间，从而补偿上述性能恶化，以使得天线具有更好的中高频辐射性能。示例性的，第四频段可以包括2300
‑
2700mhz范围内，cm模式和dm模式切换的频段。比如，在一些实现中，第四频段可以覆盖2.5ghz附近频段。
19.第二方面，提供一种电子设备，该电子设备设置有至少一个处理器，射频模块，以及如第一方面及其任一种可能的设计中所述的低sar天线。该电子设备在进行信号发射或接收时，通过该射频模块和该低sar天线进行信号的发射或接收。
20.应当理解的是，上述第二方面提供的技术方案，其技术特征均可对应到第一方面
及其可能的设计中提供的低sar天线，因此能够达到的有益效果类似，此处不再赘述。
附图说明
21.图1为一种天线设置区域的示意图；
22.图2为一种分布式天线的示意图；
23.图3为一种典型ifa天线的示意图；
24.图4为不同模式与地板的电流分布的对比示意图；
25.图5为不同模式激励的s参数示意图；
26.图6为本技术实施例提供的一种电子设备的组成示意图；
27.图7为本技术实施例提供的一种电子设备的组成示意图；
28.图8为本技术实施例提供的一种天线的组成示意图；
29.图9为本技术实施例提供的一种天线的组成示意图；
30.图10为本技术实施例提供的天线的s参数示意图；
31.图11为本技术实施例提供的电流流向示意图；
32.图12为本技术实施例提供的一种天线的s参数示意图；
33.图13a为本技术实施例提供的一种电流流向示意图；
34.图13b为本技术实施例提供的仿真结果的示意图；
35.图14为本技术实施例提供的一种天线的s参数示意图；
36.图15为本技术实施例提供的电流分布示意图；
37.图16为本技术实施例提供的一种天线的组成示意图；
38.图17为本技术实施例提供的一种天线的组成示意图；
39.图18为本技术实施例提供的一种天线的组成示意图；
40.图19为本技术实施例提供的一种天线的组成示意图；
41.图20为本技术实施例提供的一种天线的s参数示意图；
42.图21为本技术实施例提供的电流分布示意图；
43.图22为本技术实施例提供的一种天线的组成示意图；
44.图23为本技术实施例提供的body sar热点分布示意图；
45.图24为本技术实施例提供的body sar热点分布示意图；
46.图25为本技术实施例提供的head sar热点分布示意图。
具体实施方式
47.一般而言，电子设备中可以设置有多个天线，用于进行不同频段的无线通信。
48.示例性的，在电子设备的多个天线中，可以包括用于进行主频(频率覆盖700mhz
‑
3ghz)通信的天线(如称为主天线)。以电子设备为手机为例。在主天线设置在手机的下部时，天线会被用户持握手机的手覆盖，由此会导致天线性能的恶化。
49.在一些设计中，可以将主天线设置在电子设备的上部，从而避免用户手握电子设备时，对天线辐射性能的影响。
50.示例性的，结合图1，为一种电子设备的天线设置的示意图。其中，以电子设备为手机为例。该图1为手机的背部视图。如图1所示，可以将主天线设置在上天线区域。这样，在用
户使用手机时，持握手机的手就不会覆盖主天线，从而不会对主天线的辐射性能产生显著的影响。
51.结合图2和图3，示出了一些上天线区域中主天线的示例。在图2的示例中，主天线可以由天线1和天线2组成。其中，天线1可以用于实现低频(low frequency band，lb)辐射。lb可以覆盖700mhz
‑
960mhz频段。在如图2的示例中，天线1可以为ifa天线。比如，馈电点可以与辐射体的一端耦接，在靠近馈电点的位置，可以设置接地点与辐射体耦接，从而实现ifa天线的辐射形式。在一些实现中，该ifa天线的辐射体的长度可以接近lb的1/4波长，从而使得通过馈电点能够激励lb频段的辐射。进而使得天线1工作在lb频段。
52.在如图2所示的示例中，天线2可以具有环天线(loop天线)加寄生的结构，从而实现中高频(middle/high frequency band，mhb)的辐射。其中，中高频覆盖的频段可以包括1710mhz
‑
2690mhz。环天线可以具有馈电点
‑
辐射体
‑
接地点的结构。寄生的辐射体的一端可以接近环天线，另一端可以接地。从而使得寄生的辐射体能够通过空间耦合从环天线获取能量，由此与环天线一同实现天线2的辐射功能。
53.可以看到，在如图2所示的天线方案中，可以对天线1进行低频激励(即在天线1的馈电点输入低频信号)，实现低频辐射。在接收场景下，天线1也可以接收空间中的低频电磁波，并转换为电流从馈电点传输给射频/硬件模块(图2中未示出)。类似的，天线2也可以实现中高频的辐射。由此就实现了覆盖主频的辐射性能。
54.然而，如图2所示的天线方案，采用了低频和中高频拆分的形式。这样，相比于未拆分的形式，在射频前端需要引入额外的部件。可以理解的是，通信链路上的所有部件都会引入对信号的损耗(即插损)，因此，如图2所示的方案会在射频前端引入至少一级开关插损，从而使得全频段射频传导损失0.5db
‑
1db左右，也就使得天线在进行辐射时获取的能量的损失(如损失0.5db
‑
1db)，也就使得天线的辐射性能被降低。另外，在拆分低频和中高频之后，天线辐射体也需要分别设置。由此就必然会使得本就拥挤的上天线区域的空间更加紧张，从而限制中高频(或者低频)辐射体的尺寸，这就会导致高频(或者低频)的带宽的下降，辐射能力降低。
55.相比于图2所示的低频和中高频分离方案，图3示出了一种不分离低频和中高频的天线方案。由于不需要在射频前端分离低频和中高频，由此就不会产生额外的插损，因此能够在传导侧提升天线性能。
56.在如图3所示的方案中，在上天线区域可以通过ifa形式实现主天线的辐射。其中，低频可以通过ifa天线的1/4波长模式覆盖，中频可以通过ifa天线的1/2波长模式覆盖，高频采用ifa天线3/4波长或1倍波长模式覆盖。
57.具有如图3所示的组成的天线，能够同时覆盖低频和中高频，因此能够避免由于中高频拆分导致的天线辐射性能的下降。
58.需要说明的是，在电子设备的使用过程中，还需要避免由于天线辐射对人体的伤害。在一些实现中，天线辐射对人体的辐射情况可以通过天线的比吸收率(specific absorption rate，sar)进行标识。同一个天线，由于不同频段的辐射性能不同，因此不同频段的sar也不同。sar的检测可以包括头sar，用于标识天线在辐射过程中对用户头部的辐射情况。sar的检测还可以包括身体(body)sar，用于标识天线在辐射过程中对用户躯干的辐射情况。目前，不同的运营商或者市场监管部门都对sar提出了强制要求，以控制电子设备
