导电薄膜的加工系统及制备工艺的制作方法

技术特征：
1.一种导电薄膜的加工系统，其特征在于，包括：第一真空磁控镀膜装置，用于在薄膜基材的表面形成磁控溅射合金层；第二真空磁控镀膜装置，设置在第一真空磁控镀膜装置后方，用于在磁控溅射合金层的外表面形成第一金属镀层；第二金属镀层成型装置，设置于第二真空磁控镀膜装置后方，用于在第一金属镀层的外表面形成第二金属镀层；水镀装置，设置在第二金属镀层成型装置的后方，用于在第二金属镀层外表面形成增厚导电金属镀层。2.根据权利要求1所述的导电薄膜的加工系统，其特征在于：所述的第二金属镀层成型装置由真空蒸镀装置和第三真空磁控镀膜装置构成；其中，所述的真空蒸镀装置位于第二真空磁控镀膜装置后方，真空蒸镀装置用于在第一金属镀层上形成蒸镀金属层；所述的第三真空磁控镀膜装置位于真空蒸镀装置的后方，第三真空磁控镀膜装置用于在蒸镀金属层上形成溅射层，以提高导电薄膜表面镀层的均匀性和致密性。3.根据权利要求1所述的导电薄膜的加工系统，其特征在于：所述的第二金属镀层成型装置为双面往返连续真空镀膜装置。4.根据权利要求1-3任一所述的导电薄膜的加工系统，其特征在于：所述的相邻的两个装置之间均设有物料转运装置，所述水镀装置后方还设置有分切装置。5.根据权利要求1-3任一所述的导电薄膜的加工系统，其特征在于：所述第一金属镀层、第二金属镀层以及增厚导电金属镀层所镀金属均为铜，即所述第一金属镀层、第二金属镀层以及增厚导电金属镀层均为镀铜层。6.根据权利要求5所述的导电薄膜的加工系统，其特征在于：所述水镀装置为酸性水镀装置或碱性水镀装置。7.根据权利要求1所述的导电薄膜的加工系统，其特征在于：所述磁控溅射合金层为镍铬合金层或镍铜合金层，所述磁控溅射合金层的厚度为2-10nm；所述第一金属镀层的厚度为5-15nm；所述增厚导电金属镀层的厚度为600-950nm；所述第二金属镀层的厚度为10-100nm。8.根据权利要求1所述的导电薄膜的加工系统，其特征在于：所述第一真空磁控镀膜装置和第二真空磁控镀膜装置为同一台磁控溅射镀膜装置。9.一种导电薄膜的制备工艺，其特征在于，该制备工艺包括以下的步骤：s1、在薄膜基材表面采用真空磁控镀膜装置进行镀膜，形成2-10nm的磁控溅射合金层；s2、通过真空磁控镀膜装置，在磁控溅射合金层上形成5-15nm的第一金属镀层；s3、在第一金属镀层上通过真空蒸镀形成10-90nm的蒸镀金属层；s4、通过水镀装置，在蒸镀金属层上形成厚度为600-950nm的增厚导电金属镀层。10.根据权利要求9所述的导电薄膜的制备工艺，其特征在于：所述的步骤s3与步骤s4之间具有步骤s31：在蒸镀金属层上通过真空磁控溅射镀膜形成2-10nm的溅射层；所述的步骤s4即为：通过水镀装置，在溅射层上形成厚度为600-950nm的增厚导电金属镀层。

技术总结
本发明公开了一种导电薄膜的加工系统及制备工艺，涉及基材镀膜技术领域；包括第一真空磁控镀膜装置，用于在薄膜的表面形成磁控溅射合金层；第二真空磁控镀膜装置，设置在第一真空磁控镀膜装置后方，用于在磁控溅射合金层的外表面形成第一镀铜层；第二镀铜层成型装置，设置于第二真空磁控镀膜装置后方，用于在第一镀铜层的外表面形成第二镀铜层；水镀装置，设置在第二镀铜层成型装置的后方，用于在第二镀铜层外表面形成增厚导电铜层；本发明的有益效果是：提高了铜层表面的均匀性和致密性，提高了导电薄膜的品质。提高了导电薄膜的品质。提高了导电薄膜的品质。


技术研发人员：许兢睿
受保护的技术使用者：星耀科技（深圳）有限公司
技术研发日：2020.04.30
技术公布日：2021/11/2