封装结构及其形成方法与流程

本技术涉及封装领域，尤其涉及一种封装结构及其形成方法。

背景技术：

1、背面贴装（surface mount technology，简称smt）是一种通过将电子元件直接贴装到基板（比如印刷电路板）表面进行焊接的电子装联技术，广泛应用于现代电子产品制造。背面贴装的核心工艺包括焊膏印刷、芯片贴装和回流焊接三个阶段，利用红外或热风加热方式，通过精确控制温度曲线实现焊接连接。

2、在超窄间距的芯片表面贴装工艺中，由于相邻的两个芯片之间的间距极窄，相应的基板时上相邻的焊盘之间的间距极窄，相邻的焊盘上印刷的焊膏之间的间距也会极窄，当将两个芯片的管脚贴装在相应的焊盘上，在进行回流回流焊接的过程中，相邻的焊盘上的焊膏会产生桥连，从而导致贴装的两个芯片会产生短路。

技术实现思路

1、本技术的目的提供一种封装结构及其形成方法，在超窄间距的芯片表面贴装工艺中，防止相邻的两个芯片之间产生短路。

2、为了实现上述目的，本技术首先提供了一种封装结构的形成方法，包括：

3、提供基板，所述基板上具有第一焊盘和位于所述第一焊盘一侧的第二焊盘；

4、在所述第一焊盘上形成第一焊料层；

5、提供第一封装体，所述第一封装体包括第一引脚；

6、将所述第一封装体贴装在所述基板上，所述第一引脚通过第一焊料层与所述第一焊盘焊接；

7、在所述基板上形成隔离墙，所述隔离墙环绕在所述第二焊盘外周的至少部分，且至少部分所述隔离墙位于所述第一焊盘和第二焊盘之间；

8、在所述第二焊盘上形成第二焊料层，所述第二焊料层的顶面等于或高于所述隔离墙的顶面；

9、提供第二封装体，所述第二封装体包括第二引脚；

10、将所述第二封装体贴装在所述基板上，所述第二引脚通过第二焊料层与所述第二焊盘焊接。

11、在本技术的一些实施例中，所述隔离墙的顶面高于所述第一焊料层和所述第二焊盘的顶面；

12、所述第二封装体的部分底面被所述隔离墙的顶面支撑；

13、所述第二封装体的贴装高度大于所述第一封装体的贴装高度。

14、在本技术的一些实施例中，所述隔离墙的顶面与所述第一焊料层的顶面齐平，且所述隔离墙的顶面的高于所述第二焊盘的顶面；

15、所述第二封装体的贴装高度等于所述第一封装体的贴装高度。

16、在本技术的一些实施例中，所述隔离墙的宽度小于相邻的第一焊盘和第二焊盘之间的间距。

17、在本技术的一些实施例中，相邻的第一焊盘和第二焊盘之间的间距50微米-100微米；

18、所述隔离墙的宽度为10微米-60微米。

19、在本技术的一些实施例中，所述隔离墙的内侧壁与所述第二焊盘的外侧壁接触或不接触。

20、在本技术的一些实施例中，所述隔离墙的内侧壁与所述第二焊盘的外侧壁不接触时，所述第二焊料层还填充满所述隔离墙的内侧壁和所述第二焊盘的外侧壁之间的间隙。

21、在本技术的一些实施例中，所述隔离墙的材料包括底填胶或无机介质材料。

22、在本技术的一些实施例中，所述隔离墙完全环绕所述第二焊盘，所述隔离墙的形状呈封闭的环形。

23、在本技术的一些实施例中，所述隔离墙的形成过程包括：在所述基板上形成覆盖所述第一封装体和第二焊盘的第一光敏干膜；

24、对所述第一光敏干膜进行曝光和显影，在所述第一光敏干膜中形成环形的第一开口，所述环形的第一开口的底部露出所述第二焊盘周围的部分基板的表面；

25、在所述环形的第一开口中形成所述隔离墙；

26、形成所述隔离墙后，去除所述第一光敏干膜。

27、在本技术的一些实施例中，所述第一光敏干膜的材料与所述隔离墙的材料不相同。

28、在本技术的一些实施例中，去除所述第一光敏干膜采用湿法刻蚀工艺。

29、在本技术的一些实施例中，所述隔离墙的材料为底填胶时，形成所述隔离墙的工艺采用点胶工艺和固化工艺。

30、在本技术的一些实施例中，所述第二焊料层的形成过程包括：在所述基板上形成覆盖所述第一封装体、所述隔离墙和所述第二焊盘的第二光敏干膜；

31、对所述第二光敏干膜进行曝光和显影，去除所述隔离墙内的第二光敏干膜，形成露出所述第二焊盘的第二开口；

32、在所述第二开口内的第二焊盘上形成第二焊料层。

33、在本技术的一些实施例中，所述第二光敏干膜的材料与所述隔离墙的材料不相同。

34、在本技术的一些实施例中，还包括：将所述第二封装体贴装在所述基板上后，去除所述第二光敏干膜。

35、在本技术的一些实施例中，去除所述第二光敏干膜的工艺包括湿法刻蚀。

36、在本技术的一些实施例中，形成所述第二焊料层采用网板印刷。