在使用过程中对用户的辐射。比如，美国联邦通信委员会(federal communications commission，fcc)要求相关频段(主要为中高频段)的sar不能超过1.6w/kg(1g值)。
59.具有如图3所示的天线方案，中高频的辐射均为天线的高次模。这会使得中高频的在辐射过程中电流大多集中在天线辐射体附近，从而导致sar的超标。
60.以下结合图4和图5对如图3所示的基模(如1/4波长)和高次模(如3/4波长)的辐射情况进行说明。
61.示例性的，图4示出了不同的模式在进行辐射时电流在地板上的分布情况。其中，图4中的(a)，图4中的(b)以及图4中的(c)均工作在相同的频段。如图4中的(a)所示，天线a的尺寸可以为工作频段的1/4波长，该天线a可以设置在电子设备的顶部。如图4中的(b)所示，天线b的尺寸可以为工作频段的1/4波长，该天线b可以设置在电子设备的侧边靠近顶部的位置。如图4中的(c)所示，天线c的尺寸可以为工作频段的3/4波长，该天线c可以设置在电子设备的侧边靠近顶部的位置。
62.对比图4中的(a)，图4中的(b)以及图4中的(c)，可以看到，天线a和天线b在工作时，地板上的电流分布相较于天线c工作时地板上的电流分布更加均匀。即天线a和天线b工作时，地板上电流较小的区域较小，而天线c工作时，地板上电流较小的区域较大。也就是说，3/4波长的高次模模式在辐射时，相较于基模(如1/4波长)辐射时的电流分布更加集中；即sar更高。
63.图5示出了天线a，天线b和天线c的辐射性能情况。其中，回波损耗(s11)可以用于标识天线的单端口辐射能力。一般而言，s11越小，则表明单端口测试过程中该频点的回波损耗越大，即在该频点天线可以具有较好的效率。可以看到，天线a和天线b的带宽以及s11均要优于天线c。即，基模的辐射性能优于高次模的辐射性能。
64.图5同时还示出了天线a，天线b和天线c的系统效率对比。可以看到，与s11类似的，天线a和天线b具有较好的系统效率(如带宽更大，效率也更高)。相比之下，高次模(即天线c)的系统效率则表现的带宽较窄，效率也较低。
65.可以理解的是，通过如图4和图5的实验，可以看到，基模的辐射性能优于高次模的辐射性能。同时，从地板电流的分布分析可以看到，基模的sar也会低于高次模的sar。例如，表1示出了天线a，天线b和天线c在相同频点(如2.5ghz，2.55ghz，2.6ghz)，相同测试环境(如back面，ce 5mm，10g，输入功率24dbm，body sar)的sar测试结果对比。
66.表1
67.body sar天线a天线b天线c2.5ghz0.610.632.592.55ghz0.620.632.332.6ghz0.630.642.31
68.由表1所示，在2.5ghz下，同样的测试环境中，天线a的sar为0.61，天线b的sar为0.63，天线c的sar为2.59。在2.55ghz下，同样的测试环境中，天线a的sar为0.62，天线b的sar为0.63，天线c的sar为2.33。在2.6ghz下，同样的测试环境中，天线a的sar为0.63，天线b的sar为0.64，天线c的sar为2.31。
69.由此即可说明高次模的sar要显著地高于基模的sar。
70.然而，结合图3的说明，ifa天线虽然在上天线区域能够实现主频的覆盖，但是由于
其中高频均为高次模辐射，因此相比于基模辐射，如果要达到相同或相近的辐射性能，对空间就有更高的要求。而这显然是不适合上天线区域本就较小的环境限制的。另外，当高次模的辐射性能得到提升之后，就会使得sar显著提升，使得对人体的辐射量难以控制。
71.应当理解的是，以电子设备为手机为例。上述表1中示出了body sar测试中，不同模式的对比。与之类似的，在头(head)sar的测试过程中，高次模的sar值也高于基模。而由于ifa天线设置在上天线区域，因此，在用户手持手机靠近人耳(如进行通话)时，天线对用户的头部辐射本就较高。加上ifa天线高次模辐射的sar偏高，就会使得主天线设置在上天线区域时，头sar的难以控制。
72.为了解决上述问题，本技术实施例提供一种低sar天线方案，能够避免主天线设置在上天线区域时，sar值过高的问题，同时能够保证天线的辐射性能。
73.以下结合附图对本技术实施例提供的方案进行详细说明。
74.需要说明的是，本技术实施例提供的低sar天线方案，可以应用在用户的电子设备中。该电子设备可以设置有天线，该天线可以用于支持电子设备实现无线通信功能。比如，该电子设备可以是手机、平板电脑、个人数字助理(personal digital assistant，pda)、增强现实(augmented reality，ar)\虚拟现实(virtual reality，vr)设备、媒体播放器等便携式移动设备，该电子设备也可以是智能手表等可穿戴电子设备。本技术实施例对该设备的具体形态不作特殊限制。
75.请参考图6，为本技术实施例提供的一种电子设备600的结构示意图。
76.如图6所示，该电子设备600可以包括处理器610，外部存储器接口620，内部存储器621，通用串行总线(universal serial bus，usb)接口630，充电管理模块640，电源管理模块641，电池642，天线1，天线2，移动通信模块650，无线通信模块660，音频模块670，扬声器670a，受话器670b，麦克风670c，耳机接口670d，传感器模块680，按键690，马达691，指示器692，摄像头693，显示屏694，以及用户标识模块(subscriber identification module，sim)卡接口695等。其中，传感器模块680可以包括压力传感器，陀螺仪传感器，气压传感器，磁传感器，加速度传感器，距离传感器，接近光传感器，指纹传感器，温度传感器，触摸传感器，环境光传感器，骨传导传感器等。
77.可以理解的是，本实施例示意的结构并不构成对电子设备600的具体限定。在另一些实施例中，电子设备600可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者拆分某些部件，或者不同的部件布置。图示的部件可以以硬件，软件或软件和硬件的组合实现。
