用于制造绝缘体上半导体衬底的方法与流程

技术特征：
1.一种用于制造绝缘体上半导体结构的方法，所述方法包括以下步骤：
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设置供体衬底(1)，所述供体衬底(1)包括界定待转移层的弱化区；
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设置受体衬底(2)；
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通过在界面的外围(11)上的第一区域(13)处发起结合波(3)并且使所述波朝向所述界面的所述外围(11)上的与所述第一区域(13)相对的第二区域(14)传播，将所述供体衬底(1)结合至所述受体衬底(2)，所述待转移层位于结合界面侧(10)，所述结合波(3)的传播速度在中心部分(12)中比在所述外围部分(11)中低；
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沿着所述弱化区分离所述供体衬底(1)以便将所述待转移层转移到所述受体衬底(2)，所述方法的特征在于，所述结合在受控条件下实现以增加所述结合波在所述结合界面(10)的所述外围部分(11)与所述中心部分(12)之间的传播速度的差。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述结合波的传播速度的差的增加足以在所述结合界面的所述外围(11)上的所述第二区域(14)中形成气态夹杂物(4)。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述供体衬底(1)的分离在所述气态夹杂物(4)的位置处发起。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，受控结合条件包括在结合之前将所述供体衬底(1)和/或所述受体衬底(2)定位在支架(20)的支撑表面(21)上，所述支撑表面(21)具有区域(29)，所述区域(29)相对于所述支撑表面的其余部分升高，所述供体衬底(1)和/或所述受体衬底(2)的旨在形成所述结合界面(10)的暴露表面被至少部分成形为匹配所述支架的所述支撑表面(21)，从而具有相对于所述暴露表面的其余部分升高的区域。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述供体衬底(1)和/或所述受体衬底(2)的所述暴露表面的升高区域相对于所述暴露表面的所述其余部分升高15μm至150μm。6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，所述受控结合条件包括将等离子体选择性地施加到所述供体衬底(1)和/或所述受体衬底(2)的旨在形成所述结合界面(10)的所述暴露表面，施加到所述暴露表面的所述外围部分(11)的等离子体量比施加到所述暴露表面的所述中心部分(12)的等离子体量大。7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，所述弱化区是通过将原子物质植入到所述供体衬底(1)中而形成的。

技术总结
本发明涉及一种用于制造绝缘体上半导体结构的方法，其包括以下步骤：设置供体衬底(1)，其包括限定待转移层的弱化区；设置受体衬底(2)；通过发起从界面的外围(11)的第一区域(13)开始的结合波(3)并且使该波朝向所述界面的外围(11)的与第一区域(13)相对的第二区域(14)传播，将供体衬底(1)结合至受体衬底(2)上，待转移层位于结合界面(10)的那一侧上，结合波(3)的传播速度在中心部分(12)中比在外围部分(11)中低；以及沿着弱化区分离供体衬底(1)以便将待转移层转移到受体衬底(2)上，该方法的特征在于，结合在受控条件下实现以增加结合波在结合界面(10)的外围部分(11)与中心部分(12)之间的传播速度的差。分(12)之间的传播速度的差。分(12)之间的传播速度的差。


技术研发人员：M
受保护的技术使用者：索泰克公司
技术研发日：2020.03.26
技术公布日：2021/11/2