处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置及程序产品与流程

本发明涉及处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置及程序产品。

背景技术：

1、作为半导体器件的制造工序的一个工序，存在进行下述处理的情况，即，在衬底表面露出的多种基底中，选择性地在特定基底的表面上使膜生长并形成膜（以下，也将该处理称为选择生长或选择成膜）（例如参见专利文献1）。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2013-243193号公报

技术实现思路

1、发明要解决的课题

2、本发明的目的在于提供能够使半导体器件的制造工序简化的技术。

3、用于解决课题的手段

4、根据本发明的一方式，提供进行以下工序的技术：

5、（a）通过向在表面露出第1基底和第2基底的衬底供给从含氟气体产生的含氟自由基，从而使所述第1基底及所述第2基底中的一者的基底的表面以f封端的方式改性的工序；和

6、（b）通过向使所述一者的基底的表面改性后的所述衬底供给成膜气体，从而在所述第1基底及所述第2基底中的与所述一者的基底不同的另一基底的表面上形成膜的工序。

7、本申请涉及下述项：

8、项1、半导体器件的制造方法，其具有下述工序：

9、（a）通过向在表面露出第1基底和第2基底的衬底供给从含氟气体产生的含氟自由基，从而使所述第1基底及所述第2基底中的一者的基底的表面以f封端的方式改性的工序；和

10、（b）通过向使所述一者的基底的表面改性后的所述衬底供给成膜气体，从而在所述第1基底及所述第2基底中的与所述一者的基底不同的另一基底的表面上形成膜的工序。

11、项2、根据项1所述的半导体器件的制造方法，其中，在（a）中，使所述一者的基底的表面以sif封端的方式改性。

12、项3、根据项1所述的半导体器件的制造方法，其中，在（a）中，使所述一者的基底的表面以不蚀刻的方式改性。

13、项4、根据项1所述的半导体器件的制造方法，其中，在（a）中，在抑制所述另一基底的表面的改性的同时使所述一者的基底的表面改性。

14、项5、根据项1所述的半导体器件的制造方法，其中，在（b）中，不在所述一者的基底的表面上形成所述膜而在所述另一基底的表面上形成所述膜。

15、项6、根据项1所述的半导体器件的制造方法，其中，在（a）中，在假催化剂存在的气氛下供给所述含氟气体，从而产生所述含氟自由基。

16、项7、根据项6所述的半导体器件的制造方法，其中，所述假催化剂包含最外表面未由自然氧化膜覆盖的硅。

17、项8、根据项6所述的半导体器件的制造方法，其中，所述假催化剂含有硅材料在最外表面露出的硅。

18、项9、根据项6所述的半导体器件的制造方法，其中，所述假催化剂包含在最外表面形成的自然氧化膜被除去了的硅。

19、项10、根据项6所述的半导体器件的制造方法，其中，所述假催化剂包含促进所述含氟气体的分解的反应气体。

20、项11、根据项6所述的半导体器件的制造方法，其中，所述假催化剂包含氧气、一氧化二氮气体、二氧化氮气体、一氧化氮气体、氟化氢气体、氨气及氢气中的至少任一种。

21、项12、根据项1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第1基底包含含氧膜，所述第2基底包含非含氧膜。

22、项13、根据项1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第1基底包含氧化膜，所述第2基底包含氮化膜。

23、项14、根据项1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第1基底包含含有硅及氧的膜，所述第2基底包含含有硅及氮的膜。

24、项15、根据项1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述一者的基底是所述第1基底，所述另一基底是所述第2基底。