78.处理器610可以包括一个或多个处理单元，例如：处理器610可以包括应用处理器(application processor，ap)，调制解调处理器，图形处理器(graphics processing unit，gpu)，图像信号处理器(image signal processor，isp)，控制器，存储器，视频编解码器，数字信号处理器(digital signal processor，dsp)，基带处理器，和/或神经网络处理器(neural
‑
network processing unit，npu)等。其中，不同的处理单元可以是独立的器件，也可以集成在一个或多个处理器610中。作为一种示例，在本技术中，isp可以对图像进行处理，如该处理可以包括自动曝光(automatic exposure)、自动对焦(automatic focus)、自动白平衡(automatic white balance)、去噪、背光补偿、色彩增强等处理。其中，自动曝光，自动对焦，以及自动白平衡的处理也可以称为3a处理。经过处理后，isp就可以进行获取对
应的照片。该过程也可称为isp的成片操作。
79.在一些实施例中，处理器610可以包括一个或多个接口。接口可以包括集成电路(inter
‑
integrated circuit，i2c)接口，集成电路内置音频(inter
‑
integrated circuit sound，i2s)接口，脉冲编码调制(pulse code modulation，pcm)接口，通用异步收发传输器(universal asynchronous receiver/transmitter，uart)接口，移动产业处理器接口(mobile industry processor interface，mipi)，通用输入输出(general
‑
purpose input/output，gpio)接口，用户标识模块(subscriber identity module，sim)接口，和/或通用串行总线(universal serial bus，usb)接口等。
80.电子设备600可以通过isp，摄像头693，视频编解码器，gpu，显示屏694以及应用处理器等实现拍摄功能。
81.isp用于处理摄像头693反馈的数据。例如，拍照时，打开快门，光线通过镜头被传递到摄像头693感光元件上，光信号转换为电信号，摄像头693感光元件将所述电信号传递给isp处理，转化为肉眼可见的图像。isp还可以对图像的噪点，亮度，肤色进行算法优化。isp还可以对拍摄场景的曝光，色温等参数优化。在一些实施例中，isp可以设置在摄像头693中。
82.摄像头693用于捕获静态图像或视频。物体通过镜头生成光学图像投射到感光元件。感光元件可以是电荷耦合器件(charge coupled device，ccd)或互补金属氧化物半导体(complementary metal
‑
oxide
‑
semiconductor，cmos)光电晶体管。感光元件把光信号转换成电信号，之后将电信号传递给isp转换成数字图像信号。isp将数字图像信号输出到dsp加工处理。dsp将数字图像信号转换成标准的rgb，yuv等格式的图像信号。在一些实施例中，电子设备600可以包括1个或n个摄像头693，n为大于1的正整数。
83.数字信号处理器用于处理数字信号，除了可以处理数字图像信号，还可以处理其他数字信号。例如，当电子设备600在频点选择时，数字信号处理器用于对频点能量进行傅里叶变换等。
84.视频编解码器用于对数字视频压缩或解压缩。电子设备600可以支持一种或多种视频编解码器。这样，电子设备600可以播放或录制多种编码格式的视频，例如：动态图像专家组(moving picture experts group，mpeg)1，mpeg2，mpeg3，mpeg4等。
85.npu为神经网络(neural
‑
network，nn)计算处理器，通过借鉴生物神经网络结构，例如借鉴人脑神经元之间传递模式，对输入信息快速处理，还可以不断的自学习。通过npu可以实现电子设备600的智能认知等应用，例如：图像识别，人脸识别，语音识别，文本理解等。
86.充电管理模块640用于从充电器接收充电输入。其中，充电器可以是无线充电器，也可以是有线充电器。在一些有线充电的实施例中，充电管理模块640可以通过usb接口630接收有线充电器的充电输入。在一些无线充电的实施例中，充电管理模块640可以通过电子设备600的无线充电线圈接收无线充电输入。充电管理模块640为电池642充电的同时，还可以通过电源管理模块641为电子设备600供电。
87.电源管理模块641用于连接电池642，充电管理模块640与处理器610。电源管理模块641接收电池642和/或充电管理模块640的输入，为处理器610，内部存储器621，外部存储器，显示屏694，摄像头693，和无线通信模块660等供电。电源管理模块641还可以用于监测
navigation satellite system，bds)，准天顶卫星系统(quasi
‑
zenith satellite system，qzss)和/或星基增强系统(satellite based augmentation systems，sbas)。
94.电子设备600通过gpu，显示屏694，以及应用处理器610等实现显示功能。gpu为图像处理的微处理器，连接显示屏694和应用处理器。gpu用于执行数学和几何计算，用于图形渲染。处理器610可包括一个或多个gpu，其执行程序指令以生成或改变显示信息。
95.显示屏694用于显示图像，视频等。显示屏694包括显示面板。显示面板可以采用液晶显示屏694(liquid crystal display，lcd)，有机发光二极管(organic light
‑
emitting diode，oled)，有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体(active
‑
matrix organic light emitting diode，amoled)，柔性发光二极管(flex light
‑
emitting diode，fled)，miniled，microled，micro
‑
