封装结构及其形成方法与流程

本公开的实施例涉及封装结构及其形成方法。

背景技术：

1、半导体集成电路（ic）工业已经经历了快速增长。半导体制造工艺中的不断进步已经产生了具有更精细部件和/或更高集成度的半导体器件。功能密度（即每芯片面积的互连器件的数量）通常增加，而几何尺寸（即使用制造工艺可以创建的最小组件）减小。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。

2、封装结构不仅保护半导体器件免受环境污染物的影响，而且为封装在其中的半导体器件提供连接接口。已经开发出占用较少空间或高度较低的较小封装结构来封装半导体器件。

3、已经开发新的封装技术以进一步改进半导体芯片的密度和功能。这些相对较新的半导体芯片的封装技术面临着制造挑战。

技术实现思路

1、本公开的实施例提供一种封装结构，包括：第一含芯片结构，具有器件部分和位于所述器件部分上方的前侧互连结构；介电接合结构，位于所述第一含芯片结构上方；多个金属接合结构，嵌入在所述介电接合结构内；以及应力释放结构，位于所述介电接合结构和所述第一含芯片结构之间，其中，所述应力释放结构具有多个介电层、导电部件和导电通孔，所述导电部件和所述导电通孔由所述介电层围绕，所述导电通孔电连接至所述导电部件，并且所述前侧互连结构具有多个含氧化物的介电层。

2、本公开的另一实施例提供一种用于形成封装结构的方法，包括：形成第一含芯片结构，其中，所述第一含芯片结构具有前侧互连结构和背侧互连结构，并且在所述背侧互连结构之前形成所述前侧互连结构；在所述前侧互连结构上方形成第一介电层；在所述第一介电层上方形成第二介电层；部分地去除所述第二介电层以在所述第二介电层中形成开口；在形成所述开口之后，部分地去除所述第一介电层以在所述第一介电层中形成导通孔，所述导通孔连接所述开口；在所述开口和所述导通孔中形成导电材料，以形成由所述第二介电层横向围绕的导电部件和由所述第一介电层横向围绕的导电通孔；在所述第二介电层和所述导电部件上方形成介电接合结构；以及形成电连接至所述导电部件的金属接合结构，其中，所述金属接合结构嵌入所述介电接合结构内。

3、本公开的又一实施例提供一种用于形成封装结构的方法，包括：形成第一含芯片结构，其中，所述第一含芯片结构具有前侧互连结构和背侧互连结构，并且所述前侧互连结构具有比所述背侧互连结构小的平均线宽；在所述第一含芯片结构的所述前侧互连结构上方形成应力释放结构，其中，所述应力释放结构具有介电层、导电部件和导电通孔；在所述应力释放结构上方形成介电接合结构；形成电连接至所述导电部件的金属接合结构，其中，所述金属接合结构嵌入所述介电接合结构内，所述金属接合结构具有朝向所述应力释放结构延伸的通孔部分，并且在俯视图中，所述通孔部分与所述应力释放结构的所述导电通孔重叠；以及将第二含芯片结构接合至所述介电接合结构和所述金属接合结构。

4、本申请的实施例提供了具有应力释放层的封装件的结构和形成方法。

1.一种封装结构，包括：

2.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述导电部件比所述导电通孔宽，并且所述第一含芯片结构的所述前侧互连结构的顶部金属元件比所述导电通孔宽并且比所述金属接合结构窄。

3.根据权利要求2所述的封装结构，其中，所述金属接合结构具有焊盘部分和通孔部分，所述通孔部分位于所述焊盘部分与所述应力释放结构之间，并且所述金属接合结构的所述通孔部分比所述第一含芯片结构的所述前侧互连结构的所述顶部金属元件宽、或与所述第一含芯片结构的所述前侧互连结构的所述顶部金属元件一样宽。

4.根据权利要求1所述的封装结构，还包括：

5.根据权利要求4所述的封装结构，还包括：

6.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述第一含芯片结构具有背侧互连结构，所述前侧互连结构具有比所述背侧互连结构小的平均线宽，并且所述前侧互连结构位于所述介电接合结构和所述背侧互连结构之间。

7.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述金属接合结构具有焊盘部分和通孔部分，所述通孔部分位于所述焊盘部分与所述应力释放结构之间，并且在所述应力释放结构的所述导电部件与所述通孔部分之间没有形成导电通孔。

8.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述前侧互连结构的顶部金属元件具有第一宽度，所述应力释放结构的所述导电通孔具有第二宽度，所述应力释放结构的所述导电部件具有第三宽度，所述第二宽度与所述第一宽度的比率在从0.15至0.9的范围内，并且所述第二宽度与所述第三宽度的比率在从0.15至0.7的范围内。

9.一种用于形成封装结构的方法，包括：

10.一种用于形成封装结构的方法，包括：