25、项16、根据项1所述的半导体器件的制造方法，其中，在非等离子体的气氛下进行（a）及（b）。

26、项17、根据项1所述的半导体器件的制造方法，其中，在（a）中，通过等离子体、加热或光照射来使所述含氟气体活化，从而产生含氟自由基。

27、项18、根据项1所述的半导体器件的制造方法，其还具有下述工序：

28、（c）通过使与氟反应的物质与在所述另一基底的表面上形成膜后的所述衬底的表面接触，从而消除在所述一者的基底的表面形成的f封端的工序。

29、项19、衬底处理装置，其具有：

30、处理室，供衬底被处理；

31、含氟气体供给系统，其向所述处理室内的衬底供给含氟气体；

32、成膜气体供给系统，其向所述处理室内的衬底供给成膜气体；

33、加热器，其加热所述处理室内的衬底；和

34、控制部，其构成为能够以在所述处理室内进行下述处理的方式控制所述含氟气体供给系统、所述成膜气体供给系统及所述加热器，所述处理为：

35、（a）通过向在表面露出第1基底和第2基底的衬底供给从所述含氟气体产生的含氟自由基，从而使所述第1基底及所述第2基底中的一者的基底的表面以f封端的方式改性的处理；和

36、（b）通过向使所述一者的基底的表面改性后的所述衬底供给所述成膜气体，从而在所述第1基底及所述第2基底中的与所述一者的基底不同的另一基底的表面上形成膜的处理。

37、项20、计算机能够读取的记录介质，其记录有通过计算机使衬底处理装置在所述衬底处理装置的处理室内执行下述步骤的程序，所述步骤为：

38、（a）通过向在表面露出第1基底和第2基底的衬底供给从含氟气体产生的含氟自由基，从而使所述第1基底及所述第2基底中的一者的基底的表面以f封端的方式改性的步骤；以及

39、（b）通过向使所述一者的基底的表面改性后的所述衬底供给成膜气体，从而在所述第1基底及所述第2基底中的与所述一者的基底不同的另一基底的表面上形成膜的步骤。

40、发明效果

41、根据本发明，能够使半导体器件的制造工序简化。

1.处理方法，其具有下述工序：

2.根据权利要求1所述的处理方法，其中，在（a1）中，在所述第1基底及所述第2基底的表面形成所述假催化剂膜，

3.根据权利要求1或2所述的处理方法，其中，在（a2）中，将在所述另一基底的表面形成的所述假催化剂膜蚀刻，使所述另一基底的表面上的吸附位点露出。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的处理方法，其中，所述假催化剂膜包含含si膜。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的处理方法，其中，所述假催化剂膜包含si膜。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的处理方法，其中，在（a2）中，使所述一者的基底的表面以sif封端的方式改性。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的处理方法，其中，在（a2）中，使所述一者的基底的表面以不蚀刻的方式改性。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的处理方法，其中，在（a2）中，在抑制所述另一基底的表面的改性的同时，使所述一者的基底的表面改性。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的处理方法，其中，在（b）中，在所述一者的基底的表面上不形成所述膜的情况下在所述另一基底的表面上形成所述膜。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的处理方法，其中，所述第1基底包含含氧膜，所述第2基底包含与所述含氧膜不同的膜。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的处理方法，其中，所述第1基底包含含氧膜，所述第2基底包含非含氧膜。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的处理方法，其中，所述第1基底包含氧化膜，所述第2基底包含氮化膜。

13.根据权利要求1～12中任一项所述的处理方法，其中，所述第1基底包含含有硅及氧的膜，所述第2基底包含含有硅及氮的膜。

14.根据权利要求1～13中任一项所述的处理方法，其中，所述第1基底包含氧化硅膜，所述第2基底包含氮化硅膜。

15.根据权利要求1～14中任一项所述的处理方法，其中，所述一者的基底是所述第1基底，所述另一基底是所述第2基底。

16.根据权利要求1～15中任一项所述的处理方法，其中，在非等离子体的气氛下进行（a）及（b）。

17.根据权利要求1～16中任一项所述的处理方法，其中，还具有：（c）使与氟反应的物质与在所述另一基底的表面上形成膜后的所述衬底的表面接触，由此使在所述一者的基底的表面形成的f封端消失的工序。

18.半导体器件的制造方法，其具有下述工序：

19.处理装置，其具有：

20.程序产品，其通过计算机使处理装置执行下述步骤：