oled，量子点发光二极管(quantum dot light emitting diodes，qled)等。在一些实施例中，电子设备600可以包括1个或n个显示屏694，n为大于1的正整数。
96.外部存储器接口620可以用于连接外部存储卡，例如micro sd卡，实现扩展电子设备600的存储能力。外部存储卡通过外部存储器接口620与处理器610通信，实现数据存储功能。例如将音乐，视频等文件保存在外部存储卡中。
97.内部存储器621可以用于存储计算机可执行程序代码，所述可执行程序代码包括指令。处理器610通过运行存储在内部存储器621的指令，从而执行电子设备600的各种功能应用以及数据处理。内部存储器621可以包括存储程序区和存储数据区。其中，存储程序区可存储操作系统，至少一个功能所需的应用程序(比如声音播放功能，图像播放功能等)等。存储数据区可存储电子设备600使用过程中所创建的数据(比如音频数据，电话本等)等。此外，内部存储器621可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非易失性存储器，例如至少一个磁盘存储器件，闪存器件，通用闪存存储器(universal flash storage，ufs)等。
98.电子设备600可以通过音频模块670，扬声器670a，受话器670b，麦克风670c，耳机接口670d，以及应用处理器610等实现音频功能。例如音乐播放，录音等。
99.音频模块670用于将数字音频信息转换成模拟音频信号输出，也用于将模拟音频输入转换为数字音频信号。音频模块670还可以用于对音频信号编码和解码。在一些实施例中，音频模块670可以设置于处理器610中，或将音频模块670的部分功能模块设置于处理器610中。扬声器670a，也称“喇叭”，用于将音频电信号转换为声音信号。电子设备600可以通过扬声器670a收听音乐，或收听免提通话。受话器670b，也称“听筒”，用于将音频电信号转换成声音信号。当电子设备600接听电话或语音信息时，可以通过将受话器670b靠近人耳接听语音。麦克风670c，也称“话筒”，“传声器”，用于将声音信号转换为电信号。当拨打电话或发送语音信息或需要通过语音助手触发电子设备600执行某些功能时，用户可以通过人嘴靠近麦克风670c发声，将声音信号输入到麦克风670c。电子设备600可以设置至少一个麦克风670c。在另一些实施例中，电子设备600可以设置两个麦克风670c，除了采集声音信号，还可以实现降噪功能。在另一些实施例中，电子设备600还可以设置三个，四个或更多麦克风670c，实现采集声音信号，降噪，还可以识别声音来源，实现定向录音功能等。耳机接口670d用于连接有线耳机。耳机接口670d可以是usb接口630，也可以是3.5mm的开放移动电子设备600平台(open mobile terminal platform，omtp)标准接口，美国蜂窝电信工业协会(cellular telecommunications industry association of the usa，ctia)标准接口。
100.触摸传感器，也称“触控面板”。触摸传感器可以设置于显示屏694，由触摸传感器与显示屏694组成触摸屏，也称“触控屏”。触摸传感器用于检测作用于其上或附近的触摸操作。触摸传感器可以将检测到的触摸操作传递给应用处理器，以确定触摸事件类型。在一些实施例中，可以通过显示屏694提供与触摸操作相关的视觉输出。在另一些实施例中，触摸传感器也可以设置于电子设备600的表面，与显示屏694所处的位置不同。
101.压力传感器用于感受压力信号，可以将压力信号转换成电信号。在一些实施例中，压力传感器可以设置于显示屏694。压力传感器的种类很多，如电阻式压力传感器，电感式压力传感器，电容式压力传感器等。电容式压力传感器可以是包括至少两个具有导电材料的平行板。当有力作用于压力传感器，电极之间的电容改变。电子设备600根据电容的变化确定压力的强度。当有触摸操作作用于显示屏694，电子设备600根据压力传感器检测所述触摸操作强度。电子设备600也可以根据压力传感器的检测信号计算触摸的位置。在一些实施例中，作用于相同触摸位置，但不同触摸操作强度的触摸操作，可以对应不同的操作指令。例如：当有触摸操作强度小于第一压力阈值的触摸操作作用于短消息应用图标时，执行查看短消息的指令。当有触摸操作强度大于或等于第一压力阈值的触摸操作作用于短消息应用图标时，执行新建短消息的指令。陀螺仪传感器可以用于确定电子设备600的运动姿态。加速度传感器可检测电子设备600在各个方向上(一般为三轴)加速度的大小。距离传感器，用于测量距离。电子设备600可以通过红外或激光测量距离。电子设备600可以利用接近光传感器检测用户手持电子设备600贴近耳朵通话，以便自动熄灭屏幕达到省电的目的。环境光传感器用于感知环境光亮度。指纹传感器用于采集指纹。温度传感器用于检测温度。在一些实施例中，电子设备600利用温度传感器检测的温度，执行温度处理策略。音频模块670可以基于所述骨传导传感器获取的声部振动骨块的振动信号，解析出语音信号，实现语音功能。应用处理器可以基于所述骨传导传感器获取的血压跳动信号解析心率信息，实现心率检测功能。
102.按键690包括开机键，音量键等。马达691可以产生振动提示。指示器692可以是指示灯，可以用于指示充电状态，电量变化，也可以用于指示消息，未接来电，通知等。sim卡接口695用于连接sim卡。电子设备600可以支持1个或n个sim卡接口695，n为大于1的正整数。sim卡接口695可以支持nano sim卡，micro sim卡，sim卡等。同一个sim卡接口695可以同时插入多张卡。sim卡接口695也可以兼容不同类型的sim卡。sim卡接口695也可以兼容外部存储卡。电子设备600通过sim卡和网络交互，实现通话以及数据通信等功能。在一些实施例中，电子设备600采用esim，即：嵌入式sim卡。esim卡可以嵌在电子设备600中，不能和电子设备600分离。
103.本技术实施例提供的低sar天线方案均能够应用于具有如图6所示的组成的电子设备中。示例性的，本技术实施例提供的方案能够应用于天线1中，实现低sar高效率的辐射。
