掩膜版版图和半导体结构的制作方法

技术特征：
1.一种掩膜版版图，其特征在于，包括：第一掩膜版版图，包括多个互连层图形，所述互连层图形包括第一子图形、以及位于所述第一子图形一侧的第二子图形和第三子图形；所述第二子图形和第三子图形位于同一版图中，且所述第一子图形，与第二子图形和第三子图形间隔排列，所述第一子图形沿第一方向延伸；所述第二子图形沿第二方向延伸，所述第一方向和第二方向相垂直，且所述第二子图形的延伸方向与所述第一子图形的延伸方向相交；在所述第一方向上，所述第三子图形位于所述第二子图形的至少一侧，且所述第三子图形与所述第二子图形靠近所述第一子图形一侧的端部相连；第二掩膜版版图，包括多个孔图形，所述孔图形位于所述互连层图形所在的区域中，其中，在所述第二子图形中，所述孔图形位于所述第二子图形靠近所述第一子图形一侧的端部。2.如权利要求1所述的掩膜版版图，其特征在于，所述互连层图形还包括：第四子图形，在所述第一方向上与所述第二子图形相间隔，在所述第二方向上与所述第一子图形相间隔，且所述第四子图形位于所述第二子图形背向所述第三子图形的一侧。3.如权利要求1所述的掩膜版版图，其特征在于，在所述第一方向上，所述第三子图形位于所述第二子图形的两侧；所述互连层图形还包括：第四子图形，位于所述第二子图形的一侧，在所述第一方向上与所述第三子图形相间隔，所述第四子图形在所述第二方向上与所述第一子图形相间隔；第五子图形，位于所述第二子图形的另一侧，在所述第一方向上与所述第三子图形相间隔，所述第五子图形在所述第二方向上与所述第一子图形相间隔。4.如权利要求2所述的掩膜版版图，其特征在于，在所述第一方向上，所述第二子图形至所述第四子图形的距离小于或等于30纳米；在所述第二方向上，所述第四子图形和第一子图形的间距大于50纳米且小于60纳米。5.如权利要求2所述的掩膜版版图，其特征在于，在所述第一方向上，所述第三子图形的长度至少为96纳米。6.如权利要求2或5所述的掩膜版版图，其特征在于，所述互连层图形还包括：第五子图形，在所述第一方向上，所述第五子图形位于所述第二子图形背向所述第四子图形的一侧，且与所述第三子图形相间隔，在所述第二方向上，所述第五子图形与所述第一子图形相间隔；在所述第一方向上，所述第三子图形至所述第五子图形的距离大于或等于24纳米。7.如权利要求3所述的掩膜版版图，其特征在于，在所述第一方向上，所述第三子图形的长度大于或等于10纳米。8.如权利要求3或7所述的掩膜版版图，其特征在于，在所述第一方向上，所述第四子图形至相邻第三子图形的距离大于或等于20纳米；所述第五子图形至相邻第三子图形的距离大于或等于20纳米。9.如权利要求1所述的掩膜版版图，其特征在于，在所述第二方向上，所述第一子图形至第二子图形的距离小于或等于50纳米。10.如权利要求1所述的掩膜版版图，其特征在于，在所述第二方向上，所述第二子图形中的孔图形具有朝向所述第一子图形的第一边，所述第二子图形具有朝向所述第二子图形
的第二边，所述第一边至所述第二边的距离大于或等于6纳米。11.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底；互连层，位于所述基底上，所述互连层包括：第一子互连层，所述第一子互连层沿第一方向延伸；第二子互连层，位于所述第一子互连层的一侧的所述基底上，所述第二子互连层与所述第一子互连层间隔排布，所述第二子互连层沿第二方向延伸，所述第一方向与第二方向相垂直，且所述第二子互连层的延伸方向与所述第一子互连层的延伸方向相交；第三子互连层，在所述第一方向上，位于所述第二子互连层的至少一侧，且所述第三子互连层与所述第二子互连层靠近所述第一子互连层一侧的端部相连；多个接触插塞，位于所述互连层上，且所述接触插塞与第二子互连层的顶部接触，其中，在所述第二子互连层上，所述接触插塞位于所述第二子互连层靠近所述第一子互连层一侧的端部。12.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述互连层还包括：第四子互连层，位于所述基底上，在所述第一方向上与所述第二子互连层相间隔，在所述第二方向上与所述第一子互连层相间隔，且所述第四子互连层位于所述第二子互连层背向所述第三子互连层的一侧。13.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，在所述第一方向上，所述第三子互连层位于所述第二子互连层的两侧；所述互连层图形还包括：第四子互连层，位于所述第二子互连层的一侧的所述基底上，在所述第一方向上与所述第三子互连层相间隔，所述第四子互连层在所述第二方向上与所述第一子互连层相间隔；第五子互连层，位于所述第二子互连层的另一侧的所述基底上，在所述第一方向上与所述第三子互连层相间隔，所述第五子互连层在所述第二方向上与所述第一子互连层相间隔。14.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，在所述第一方向上，所述第二子互连层至所述第四子互连层的距离小于或等于30纳米；所述第四子互连层至第一子互连层的距离大于50纳米且小于60纳米。15.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，在所述第一方向上，所述第三子互连层的长度至少为96纳米。16.如权利要求12或15所述的半导体结构，其特征在于，所述互连层还包括：第五子互连层，在所述第一方向上，所述第五子互连层位于所述第二子互连层背向所述第四子互连层的一侧，且与所述第三子互连层相间隔，在所述第二方向上，所述第五子互连层与所述第一子互连层相间隔；在所述第一方向上，所述第三子互连层至所述第五子互连层的距离大于或等于24纳米。17.如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，在所述第一方向上，所述第三子互连层的长度大于或等于10纳米。18.如权利要求13或17所述的半导体结构，其特征在于，在所述第一方向上，所述第四
子互连层至相邻第三子互连层的距离大于或等于20纳米；所述第五子互连层至相邻第三子互连层的距离大于或等于20纳米。19.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，在所述第二方向上，所述第一子互连层至第二子互连层的距离小于或等于50纳米。20.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，在所述第二方向上，所述第二子互连层具有朝向所述第二子互连层的第一面，所述接触插塞的底部至所述第一面的距离大于或等于6纳米。

技术总结
一种掩膜版版图和半导体结构，掩膜版版图包括：第一掩膜版版图，包括第一子图形、以及位于第一子图形一侧的第二子图形和第三子图形；第二子图形和第三子图形位于同一版图中，第一子图形沿第一方向延伸；第二子图形沿第二方向延伸，第一方向和第二方向相垂直，且第二子互连层的延伸方向与第一子互连层的延伸方向相交；在第一方向上，第三子图形位于第二子图形的至少一侧，且第三子图形与第二子图形靠近第一子图形一侧的端部相连。本发明实施例，在曝光过程中，形成的所述第二子互连层在第二方向上的长度更长，相应的，形成的接触插塞易形成在第二子互连层上，所述接触插塞与第二子互连层接触良好，有利于提高半导体结构的电学性能。能。能。


技术研发人员：杨青
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2020.04.30
技术公布日：2021/11/2