半导体结构的制备方法及MOS管与流程

本申请属于半导体，尤其涉及一种半导体结构的制备方法及mos管。

背景技术：

1、在mosfet(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管)(以下简称mos管)制造过程中，浅沟道隔离结构常被用于定义有源区。在浅沟道隔离结构与有源区交界处，器件往往存在一定的形貌差异，这种局部形貌上的不规则性会导致后续离子注入时离子在有源区分布不均匀，从而影响mos管的性能。

技术实现思路

1、本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本申请提出一种半导体结构的制备方法及mos管，可以使隔离结构与衬底交界处的突出程度减小，且可以掩盖有源区微小表面形貌起伏，使离子注入的剂量和角度分布更均匀，从而改善mos管的性能。

2、第一方面，本申请提供了一种半导体结构的制备方法，包括：

3、在衬底的第一侧依次形成第一氧化层和掩膜层；

4、基于第一氧化层掩膜层通过光刻和沉积工艺在衬底的第一侧形成隔离结构，隔离结构的上表面高于第一氧化层上表面，且隔离结构的侧壁在隔离结构与衬底的交界处沿第一方向形成延伸部；

5、采用湿法刻蚀同时对第一氧化层和延伸部进行刻蚀；

6、湿法刻蚀后，在衬底第一侧形成第二氧化层，第二氧化层的上表面低于隔离结构的上表面；

7、在第二氧化层远离衬底的一侧向衬底进行阱区离子注入。

8、根据本申请的半导体结构的制备方法，湿法刻蚀具有各向同性，在去除第一氧化层的同时，会同步刻蚀隔离结构边缘的局部突起区域，使隔离结构与衬底交界处的突出程度减小，湿法刻蚀后在衬底表面上形成第二氧化层，可以降低隔离结构与衬底交界处的形貌高度差，且可以掩盖衬底微小表面形貌起伏，使离子注入的剂量和角度分布更均匀，从而改善mos管的性能。

9、根据本申请的一个实施例，采用湿法刻蚀同时对第一氧化层和延伸部进行刻蚀的过程中，刻蚀液采用氟化氢溶液或者缓冲氧化硅刻蚀液。

10、根据本申请的一个实施例，在采用湿法刻蚀同时对第一氧化层和延伸部进行刻蚀之后，还包括：

11、使用氟化氢汽体对延伸部进行湿法刻蚀。

12、根据本申请的一个实施例，第二氧化层通过热氧化工艺或化学气相沉积工艺形成。

13、根据本申请的一个实施例，第二氧化层厚度为20埃～100埃。

14、根据本申请的一个实施例，隔离结构的上表面与第二氧化层上表面之间的高度差与初始高度差之间的差值的绝对值小于预设阈值，初始高度差为隔离结构的上表面和第一氧化层上表面之间高度差。

15、根据本申请的一个实施例，在第二氧化层远离衬底的一侧进行阱区离子注入过程中，注入离子的类型为n型掺杂离子或p型掺杂离子。

16、根据本申请的一个实施例，在第二氧化层远离衬底的一侧向衬底向衬底进行阱区离子注入之后，还包括：

17、对阱区离子注入后的器件进行快速热退火处理。

18、根据本申请的一个实施例，在第二氧化层远离衬底的一侧向衬底进行阱区离子注入之后，还包括：

19、在第二氧化层上形成栅极结构；

20、以栅极结构为掩模，对有源区进行源极和漏极的离子注入，形成源极区域和漏极区域；

21、在源极区域和漏极区域表面沉积金属化层，并通过图案化形成源极、漏极及栅极的互连结构；

22、在互连结构表面形成钝化层，并进行器件封装。

23、第二方面，本申请提供了一种mos管，mos管根据前述的制作方法制得。

24、根据本申请的mos管，湿法刻蚀具有各向同性，在去除第一氧化层的同时，会同步刻蚀隔离结构边缘的局部突起区域，使隔离结构与衬底交界处的突出程度减小，湿法刻蚀后在衬底表面上形成第二氧化层，可以降低隔离结构与衬底交界处的形貌高度差，且可以掩盖衬底微小表面形貌起伏，使离子注入的剂量和角度分布更均匀，从而改善mos管的性能。

25、本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述采用湿法刻蚀同时对所述第一氧化层和所述延伸部进行刻蚀的过程中，刻蚀液采用氟化氢溶液或者缓冲氧化硅刻蚀液。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述采用湿法刻蚀同时对所述第一氧化层和所述延伸部进行刻蚀之后，还包括：

4.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二氧化层通过热氧化工艺或化学气相沉积工艺形成。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二氧化层厚度为20埃～100埃。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述隔离结构的上表面与所述第二氧化层上表面之间的高度差与初始高度差之间的差值的绝对值小于预设阈值，所述初始高度差为所述隔离结构的上表面和所述第一氧化层上表面之间高度差。

7.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述在所述第二氧化层远离所述衬底的一侧进行阱区离子注入过程中，注入离子的类型为n型掺杂离子或p型掺杂离子。

8.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述在所述第二氧化层远离所述衬底的一侧向所述衬底进行阱区离子注入之后，还包括：

9.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述在所述第二氧化层远离所述衬底的一侧向所述衬底进行阱区离子注入之后，还包括：

10.一种mos管，其特征在于，所述mos管根据权利要求1-9中任一项所述的制备方法制得。