104.需要说明的是图6所示的电子设备的组成仅为一种示例。并不构成对本技术实施例提供的方案的应用环境的限制。比如，在一些实施例中，电子设备还可以具有其他组成。示例性的，结合图7，电子设备600中可以设置有通信模块，用于实现电子设备600的无线通信功能。
105.在如图7所示的示例中，通信模块可以包括天线，与天线耦接的射频模块，以及处
理器。在该通信模块用于实现主频辐射时，天线可以是覆盖主频频段的天线。射频模块可以包括滤波器，功率放大器，射频开关等部件，用于对收发信号进行射频域的处理。处理器可以包括基带处理器，该处理器可以与射频模块耦接，用于对收发信号进行数字域的处理。
106.本技术实施例提供的天线方案，还能够应用于如图7所示的天线中。
107.示例性的，图8示出了本技术实施例提供的一种低sar天线的示意图。
108.在本示例中，该天线可以设置于电子设备的上天线区域。从而避免用户手握电子设备对天线造成的影响。需要说明的是，为了便于说明，以下示例中，以电子设备为手机为例进行说明。其中，天线在手机的位置示意图均为手机的背面视图。
109.本技术实施例提供的低sar天线可以包括至少两个辐射结构。比如，第一辐射结构用于实现低频辐射，第二辐射结构用于实现中高频辐射。
110.参考图8，以第一辐射结构为辐射结构1，第二辐射结构为辐射结构2为例。以下对本示例中的连个辐射结构分别进行说明。
111.在本示例中，辐射结构1可以通过ifa天线实现其低频辐射功能。
112.示例性的，如图8所示，辐射结构1可以包括至少1个辐射体，一个馈电点，以及一个切换模块(如sw1)。其中，辐射结构1中的辐射体可以位于手机的右上方。该辐射结构1中的辐射体采用如下形式中的任一种或多种实现：柔性电路板(flexible printed circuit，fpc)天线，冲压(stamping)金属天线，激光直接成型(laser
‑
direct
‑
structuring，lds)天线。在一些实现中，辐射结构1中的辐射体还可以复用手机中的金属结构件。比如，在手机具有金属边框设计时，在如图8所示的辐射结构1对应的位置可以使用金属边框实现辐射体的辐射功能。
113.馈电点可以是射频模块与天线耦接的位置。为了实现馈电的功能，在馈电点处可以使用金属弹片，顶针等部件，实现电路与天线辐射体之间的耦接。示例性的，以射频模块设置在印制线路板(printed circuit board，pcb)上为例。在发射场景下，射频信号可以通过pcb上的射频线路，传输给馈电点位置的电连接部件(如上述金属弹片，顶针等)，通过电连接部件的刚性连接或者通过如fpc上的电子线路等导电材质的焊接，使得射频信号可以被传输到天线辐射体上。由此天线辐射体就可以以天线对应的工作频段，将射频信号(模拟信号)以电磁波的形式传输出去。比如，辐射结构1的辐射体可以工作在低频段，那么在接收到来自馈电点的射频信号之后，辐射结构1的辐射体就可以以低频将射频信号以电磁波的形式传输出去。对应的，在接收场景下，辐射结构1的辐射体可以接收低频的电磁波信号(即低频电磁波)，并将该低频电磁波转换成模拟信号，通过馈电点反馈给射频模块，从而实现低频信号的接收。
114.需要说明的是，在本技术实施例中，馈电点可以设置在手机顶部右上角的位置。由此使得激励地板的电流强点与地板本征模的电流强点拉开间距，进而更有效的分散地板电流，达到降低sar值的效果。此外，通过将馈电点设置在手机顶部右上角，可以更好的激励地板的横纵向电流，提升天线效率及带宽。
115.在一些实施例中，在馈电点和射频模块之间还可以设置有匹配电路(图8中未示出)。该匹配电路可以用于调谐天线的工作频段，通过切换或者调整的方式，将天线的阻抗调整到与射频模块匹配的状态(如调谐到75欧姆或者50欧姆)，从而减少天线端口处的信号反射，提升信号发射或者接收效率。
116.在如图8所示的辐射结构1中，切换模块sw1可以用于切换辐射结构1工作在不同的低频状态，从而使得辐射结构1能够覆盖低频全频段。在一些实现中，sw1的一端可以与辐射结构1的辐射体耦接，sw2的另一端可以接地。
117.可以理解的是，结合前述说明，在图8所示的天线工作在低频时，那么天线可以工作在ifa的1/4模式，即工作在基模。因此能够提供较好的辐射性能以及较低的sar值。
118.接续参考图8，在本示例提供的天线方案中，还可以包括辐射结构2。
119.该辐射结构2可以配合辐射结构1，实现中高频辐射。
120.在本示例中，辐射结构2可以包括至少1个辐射体。该辐射结构2的辐射体的一端可以与辐射结构1的辐射体接近，从而达到与辐射结构1的辐射体进行电场耦合的效果。该辐射结构2的辐射体的另一端可以与sw2耦接。
121.如图8所示的天线工作在中高频时，辐射结构1和辐射结构2的辐射体能够通过缝隙耦合，在顶部辐射体激励获取槽天线共模(slot common mode，slot cm)/槽天线差模(slot differential mode，slot dm)两种模式。为了便于描述，以下将slot cm模式简称为cm模式，将slot dm模式简称为dm模式。通过激励cm模式和dm模式，能够产生中高频段的辐射，从而实现天线的中高频覆盖。
122.在一些实施例中，辐射结构2中的切换模块(如sw2)可以通过加载电容或电容可以将顶部枝节谐振调谐到1710mhz
‑
2690mhz，从而实现中高频的覆盖。.
123.可以理解的是，在本示例提供的天线方案中，中高频通过cm模式以及dm模式覆盖，取代了传统ifa天线的高次模覆盖中高频的方案，因此能够显著地提升天线在中高频的辐射性能的同时，降低中高频sar值。
124.作为一种具体的实现，图9示出了具有如图8所示的逻辑组成的天线方案的具体组成。在该示例中，给出了一种sw1以及sw2的具体实施方案。
125.如图9所示，在本示例中，sw1以及sw2可以通过单刀多掷(single pole n throw，spnt)开关实现。比如，如图9所示，sw1和sw2可以采用单刀三掷实现其切换功能。在另一些实现中，单刀多掷开关的切换状态数量，还可以是其他数量，比如通过单刀双掷(spdt)开关实现至少3个状态(如1通，2通，全断)的切换。需要说明的是，在本技术的另一些实现中，sw1以及sw2还可以通过其他具有切换功能的部件实现其功能。示例性的，作为一种可能的设计，sw1和/或sw2可以通过可调/可变器件实现其切换功能。在另一些设计中，sw1和/或sw2可以通过多刀多掷实现其切换功能。比如，sw1和sw2可以通过2*spst实现至少4个状态的切换(如01,10,00,11)。