37、本技术还提供了一种封装结构，包括：

38、基板，所述基板上具有第一焊盘和位于所述第一焊盘一侧的第二焊盘；

39、第一封装体，所述第一封装体包括第一引脚，所述第一封装体贴装在所述基板上，所述第一引脚通过第一焊料层与所述第一焊盘焊接；

40、位于所述基板上的隔离墙，所述隔离墙环绕在所述第二焊盘外周的至少部分，且至少部分所述隔离墙位于所述第一焊盘和第二焊盘之间；

41、第二封装体，所述第二封装体包括第二引脚，所述第二封装体贴装在所述基板上，所述第二引脚通过第二焊料层与所述第二焊盘焊接。

42、在本技术的一些实施例中，所述隔离墙的顶面高于所述第一焊料层和所述第二焊盘的顶面；

43、所述第二封装体的部分底面被所述隔离墙的顶面支撑；

44、所述第二封装体的贴装高度大于所述第一封装体的贴装高度。

45、在本技术的一些实施例中，所述隔离墙的顶面与所述第一焊料层的顶面齐平，且所述隔离墙的顶面的高于所述第二焊盘的顶面；

46、所述第二封装体的贴装高度等于所述第一封装体的贴装高度。

47、在本技术的一些实施例中，所述隔离墙的宽度小于相邻的第一焊盘和第二焊盘之间的间距。

48、在本技术的一些实施例中，相邻的第一焊盘和第二焊盘之间的间距50微米-100微米；

49、所述隔离墙的宽度为10微米-60微米。

50、在本技术的一些实施例中，所述隔离墙的内侧壁与所述第二焊盘的外侧壁接触或不接触。

51、在本技术的一些实施例中，所述隔离墙的内侧壁与所述第二焊盘的外侧壁不接触时，所述第二焊料层还填充满所述隔离墙的内侧壁和所述第二焊盘的外侧壁之间的间隙。

52、在本技术的一些实施例中，所述隔离墙的材料包括底填胶或无机介质材料。

53、在本技术的一些实施例中，所述隔离墙完全环绕所述第二焊盘，所述隔离墙的形状呈封闭的环形。

54、本技术的有益效果：

55、本技术的封装结构及其形成方法，其中封装结构的形成方法，包括：提供基板，所述基板上具有第一焊盘和位于所述第一焊盘一侧的第二焊盘；在所述第一焊盘上形成第一焊料层；提供第一封装体，所述第一封装体包括第一引脚；将所述第一封装体贴装在所述基板上，所述第一引脚通过第一焊料层与所述第一焊盘焊接；在所述基板上形成隔离墙，所述隔离墙环绕在所述第二焊盘外周的至少部分，且至少部分所述隔离墙位于所述第一焊盘和第二焊盘之间；在所述第二焊盘上形成第二焊料层，所述第二焊料层的顶面等于或高于所述隔离墙的顶面；提供第二封装体，所述第二封装体包括第二引脚；将所述第二封装体贴装在所述基板上，所述第二引脚通过第二焊料层与所述第二焊盘焊接。

56、前述封装结构的形成方法，通过在所述基板上形成隔离墙，所述隔离墙环绕在所述第二焊盘外周的至少部分，且至少部分所述隔离墙位于所述第一焊盘和第二焊盘之间，一方面，当第二焊盘与相邻的第一焊盘之间的间距较小或者为超窄间距时，在将第二封装体贴装在所述基板上，所述第二引脚通过第二焊料层与所述第二焊盘焊接时，由于所述第二焊料层完全的被限制在隔离墙环绕的空间内，从而在贴装第二封装体的过程中，防止第二焊料层与第一焊盘上的第一焊料层接触，避免第二焊料层与第二焊料层发生桥连，进而防止第二封装体和第一封装体之间产生短路；另一方面，隔离墙的存在，贴装第二封装体的过程中，使得第二焊料层完全的被限制在隔离墙环绕的空间内，即第二焊料层的铺展空间是被限制的，使得小尺寸的第二焊盘完全能被第二焊料层润湿，因而制作和设置第二焊盘时，可以使得所述第二焊盘的尺寸小于所述第一焊盘的尺寸，以减小第二焊盘占据的基板的表面积，从而可以提高封装结构的集成度。

57、进一步，在一些实施例中，所述隔离墙的顶面高于所述第一焊料层和所述第二焊盘的顶面，这样设置时，除了之前提到的能防止第二焊料层与第一焊料层发生桥连的效果外，由于所述隔离墙的顶面高于所述第一焊料层所述第二焊盘的顶面，从而进一步增加了第二焊料层的顶面到第一焊料层的顶面之间的距离，从而能更好的防止第二焊料层与第一焊料层之间桥连。此外，所述隔离墙的顶面高于所述第一焊料层和所述第二焊盘的顶面时，后续将第二封装体贴装在所述基板上时，所述第二封装体的部分底面能被所述隔离墙的顶面支撑，从而可以提高第二封装体的贴装精度和质量，并能使得所述第二封装体的贴装高度大于所述第一封装体的贴装高度，即所述第二封装体与所述第一封装体不会贴装在同一水平面，因而增大了第二封装体与相邻的第一封装体之间的距离，从而减小了第二封装体与第一封装体之间的寄生电容以及相互之间的干扰，降低了高频的损耗。