存储器装置的制作方法

本发明关于一种存储器装置。

背景技术：

1、在存储器产业中，品质验证是不可或缺的一步。由于存储器的某些区域可能存在有影响运作的结构缺陷，因此需要执行量测程序，通过量测存储器运作时的信号以确认其运作性能。

技术实现思路

1、本发明关于一种存储器装置，包含电路板、存储器晶片、多个连接电阻及多个量测接点。电路板包含多个导电层。存储器晶片设置于电路板上，且电性连接于所述多个导电层。连接电阻设置于电路板内，且电性连接于所述多个导电层中的一者。量测接点设置于电路板上，其中所述多个量测接点的每一者通过所述多个连接电阻中的其中一者电性连接于存储器晶片。

2、在一实施例中，所述多个量测接点包含多个高频接点及多个低频接点，所述多个高频接点传输的信号的频率高于所述多个低频接点传输的信号的频率，且所述多个高频接点位于所述多个低频接点与存储器晶片之间。

3、在一实施例中，所述多个高频接点之间具有第一间距、所述多个低频接点之间具有第二间距，且第一间距小于第二间距。

4、在一实施例中，第一间距介于0.5～0.8毫米之间。

5、在一实施例中，第二间距介于0.6～1毫米之间。

6、在一实施例中，所述多个低频接点、所述多个高频接点、所述多个连接电阻沿第一方向排列，且所述多个量测接点的分布宽度小于或等于存储器晶片的宽度。

7、在一实施例中，电路板形成有多条走线，所述多个量测接点设置于电路板的一侧与存储器晶片之间的第一量测区域，且第一量测区域内没有所述多条走线。

8、在一实施例中，所述多个连接电阻的每一者小于200欧姆。

9、在一实施例中，所述多个导电层中的所述一者的一部分露出于电路板的表面，以作为所述多个量测接点。

10、在一实施例中，所述多个导电层中的所述一者的一部分露出于电路板的第二量测区域，第二量测区域位于存储器晶片及存储器装置的边缘连接器接口之间。

11、本发明还关于一种存储器装置，包含电路板、存储器晶片及多个量测接点。电路板包含多个导电层。存储器晶片设置于电路板上，且电性连接于所述多个导电层。量测接点设置于电路板的第一量测区域。所述多个量测接点的每一者通过连接电阻及所述多个导电层的至少一者电性连接于存储器晶片。所述多个导电层中的一者的一部分露出于电路板的第二量测区域，以形成导电接点，且存储器晶片位于第一量测区域及第二量测区域之间。

12、在一实施例中，所述多个量测接点包含多个高频接点及多个低频接点，所述多个高频接点传输的信号的频率高于所述多个低频接点传输的信号的频率，且所述多个高频接点位于所述多个低频接点与存储器晶片之间。

13、在一实施例中，所述多个高频接点之间具有第一间距、所述多个低频接点之间具有第二间距，第一间距小于第二间距。

14、在一实施例中，第一间距介于0.5～0.8毫米之间。

15、在一实施例中，第二间距介于0.6～1毫米之间。

16、在一实施例中，所述多个低频接点、所述多个高频接点及存储器晶片沿第一方向排列，且所述多个量测接点的分布宽度小于或等于存储器晶片的宽度。

17、在一实施例中，电路板形成有多条走线，第一量测区域位于电路板的一侧与存储器晶片之间，且第一量测区域内没有所述多条走线。

18、在一实施例中，连接电阻小于200欧姆。

19、在一实施例中，所述多个导电层中的所述一者的另一部分露出于电路板的表面，以作为所述多个量测接点。

20、在一实施例中，第二量测区域位于存储器晶片及存储器装置的边缘连接器接口之间。

1.一种存储器装置，其特征在于，包含：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述多个量测接点包含多个高频接点及多个低频接点，所述多个高频接点传输的信号的频率高于所述多个低频接点传输的信号的频率，且所述多个高频接点位于所述多个低频接点与所述存储器晶片之间。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其特征在于，所述多个高频接点之间具有第一间距、所述多个低频接点之间具有第二间距，且所述第一间距小于所述第二间距。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其特征在于，所述第一间距介于0.5～0.8毫米之间。

5.根据权利要求3所述的存储器装置，其特征在于，所述第二间距介于0.6～1毫米之间。

6.根据权利要求2所述的存储器装置，其特征在于，所述多个低频接点、所述多个高频接点、所述多个连接电阻沿第一方向排列，且所述多个量测接点的分布宽度小于或等于所述存储器晶片的宽度。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述电路板形成有多条走线，所述多个量测接点设置于所述电路板的一侧与所述存储器晶片之间的第一量测区域，且所述第一量测区域内没有所述多条走线。

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述多个连接电阻的每一者小于200欧姆。

9.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述多个导电层中的所述一者的一部分露出于所述电路板的表面，以作为所述多个量测接点。

10.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述多个导电层中的所述一者的一部分露出于所述电路板的第二量测区域，所述第二量测区域位于所述存储器晶片及所述存储器装置的边缘连接器接口之间。

11.一种存储器装置，其特征在于，包含：

12.根据权利要求11所述的存储器装置，其特征在于，所述多个量测接点包含多个高频接点及多个低频接点，所述多个高频接点传输的信号的频率高于所述多个低频接点传输的信号的频率，且所述多个高频接点位于所述多个低频接点与所述存储器晶片之间。

13.根据权利要求12所述的存储器装置，其特征在于，所述多个高频接点之间具有第一间距、所述多个低频接点之间具有第二间距，所述第一间距小于所述第二间距。

14.根据权利要求13所述的存储器装置，其特征在于，所述第一间距介于0.5～0.8毫米之间。

15.根据权利要求13所述的存储器装置，其特征在于，所述第二间距介于0.6～1毫米之间。

16.根据权利要求12所述的存储器装置，其特征在于，所述多个低频接点、所述多个高频接点及所述存储器晶片沿第一方向排列，且所述多个量测接点的分布宽度小于或等于所述存储器晶片的宽度。

17.根据权利要求11所述的存储器装置，其特征在于，所述电路板形成有多条走线，所述第一量测区域位于所述电路板的一侧与所述存储器晶片之间，且所述第一量测区域内没有所述多条走线。

18.根据权利要求11所述的存储器装置，其特征在于，所述连接电阻小于200欧姆。

19.根据权利要求11所述的存储器装置，其特征在于，所述多个导电层中的所述一者的另一部分露出于所述电路板的表面，以作为所述多个量测接点。

20.根据权利要求11所述的存储器装置，其特征在于，所述第二量测区域位于所述存储器晶片及所述存储器装置的边缘连接器接口之间。