126.在本技术的一些实施例中，sw1的不同通路上可以加载有电感，用于实现低频切换。在如图9所示的示例中，sw1导通其中一路时，可以使得辐射结构1的辐射体接地，从而形成ifa的辐射形式。
127.需要说明的是，在本技术的一些实施例中，在辐射结构1的辐射体以及射频电路的馈源之间，可以串联有小电容(如小于2pf的电容)，以便能够在辐射结构1上激励获取左手模式，从而实现小空间下的低频激励。示例性的，在辐射结构1的辐射体以及射频电路之间串联小电容之后，可以在辐射结构1的整个辐射体上形成没有反向点的电流。该电流的分布也就是左手模式的电流分布。应当理解的是，左手模式的激励能够在较小空间中，成功激励低频辐射。在激励左手模式的情况下，通过切换sw1上不同通路，实现辐射体通过不同大小
的电感回地，就能够起到切换低频谐振的作用，由此使得不同状态下的低频谐振能够配合覆盖lb全频段。
128.以下图10
‑
图15将对具有如图9所示的天线方案的工作机制进行详细说明。为了能够清楚地对本技术实施例提供的天线方案的工作机制进行说明，以下首先对辐射结构1的工作情况进行说明。
129.如图10所示，为辐射结构1单独工作时的天线辐射情况示意。其中，图10中的(a)示出了辐射结构1单独工作时的s11。可以看到辐射结构1单独工作时，低频谐振最深处已经超过
‑
16db，较为理想。而对于中高频而言，作为典型的ifa天线，在辐射体上激励了高次模进行中高频的辐射。如图10中的(a)所示，在2ghz附近以及2.5ghz附近均获取了高次模对应的谐振。
130.图10中的(b)示出了辐射结构1单独工作时的系统效率以及辐射效率的示意图。其中，辐射效率(radiation efficiency)可以用于标识当前天线系统在单端口激励情况下，从端口输入能量与经过辐射和损耗反馈到端口的能量的差异。辐射效率越高，表明反馈到端口的能量越小，那么则表明当前天线系统能够提供的辐射能力越强。对应的，系统效率(system efficiency)可以用于标识当前天线系统在单端口激励情况下，从端口输入能量与经过辐射反馈到端口的能量的差异。系统效率越高，表明天线将更多的能量辐射出去，即天线的辐射性能越高。也就是说，在理想情况下，当前天线系统的系统效率能够达到辐射效率的水平，而辐射效率就可以是当前天线系统能够提供的最大的辐射能力。
131.如图10中的(b)所示，在辐射结构1单独工作时，在中高频(1.7ghz
‑
3ghz)的系统效率均在
‑
4db以上，因此表明该辐射结构1能够提供较强中高频的效率。
132.图11示出了辐射结构1单独工作时的电流流向示意图。如图11中的(a)所示，0.74ghz(即低频)可以工作在1/4波长模式。如图11中的(b)所示，1.94ghz(即中频)可以工作在1/2波长模式。如图11中的(c)所示，2.54ghz(即高频)可以工作在1倍波长模式。
133.通过图11的电流示意说明，也能够进一步说明如图10中的(a)所示的中高频谐振为ifa天线的高次模产生的辐射。
134.结合前述图3
‑
图5的说明，可以理解的是，在辐射结构1单独工作时，由于中高频的辐射均为ifa高次模提供的，因此即使能够产生较好的系统效率或者辐射效率，也会产生sar值过高的问题。
135.在本技术实施例中，继续参考图9，在辐射结构1之外，天线还可以包括辐射结构2。该辐射结构2能够通过电场耦合的形式，与辐射结构1的顶部结构体行程cm模式以及dm模式的激励，从而调整中高频的激励模式，在获得较好的系统效率或者辐射效率的同时，避免sar值过高的问题。
136.示例性的，参考图12，示出了具有如图9所示组成的天线在工作时的s11的示意。也就是说，在如图12的示意中，是辐射结构1和辐射结构2共同工作的结果。
137.为了便于说明，在如图12的示例中，同时示出了仅辐射结构1工作时的s11的示意作为对比。
138.如图12所示，在增加了辐射结构2之后，在中高频激励获取了cm模式以及dm模式覆盖。由此即可避免ifa天线的高次模的sar值过高的问题发生。
139.作为一种示例，图13a示出了辐射结构1和辐射结构2同时工作时，中高频的电流就
像示意图。示例性的，图13a中的(a)示出了2.5ghz附近频点的电流流向。可以看到，电流在顶部辐射体(包括辐射结构1的辐射体的顶部部分以及辐射结构2的辐射体)可以产生同向的电流分布。由于辐射结构1的辐射体的顶部部分以及辐射结构2的辐射体之间并未电连接，即存在缝隙，因此该电流分布就可以构成cm模式的辐射。结合图12所示的s11，可以看到cm模式能够覆盖中频进行辐射。
140.图13a中的(b)示出了2.7ghz附近频点的电流流向。可以看到，电流在顶部辐射体(包括辐射结构1的辐射体的顶部部分以及辐射结构2的辐射体)可以产生反向的电流分布。由于辐射结构1的辐射体的顶部部分以及辐射结构2的辐射体之间并未电连接，即存在缝隙，因此该电流分布就可以构成dm模式的辐射。结合图12所示的s11，可以看到dm模式能够覆盖高频进行辐射。
141.图13b示出了cm模式和dm模式的实际模型仿真电流分布情况。可以看到在中高频，如图13b中的(a)所示，cm模式可以在顶部辐射体激励获取同向电流(横跨缝隙)，同时，手机侧边长枝节上的电流较小。如图13b中的(b)所示，dm模式可以在缝隙两侧的辐射体上分别激励获取反向电流，同时，手机侧边长枝节上的电流较小。由此即可证明通过增加辐射结构2，能够达到激励获取位于顶部的cm模式和dm模式的效果。
142.图14示出了增加辐射结构2之后，整个天线系统的辐射效率以及系统效率的变化情况示意。如图14中的(a)所示，增加辐射结构2之后，在2.3ghz到2.7ghz之间的辐射效率显著增加。由此即可确定在增加辐射结构2引入dm模式和cm模式之后，整个天线系统能够提供的辐射性能得到优化。如图14中的(b)所示，增加辐射结构2之后，在中高频全频段的系统效率都有所提升。因此，在增加辐射结构2引入dm模式和cm模式之后，整个天线系统实际提供的辐射性能也得到了优化。因此，在辐射结构1和辐射结构2同时工作时，相比于典型的ifa天线，能够提供更好的辐射性能。
143.为了说明本技术实施例提供的天线方案同时起到优化sar值的效果，图15示出了仅辐射结构1工作时的典型ifa天线工作在中高频时的地板电流示意(如图15中的(a)所示)，以及辐射结构1和辐射结构2同时工作时在中高频的地板电流示意(如图15中的(b)所示)。显而易见的，在如图15中的(b)所示的示意中，电流在地板上的分布区域更大。对应的，在如图15中的(a)的示意中，电流在地板上的分布区域相对较小。因此，辐射结构1和辐射结构2同时工作时，中高频的电流更加分散，由此使得天线系统在中高频的sar值也会更小。
144.结合前述对图8
‑
图15的说明，可以看到，具有如图8或图9所示结构的天线方案，相较于常规的ifa天线，能够在不拆分低频和中高频的情况下，在上天线区域获取更好的辐射性能以及更低的sar值。
145.需要说明的是，在如图8
‑
图15的说明中，是以辐射结构2上的sw2设置在远离辐射结构1的一端为例进行说明的。在本技术的另一些实施例中，辐射结构2上的sw2还可以设置在其他位置，达到通过sw2的不同状态切换cm模式和dm模式覆盖频段的效果。
146.作为一种示例，图16示出了又一种sw2的设置示意。在如图16的示意中，sw2可以设置在辐射结构2中，靠近辐射结构1的一端。在本示例中，辐射结构2的辐射体可以在远离辐射结构1的一端回地，以便于有效激励cm模式和/或dm模式。与图16对应的，图17示出了一种具有如图16所示的拓扑结构的天线的具体示意。在如图17所示的示意中，sw2的不同通路上可以通过加载电感实现对cm模式和/或dm模式覆盖频段的调整。比如，在sw2的通路1导通
时，可以将cm模式和/或dm模式调整到频段1。在sw2的通路2导通时，可以将cm模式和/或dm模式调整到频段2。其中，在通路1和通路2的电感值不同时，频段1和频段2不同。
147.基于上述包括辐射结构1和辐射结构2的天线的说明，即可实现通过cm模式和dm模式覆盖中高频，达到提升中高频辐射性能以及降低sar值的效果。
148.在本技术的另一些实施例中，结合图7所示的逻辑组成，天线还可以包括辐射结构3。该辐射结构3能够进一步优化中高频的辐射性能。
149.可以理解的是，结合图12以及图14，可以看到具有如图8或图9所示的组成的天线，工作在中高频时，在cm模式和dm模式中间会出现由于两个模式不相兼容导致的凹坑。在s11上可以表现为cm模式对应的谐振和dm模式对应的谐振之间出现凸起，在效率(包括系统效率以及辐射效率)上可以表现为cm模式对应的谐振和dm模式对应的谐振之间出现的效率凹陷。比如，以图12为例。在如图12所示的示例中，cm模式可以用于在2.6ghz附近产生谐振，在s11上可以标识为谐振的凹陷。dm模式可以用于在2.9ghz附近产生谐振，在s11上同样可以标识为谐振的凹陷。在cm模式和dm模式的谐振之间，在2.75ghz附近，则产生了由于模式不兼容导致的s11凸起。那么对应的在该2.75ghz附近就会出现效率的降低，即可以表现为在效率曲线上的凹陷。
150.那么，在本示例中，通过在辐射结构1以及辐射结构2的基础上，增加辐射结构3，在cm模式以及dm模式之间激励新的谐振，以补偿cm模式以及dm模式之间的效率凹陷，提升中高频辐射性能。
151.示例性的，结合图18，为本技术实施例提供的又一种天线的拓扑示意图。对比图8所示的天线，该如图18的示例中，在天线中还可以包括第三辐射结构(如辐射结构3)。
152.该辐射结构3可以用于在中高频的cm模式以及dm模式之间激励新的谐振，从而提升中高频整体的辐射性能。在本示例中，辐射结构3可以包括至少1个辐射体。该辐射结构3的辐射体的一端可以接近辐射结构1的辐射体，但该辐射结构3的辐射体不与辐射结构1的辐射体连接。在辐射结构3的辐射体以及辐射结构1的辐射体之间可以形成缝隙。在辐射结构1工作时，辐射结构1的辐射体上出现变化的电流。通过在辐射结构3的辐射体以及辐射结构1的辐射体之间的缝隙，能量可以通过耦合到辐射结构3上，从而激励辐射结构3的辐射体上出现交变电流。
153.在一些实施例中，辐射结构3的辐射体在远离辐射结构1的一端可以做接地处理，由此使得辐射结构3形成寄生天线进行工作。该辐射结构3的辐射体的尺寸可以与cm模式和dm模式的效率凹陷所在频段波长的1/4对应，从而使得辐射结构3可以通过寄生效果在cm模式和dm模式的效率凹陷所在频段产生新的谐振。在一些实现中，如图18所示，在辐射结构3靠近辐射结构1的一端，可以设置有切换模块sw3，该sw3可以用于通过切换不同的通路，使得辐射结构3的辐射体呈现出不同的电长度，从而使得辐射结构3能够根据不同场景的需要，调整寄生对应的谐振位置，更加有效地补偿中高频的效率凹陷。当然，在一些实施例中，在辐射结构3中也可不设置该sw3，由此达到补偿中高频辐射性能的同时，精简器件成本和布局空间的效果。
154.为了能够对如图18所示的天线进行更加清楚的说明，图19示出了具有如图18所示的拓扑结构的天线的具体实现。其中，辐射结构1和辐射结构2的示意可以参考图9中的说明，此处不再赘述。
155.在如图19所示的示例中，辐射结构3的辐射体的组成，类似与上述辐射结构1和辐射结构2的辐射体，可以通过fpc，lds，stamping，或者手机自身的金属结构件实现其辐射功能。在辐射结构3中，sw3可以通过上述示例中的spnt或者多个切换开关，或者其他具有切换功能的部件实现其切换功能。比如，在如图19所示的示例中，sw3可以通过sp3t实现其切换功能。在sp3t的不同通路上，可以分别加载电感，以便于通过切换不同的通路，实现调整寄生枝节的电长度的效果。
156.例如，在sw3的通路a导通时，则辐射结构3产生的谐振可以位于频段a。在sw3的通路b导通时，则辐射结构3产生的谐振可以位于频段b。当通路a和通路b上加载的电感数值不同时，则频段a和频段b不同。作为一种示例，当通路a的电感a大于通路b的电感b时，则当sw3由通路a切换到通路b上时辐射结构3产生的谐振所在频段(即频段a)可以从较低频段向频段b所在的较高频段移动。
157.在本技术实施例中，增加了辐射结构3之后，能够显著地提升中高频的谐振，弱化由于引入cm模式和dm模式产生的中高频的效率凹坑。以下结合仿真结果对增加辐射结构2和辐射结构3之后的天线辐射性能进行详细说明。
158.为了便于说明，在附图中同时示出了仅辐射结构1工作时的典型ifa模式的s参数的分布情况。
159.请参考图20，为本技术实施例提供的具有如图19所示组成的天线的s参数的分布情况示意。如图20中的(a)所示，增加了辐射结构2和辐射结构3之后，在s11上的cm模式和dm模式之间出现了寄生谐振。结合图12所示的仅增加辐射结构2之后的s11，再次增加辐射结构3之后，由于寄生谐振的出现，使得cm模式和dm模式的谐振之间的凸起得到补偿，最高点由如图12所示的
‑
11db左右，下降到如图12所示的
‑
13db左右。
160.继续参考图20中的(b)，增加辐射结构3之后，显著地提升了天线在中高频的辐射效率。此外，如图20中的(c)所示，增加辐射结构3之后，天线实际在中高频的效率也得到了明显的提升。由此，可以说明在增加辐射结构2和辐射结构3之后，相较于典型的ifa天线能够在中高频提供更好的辐射性能。对比如图14所示的增加辐射结构2之后的效率示意，可以看到再次层架辐射结构3之后，能够达到补偿中高频性能的效果。
161.以下通过增加辐射结构2和辐射结构3之后，电流在地板上的分布对比，说明具有如图19所示组成的天线的sar值可以更低。
162.图21中的(a)为仅辐射结构1工作时，地板电流的分布情况。相比于图21中的(b)所示的辐射结构1，辐射结构2以及辐射结构3同时工作时，地板电流的分布情况，可以明显看到，在增加了辐射结构2和辐射结构3之后，地板电流分布被扩展。由此使得具有如图19所示的组成的天线在进行辐射时，其能量分布更加分散，从而可以具有比典型ifa更低的sar值。
163.需要说明的是，图18和图19仅为一种本技术实施例提供的辐射结构3的示例。在本技术的另一些实施例中，该辐射结构3还可以具有其他组成，从而实现通过寄生作用补偿cm模式和dm模式的效果。示例性的，在一些实施例中，结合图22，辐射结构3的辐射体在远离辐射结构1的一端也可以不作接地处理(如悬空)。对应的，sw3的各个通路上可以加载电容，从而使得在sw3切换到不同的通路上时，不同通路上的电容可以加载到辐射结构3的辐射体上，由此在激励辐射结构3的寄生谐振的同时，通过不同通路上的电容进行谐振位置的调整。
164.在上述如图18
‑
图22的说明中，是以sw3设置在辐射结构3中靠近辐射结构1一端为例进行说明的。在本技术的另一些实施例中，sw3还可以设置在辐射结构3中其他位置，也能够起到调整辐射结构3的寄生谐振对应频段的效果。本技术实施例对于sw3在辐射结构3中的具体位置不作限定。
165.通过上述说明，应当理解的是，本技术实施例提供的天线方案，具有相较于典型的ifa天线更好的辐射性能，同时能够避免ifa高次模导致的中高频sar值过高的问题。
166.示例性的，以下通过对典型ifa天线以及具有如图19所示的组成的天线进行sar实测的结果，说明上述效果。
167.1、不同天线在中高频的ce 5mm 10g body sar测量结果对比。
168.请参考图23，为典型ifa天线以及具有如图19所示的组成的天线在测量过程中的热点分布示意。其中如图23中的(a)为典型ifa天线的热点分布，图23中的(b)为本技术提供的天线的热点分布。显而易见的，图23中的(b)所示的热点分布更加分散，因此sar值应当较低。
169.如下表2示出了两种天线的sar实测结果。
170.表2
[0171][0172]
可以看到，本技术实施例提供的具有如图19所示组成的天线在2ghz
‑
2.6ghz全频段的sar值均小于典型的ifa天线。
[0173]
2、不同天线在中高频的ce 0mm 10g body sar测量结果对比。
[0174]
请参考图24，为典型ifa天线以及具有如图19所示的组成的天线在测量过程中的热点分布示意。其中如图24中的(a)为典型ifa天线的热点分布，图24中的(b)为本技术提供的天线的热点分布。显而易见的，图24中的(b)所示的热点分布更加分散，因此sar值应当较低。
[0175]
如下表3示出了两种天线的sar实测结果。
[0176]
表3
[0177][0178]
可以看到，本技术实施例提供的具有如图19所示组成的天线在2ghz
‑
2.6ghz全频段的sar值均小于典型的ifa天线。
[0179]
3、不同天线在中高频的head sar测量结果对比。
[0180]
请参考图25，为典型ifa天线以及具有如图19所示的组成的天线在测量过程中的热点分布示意。其中如图25中的(a)为典型ifa天线的热点分布，图25中的(b)为本技术提供的天线的热点分布。显而易见的，图25中的(b)所示的热点分布更加分散，因此sar值应当较低。
[0181]
如下表4示出了两种天线的sar实测结果。
[0182]
表4
[0183][0184]
可以看到，本技术实施例提供的具有如图19所示组成的天线在2ghz
‑
2.6ghz全频段的sar值均小于典型的ifa天线。
[0185]
在上述实施例中的功能或动作或操作或步骤等，可以全部或部分地通过软件、硬件、固件或者其任意组合来实现。当使用软件程序实现时，可以全部或部分地以计算机程序产品的形式来实现。该计算机程序产品包括一个或多个计算机指令。在计算机上加载和执行计算机程序指令时，全部或部分地产生按照本技术实施例所述的流程或功能。所述计算机可以是通用计算机、专用计算机、计算机网络、或者其他可编程装置。所述计算机指令可以存储在计算机可读存储介质中，或者从一个计算机可读存储介质向另一个计算机可读存储介质传输，例如，所述计算机指令可以从一个网站站点、计算机、服务器或者数据中心通过有线(例如同轴电缆、光纤、数字用户线(digital subscriber line，dsl))或无线(例如红外、无线、微波等)方式向另一个网站站点、计算机、服务器或数据中心进行传输。所述计算机可读存储介质可以是计算机能够存取的任何可用介质或者是包括一个或多个可以用介质集成的服务器、数据中心等数据存储设备。所述可用介质可以是磁性介质(例如，软盘、硬盘、磁带)，光介质(例如，dvd)、或者半导体介质(例如固态硬盘(solid state disk，
ssd))等。
[0186]
尽管结合具体特征及其实施例对本技术进行了描述，显而易见的，在不脱离本技术的精神和范围的情况下，可对其进行各种修改和组合。相应地，本说明书和附图仅仅是所附权利要求所界定的本技术的示例性说明，且视为已覆盖本技术范围内的任意和所有修改、变化、组合或等同物。显然，本领域的技术人员可以对本技术进行各种改动和变型而不脱离本技术的精神和范围。这样，倘若本技术的这些修改和变型属于本技术权利要求及其等同技术的范围之内，则本技术也意图包括这些改动和变型在内。